具有溝槽側(cè)面的引線框架的制作方法
【專利摘要】具有溝槽側(cè)面的引線框架屬于半導(dǎo)體器件【技術(shù)領(lǐng)域】?，F(xiàn)有技術(shù)存在的問題有：1.防水槽深度只有0.05～0.10毫米，如果加深則會導(dǎo)致芯片部、連接部的平整度下降，深度過淺的防水槽阻斷效果較差；2.V字形防水槽占用部分芯片部面積，使芯片的尺寸受到限制；3.封裝料與引線框架的結(jié)合強度較低。本實用新型之具有溝槽側(cè)面的引線框架在散熱固定部與芯片部之間的連接部正面設(shè)有橫貫左右的矩形防水槽，其特征在于，在連接部正面以及芯片部兩側(cè)邊緣的正面、背面分布網(wǎng)狀壓痕；在芯片部兩側(cè)側(cè)面沿邊緣走向分布V字形深槽；中間管腳與芯片部連接部分的正面表面低于芯片部正面表面。應(yīng)用于采用TO-220引線框架的半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域。
【專利說明】具有溝槽側(cè)面的引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種具有溝槽側(cè)面的引線框架，所述溝槽是一種V字形深槽，能夠使引線框架與塑封料相互咬合，在提高封裝強度的同時防止器件在使用中水汽侵入到引線框架芯片部，與現(xiàn)有技術(shù)在芯片部正面四周設(shè)置防水槽的措施相比，避免對芯片部的占用，屬于半導(dǎo)體器件【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]市售半導(dǎo)體器件使用的T0-220引線框架材質(zhì)為銅，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由散熱固定部1、芯片部2、中間管腳3和左側(cè)管腳4、右側(cè)管腳5構(gòu)成。在散熱固定部I中間開有通孔，能夠由此穿過螺釘將器件與外掛散熱片固定在一起。散熱固定部I和芯片部2為一個連續(xù)整體的兩部分，厚度相同，如均為1.3毫米，二者之間為連接部6，連接部6的厚度小于散熱固定部I和芯片部2的厚度，三者的背面表面為一個面。中間管腳3與芯片部2的下緣連接，其厚度小于芯片部2，如0.5毫米，其正面表面與芯片部2的正面表面等高接續(xù)，如圖1、圖2所示。半導(dǎo)體芯片7固定在芯片部2正面中部，左側(cè)管腳4、右側(cè)管腳5各有一條引線與之連接，此時管芯制作完畢。采用封裝料如環(huán)氧樹脂封裝管芯，封裝的同時左側(cè)管腳4、右側(cè)管腳5與引線框架的其他組成部分被固定為一體，如圖3、圖4所示。
[0003]由于封裝料與引線框架二者材質(zhì)不同，因此熱膨脹系數(shù)不同，在器件的封裝過程中，由于溫度的變化，二者在某些結(jié)合處存在剪切力，從而產(chǎn)生微小縫隙，由其在圖4、圖5中的a、b、c各處出現(xiàn)縫隙，導(dǎo)致器件在存放或者使用過程中，環(huán)境中的水汽會從所述結(jié)合處縫隙侵入到位于芯片部2上的芯片7，造成器件的早期失效。為了避免這種情況的發(fā)生，現(xiàn)有技術(shù)采取在引線框架正面制作防水槽的措施來阻斷水汽的侵入路徑，例如，在連接部6正面自左至右劃出矩形防水槽8，在芯片部2正面四周沖壓出V字形防水槽9，當器件封裝后，塑封料填充防水槽，形成防水結(jié)構(gòu)，阻斷水汽侵入路徑。
[0004]所述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題有:1、防水槽深度只有0.05?0.10毫米，如果加深則會導(dǎo)致芯片部2、連接部3的平整度下降，深度過淺的防水槽阻斷效果較差；2、V字形防水槽9占用部分芯片部2面積，使芯片7的尺寸受到限制；3、封裝料與引線框架的結(jié)合強度較低。
實用新型內(nèi)容
[0005]為了提高采用T0-220引線框架半導(dǎo)體器件的防水能力及封裝強度，同時相對增大引線框架芯片部可利用面積，我們發(fā)明了一種具有溝槽側(cè)面的引線框架。
[0006]本實用新型之具有溝槽側(cè)面的引線框架在散熱固定部I與芯片部2之間的連接部6正面設(shè)有橫貫左右的矩形防水槽8，其特征在于，在連接部6正面以及芯片部2兩側(cè)邊緣的正面、背面分布網(wǎng)狀壓痕10，如圖6、圖10所示；在芯片部2兩側(cè)側(cè)面沿邊緣走向分布V字形深槽11，如圖7、圖9所示；中間管腳3與芯片部2連接部分的正面表面低于芯片部2正面表面，如圖8所示。
[0007]本實用新型其技術(shù)效果在于:相比于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型取消了位于芯片部2正面四周的V字形防水槽9，同時，保留了位于連接部6正面的矩形防水槽8。通過增設(shè)網(wǎng)狀壓痕10，一方面強化了連接部6的防水效果，消除芯片部2頂部水浸隱患，另一方面確保芯片部2兩側(cè)具備基本的防水能力。當以沖壓的方式在芯片部2兩側(cè)邊緣的正面、背面加工網(wǎng)狀壓痕10時，在芯片部2兩側(cè)側(cè)面自然形成沿邊緣走向分布的V字形深槽11，當網(wǎng)狀壓痕10的深度為0.35毫米時，V字形深槽11的深度能夠達到0.25毫米，可見，這兩個深度均大于現(xiàn)有技術(shù)中的矩形防水槽8、V字形防水槽9的0.05?0.10毫米的深度，V字形深槽11進一步大幅強化芯片部2兩側(cè)的防水能力。再有，由于中間管腳3原本就與芯片部2呈夾角狀連接，當按照本實用新型中間管腳3與芯片部2連接部分的正面表面低于芯片部2正面表面時，在連接處形成了一個近似V字形槽，并且，該連接方式能夠在引線框架制作過程中一并沖壓完成；雖然該近似V字形槽只是使芯片部2的底部部分具有防水能力，但是，由于封裝管芯的同時需要將左側(cè)管腳4、右側(cè)管腳5與引線框架的其他組成部分固定為一體，所以，器件塑封殼體12的底部邊緣距芯片部2底部較遠，如圖11所示，已經(jīng)具有較好的防水能力?？梢姡緦嵱眯滦腿∠宋挥谛酒?正面四周的V字形防水槽9，使得芯片部2的面積得以有效利用，而防水能力并未減弱；同時，封裝強度還有所提高，這是因為所述網(wǎng)狀壓痕不僅深大較大，而且結(jié)構(gòu)也比現(xiàn)有防水槽復(fù)雜，況且還添加了 V字形深槽11以及近似V字形槽。本實用新型中的網(wǎng)狀壓痕10、近似V字形槽雖然較深，且經(jīng)沖壓形成，但是，它們均位于芯片部2邊緣，因此，不會降低芯片部2的平整度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是現(xiàn)有技術(shù)有關(guān)T0-220引線框架防水槽結(jié)構(gòu)主視示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)有關(guān)T0-220引線框架防水槽結(jié)構(gòu)A-A向剖視仰視示意圖。圖3是采用T0-220引線框架的管芯封裝后器件形態(tài)主視示意圖。圖4是采用T0-220引線框架的管芯封裝后器件形態(tài)后視示意圖。圖5是采用T0-220引線框架的管芯封裝后器件形態(tài)A-A向剖視仰視示意圖。圖6是本實用新型有關(guān)T0-220引線框架防水網(wǎng)狀壓痕結(jié)構(gòu)主視示意圖。圖7是本實用新型有關(guān)T0-220引線框架V字形深槽及輔助矩形槽結(jié)構(gòu)B-B向剖視右視示意圖。圖8是本實用新型有關(guān)T0-220引線框架矩形防水槽及近似V字形槽結(jié)構(gòu)A-A向剖視仰視示意圖。圖9是采用本實用新型具有V字形深槽及輔助矩形槽的T0-220引線框架的管芯封裝后形態(tài)B-B向剖視右視示意圖，該圖同時作為摘要附圖。圖10是本實用新型有關(guān)T0-220引線框架芯片部兩側(cè)邊緣背面防水網(wǎng)狀壓痕及輔助矩形槽結(jié)構(gòu)后視示意圖。圖11是采用本實用新型之T0-220引線框架的器件在塑封殼體內(nèi)芯片部及各管腳分布情況示意圖。
【具體實施方式】
[0009]本實用新型之具有溝槽側(cè)面的引線框架其具體方案如下。在散熱固定部I與芯片部2之間的連接部6正面設(shè)有橫貫左右的矩形防水槽，如圖6所示。在連接部6正面以及芯片部2兩側(cè)邊緣的正面、背面分布網(wǎng)狀壓痕10，如圖6、圖10所示，網(wǎng)狀壓痕10的深度在
0.3?0.4毫米范圍內(nèi)確定，如0.35毫米；網(wǎng)狀壓痕10的網(wǎng)狀圖案為兩組斜線交叉菱形孔狀。在芯片部2兩側(cè)邊緣背面的網(wǎng)狀壓痕10內(nèi)側(cè)邊際增設(shè)輔助矩形槽13，如圖7、圖10所示，輔助矩形槽13的深度在0.09?0.11毫米范圍內(nèi)確定，如0.10毫米，進一步提高芯片部2兩側(cè)的防水能力和封裝強度。在芯片部2兩側(cè)側(cè)面沿邊緣走向分布V字形深槽11，如圖7、圖9所示，V字形深槽11的深度在0.2?0.3毫米范圍內(nèi)確定，如0.25毫米。中間管腳3與芯片部2連接部分的正面表面低于芯片部2正面表面，如圖8所示，當芯片部2厚度為1.3毫米、中間管腳3厚度為0.5毫米時，中間管腳3與芯片部2連接部分的正面表面低于芯片部2正面表面0.4毫米。
【權(quán)利要求】
1.一種具有溝槽側(cè)面的引線框架，在散熱固定部(I)與芯片部(2)之間的連接部(6)正面設(shè)有橫貫左右的矩形防水槽(8)，其特征在于，在連接部(6)正面以及芯片部(2)兩側(cè)邊緣的正面、背面分布網(wǎng)狀壓痕(10);在芯片部(2)兩側(cè)側(cè)面沿邊緣走向分布V字形深槽(11);中間管腳(3)與芯片部(2)連接部分的正面表面低于芯片部(2)正面表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽側(cè)面的引線框架，其特征在于，網(wǎng)狀壓痕(10)的深度在0.3?0.4毫米范圍內(nèi)確定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽側(cè)面的引線框架，其特征在于，網(wǎng)狀壓痕(10)的網(wǎng)狀圖案為兩組斜線交叉菱形孔狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽側(cè)面的引線框架，其特征在于，在芯片部(2)兩側(cè)邊緣背面的網(wǎng)狀壓痕(10)內(nèi)側(cè)邊際增設(shè)輔助矩形槽(13)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有溝槽側(cè)面的引線框架，其特征在于，輔助矩形槽(13)的深度在0.09?0.11毫米范圍內(nèi)確定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽側(cè)面的引線框架，其特征在于，V字形深槽(11)的深度在0.2?0.3毫米范圍內(nèi)確定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽側(cè)面的引線框架，其特征在于，當芯片部(2)厚度為.1.3毫米、中間管腳(3)厚度為0.5毫米時，中間管腳(3)與芯片部(2)連接部分的正面表面低于芯片部(2)正面表面0.4毫米。
【文檔編號】H01L23/495GK203774301SQ201420120155
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】王林祥, 郭寧 申請人:吉林華微電子股份有限公司