一種多晶硅太陽能電池組的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公布了一種多晶硅太陽能電池組，其特征在于：包括太陽能多晶電池片，太陽能多晶電池片的上部設(shè)置有若干層氮化硅減反射膜，氮化硅減反射膜均采用蜂窩狀結(jié)構(gòu)；所述最上層的氮化硅減反射膜的上端面上自下而上依次設(shè)置有EVA膠膜層和鋼化玻璃層；所述太陽能多晶電池片的下端面上設(shè)置有背板。本實(shí)用新型能夠最大限度的減少藍(lán)光反射，提高了太陽能電池表面鈍化效果，降低太陽能電池表面反射率，而且封裝后不會(huì)因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失。
【專利說明】 —種多晶硅太陽能電池組

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于太陽能電池組配件領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅太陽能電池組。

【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池工藝中，表面減反膜的工藝是很重要的一步，它直接決定了太陽能電池能吸收了多少太陽光。
[0003]傳統(tǒng)的太陽能電池表面減反膜是采用鍍一層氮化硅薄膜，氮化硅作為表面減反膜的特點(diǎn)是，工藝簡(jiǎn)單，易于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，成本較低，但缺點(diǎn)也很明顯是:氮化硅作為減反膜在電池和組件上，氮化硅薄膜的折射率與厚度無法同時(shí)匹配到最佳值，導(dǎo)致組件端在封裝后存在一定的封裝損失；同時(shí)，由于主要考慮氮化硅薄膜的光學(xué)性能，因此在鈍化效果上也無法達(dá)到最佳，造成電池效率一定程度上的損失。傳統(tǒng)的氮化硅減反膜在折射率與厚度的設(shè)計(jì)上，從電池角度與組件角度分別考慮存在較大的差異。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]為解決【背景技術(shù)】中的問題，本實(shí)用新型提供一種多晶硅太陽能電池組，能夠最大限度的減少藍(lán)光反射，提高了太陽能電池表面鈍化效果，降低太陽能電池表面反射率，而且封裝后不會(huì)因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失。
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0006]一種多晶硅太陽能電池組，其特征在于:包括太陽能多晶電池片，太陽能多晶電池片的上部設(shè)置有若干層氮化硅減反射膜，氮化硅減反射膜均采用蜂窩狀結(jié)構(gòu)；所述最上層的氮化硅減反射膜的上端面上自下而上依次設(shè)置有EVA膠膜層和鋼化玻璃層；所述太陽能多晶電池片的下端面上設(shè)置有背板。
[0007]作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述太陽能多晶電池片的上部設(shè)置有兩層氮化硅減反射膜；上層的氮化硅減反射膜為折射率為2.6-3.0的氮化硅減反射膜,下層的氮化硅減反射膜為折射率為1.9-2.4的氮化硅減反射膜。
[0008]作為一種優(yōu)化的技術(shù)方案，所述上層的氮化硅減反射膜厚度為35-70納米，下層的氮化硅減反射膜厚度為30-44納米。
[0009]由于采用了上述技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型中的兩層氮化硅減反射膜采用了蜂窩狀結(jié)構(gòu)，能夠最大限度的減少藍(lán)光反射，提高了太陽能電池表面鈍化效果，降低太陽能電池表面反射率，而且封裝后不會(huì)因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]實(shí)施例
[0012]如圖1所示，一種多晶硅太陽能電池組，包括太陽能多晶電池片5，太陽能多晶電池片5的上部設(shè)置有若干層氮化硅減反射膜，氮化硅減反射膜均采用蜂窩狀結(jié)構(gòu)。所述最上層的氮化硅減反射膜的上端面上自下而上依次設(shè)置有EVA膠膜層2和鋼化玻璃層I。所述太陽能多晶電池片5的下端面上設(shè)置有背板6。
[0013]所述太陽能多晶電池片的上部設(shè)置有兩層氮化硅減反射膜3、4。上層的氮化硅減反射膜4為折射率為2.6-3.0的氮化硅減反射膜,下層的氮化硅減反射膜3為折射率為1.9-2.4的氮化硅減反射膜。所述上層的氮化硅減反射膜4厚度為35-70納米，下層的氮化硅減反射膜3厚度為30-44納米。
[0014]本實(shí)用新型中的兩層氮化硅減反射膜采用了蜂窩狀結(jié)構(gòu)，能夠最大限度的減少藍(lán)光反射，提高了太陽能電池表面鈍化效果，降低太陽能電池表面反射率，而且封裝后不會(huì)因折射率不匹配而造成的光學(xué)損失。
[0015]本實(shí)用新型不局限于上述的優(yōu)選實(shí)施方式，任何人應(yīng)該得知在本實(shí)用新型的啟示下做出的結(jié)構(gòu)變化，凡是與本實(shí)用新型具有相同或者相近似的技術(shù)方案，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅太陽能電池組，其特征在于:包括太陽能多晶電池片，太陽能多晶電池片的上部設(shè)置有若干層氮化硅減反射膜，氮化硅減反射膜均采用蜂窩狀結(jié)構(gòu)；所述最上層的氮化硅減反射膜的上端面上自下而上依次設(shè)置有EVA膠膜層和鋼化玻璃層；所述太陽能多晶電池片的下端面上設(shè)置有背板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅太陽能電池組，其特征在于:所述太陽能多晶電池片的上部設(shè)置有兩層氮化硅減反射膜；上層的氮化硅減反射膜為折射率為2.6-3.0的氮化硅減反射膜，下層的氮化硅減反射膜為折射率為1.9-2.4的氮化硅減反射膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅太陽能電池組，其特征在于:所述上層的氮化硅減反射膜厚度為35-70納米，下層的氮化硅減反射膜厚度為30-44納米。
【文檔編號(hào)】H01L31/049GK204204883SQ201420569554
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】王亞明, 劉雪松, 楊萍 申請(qǐng)人:江河機(jī)電裝備工程有限公司