一種晶格匹配的led外延結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種晶格匹配的LED外延結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型涉及一種從成核層、未摻雜層、n型層、發(fā)光層和p型層都具極化匹配的氮化物發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及制備方法，屬于光電子【技術(shù)領(lǐng)域】。該外延結(jié)構(gòu)由下至上依次設(shè)置有襯底、AlxGa1-x-yInyN成核層、未摻雜的AlxGa1-x-yInyN層、n型摻雜的AlxGa1-x-yInyN層、InaGa1-aN阱層和AlxGa1-x-yInyN壘層構(gòu)成的多量子阱發(fā)光層和p型摻雜的AlxGa1-x-yInyN層。與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，該外延結(jié)構(gòu)從成核層開(kāi)始到發(fā)光層區(qū)間和P型摻雜層均采用與發(fā)光層阱材料相匹配的四元AlxGa1-x-yInyN材料，消除了發(fā)光層內(nèi)阱與壘間的壓電極化效應(yīng)，提高了LED的內(nèi)量子發(fā)光效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種晶格匹配的LED外延結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種氮化鎵基發(fā)光二極管，更具體地是涉及一種從成核層、未摻雜層、η型層、發(fā)光層和P型層都具極化匹配的氮化物發(fā)光二極管。

【背景技術(shù)】
[0002]近幾年LED行業(yè)發(fā)展迅速，對(duì)中、大功率白光LED需求越來(lái)越多。然而中、大功率白光LED照明要進(jìn)入千家萬(wàn)戶(hù)，還需要進(jìn)一步提高發(fā)光亮度和提升發(fā)光效率。
[0003]影響藍(lán)光亮度的原因主要有以下幾個(gè)方面:1、很難獲得高濃度空穴；2、極化電場(chǎng)比較強(qiáng)，使能帶發(fā)生彎曲，造成電子與空穴的波函數(shù)在空間上不完全重合，從而降低了載流子輻射復(fù)合速率，使得器件的內(nèi)量子效率低下；3、襯底與外延層之間有較大的晶格失配，晶體質(zhì)量比較差。
[0004]傳統(tǒng)的LED外延結(jié)構(gòu)參看圖1，從下到上依次為:1、藍(lán)寶石襯底；2、GaN成核層；3、未摻雜GaN層；4、n型摻雜GaN層；5、多量子阱發(fā)光層(InGaN阱和GaN壘)；6、p型摻雜GaN層。
[0005]但是上述結(jié)構(gòu)存在以下缺點(diǎn):首先，由于阱層與壘層之間存在較大的晶格失配，會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，促使能帶彎曲；其次，由于電子的有效質(zhì)量比較輕，會(huì)出現(xiàn)溢流的現(xiàn)象；然后是最后一個(gè)壘層與P型電子阻擋層之間有較大的能級(jí)差，限制空穴的注入。
[0006]CN 103022290 A提供了一種具有四元InAlGaN的LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，其特征是在η型摻雜的GaN層及多量子阱發(fā)光層之間插入InAlGaN應(yīng)力釋放層，但該層的厚度為40nm-50nm，并不能有效減緩η型摻雜的GaN層及多量子阱發(fā)光層之間的晶格應(yīng)變。
[0007]Min-Ho Kim提出用不同組份的四元Al InGaN分別代替MQW中的壘和電子阻擋層，極大的減緩了大電流下發(fā)光效率下降的現(xiàn)象，參閱文獻(xiàn)Min-Ho Kim, MartinF.Schubert, Qi Dai, Jong Kyu Kim, and E.Fred Schubert, “Origin of efficiency droopin GaN-based light-emitting d1des”Applied Physics Letters, 91，2007，183507。但是該結(jié)構(gòu)中沒(méi)有考慮存在于n型摻雜的GaN層和多量子阱發(fā)光層之間的晶格應(yīng)變、電子阻擋層和P型氮化鎵層之間的晶格應(yīng)變。這些應(yīng)變的存在都會(huì)影響到電子和空穴的注入效率。
[0008]Guangyu Liu等用寬帶隙的AlGaInN取代部分GaN魚(yú),減小了電子的溢流。參考文獻(xiàn)，Guangyu Liu, Jing Zhang, Chee-Keong Tan, and Nelson Tansu, “Efficiency-DroopSuppress1n By Using Large-Bandgap AlGaInN Thin Barrier Layers in InGaNQuantum-Well Light-emitting d1des” IEEE Photonics Journal, 5(2)，2013，2201011。盡管AlGaInN與GaN壘材料晶格完全匹配，但沒(méi)有實(shí)現(xiàn)InGaN阱材料和壘材料的晶格匹配，使仍然存在阱與壘的晶格應(yīng)變。
[0009]由于III族氮化物四元系材料AlxGa1TyInyN具有兩個(gè)可調(diào)諧的組分參數(shù)x和y,相對(duì)三元化合物具有更高的靈活性，為了得到某種特定的材料參數(shù)可以通過(guò)對(duì)這兩個(gè)組分參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化得到。
[0010]四元氮化物的帶隙和晶格常數(shù)可以通過(guò)四元組分進(jìn)行有效調(diào)節(jié)。
[0011]a (AlxGa1^yInyN) = xaA1N+yaInN+(Ι-χ-y) aGaN
[0012]其中，
[0013]aA1N = 0.3112nm, aInN = 0.3548nm, aGaN = 0.3189nm
[0014]Es(AlxGa1.1nX) = ^Α--ι^ + y^^GaN) + XzEg(AiGaN)



XV + VZ + ZX
[0015]其中，
[0016]Eg(AlInN) = uEg (InN) + (l_u) Eg (AlN) _u (l_u) b (AlInN)
[0017]Eg(InGaN) = vEg (GaN) + (l~v) Eg (InN) -v (l~v) b (InGaN)
[0018]Eg (AlGaN) = wEg (GaN) + (l_w) Eg (AlN) _w (l_w) b (AlGaN)
^ Il-x+ V1- V + X l-x + z
[0019]U=--, V=----，W=-a
2 2 2
實(shí)用新型內(nèi)容
[0020]本實(shí)用新型型的目的是提供一種極化匹配的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及制作方法，以進(jìn)一步提高LED外延片的發(fā)光效率。
[0021]本實(shí)用新型提供一種晶格匹配的LED外延結(jié)構(gòu)，包括:襯底，所述襯底上，由下至上依次設(shè)置有AlxGanyInyN成核層、未摻雜的A IxGa^ InyN層、η型摻雜的A IxGa^ InyN層、InaGa1J阱層和AlxGanyInyN壘層構(gòu)成的多量子阱發(fā)光層和P型摻雜的AlxGai_x_yInyN層；各層的AlxGa1^InyN的晶格常數(shù)與多量子阱發(fā)光層的阱層InaGai_aN的晶格常數(shù)相同，各層的AlxGamInyN的帶隙寬度大于多量子阱發(fā)光層的阱層InaGai_aN的帶隙寬度。
[0022]其中，所述的成核層為AlxGai_x_yInyN，其厚度為30nm_50nm，x取值范圍:
0.5 ^ X ^ 0.65, y 取值范圍:0.2 彡 y 彡 0.4 ;
[0023]所述的未摻雜為AlxGai_x_yInyN，其厚度為I μ m_2.5 μ m，x取值范圍:
0.5 ^ X ^ 0.65, y 取值范圍:0.2 彡 y 彡 0.4 ;
[0024]所述的η型摻雜層為AlxGai_x_yInyN，其厚度為I μ m_2.5 μ m，x取值范圍:
0.5 ^ X ^ 0.65, y 取值范圍:0.2 彡 y 彡 0.4 ;
[0025]所述的η型摻雜的AlxGai_x_yInyN層由高低摻雜區(qū)兩部分構(gòu)成，先生長(zhǎng)I u m_2.2 μ m的聞慘雜層，后生長(zhǎng)0.1 μ m_0.3 U m的低慘雜層，聞慘雜層的Si慘雜濃度是8X 1018cnT3-2X 1019cnT3，低摻雜層的Si摻雜濃度是I X 1017cnT3-3 X 117CnT3 ;所述的多量子阱發(fā)光層由1-15個(gè)周期的間隔布置的InaGa1J阱層和AlxGai_x_yInyN壘層疊加組成；其總厚度為10nm-300nm ；a取值范圍:0.I彡a彡0.25，x取值范圍:0.5彡x彡0.65，y取值范S:0.2^y^0.4；
[0026]所述的P型摻雜層為AlxGai_x_yInyN，其厚度為100nm_250nm，x取值范圍:
0.5 彡 X 彡 0.65，y 取值范圍:0.2 ^ y ^ 0.4 ；Mg 摻雜濃度為 5 X 1019cm_3—l X 102Clcm_3 ；
[0027]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供了一種極化匹配的氮化物發(fā)光二極管制作方法，包括以下幾個(gè)步驟:
[0028]I)將藍(lán)寶石襯底置于氫氣氣氛下，加熱到1050°C -1150°C并保持5min_10min，以去除襯底表面的H2O和O2 ；
[0029]2)氫氣氣氛條件下，調(diào)節(jié)溫度將襯底層加熱到450 V -600 °C，壓力100Torr-500Torr,保持 5min_10min，以 TMGa 為 Ga 源，以 NH3 為 N 源，以 TMAl 為 Al 源，以TMIn為In源，開(kāi)始生長(zhǎng)AlxGai_x_yInyN成核層，厚度為30nm-50nm ;然后調(diào)節(jié)MOCVD反應(yīng)室中的溫度到 750°C -860°C，壓力 100Torr-500Torr，保持 5min_10min，使所述 AlxGanyInyN 成核層重結(jié)晶；然后調(diào)節(jié)MOCVD反應(yīng)室中的溫度到750°C -860°C，生長(zhǎng)未摻雜的AlxGa1^InyN層 I μ m-2.5 μ m、η 型摻雜的 AlxGa1HlnyN 層 I μ m_2.5 μ m ；
[0030]3)所述的η型摻雜的AlxGa1^InyN層由高低摻雜區(qū)兩部分構(gòu)成，先生長(zhǎng)I u m_2.2 μ m的聞慘雜層，后生長(zhǎng)0.1 μ m_0.3 U m的低慘雜層，聞慘雜層的Si慘雜濃度是8X 1018cnT3-2X 1019cnT3，低摻雜層的 Si 摻雜濃度是 I X 1017cnT3-3 X 117CnT3 ；
[0031]4)在η型摻雜的AlxGah_yInyN層上生長(zhǎng)多量子阱發(fā)光層:多量子阱層是1_15個(gè)重復(fù)周期且厚度分別為2nm-10nm厚度的InGaN阱和8nm_20nm厚的AlxGai_x_yInyN壘。生長(zhǎng)AlxGa1^InyN壘的制備條件是將MOCVD反應(yīng)室中的溫度調(diào)節(jié)至750°C _860°C，壓力100Torr-500Torr,以 TMGa 為 Ga 源，以 NH3 為 N 源，以 TMAl 為 Al 源，以 TMIn 為 In 源，生長(zhǎng)AlxGai_x_yInyN壘層；生長(zhǎng)InGaN阱層的制備條件是將MOCVD反應(yīng)室中的溫度調(diào)節(jié)至7500C _860°C，壓力 100Torr-500Torr，同時(shí)關(guān)閉 TMAl 源，以 TMGa 為 Ga 源，以 NH3 為 N 源，，以TMIn為In源，生長(zhǎng)InaGawN阱層；
[0032]5)調(diào)節(jié)MOCVD反應(yīng)室中的溫度至750°C _860°C，在多量子阱發(fā)光層上生長(zhǎng)p型摻雜層 AlxGa1IyInyN,厚度為 100nm-300nm, Mg 摻雜濃度為 5 X 119CnT3—I X 120Cm-3 ；
[0033]6)將上述步驟5)所獲得的產(chǎn)物置于650 V -750 °C的氮?dú)鈿夥障峦嘶?5min_30mino
[0034]本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0035]1、本實(shí)用新型通過(guò)從成核層開(kāi)始直到MQW發(fā)光層均采用AlxGanyInyN組分，使其與發(fā)光層的InaGanN阱材料晶格常數(shù)相同或接近，有以下優(yōu)點(diǎn)，第一，由于InaGai_aN材料的晶格常數(shù)介于GaN和藍(lán)寶石襯底之間，減小了晶格失配，因此能改善晶體生長(zhǎng)質(zhì)量，使位錯(cuò)密度降低，提高LED的輻射復(fù)合效率及內(nèi)量子發(fā)光效率。第二，由于MQW發(fā)光層的AlxGa1^InyN壘與InaGa1J阱材料晶格常數(shù)相同或接近，能有效的減小及至消除量子阱中產(chǎn)生的壓電極化效應(yīng)造成的帶邊三角化以及輻射波長(zhǎng)紅移現(xiàn)象，并可使得大電流下發(fā)光效率下降的現(xiàn)象有效減緩。
[0036]2、本實(shí)用新型通過(guò)P型層采用AlxGai_x_yInyN組分材料，一方面與前面的MQW結(jié)構(gòu)在晶格上形成匹配，減小了晶格應(yīng)變，另一方面由于△1如1_”1￥在7501:-8601:溫度區(qū)間生長(zhǎng)，與常規(guī)P型GaN的980°C -1100°C高溫生長(zhǎng)環(huán)境相比，能減小MQW結(jié)構(gòu)的熱應(yīng)變，保護(hù)MQW發(fā)光層的晶體質(zhì)量。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0037]通過(guò)參照附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例，本實(shí)用新型的以上和其它方面及優(yōu)點(diǎn)將變得更加易于清楚，在附圖中:
[0038]圖1傳統(tǒng)LED結(jié)構(gòu)圖示意圖；
[0039]圖2本實(shí)用新型的LED外延結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]在圖1中，1、藍(lán)寶石襯底；2、GaN成核層；3、未摻雜GaN層；4、η型摻雜GaN層；5、多量子阱發(fā)光層(InaGanN阱和GaN壘)；6、p型摻雜GaN層；
[0041]在圖2中，1、藍(lán)寶石襯底AAlxGanyInyN成核層；3、未摻雜AlxGai_x_yInyN層；4、n型摻雜AlxGai_x_yInyN層；5、多量子阱發(fā)光層(InaGa1J阱和AIxGa^InyN壘)；6、p型摻雜AlxGah_yInyN 層。

【具體實(shí)施方式】
[0042]在下文中，現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本實(shí)用新型，在附圖中示出了各種實(shí)施例。然而，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)該解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底和完全的，并將本實(shí)用新型的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0043]在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例。
[0044]實(shí)施例1
[0045]一種晶格匹配的LED外延結(jié)構(gòu)，包括襯底層I上依次是厚度為25nm的Al0.51Ga0.18In0.31N 成核層 2、厚度為 1.2 μ m 的未摻雜 Al。.51Ga0.18In0.31N 層 3、厚度為 1.5 μ m 的Si摻雜Al0.51Ga0.18In0.31N層4、多量子阱發(fā)光層5和厚度為200nm的Mg摻雜Al0.51Ga0.18In0.31N層6 ;所述的多量子阱發(fā)光層5是9個(gè)重復(fù)周期且厚度分別為3nm厚的Ina2Gaa8N阱層和12nm 厚的 Ala51Gaai8Ina31N 壘層構(gòu)成；所述的 1.5μπι 的 Si 摻雜 Al。.51GaQ.18Ιηα31Ν 層 4 是由
1.3 μ m的聞慘雜層和0.2 μ m的低慘雜層構(gòu)成，聞慘雜層的Si慘雜濃度是8X 10 cm，低慘雜層的Si慘雜濃度是2 X 10 cm。
[0046]實(shí)施例2
[0047]實(shí)施例1所述LED結(jié)構(gòu)的制備方法，具體步驟如下:
[0048]1、將藍(lán)寶石襯底置于氫氣氣氛下，加熱到1080°C并保持5min，以去除襯底表面的H2O 和 O2 ；
[0049]2、氫氣氣氛條件下，調(diào)節(jié)溫度將襯底層加熱到540°C，壓力500Torr，保持5min，以TMGa為Ga源，以NH3為N源，以TMAl為Al源，以TMIn為In源，開(kāi)始生長(zhǎng)Ala51Ga0.18In0.31N成核層，厚度為30nm ;然后調(diào)節(jié)MOCVD反應(yīng)室中的溫度到860 °C，保持lOmin，使所述
Ala51Gaai8Ina31N成核層進(jìn)行重結(jié)晶；
[0050]3)保持MOCVD反應(yīng)室中的溫度到860 °C，壓力350Torr，生長(zhǎng)未摻雜的Ala51Gaai8Ina31N 層 1.2 μ m、η 型摻雜的 Ala51Gaai8Ina31N 層 1.5 μ m。其中 η 型摻雜的Ala ^Gaai8Ina31N層分部分，先生長(zhǎng)Si摻雜濃度為8 X 118CnT3的1.3 μ m厚的高摻雜層，后生長(zhǎng)Si摻雜濃度是2 X 117CnT3的0.2 μ m厚的低摻雜層；
[0051]4)在η型摻雜的Ala51Gaai8Ina31N層上生長(zhǎng)多量子阱發(fā)光層:多量子阱層是9個(gè)重復(fù)周期且厚度分別為3nm厚度的Ina2Gaa8N阱和12nm厚的Ala51Gaai8Ina31N壘。生長(zhǎng)Ina2Gaa8N阱層時(shí)保持MOCVD反應(yīng)室溫度到到760°C，壓力200Torr同時(shí)關(guān)閉TMAl源；生長(zhǎng)Ala51Gaai8Ina31N壘時(shí)，改變反應(yīng)溫度至IJ 860°C，壓力350Torr ；
[0052]5)調(diào)節(jié)MOCVD反應(yīng)室中的溫度保持在860°C，壓力350Torr，在多量子阱發(fā)光層上生長(zhǎng)P型摻雜層為Al。.51Ga0.18In0.31N,厚度為200nm，Mg摻雜濃度為5 X 1019cm_3 ；
[0053]6)將上述步驟5)所獲得的產(chǎn)物置于720 V的氮?dú)鈿夥障峦嘶?0min。
[0054]實(shí)施例3
[0055]一種晶格匹配的LED外延結(jié)構(gòu)，包括襯底層I上依次是厚度為25nm的Al。.J53Gaatl9Ina28N 成核層 2、厚度為 1.2 μ m 的未摻雜 Ala63Gaatl9Ina28N層 3、厚度為 1.5μηι的Si摻雜Al0.63Ga0.09Ιη0.28Ν層4、多量子阱發(fā)光層5和厚度為200nm的Mg摻雜Al0.63Ga0.09In0.28N層6 ;所述的多量子阱發(fā)光層5是9個(gè)重復(fù)周期且厚度分別為3nm厚的Inai5Gaa85N阱層和12nm 厚的 Ala63Ga0.09In0.28N 壘層構(gòu)成；所述的 1.5 μ m 的 Si 摻雜 Ala63Gaa09Ina28N 層 4 是由
1.3 μ m的聞慘雜層和0.2 μ m的低慘雜層構(gòu)成，聞慘雜層的Si慘雜濃度是8X 10 cm，低慘雜層的Si慘雜濃度是2 X 10 cm。
[0056]實(shí)施例4
[0057]實(shí)施例3所述LED結(jié)構(gòu)的制備方法，具體步驟如下:
[0058]1、將藍(lán)寶石襯底置于氫氣氣氛下，加熱到1080°C并保持5min，以去除襯底表面的H2O 和 O2 ；
[0059]2、氫氣氣氛條件下，調(diào)節(jié)溫度將襯底層加熱到540°C，壓力500Torr，保持5min，以TMGa為Ga源，以NH3為N源，以TMAl為Al源，以TMIn為In源，開(kāi)始生長(zhǎng)Ala63Gaatl9Ina28N成核層，厚度為30nm ;然后調(diào)節(jié)MOCVD反應(yīng)室中的溫度到860 °C，保持lOmin，使所述Al0.B3Ga0.Q9In0.28N成核層進(jìn)行重結(jié)晶；
[0060]3)保持MOCVD反應(yīng)室中的溫度到860 °C，壓力350Torr，生長(zhǎng)未摻雜的Al0.63Ga0.09In0.28N 層 1.2 μ m、η 型摻雜的 Ala63Gaatl9Ina28N 層 1.5 μ m。其中 η 型摻雜的Ala63Gaatl9Ina28N層分部分，先生長(zhǎng)Si摻雜濃度為8Χ 118CnT3的1.3μ m厚的高摻雜層，后生長(zhǎng)Si摻雜濃度是2 X 117CnT3的0.2 μ m厚的低摻雜層；
[0061]4)在η型摻雜的Ala63Gaatl9Ina28N層上生長(zhǎng)多量子阱發(fā)光層:多量子阱層是9個(gè)重復(fù)周期且厚度分別為3nm厚度的Inai5Gaa85N講和12nm厚的Ala63Gaatl9Ina28N魚(yú)。生長(zhǎng)Inai5Gaa85N阱層時(shí)保持MOCVD反應(yīng)室溫度到到760V，壓力200Torr同時(shí)關(guān)閉TMAl源；生長(zhǎng)Ala63Gaatl9Ina28N壘時(shí)，改變反應(yīng)溫度到860°C，壓力350Torr ；
[0062]5)調(diào)節(jié)MOCVD反應(yīng)室中的溫度保持在860°C，壓力350Torr，在多量子阱發(fā)光層上生長(zhǎng)P型摻雜層為Ala63Gaatl9Ina28N,厚度為200nm，Mg摻雜濃度為5X 1019cm_3 ；
[0063]6)將上述步驟5)所獲得的產(chǎn)物置于720 V的氮?dú)鈿夥障峦嘶?0min。
[0064]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型。本實(shí)用新型可以有各種合適的更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶格匹配的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:襯底，所述襯底上，由下至上依次設(shè)直有AlxGa1TyInyN成核層、未慘雜的AlxGa1IyInyN層、η型慘雜的AlxGa1TyInyN層、InaGa1J阱層和AlxGanyInyN壘層構(gòu)成的多量子阱發(fā)光層和P型摻雜的AlxGai_x_yInyN層；各層的AlxGa1^InyN的晶格常數(shù)與多量子阱發(fā)光層的阱層InaGai_aN的晶格常數(shù)相同，各層的AlxGamInyN的帶隙寬度大于多量子阱發(fā)光層的阱層InaGai_aN的帶隙寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的成核層為AlxGai_x_yInyN，其厚度為30nm-50nm，x取值范圍:0.5彡x彡0.65，y取值范圍:0.2彡y彡0.4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的未摻雜為AlxGai_x_yInyN，其厚度為I μ m-2.5 μ m，X取值范圍:0.5彡x彡0.65，y取值范圍:0.2彡y彡0.4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的η型摻雜層為AlxGa1^yInyN,其厚度為I μ m-2.5 μ m，x取值范圍:0.5彡x彡0.65，y取值范圍:0.2 彡 y 彡 0.4。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的η型摻雜的AIxGa1^yInyN層由高低摻雜區(qū)兩部分構(gòu)成，先生長(zhǎng)I μ m-2.2 μ m的高摻雜層，后生長(zhǎng)0.1 μ m-0.3 μ m的低摻雜層，高摻雜層的Si摻雜濃度是8X 1018cm_3-2X 1019cm_3，低摻雜層的Si摻雜濃度是I X 117Cm 3_3 X 117Cm 3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的多量子阱發(fā)光層由1-15個(gè)周期的間隔布置的InaGa1J阱層和AIxGa^InyN壘層疊加組成；其總厚度為10nm-300nm毋取值范圍:0.I彡a彡0.25，x取值范圍:0.5彡x彡0.65，y取值范圍:.0.2 彡 y 彡 0.4。
7.所根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的P型摻雜層為AlxGai_x_yInyN，其厚度為100nm_250nm，x取值范圍:0.5彡x彡0.65，y取值范圍:.0.2 彡 y 彡 0.4。
【文檔編號(hào)】H01L33/32GK204102922SQ201420351797
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月26日
【發(fā)明者】李天保, 韓蕊蕊, 馬淑芳, 田海軍, 關(guān)永莉 申請(qǐng)人:山西飛虹微納米光電科技有限公司