晶片擦洗的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種晶片擦洗機(jī)，包括：基體，基體具有一水平的頂面，所述頂面上設(shè)置有擦洗倉(cāng)，在擦洗倉(cāng)的入口側(cè)和出口側(cè)分別形成進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)；所述擦洗倉(cāng)外罩設(shè)有防護(hù)罩，且進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)均位于防護(hù)罩的內(nèi)部；防護(hù)罩頂面上開設(shè)有第一通氣孔，所述防護(hù)罩底部與所述基體頂面之間形成第二通氣孔。本晶片擦洗機(jī)，在有效防止外界雜質(zhì)顆粒進(jìn)入到晶片擦洗環(huán)境中的同時(shí)，還能利用由頂部進(jìn)入防護(hù)罩、底部流出的氣體帶走內(nèi)部的顆粒，有效減小了內(nèi)部顆粒量，進(jìn)而減小了擦洗后殘存在晶片表面的顆粒量，大大提高了晶片擦洗質(zhì)量。
【專利說明】晶片擦洗機(jī)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種晶片擦洗機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，集成度不斷提高、線寬不斷減小，對(duì)晶片的質(zhì)量要求也更高，尤其是晶片表面質(zhì)量。因?yàn)?，晶片表面上的顆粒會(huì)嚴(yán)重影響期間質(zhì)量和成品率。
[0003]半導(dǎo)體制造過程中很多工序后都要對(duì)晶片進(jìn)行擦洗，以去除表面顆粒。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的晶片擦洗機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1所示，晶片擦洗機(jī)的基體10上一般設(shè)置有擦洗倉(cāng)11，基體10頂部對(duì)應(yīng)于擦洗倉(cāng)11前后分別形成進(jìn)料臺(tái)12和下料臺(tái)13，擦洗倉(cāng)11內(nèi)設(shè)置有機(jī)械手和噴水裝置。當(dāng)需要進(jìn)行晶片清潔時(shí)，可以在進(jìn)料臺(tái)12上放置裝有晶片的晶片架，在下料臺(tái)13上放置一未放置晶片的晶片架，然后啟動(dòng)晶片擦洗機(jī)，使擦洗倉(cāng)11內(nèi)的機(jī)械手將進(jìn)料臺(tái)12上晶片架內(nèi)的晶片取下、并移至擦洗倉(cāng)11內(nèi)，在擦洗倉(cāng)11內(nèi)，噴水裝置對(duì)晶片噴水、擦洗后，由機(jī)械手將晶片移出至下料臺(tái)13上的晶片架中，至此，完成了一個(gè)晶片的擦洗過程。后續(xù)，重復(fù)上述過程對(duì)進(jìn)料臺(tái)12上的晶片架中的晶片一一擦洗并最終完全轉(zhuǎn)移至下料臺(tái)13上的晶片架中。
[0004]雖然現(xiàn)有技術(shù)中的晶片擦洗機(jī)可以進(jìn)行擦洗、減少顆粒，但是，擦洗倉(cāng)前、后的上料臺(tái)和下料臺(tái)均處于開放環(huán)境中，會(huì)導(dǎo)致晶片架中晶片的顆粒增加尤其位于頂層的晶片會(huì)附著較多顆粒，引發(fā)晶片顆粒量超標(biāo)，影響擦洗后的晶片質(zhì)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，本實(shí)用新型提供一種晶片擦洗機(jī)，減小附著在晶片上的顆粒量，從而提高晶片質(zhì)量。
[0006]本實(shí)用新型提供一種晶片擦洗機(jī)，包括:基體，所述基體具有一水平的頂面，所述頂面上設(shè)置有擦洗倉(cāng)，在所述擦洗倉(cāng)的入口側(cè)和出口側(cè)分別形成進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)；所述擦洗倉(cāng)外罩設(shè)有防護(hù)罩，且所述進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)均位于所述防護(hù)罩的內(nèi)部；所述防護(hù)罩頂面上開設(shè)有第一通氣孔，所述防護(hù)罩底部與所述基體頂面之間形成第二通氣孔。
[0007]如上所述的晶片擦洗機(jī)，優(yōu)選地，所述防護(hù)罩呈長(zhǎng)方體狀，所述進(jìn)料臺(tái)、擦洗倉(cāng)和下料臺(tái)在所述防護(hù)罩內(nèi)沿防護(hù)罩的長(zhǎng)度方向順次排列。
[0008]如上所述的晶片擦洗機(jī)，優(yōu)選地，所述防護(hù)罩的側(cè)壁底面形成有凹槽，所述凹槽與所述基體的水平頂面形成所述第二通氣孔。
[0009]如上所述的晶片擦洗機(jī)，優(yōu)選地，所述第一通氣孔為至少兩個(gè)，每個(gè)所述第一通氣孔包括排列呈菱形的多個(gè)通孔，且相鄰的所述通孔之間通過通槽連通。
[0010]如上所述的晶片擦洗機(jī)，優(yōu)選地，所述防護(hù)罩頂部還設(shè)置有用于濾去外部顆粒的過濾裝置。
[0011]如上所述的晶片擦洗機(jī)，優(yōu)選地，所述基體的頂面上并排設(shè)置有至少兩個(gè)擦洗倉(cāng)，每個(gè)所述擦洗倉(cāng)的前、后兩側(cè)分別形成所述進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)；所述防護(hù)罩與所述擦洗倉(cāng)數(shù)量相同，且每個(gè)所述擦洗倉(cāng)及對(duì)應(yīng)的所述進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)位于同一所述防護(hù)罩內(nèi)。
[0012]如上所述的晶片擦洗機(jī)，優(yōu)選地，在所述防護(hù)罩內(nèi)、且在所述擦洗倉(cāng)入口側(cè)和出口側(cè)分別設(shè)置有一晶片架，兩個(gè)所述晶片架的晶片抽出口相對(duì)、且分別朝擦洗倉(cāng)設(shè)置。
[0013]如上所述的晶片擦洗機(jī)，優(yōu)選地，所述晶片架內(nèi)插設(shè)有用于擋住下方的晶片的擋片。
[0014]本實(shí)用新型提供的晶片擦洗機(jī)，通過在擦洗倉(cāng)及前、后進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)上方設(shè)置有防護(hù)罩，在有效防止外界雜質(zhì)顆粒進(jìn)入到晶片擦洗環(huán)境中的同時(shí)，還能利用由頂部進(jìn)入防護(hù)罩、底部流出的氣體帶走內(nèi)部的顆粒，有效減小了內(nèi)部顆粒量，進(jìn)而減小了擦洗后殘存在晶片表面的顆粒量，大大提高了晶片擦洗質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的晶片擦洗機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型晶片擦洗機(jī)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3為圖2的俯視圖；
[0018]圖4為圖3中A向視圖；
[0019]圖5為圖4中I處的放大圖；
[0020]圖6為圖2中晶片架的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]圖2為本實(shí)用新型晶片擦洗機(jī)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2的俯視圖；請(qǐng)參照?qǐng)D2和圖3，本實(shí)施例提供一種晶片擦洗機(jī)，包括:基體20，基體20具有一水平的頂面，頂面上設(shè)置有擦洗倉(cāng)，在擦洗倉(cāng)的入口側(cè)和出口側(cè)分別形成進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)；該擦洗倉(cāng)外罩設(shè)有防護(hù)罩，且上述進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)均位于防護(hù)罩3的內(nèi)部，且防護(hù)罩3頂面上開設(shè)有第一通氣孔31，防護(hù)罩3底部與基體10頂面之間形成第二通氣孔32。
[0022]具體地，基體20可以大體呈立方體或長(zhǎng)方體狀，且頂面呈水平設(shè)置；基體20頂面上可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)擦洗單元，每個(gè)擦洗單元包括一個(gè)固定設(shè)置在頂面上的擦洗倉(cāng)，以及分別位于擦洗倉(cāng)入口側(cè)、出口側(cè)的進(jìn)料臺(tái)和處理臺(tái)。其中，擦洗倉(cāng)可以用于對(duì)晶片實(shí)施擦洗，其內(nèi)部可以設(shè)置用于轉(zhuǎn)移晶片的機(jī)械手和用于噴淋洗液的噴水裝置，擦洗倉(cāng)的兩對(duì)兩端可以分別設(shè)有工晶片進(jìn)入的入口和供晶片輸出的出口 ；而進(jìn)料臺(tái)和處理臺(tái)則可以指基體20頂面對(duì)應(yīng)擦洗倉(cāng)入口和出口的區(qū)域，或者，也可以在基體20頂面上固定設(shè)置一導(dǎo)向板，且該導(dǎo)向板又入口穿過擦洗倉(cāng)、并由出口伸出，以使晶片可以沿導(dǎo)向板更順暢地移動(dòng)。
[0023]擦洗倉(cāng)外可罩設(shè)有防護(hù)罩3，具體可以由頂板301和側(cè)壁302圍成，頂板301位于擦洗倉(cāng)及進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)上方，側(cè)壁302可垂直連接在頂板301與基體20頂面之間，具體形狀不作特別限定；該防護(hù)罩3與基體20頂面之間圍成一個(gè)容置空腔，擦洗倉(cāng)和及該擦洗倉(cāng)對(duì)應(yīng)的進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)罩設(shè)在其內(nèi)部。優(yōu)選地，防護(hù)罩3可以呈長(zhǎng)方體狀，上述進(jìn)料臺(tái)、擦洗倉(cāng)和下料臺(tái)可防護(hù)罩3內(nèi)沿防護(hù)罩的長(zhǎng)度方向順次排列。
[0024]防護(hù)罩的頂面3上開設(shè)多個(gè)第一通氣孔31，例如，頂板301上開設(shè)多個(gè)通孔作為第一通氣孔31 ;并且，防護(hù)罩3底部與基體10頂面之間形成第二通氣孔32，即，可以在側(cè)壁302底部開設(shè)通孔或通槽作為第二通氣孔32，也可以使基體20頂面301對(duì)應(yīng)側(cè)壁302的位置形成凹陷，從而使側(cè)壁302與頂面301之間圍成第二通氣孔32。
[0025]本實(shí)施例提供的晶片擦洗機(jī)在工作過程中，外部空氣可以從防護(hù)罩3頂部的第一通氣孔31進(jìn)入到防護(hù)罩3內(nèi)部，且向底部流動(dòng)、直至由防護(hù)罩3底部的第二通氣孔32流出，在該過程中，將防護(hù)罩內(nèi)部的顆粒帶走排出，避免這些顆粒留存在擦洗后的晶片上。
[0026]本實(shí)施例提供的晶片擦洗機(jī)，通過在擦洗倉(cāng)及前、后進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)上方設(shè)置有防護(hù)罩，在有效防止外界雜質(zhì)顆粒進(jìn)入到晶片擦洗環(huán)境中的同時(shí)，還能利用由頂部進(jìn)入防護(hù)罩、底部流出的氣體帶走內(nèi)部的顆粒，有效減小了內(nèi)部顆粒量，進(jìn)而減小了擦洗后殘存在晶片表面的顆粒量，大大提高了晶片擦洗質(zhì)量。
[0027]圖3為圖2的俯視圖；如圖3所示，在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，第一通氣孔31可以為至少兩個(gè)，每個(gè)第一通氣孔31可包括排列呈菱形的多個(gè)通孔310，且相鄰的通孔310之間通過通槽連通；這樣，每個(gè)通孔的尺寸可以很小，以保證將大部分顆粒隔離在外，但多個(gè)互相連通的通孔310排成如圖3所述的菱形則可以保證進(jìn)氣量、有效促進(jìn)氣體在防護(hù)罩3內(nèi)部到外部之間的循環(huán)。
[0028]圖4為圖3中A向視圖；圖5為圖4中I處的放大圖；在本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例中，如圖4和圖5所示，防護(hù)罩3的側(cè)壁底面可以形成有凹槽，該凹槽與基體20的水平頂面圍成第二通氣孔32。
[0029]進(jìn)一步地，防護(hù)罩3的頂部還可以設(shè)置有用于濾去外部顆粒的過濾裝置；例如，過濾裝置可以為設(shè)置在頂板301上方或下方固定的過濾網(wǎng)，以進(jìn)一步濾去外界空氣中較細(xì)顆粒，進(jìn)一步提聞擦洗后晶片的質(zhì)量。
[0030]需要說明的是，本實(shí)用新型對(duì)基體上設(shè)置擦洗倉(cāng)和防護(hù)罩的方式不作限定；例如，請(qǐng)參照?qǐng)D2，基體20的頂面上可并排設(shè)置有至少兩個(gè)擦洗倉(cāng)，每個(gè)擦洗倉(cāng)的前、后兩側(cè)分別形成進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)；防護(hù)罩3與上述擦洗倉(cāng)數(shù)量相同，且每個(gè)擦洗倉(cāng)及對(duì)應(yīng)的進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)位于同一防護(hù)罩3內(nèi)；或者，多個(gè)防護(hù)罩3也可以互相固定形成一體，以方便裝配。另夕卜，防護(hù)罩3可以采用有機(jī)玻璃制造，以達(dá)到透明可視效果，便于觀察內(nèi)部清洗進(jìn)展情況。
[0031]更進(jìn)一步地，在防護(hù)罩3內(nèi)、且在擦洗倉(cāng)入口側(cè)和出口側(cè)分別設(shè)置有一晶片架，兩個(gè)晶片架的晶片抽出口相對(duì)、且分別朝擦洗倉(cāng)設(shè)置；即晶片架的側(cè)面41朝下、另一側(cè)面41朝上放置(如圖6所示)，使得晶片架頂部的晶片抽出口朝向擦洗倉(cāng)的入口或出口，以方便擦洗倉(cāng)內(nèi)的機(jī)械手方便地將晶片由晶片架的抽出口取出，也能方便地由抽出口放置到另一晶片架中；其中在擦洗前，可以將位于擦洗倉(cāng)入口側(cè)的晶片架內(nèi)放置滿晶片，另一晶片架內(nèi)不放晶片，而隨著擦洗的進(jìn)行，入口側(cè)的晶片架的晶片逐漸減少，出口側(cè)的晶片架逐漸增加。
[0032]優(yōu)選地，如圖6所示，晶片架內(nèi)插設(shè)有用于擋住下方的晶片的擋片42;即晶片架以側(cè)面41朝向基體20頂面的方式，使得晶片架頂部的晶片抽出口垂直于基體20頂面；則晶片架內(nèi)的各晶片均平行與基體20頂面；而擋片42則插設(shè)在晶片架內(nèi)、且在所有晶片的上方(靠近晶片架背離基體20頂面的側(cè)面41處)，從而通過擋片擋住落下的顆粒，避免其落到下方的個(gè)晶片上，進(jìn)一步減小了殘留到晶片上的顆粒的量，有利于提聞晶片表面質(zhì)量。
[0033]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片擦洗機(jī)，包括:基體，所述基體具有一水平的頂面，所述頂面上設(shè)置有擦洗倉(cāng)，其特征在于，在所述擦洗倉(cāng)的入口側(cè)和出口側(cè)分別形成進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)；所述擦洗倉(cāng)外罩設(shè)有防護(hù)罩，且所述進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)均位于所述防護(hù)罩的內(nèi)部；所述防護(hù)罩頂面上開設(shè)有第一通氣孔，所述防護(hù)罩底部與所述基體頂面之間形成第二通氣孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片擦洗機(jī)，其特征在于，所述防護(hù)罩呈長(zhǎng)方體狀，所述進(jìn)料臺(tái)、擦洗倉(cāng)和下料臺(tái)在所述防護(hù)罩內(nèi)沿防護(hù)罩的長(zhǎng)度方向順次排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片擦洗機(jī)，其特征在于，所述防護(hù)罩的側(cè)壁底面形成有凹槽，所述凹槽與所述基體的水平頂面形成所述第二通氣孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的晶片擦洗機(jī)，其特征在于，所述第一通氣孔為至少兩個(gè)，每個(gè)所述第一通氣孔包括排列呈菱形的多個(gè)通孔，且相鄰的所述通孔之間通過通槽連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片擦洗機(jī)，其特征在于，所述防護(hù)罩頂部還設(shè)置有用于濾去外部顆粒的過濾裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的晶片擦洗機(jī)，其特征在于，所述基體的頂面上并排設(shè)置有至少兩個(gè)擦洗倉(cāng)，每個(gè)所述擦洗倉(cāng)的前、后兩側(cè)分別形成所述進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)；所述防護(hù)罩與所述擦洗倉(cāng)數(shù)量相同，且每個(gè)所述擦洗倉(cāng)及對(duì)應(yīng)的所述進(jìn)料臺(tái)和下料臺(tái)位于同一所述防護(hù)罩內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片擦洗機(jī)，其特征在于，在所述防護(hù)罩內(nèi)、且在所述擦洗倉(cāng)入口側(cè)和出口側(cè)分別設(shè)置有一晶片架，兩個(gè)所述晶片架的晶片抽出口相對(duì)、且分別朝擦洗倉(cāng)設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片擦洗機(jī)，其特征在于，所述晶片架內(nèi)插設(shè)有用于擋住下方的晶片的擋片。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK203674173SQ201420035562
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】陳定平, 吳遠(yuǎn)琴, 李明 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司