一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，包括：位于外層的非晶硅薄膜和位于內(nèi)層的無機(jī)半導(dǎo)體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機(jī)半導(dǎo)體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述金屬鉀的含量占10-20%，所述四鹵化硅的含量占80-90%，所述無機(jī)半導(dǎo)體包括鎵和砷，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述鎵的含量為35-45%，所述砷的含量為55-65%，通過上述方式，本發(fā)明能夠提高太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率，有利于太陽能電池板的推廣。
【專利說明】 一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽能【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的不斷提高，太陽能技術(shù)的利用也越來越普及，而在太陽能技術(shù)中，太陽能板為太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，其作用是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能，或送往蓄電池中存儲(chǔ)起來，或推動(dòng)負(fù)載工作，在目前使用的過程中，常常會(huì)遇見天氣不好時(shí)，如下雨天，此時(shí)太陽光較微弱，太陽能電池板產(chǎn)生的電能極為微笑甚至無電能產(chǎn)出。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內(nèi)層的無機(jī)半導(dǎo)體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機(jī)半導(dǎo)體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述金屬鉀的含量占10-20%，所述四鹵化硅的含量占80-90%，所述無機(jī)半導(dǎo)體包括鎵和砷，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述鎵的含量為35-45%,所述砷的含量為55-65%。
[0005]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述非晶硅薄膜的厚度為0.5-1_。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述無機(jī)半導(dǎo)體的厚度為2_3mm。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述高溫置換的溫度為150°C。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板通過采用非晶硅薄膜和無機(jī)半導(dǎo)體材料兩種光伏材料相互包裹的方式，能夠提高太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率，有利于太陽能電池板的推廣。

【具體實(shí)施方式】
[0009]下面對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]實(shí)施例1:
一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內(nèi)層的無機(jī)半導(dǎo)體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機(jī)半導(dǎo)體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述金屬鉀的含量占10%，所述四鹵化硅的含量占90%，所述無機(jī)半導(dǎo)體包括鎵和砷，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述鎵的含量為35%，所述砷的含量為65%。
[0011]實(shí)施例2:
一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內(nèi)層的無機(jī)半導(dǎo)體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機(jī)半導(dǎo)體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述金屬鉀的含量占20%，所述四鹵化硅的含量占80%，所述無機(jī)半導(dǎo)體包括鎵和砷，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述鎵的含量為45%，所述砷的含量為55%。
[0012]實(shí)施例3:
一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內(nèi)層的無機(jī)半導(dǎo)體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機(jī)半導(dǎo)體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述金屬鉀的含量占15%，所述四鹵化硅的含量占85%，所述無機(jī)半導(dǎo)體包括鎵和砷，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述鎵的含量為40%，所述砷的含量為60%。
[0013]進(jìn)一步說明，所述非晶硅薄膜的厚度為0.5-lmm;所述無機(jī)半導(dǎo)體的厚度為2-3mm ;所述高溫置換的溫度為150°C。
[0014]在進(jìn)一步說明，本發(fā)明一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板通過采用非晶硅薄膜和無機(jī)半導(dǎo)體材料兩種光伏材料相互包裹的方式，能夠提高太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率，有利于太陽能電池板的推廣。
[0015]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，其特征在于，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內(nèi)層的無機(jī)半導(dǎo)體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機(jī)半導(dǎo)體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述金屬鉀的含量占10-20%，所述四鹵化硅的含量占80-90%，所述無機(jī)半導(dǎo)體包括鎵和砷，按照質(zhì)量進(jìn)行配比，所述鎵的含量為35-45%，所述砷的含量為55-65%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，其特征在于，所述非晶硅薄膜的厚度為0.5-lmm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，其特征在于，所述無機(jī)半導(dǎo)體的厚度為2-3mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池板，其特征在于，所述高溫置換的溫度為150°C。
【文檔編號(hào)】H01L31/0264GK104393068SQ201410780076
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月17日
【發(fā)明者】施旸 申請(qǐng)人:蘇州費(fèi)米光電有限公司