技術(shù)編號：12288958
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。磁阻元件相關(guān)申請的交叉引用本申請基于并要求于2014年3月13日提交的美國臨時專利申請No.61/952,815的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此通過引用而被包含。技術(shù)領(lǐng)域在此描述的實施例一般涉及磁阻元件。背景技術(shù)近來，使用磁性隧道結(jié)(MTJ)元件的大容量磁阻隨機存取存儲器(MRAM)已經(jīng)受到期待和關(guān)注。在MRAM中使用的MTJ元件中，夾著隧道勢壘層的兩個鐵磁層中的一個被處理為具有固定且不易改變的磁化方向的磁化固定層(參考層)，另一個被處理為具有可逆磁化方向的磁化自由層(存儲層)。附圖說明圖1是示出第一實...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。