用于制備抗pid薄膜的裝置制造方法
【專利摘要】一種用于制備抗PID薄膜的裝置，包括臭氧發(fā)生器和箱體，箱體內(nèi)具有密閉的容置空間；所述箱體側(cè)面設(shè)有門；所述門的底部與箱體鉸接；門和箱體之間設(shè)有開門限位器，使門打開的角度為45~90度；所述門的內(nèi)表面設(shè)有至少1對(duì)支架，所述支架與小花籃配合，使小花籃掛設(shè)于支架上，且關(guān)門時(shí)小花籃在箱體內(nèi)處于豎直狀態(tài)。本實(shí)用新型裝置適用于目前采用干法刻蝕的太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)線，該裝置可以直接對(duì)裝載在小花籃里面的硅片進(jìn)行處理，無(wú)需任何附加的上下片操作，因此不會(huì)增加碎片風(fēng)險(xiǎn)。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能應(yīng)用【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種用于制備抗PID薄膜的裝 置。 用于制備抗PID薄膜的裝置

【背景技術(shù)】
[0002] 高壓誘導(dǎo)衰減效應(yīng)（Potential Induced Degradation,簡(jiǎn)稱PID效應(yīng))，是最近 幾年光伏領(lǐng)域出現(xiàn)的較新的衰減效應(yīng)。隨著光伏并網(wǎng)系統(tǒng)的逐漸推廣應(yīng)用，系統(tǒng)電壓越 來越高，常用的有600V和1000V。組件內(nèi)部電池片相對(duì)于大地的壓力越來越高，有的甚至 達(dá)到600-1000V。一般組件的鋁邊框都要求接地，這樣在電池片和鋁邊框之間就形成了 600-1000V的高壓。一般來說，組件封裝的層壓過程中，結(jié)構(gòu)為5層，電池片在EVA中間，玻 璃和背板在最外層，層壓過程中EVA形成了透明、電絕緣的物質(zhì)。然而，任何塑料材料都不 可能100%的絕緣，而都具有一定的導(dǎo)電性，特別是在濕度較大的環(huán)境中，會(huì)有漏電流通過 電池片，在封裝材料、玻璃、背板、鋁邊框，如果在內(nèi)部電路和鋁邊框之間形成高電壓，漏電 流將會(huì)達(dá)到微安或毫安級(jí)別，這就是太陽(yáng)能電池的高壓誘導(dǎo)效應(yīng)，即PID效應(yīng)，PID效應(yīng)會(huì) 使電池表面鈍化效果惡化和形成漏電回路，導(dǎo)致填充因子、開路電壓、短路電流降低，使組 件性能低于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。嚴(yán)重時(shí)，PID效應(yīng)可以使組件功率下降30%以上。
[0003] 解決PID問題的關(guān)鍵是生產(chǎn)具有抗PID能力的太陽(yáng)能電池片。有研究表明，在常 規(guī)晶體硅太陽(yáng)能電池片的氮化硅和晶體硅片之間增加一層介質(zhì)膜是有效的抗PID手段，其 中，使用臭氧使硅片表面形成一層氧化硅薄膜是較為經(jīng)濟(jì)可靠的工藝方法。
[0004] 另一方面，目前太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)內(nèi)主要的刻蝕清洗方式有兩種：一種為濕法刻蝕，即硅 片逐片流過化學(xué)溶液完成刻蝕和去PSG清洗。另一種為干法刻蝕，即硅片疊在一起后使用 等離子刻蝕機(jī)刻蝕，刻蝕后將硅片插在小花籃里，進(jìn)行去PSG清洗；小花籃內(nèi)的硅片彼此平 行，硅片間的間距約廣5 mm。對(duì)于濕法刻蝕的工藝而言，目前已經(jīng)有成熟的臭氧氧化設(shè)備 可以利用。具體實(shí)現(xiàn)方法為在濕法刻蝕機(jī)出口處，將臭氧吹向逐片流出硅片的表面，實(shí)現(xiàn)氧 化。針對(duì)干法刻蝕的工藝而言，目前尚無(wú)設(shè)備可以直接利用。而且，由于小花籃內(nèi)的硅片平 行設(shè)置且間距較小，因此上述用于濕法刻蝕的臭氧氧化設(shè)備也無(wú)法運(yùn)用。
[0005] 因此，設(shè)計(jì)一種專門針對(duì)干法刻蝕工藝的制備抗PID薄膜的裝置，使臭氧可以充 分均勻、快速地流過花籃內(nèi)每一片硅片的每一個(gè)位置，快速、充分地形成氧化硅薄膜，對(duì)實(shí) 現(xiàn)抗PID電池片的生產(chǎn)具有現(xiàn)實(shí)意義。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本實(shí)用新型目的是提供一種用于制備抗PID薄膜的裝置。
[0007] 為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種用于制備抗PID薄膜的裝 置，包括臭氧發(fā)生器和箱體，箱體內(nèi)具有密閉的容置空間；所述箱體側(cè)面設(shè)有門；
[0008] 所述箱體的頂部設(shè)有進(jìn)氣孔，底部設(shè)有排氣孔；
[0009] 所述門的底部與箱體鉸接；門和箱體之間設(shè)有開門限位器，使門打開的角度為 45?90度；
[0010] 所述門的內(nèi)表面設(shè)有至少1對(duì)支架，所述支架與小花籃配合，使小花籃掛設(shè)于支 架上，且關(guān)門時(shí)小花籃在箱體內(nèi)處于堅(jiān)直狀態(tài)。
[0011] 上文中，所述臭氧發(fā)生器是用來產(chǎn)生臭氧的，屬于現(xiàn)有設(shè)備；所述臭氧發(fā)生器的數(shù) 量為至少1個(gè)。
[0012] 所述箱體的頂部設(shè)有進(jìn)氣孔，底部設(shè)有排氣孔，這些氣孔均與箱體內(nèi)的容置空間 連通，以便流通臭氧。所述容置空間用來盛裝小花籃；
[0013] 所述門的底部與箱體鉸接，從而形成類似吊橋的結(jié)構(gòu)，主要是為了便于小花籃的 取放。
[0014] 所述小花籃屬于現(xiàn)有設(shè)備，在【背景技術(shù)】中亦有提及，其主要用來盛裝硅片，小花籃 內(nèi)的硅片彼此平行，硅片間的間距約1~5 mm;小花籃的兩側(cè)設(shè)有翻邊，所述支架與小花籃配 合，使小花籃掛設(shè)于支架上，就是靠小花籃的翻邊掛靠于支架對(duì)上。所述關(guān)門時(shí)小花籃在箱 體內(nèi)處于堅(jiān)直狀態(tài)，是指小花籃及其內(nèi)的硅片均處于堅(jiān)直狀態(tài)，即硅片是堅(jiān)直的。
[0015] 上述技術(shù)方案中，所述臭氧發(fā)生器為紫外線臭氧發(fā)生器或電弧臭氧發(fā)生器。
[0016] 上述技術(shù)方案中，所述門和箱體之間設(shè)有開門限位器，使門打開的角度為60度。 這樣不僅便于工人操作，而且可以防止小花籃滑落。
[0017] 上述技術(shù)方案中，所述支架包括橫桿和支撐桿，橫桿與門相互垂直設(shè)置，支撐桿、 橫桿和門形成直角三角形結(jié)構(gòu)，三角形所在的面與門的側(cè)邊平行，支撐桿位于橫桿靠向門 底邊一側(cè)。優(yōu)選的，支架上可以設(shè)置卡箍結(jié)構(gòu)，以便更好的穩(wěn)定小花籃。
[0018] 優(yōu)選的，所述橫桿的長(zhǎng)度為14~16厘米，支撐桿和門的交點(diǎn)與橫桿和門的交點(diǎn)之 間距離為2?20厘米。
[0019] 上述技術(shù)方案中，所述箱體內(nèi)的容置空間深15~16厘米，寬19~20厘米，高4(Γ100 厘米。
[0020] 上述技術(shù)方案中，所述門的內(nèi)表面設(shè)有2飛對(duì)支架，各對(duì)支架間的距離為17~20厘 米，最后一對(duì)支架距離門底邊的距離為17?25厘米。
[0021] 上述尺寸都是配合小花籃的尺寸來進(jìn)行設(shè)計(jì)的。
[0022] 由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型具有下列優(yōu)點(diǎn)：
[0023] 1、本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種用于制備抗PID薄膜的裝置，適用于目前采用干法刻蝕 的太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)線，該裝置可以直接對(duì)裝載在小花籃里面的硅片進(jìn)行處理，無(wú)需任何 附加的上下片操作，因此不會(huì)增加碎片風(fēng)險(xiǎn)；
[0024] 2、本實(shí)用新型的箱體的大小剛好略大于裝載硅片的小花籃，關(guān)門時(shí)小花籃在箱體 內(nèi)處于堅(jiān)直狀態(tài)，在箱體內(nèi)氣流的通道上無(wú)任何遮擋氣流的部件，可以使臭氧氣體快速、充 分均勻且流暢地流過每一片硅片，實(shí)現(xiàn)了快速均勻地制備抗PID薄膜；
[0025] 3、本實(shí)用新型通過將小花籃的支架設(shè)置在門上，無(wú)需額外的上下花籃夾具，操作 簡(jiǎn)單快捷，實(shí)用性較強(qiáng)；
[0026] 4、實(shí)驗(yàn)證明：使用本實(shí)用新型的裝置，所有硅片都可以與臭氧充分接觸，制備的薄 膜均勻，可以滿足抗PID的需求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的立體圖。
[0028] 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中掛設(shè)小花籃的立體圖。
[0029] 其中：1、箱體；2、門；3、開門限位器；4、支架；5、小花籃；6、橫桿；7、支撐桿。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：
[0031] 實(shí)施例一
[0032] 參見圖1~2所示，一種用于制備抗PID薄膜的裝置，包括臭氧發(fā)生器和箱體1，箱體 內(nèi)具有密閉的容置空間；所述箱體側(cè)面設(shè)有門2。
[0033] 所述箱體的頂部設(shè)有進(jìn)氣孔，底部設(shè)有排氣孔。
[0034] 所述門的底部與箱體鉸接；門和箱體之間設(shè)有開門限位器3,使門打開的角度為 90度。
[0035] 所述門的內(nèi)表面設(shè)有3對(duì)支架4,所述支架與小花籃5配合，使小花籃掛設(shè)于支架 上，且關(guān)門時(shí)小花籃在箱體內(nèi)處于堅(jiān)直狀態(tài)。
[0036] 所述臭氧發(fā)生器為紫外線臭氧發(fā)生器或電弧臭氧發(fā)生器。
[0037] 所述支架包括橫桿6和支撐桿7,橫桿與門相互垂直設(shè)置，支撐桿、橫桿和門形成 直角三角形結(jié)構(gòu)，三角形所在的面與門的側(cè)邊平行，支撐桿位于橫桿靠向門底邊一側(cè)。所述 橫桿的長(zhǎng)度為15厘米，支撐桿和門的交點(diǎn)與橫桿和門的交點(diǎn)之間距離為10厘米。
[0038] 所述箱體內(nèi)的容置空間深15厘米，寬19厘米，高65厘米。
[0039] 所述門的內(nèi)表面設(shè)有3對(duì)支架，各對(duì)支架間的距離均為20厘米，最后一對(duì)支架距 離門底邊的距離為21厘米。支架距離門側(cè)邊的距離為0. 1厘米。
[0040] 所述開門限位器的限位桿同箱體的連接點(diǎn)距離箱底的高度為20厘米，所述限位 桿同門的連接點(diǎn)距離門底邊的距離為25厘米。
[0041] 所述小花籃屬于現(xiàn)有設(shè)備，在【背景技術(shù)】中亦有提及，其主要用來盛裝硅片，小花籃 內(nèi)的硅片彼此平行，硅片間的間距約1~5 mm;小花籃的兩側(cè)設(shè)有翻邊，所述支架4與小花籃 配合，使小花籃掛設(shè)于支架上，就是靠小花籃的翻邊掛靠于支架對(duì)上。所述關(guān)門時(shí)小花籃在 箱體內(nèi)處于堅(jiān)直狀態(tài)，是指小花籃及其內(nèi)的硅片均處于堅(jiān)直狀態(tài)，即硅片是堅(jiān)直的。
[0042] 本實(shí)用新型的工作過程如下：
[0043] (1)制備抗PID薄膜時(shí)：打開箱體的門，將裝有硅片的小花籃掛在門上的支架上； 關(guān)上門，使小花籃在箱體內(nèi)處于堅(jiān)直狀態(tài)；
[0044] (2)從箱體的頂部通入工藝氣體(臭氧)，從箱體的底部排出工藝氣體；
[0045] (3)從箱體的頂部通入壓縮空氣或氮?dú)猓瑥南潴w的底部排出壓縮空氣或氮?dú)猓?br> [0046] (4)停止通入氣體；打開箱體的門，將裝有硅片的小花籃從門上的支架上取下。
[0047] 實(shí)驗(yàn)證明：本實(shí)用新型的裝置可以快速高效地制備抗PID薄膜，適用于采用等離 子刻蝕的太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)線。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于制備抗PID薄膜的裝置，其特征在于：包括臭氧發(fā)生器和箱體（1)，箱體內(nèi) 具有密閉的容置空間；所述箱體側(cè)面設(shè)有門（2); 所述箱體的頂部設(shè)有進(jìn)氣孔，底部設(shè)有排氣孔； 所述門的底部與箱體鉸接；門和箱體之間設(shè)有開門限位器（3)，使門打開的角度為 45?90度； 所述門的內(nèi)表面設(shè)有至少1對(duì)支架（4)，所述支架與小花籃（5)配合，使小花籃掛設(shè)于 支架上，且關(guān)門時(shí)小花籃在箱體內(nèi)處于堅(jiān)直狀態(tài)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備抗PID薄膜的裝置，其特征在于：所述臭氧發(fā)生器 為紫外線臭氧發(fā)生器或電弧臭氧發(fā)生器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備抗PID薄膜的裝置，其特征在于：所述門和箱體之 間設(shè)有開門限位器，使門打開的角度為60度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備抗PID薄膜的裝置，其特征在于：所述支架包括橫 桿（6)和支撐桿（7)，橫桿與門相互垂直設(shè)置，支撐桿、橫桿和門形成直角三角形結(jié)構(gòu)，三角 形所在的面與門的側(cè)邊平行，支撐桿位于橫桿靠向門底邊一側(cè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制備抗PID薄膜的裝置，其特征在于：所述橫桿的長(zhǎng)度 為14~16厘米，支撐桿和門的交點(diǎn)與橫桿和門的交點(diǎn)之間距離為2~20厘米。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備抗PID薄膜的裝置，其特征在于：所述箱體內(nèi)的容 置空間深15?16厘米，寬19?20厘米，高4(Tl00厘米。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備抗PID薄膜的裝置，其特征在于：所述門的內(nèi)表 面設(shè)有2飛對(duì)支架，各對(duì)支架間的距離為17?20厘米，最后一對(duì)支架距離門底邊的距離為 17?25厘米。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK203910835SQ201420327266
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】萬(wàn)松博, 王栩生, 章靈軍 申請(qǐng)人:蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司