一種led結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種LED結(jié)構(gòu)，包括：基板和至少一顆LED芯片，所述基板的一面上設(shè)有線路層和石墨烯層，所述LED芯片設(shè)在基板上并與線路層電連接。本實(shí)用新型通過在LED結(jié)構(gòu)的基板設(shè)置石墨烯層，很好的利用了石墨烯的散熱性能，使得LED結(jié)構(gòu)可以很好的散熱；同時(shí)，本實(shí)用新型中的基板可以采用玻璃基板，替代了目前使用的陶瓷基板或金屬基板，使得LED光源可以大角度發(fā)光，發(fā)出的光線可以被充分利用。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及LED領(lǐng)域，尤其涉及一種LED結(jié)構(gòu)。 一種LED結(jié)構(gòu)

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的LED燈條，由于LED結(jié)構(gòu)的功率密度很高，這就需要LED結(jié)構(gòu)器件的設(shè)計(jì)者 和制造者必須在結(jié)構(gòu)和材料等方面對(duì)散熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化計(jì)。
[0003] 隨著大功率LED芯片的逐漸開發(fā)，用于有效地排出LED芯片中所產(chǎn)生的熱的技術(shù) 也隨之被開發(fā)，為了更提高LED芯片的散熱效率，現(xiàn)有一般是通過加大或者加快基板以及 線路板來(lái)實(shí)現(xiàn)LED芯片更好的散熱，這樣往往使得LED的體積和重量增大，因此其成本也加 大。
[0004] 如果LED芯片的散熱無(wú)法正常實(shí)現(xiàn)，則作為一種半導(dǎo)體部件的LED芯片，因散熱波 長(zhǎng)產(chǎn)生變化，從而產(chǎn)生發(fā)黃現(xiàn)象或者光的放射效率會(huì)減小，并且在高溫下操作時(shí)，LED芯片 的壽命會(huì)縮短，因而對(duì)LED芯片所產(chǎn)生的熱量有效排出的散熱結(jié)構(gòu)加以改善，是封裝結(jié)構(gòu) 及工藝的核心。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種LED結(jié)構(gòu)，其散熱性 能能好、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種LED結(jié)構(gòu)，包括：基板和至 少一顆LED芯片，所述基板的一面上設(shè)有線路層和石墨烯層，所述LED芯片設(shè)在基板上并與 線路層電連接。
[0007] 優(yōu)選的，所述基板的另一面上還設(shè)有石墨烯層。
[0008] 優(yōu)選的，所述基板為玻璃基板。
[0009] 優(yōu)選的，所述LED芯片的頂端設(shè)有N型電極和P型電極，所述N型電極和P型電極 分別通過金線與所述線路層電連接。
[0010] 優(yōu)選的，所述LED芯片的底端設(shè)有N型電極和P型電極，所述N型電極和P型電極 分別通過焊錫與所述線路層電連接。
[0011] 優(yōu)選的，所述LED芯片的頂端設(shè)有P型電極，底端設(shè)有N型電極，所述N型電極通 過焊錫與所述線路層電連接，所述P型電極通過金線與所述線路層電連接。
[0012] 本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案：通過在LED結(jié)構(gòu)的基板設(shè)置石墨烯層，很好的利 用了石墨烯的散熱性能，使得LED結(jié)構(gòu)可以很好的散熱；同時(shí)，本實(shí)用新型中的基板可以采 用玻璃基板，替代了目前使用的陶瓷基板，使得LED光源可以大角度發(fā)光，發(fā)出的光線可以 被充分利用。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013] 下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：
[0014] 圖1為本實(shí)用新型LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例一的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015] 圖2為圖1的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖3為本實(shí)用新型LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例一的局部剖視放大示意圖；
[0017] 圖4為本實(shí)用新型LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例二的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖5為本實(shí)用新型LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例三的局部剖視放大示意圖；
[0019] 圖6為本實(shí)用新型LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例四的局部剖視放大示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施 例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋 本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0021] 本實(shí)用新型在制作過程具體可以為：首先，在刻有線路層的基板表面濺鍍一層石 墨烯層，然后對(duì)石墨烯層進(jìn)行激光刻蝕，把覆蓋住線路層的石墨烯層按線路板正負(fù)極不導(dǎo) 通的原則進(jìn)行隔離，以避免線路層的線路短路，也可以更加精確在基板的非線路層區(qū)域充 分覆蓋有石墨烯層，因此可以很好的利用石墨烯層及時(shí)的帶走線路產(chǎn)生的熱量，有助LED 結(jié)構(gòu)更好的散熱。
[0022] 實(shí)施例一：
[0023] 如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型所述的LED結(jié)構(gòu)，其包括：基板1和LED芯片2,所 述基板1的一面上設(shè)有線路層11和石墨烯層12,所述石墨烯層12設(shè)在非線路層區(qū)域，所述 LED芯片2設(shè)在基板1的一面上并與線路層11電連接，所述基板1為玻璃基板。玻璃基板 能使LED封裝體全方位發(fā)光。
[0024] 如圖3所示，所述LED芯片2的頂端設(shè)有N型電極21和P型電極22,所述N型電 極21和P型電極22分別通過金線3與所述線路層11電連接。
[0025] 實(shí)施例二：
[0026] 如圖4所示，與實(shí)施例一不同的是，本實(shí)施例中LED結(jié)構(gòu)的基板1的另一面也設(shè)有 石墨稀層13。本實(shí)施例中在基板1的兩面同時(shí)設(shè)有石墨稀層，進(jìn)一步提升了散熱性能，解決 了目前LED行業(yè)中散熱難的問題。
[0027] 實(shí)施例三：
[0028] 如圖5所示，與實(shí)施例一不同的是，本實(shí)施例中的，所述LED芯片2的底端設(shè)有N型 電極21和P型電極22,所述N型電極21和P型電極22分別通過焊錫4與所述線路層11 電連接。本實(shí)施例結(jié)合倒裝結(jié)構(gòu)的
[0029] LED結(jié)構(gòu)，使得LED芯片產(chǎn)生的熱量更好更直接的通過基板散發(fā)，具有更好的散熱 性能。
[0030] 實(shí)施例四：
[0031] 如圖6所不，與實(shí)施例一不同的是，本實(shí)施例中的，所述LED芯片2的底端設(shè)有N 型電極21，頂端設(shè)有P型電極22，所述N型電極21通過焊錫5與所述線路層11電連接，所 述P型電極22通過金線6與所述線路層11電連接。
[0032] 本實(shí)用新型中的基板可以采用玻璃基板，替代了目前使用的陶瓷基板或金屬基 板，實(shí)現(xiàn)了 LED封裝結(jié)構(gòu)的全方位發(fā)光，提高了 LED結(jié)構(gòu)的光效；另外玻璃線路板具有一定 的散熱能力，一定程度上延長(zhǎng)了 LED的使用壽命。
[0033] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本 實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基板和至少一顆LED芯片，所述基板的一面上設(shè) 有線路層和石墨烯層，所述LED芯片設(shè)在基板上并與線路層電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板的另一面上還設(shè)有石墨烯 層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板為玻璃基板。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片的頂端設(shè)有N型電極 和P型電極，所述N型電極和P型電極分別通過金線與所述線路層連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片的底端設(shè)有N型電極 和P型電極，所述N型電極和P型電極分別通過焊錫與所述線路層電連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片的頂端設(shè)有P型電極， 底端設(shè)有N型電極，所述N型電極通過焊錫與所述線路層電連接，所述P型電極通過金線與 所述線路層電連接。
【文檔編號(hào)】H01L25/075GK203850340SQ201420223119
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】林朝暉, 邱新旺 申請(qǐng)人:泉州市金太陽(yáng)照明科技有限公司