1.一種用于制造至少一個(gè)固體層(1)的方法，所述方法至少包括下述步驟：
提供載體襯底(2)，所述載體襯底具有暴露的第一表面(4)并且具有暴露的第二表面(6)；
在所述載體襯底(2)中或在所述載體襯底(2)的暴露的所述第一表面(4)上產(chǎn)生剝離層(8)，其中所述剝離層(8)具有裸露的表面(10)；
在所述剝離層(8)的所述裸露的表面(10)上產(chǎn)生第一固體層(1)，其中所述第一固體層(1)具有與所述剝離層(8)隔開的自由的表面(12)；
在所述載體襯底(2)的暴露的所述第二表面(6)上或在所述第一固體層(1)的所述自由的表面(12)上設(shè)置或構(gòu)成容納層(14)；
在所述剝離層(8)之內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力，
其中通過至少對所述容納層(14)調(diào)溫來產(chǎn)生所述應(yīng)力，
其中在所述剝離層(8)之內(nèi)或在所述剝離層(8)和所述固體層(1)之間的邊界區(qū)域(16)中由于所述應(yīng)力而使縫隙擴(kuò)展，其中通過所述縫隙將所述第一固體層(1)與之前所產(chǎn)生的多層裝置分裂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，
其特征在于，
將所述剝離層(8)配置為，使得所述剝離層在至少一個(gè)機(jī)械特性、尤其斷裂強(qiáng)度方面顯著地與另一層的、尤其與所述第一固體層(1)的相同的機(jī)械特性不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，
其特征在于，
在所述載體襯底(2)上或在所述載體襯底(2)中多孔地、尤其多納米孔地產(chǎn)生、尤其生長所述剝離層(8)，使得所述剝離層(8)的斷裂強(qiáng)度小于所述第一固體層(1)的斷裂強(qiáng)度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，
其特征在于，
將所述剝離層(8)生長在所述載體襯底(1)上并且設(shè)有摻雜部，其中借助于所述摻雜部調(diào)節(jié)所述剝離層(8)的斷裂強(qiáng)度，使得所述剝離層的斷裂強(qiáng)度小于所述第一固體層(1)的斷裂強(qiáng)度，或者通過將之前在所述載體襯底上或在所述載體襯底中產(chǎn)生的無定形的層轉(zhuǎn)換為結(jié)晶層的方式產(chǎn)生所述剝離層(8)，其中所述載體襯底以結(jié)晶的狀態(tài)存在并且通過將所述無定形的層轉(zhuǎn)換為所述結(jié)晶的剝離層(8)來將所述載體襯底的晶格的晶格信息傳遞到所述剝離層(8)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，
其特征在于，
將所述剝離層(8)和所述固體層(1)至少部分地分別通過生長產(chǎn)生，并且尤其所述第一固體層(1)優(yōu)選由氮化鎵(GaN)構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，
其特征在于，
在所述載體襯底(2)上或在所述載體襯底(2)中產(chǎn)生所述剝離層(8)作為無定形的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，
其特征在于，
由基礎(chǔ)層部分(30)和由主層部分(32)構(gòu)成所述固體層(1)，其中在所述無定形的剝離層(8)上產(chǎn)生所述基礎(chǔ)層部分(30)，并且在所述基礎(chǔ)層部分(30)上產(chǎn)生所述主層部分(32)。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的方法，
其特征在于，
所述縫隙在所述剝離層(8)之內(nèi)的分離平面(18)中擴(kuò)展，其中所述分離平面(18)平行于所述載體襯底(2)的暴露的所述第二表面(6)且平行于所述第一固體層(1)的設(shè)置在所述剝離層(8)上的表面延伸，其中所述分離平面(18)位于所述剝離層(8)中的下述區(qū)域中，所述區(qū)域距所述載體襯底(2)比距所述第一固體層(1)更遠(yuǎn)地隔開。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的方法，
其特征在于，
通過至少將所述容納層(14)冷卻至小于10℃、尤其小于0℃并且特別優(yōu)選小于-100℃的溫度來產(chǎn)生所述應(yīng)力，其中所述容納層優(yōu)選由聚合物材料、尤其由PDMS構(gòu)成。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的方法，
其特征在于，
設(shè)有另一容納層(20)，其中在所述載體襯底(2)的暴露的所述第二表面(6)上構(gòu)成所述容納層(14)，并且其中在所述固體層(1)的所述自由的表面(12)上設(shè)置所述另一容納層(20)。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，
其特征在于，
在分裂所述第一固體層(1)之前，在所述多層裝置上產(chǎn)生或設(shè)置至少一個(gè)另外的固體層(100)，其中將所述另外的固體層(100)與所述第一固體層(1)共同地分裂。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，
其特征在于，
在所述固體層(1)上或在另外的固體層(100)上產(chǎn)生或設(shè)置、尤其鍵合另一載體襯底(50)，其中所述第一固體層(1)和/或所述另外的固體層(100)在分裂之后與所述另一載體襯底(50)、尤其玻璃或硅層構(gòu)成多層裝置。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，
其特征在于，
所述剝離層(8)的厚度小于1μm、優(yōu)選小于100nm并且特別優(yōu)選小于10nm。
14.一種固體層裝置，至少具有第一固體層(1)，所述第一固體層尤其由氮化鎵構(gòu)成，所述第一固體層根據(jù)上述方法中的至少一個(gè)方法或根據(jù)至少包括下述步驟的方法制造：
提供載體襯底(2)，所述載體襯底具有暴露的第一表面(4)并且具有暴露的第二表面(6)；
在所述載體襯底中或在所述載體襯底(2)的暴露的所述第一表面(4)上產(chǎn)生剝離層(8)，其中所述剝離層(8)具有裸露的表面(10)；
在所述剝離層(8)的所述裸露的表面(10)上產(chǎn)生所述第一固體層(1)，其中所述第一固體層(1)具有與所述剝離層(8)隔開的自由的表面(12)；
在所述載體襯底(2)的暴露的所述第二表面(6)上或在所述第一固體層(1)的所述自由的表面(12)上設(shè)置或構(gòu)成容納層(14)；
在所述剝離層(8)之內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力，
其中通過至少對所述容納層(14)調(diào)溫來產(chǎn)生所述應(yīng)力，
其中在所述剝離層(8)之內(nèi)或在所述剝離層(8)和所述第一固體層(1)之間的邊界區(qū)域(16)中由于所述應(yīng)力而使縫隙擴(kuò)展，其中通過所述縫隙將所述第一固體層(1)與之前所產(chǎn)生的多層裝置分裂。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的固體層裝置，
其特征在于，
設(shè)有至少一個(gè)另外的固體層，所述另外的固體層尤其由氮化鎵構(gòu)成，其中所述另外的固體層(100)與所述第一固體層(1)共同地分裂。