一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，改善了現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管受到紫外光照射導(dǎo)致性能降低甚至失效，進(jìn)而降低顯示裝置的顯示性能的問題。一種陣列基板，包括襯底以及形成在所述襯底上的第一薄膜晶體管和第一電極，所述第一薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋所述第一薄膜晶體管的有源層未與所述源極和所述漏極交疊的區(qū)域，所述第一電極能夠吸收紫外光。用于陣列基板、包含陣列基板的顯示面板以及顯示裝置的制造。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管是驅(qū)動(dòng)電路的重要組成器件，在顯示裝置中具有廣泛應(yīng)用。薄膜晶體管主要包括柵極、有源層、源極和漏極。其中，有源層受到紫外光照射后，電學(xué)性質(zhì)改變，從而造成薄膜晶體管的開關(guān)性能降低，尤其是有源層采用遷移率高、均勻性好的金屬氧化物形成時(shí)，這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。
[0003]具體的，例如在PLED (Polymer Light-emitting D1de,高分子發(fā)光二極管)顯示裝置中，PLED顯示裝置包括:陣列基板和封裝基板，其中，如圖1所示，陣列基板包括襯底10以及依次形成在襯底10上的薄膜晶體管、鈍化層30，薄膜晶體管包括柵極200、柵極絕緣層201、有源層202、刻蝕阻擋層203、源極204和漏極205，有源層202采用金屬氧化物例如IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,銦嫁鋒氧化物)形成。
[0004]上述PLED顯示裝置的陣列基板還包括在襯底上形成有發(fā)光層，目前多采用噴墨打印技術(shù)制備上述PLED顯示裝置的發(fā)光層，為了進(jìn)一步優(yōu)化噴墨打印工藝，一般會(huì)在形成發(fā)光層之前，對(duì)陣列基板進(jìn)行紫外光清洗與改性。由于金屬氧化物受到紫外光照射后具有穩(wěn)定性差的缺點(diǎn)，當(dāng)陣列基板進(jìn)行紫外光清洗與改性時(shí)，有源層受到紫外光照射，電學(xué)特性變化，從而造成薄膜晶體管的開關(guān)性能降低，甚至導(dǎo)致薄膜晶體管失效，進(jìn)而降低PLED顯示裝置的顯示性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，改善了現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管受到紫外光照射導(dǎo)致性能降低甚至失效，進(jìn)而降低顯示裝置的顯示性能的問題。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—方面，提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底以及形成在所述襯底上的第一薄膜晶體管和第一電極，所述第一薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋所述第一薄膜晶體管的有源層未與所述源極和所述漏極交疊的區(qū)域，所述第一電極能夠吸收紫外光。
[0008]另一方面，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0009]再一方面，提供了一種陣列基板的制作方法，該制作方法包括:在襯底上形成第一薄膜晶體管，包括形成柵極、有源層、源極和漏極；在形成有所述第一薄膜晶體管的襯底上形成第一電極，其中，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋所述第一薄膜晶體管的有源層未與所述源極和所述漏極交疊的區(qū)域，所述第一電極能夠吸收紫外光。
[0010]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板通過(guò)設(shè)置第一電極與第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，由于第一電極能夠吸收紫外光，則大部分照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域的紫外光被第一電極吸收，僅有少量紫外光透過(guò)第一電極照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，這樣極大避免紫外光照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，從而有效改善了薄膜晶體管受到紫外光照射導(dǎo)致性能降低甚至失效，進(jìn)而降低顯示裝置的顯示性能的問題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3為ITO的透射光譜圖；
[0015]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0016]圖5為圖4步驟SOl的示意圖；
[0017]圖6為圖4步驟S02的示意圖；
[0018]圖7為圖4步驟S03的示意圖；
[0019]圖8為圖4步驟S05的示意圖；
[0020]圖9為形成第一薄膜晶體管的流程示意圖。
[0021]附圖標(biāo)記:
[0022]10-襯底；21-第一薄膜晶體管；22-第二薄膜晶體管；200_柵極；201-柵極絕緣層；202_有源層；203_刻蝕阻擋層；204_源極；205_漏極；30_鈍化層；40_第一電極；50-像素界定層；60_發(fā)光層；70_第二電極。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0024]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所述“上”、“下”以形成層結(jié)構(gòu)的順序?yàn)橐罁?jù)，在先形成的層結(jié)構(gòu)即在下，在后形成的層結(jié)構(gòu)即在上。
[0025]一種陣列基板，如圖2所示，包括襯底10以及形成在襯底10上的第一薄膜晶體管21和第一電極40，第一薄膜晶體管21包括柵極200、有源層202、源極204和漏極205，第一電極40與第一薄膜晶體管21的漏極204電連接，且至少覆蓋第一薄膜晶體管21的有源層202未與源極204和漏極205交疊的區(qū)域，第一電極40能夠吸收紫外光。
[0026]上述陣列基板中，對(duì)于第一電極覆蓋第一薄膜晶體管的面積不做限定，即第一電極可以僅覆蓋第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，也可以覆蓋第一薄膜晶體管，還可以覆蓋第一薄膜晶體管和其他區(qū)域，只要滿足第一電極至少覆蓋第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域即可。另外，第一電極的材料、厚度這里也不做限定，只要滿足第一電極具有吸收紫外光的特性即可。
[0027]上述陣列基板中，對(duì)于形成有源層的材料也不作限定，有源層可以是由硅基材料形成，例如非晶硅、多晶硅等材料，也可以是由非硅基材料形成，例如金屬氧化物等材料，具體可以根據(jù)實(shí)際情況選取。
[0028]需要說(shuō)明的是,上述陣列基板可以用于形成LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)顯示裝置，也可以用于形成OLED (Organic Light-Emitting D1de,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置。在上述陣列基板用于形成LCD顯示裝置的情況下，第一電極可以是像素電極，第一薄膜晶體管的漏極與第一電極電連接，從而通過(guò)第一薄膜晶體管向第一電極提供電壓；在上述陣列基板用于形成OLED顯示裝置的情況下，第一電極可以作為陽(yáng)極，也可以作為陰極，第一薄膜晶體管可以為驅(qū)動(dòng)管，向第一電極提供電流。
[0029]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板通過(guò)設(shè)置第一電極與第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，由于第一電極能夠吸收紫外光，則大部分照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域的紫外光被第一電極吸收，僅有少量紫外光透過(guò)第一電極照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，這樣極大避免紫外光照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，從而有效改善了薄膜晶體管受到紫外光照射導(dǎo)致性能降低甚至失效，進(jìn)而降低顯示裝置的顯示性能的問題。
[0030]進(jìn)一步的，第一電極可以覆蓋第一薄膜晶體管，這樣可以更大程度上降低紫外光對(duì)于第一薄膜晶體管的影響。
[0031]可選的，為了提高第一電極吸收紫外光的能力，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)形成第一電極的材料可以是氧化銦錫，或者氧化鎵鋅，或者氧化銦鋅，這些材料對(duì)于紫外光的吸附能力很強(qiáng)。
[0032]進(jìn)一步的,第一電極的厚度為30nm-300nm,優(yōu)選的,第一電極的厚度為70nm,這樣既可以降低成本，又能同時(shí)滿足第一電極吸收紫外光的要求。
[0033]可選的，第一電極對(duì)于波長(zhǎng)小于300nm的紫外光的吸收率不低于90%，則可以吸收絕大部分波長(zhǎng)小于300nm的紫光。在實(shí)際應(yīng)用中，多采用波長(zhǎng)為254nm和185nm的紫外光對(duì)陣列基板進(jìn)行紫外光清洗與改性，這樣避免陣列基板在進(jìn)行紫外光清洗與改性時(shí)，紫外光對(duì)于薄膜晶體管的影響。
[0034]以形成第一電極的材料為氧化銦錫為例進(jìn)行具體說(shuō)明，如圖3所示，圖3中的縱坐標(biāo)表示的是光透過(guò)率，橫坐標(biāo)表示的是光的波長(zhǎng)，光透過(guò)率越低則表明該材料吸收該波長(zhǎng)的光的能力越強(qiáng)。一般紫外光的波長(zhǎng)范圍為10nm-380nm，從圖3可明顯看出，氧化銦錫形成的第一電極對(duì)于波長(zhǎng)小于300nm的紫外光的透過(guò)率不超過(guò)10%，即吸收率不低于90%，說(shuō)明氧化銦錫形成的第一電極對(duì)于波長(zhǎng)小于300nm的紫外光具有很強(qiáng)的吸收能力。
[0035]可選的，第一電極可以作為陰極或陽(yáng)極，這樣不用單獨(dú)形成用于吸收紫外光的吸收層，從而減少了一次構(gòu)圖工藝，降低了生產(chǎn)成本。需要說(shuō)明的是，這里陰極和陽(yáng)極是與發(fā)光層的電流方向有關(guān)，陰極用于向發(fā)光層傳輸電子，陽(yáng)極用于向發(fā)光層傳輸空穴。
[0036]可選的，為了保護(hù)薄膜晶體管，上述陣列基板還包括鈍化層。可以如圖2所示，鈍化層30形成在第一電極40和第一薄膜晶體管21之間；還可以如圖7所示，鈍化層30形成在第一薄膜晶體管21和第一薄膜晶體管22之上且在第一電極40之下。
[0037]可選的，上述陣列基板還包括發(fā)光層,第一電極位于發(fā)光層和第一薄膜晶體管之間，其中，發(fā)光層可以是由有機(jī)小分子電致發(fā)光材料蒸鍍形成，也可以是由有機(jī)高分子電致發(fā)光材料噴墨打印形成。為了提高發(fā)光層的性能，一般在形成發(fā)光層之前，會(huì)對(duì)陣列基板進(jìn)行紫外光清洗，尤其是采用噴墨打印形成發(fā)光層時(shí)該工藝必不可少。而在進(jìn)行紫外光清洗時(shí)，紫外光會(huì)影響第一薄膜晶體管的性能，為了降低第一薄膜晶體管受影響的程度，將第一電極設(shè)置在發(fā)光層和第一薄膜晶體管之間，這樣，在進(jìn)行紫外光清洗時(shí)，第一電極可以吸收大部分紫外光，從而對(duì)第一薄膜晶體管起到保護(hù)作用。
[0038]進(jìn)一步可選的，上述陣列基板還包括第二電極，第二電極形成在發(fā)光層之上，這樣，第二電極與第一電極之間形成電場(chǎng)，從而驅(qū)動(dòng)發(fā)光層發(fā)光。需要說(shuō)明的是，第二電極與第一電極不能同時(shí)作為陽(yáng)極或者陰極，即第一電極作為陽(yáng)極時(shí)，第二電極僅能作為陰極；或者第一電極作為陰極時(shí)，第二電極僅能作為陽(yáng)極。
[0039]可選的，上述陣列基板還可以包括位于鈍化層和第一電極之間的彩膜層，彩膜層可以包括紅、綠、藍(lán)和白子像素；進(jìn)一步的，在彩膜層和第一電極之間可以形成平坦化層，用以保護(hù)彩膜層；該陣列基板可用于形成白光OLED顯示裝置。白光OLED顯示裝置容易制作成大尺寸，且具有超高清的優(yōu)點(diǎn)。
[0040]進(jìn)一步的，上述陣列基板在用于形成OLED顯示裝置時(shí)，還包括第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管的漏極與第一薄膜晶體管的柵極電連接，可以控制第一薄膜晶體管的輸入電壓，進(jìn)而控制第二薄膜晶體管的輸出電流。同樣的，紫外光對(duì)第二薄膜晶體管的性能也會(huì)有影響，故第一電極還至少覆蓋第二薄膜晶體管的有源層未與所述第二薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極交疊的區(qū)域，這樣可以保護(hù)第二薄膜晶體管。優(yōu)選的，第一電極還可以覆蓋第二薄膜晶體管。
[0041]可選的，上述陣列基板中形成有源層的材料為銦鎵鋅氧化物或銦錫鋅氧化物，由于銦鎵鋅氧化物或銦錫鋅氧化物具有較高的遷移率，則形成的顯示裝置具有反應(yīng)速度快，分辨率高等特點(diǎn)。
[0042]一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)的陣列基板，該顯示裝置可以為OLED顯示器、IXD顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0043]一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底上形成第一薄膜晶體管，包括形成柵極、有源層、源極和漏極；在襯底上形成第一電極，其中，第一電極與第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，第一電極能夠吸收紫外光。
[0044]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板通過(guò)形成第一電極和第一薄膜晶體管，并設(shè)置第一電極與第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，由于第一電極能夠吸收紫外光，則大部分照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域的紫外光被第一電極吸收，僅有少量紫外光透過(guò)第一電極照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，這樣極大避免紫外光照射到第一薄膜晶體管的有源層未與源極和漏極交疊的區(qū)域，從而有效改善了薄膜晶體管受到紫外光照射導(dǎo)致性能降低甚至失效，進(jìn)而降低顯示裝置的顯示性能的問題。
[0045]下面以陣列基板還包括第二薄膜晶體管，第一電極還至少覆蓋第二薄膜晶體管的有源層未與第二薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極交疊的區(qū)域?yàn)槔唧w說(shuō)明，該制作方法可以是如圖4所示，具體包括:
[0046]步驟S01、如圖5所示，在襯底10上形成第一薄膜晶體管21和第二薄膜晶體管22，其中，第二薄膜晶體管22的漏極(圖中未示出)與第一薄膜晶體管21的柵極(圖中未示出)電連接。
[0047]需要說(shuō)明的是，第一薄膜晶體管21和第二薄膜晶體管22可以是同時(shí)形成，也可以是先形成第一薄膜晶體管21再形成第二薄膜晶體管22，還可以是先形成第二薄膜晶體管22再形成第一薄膜晶體管21，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定，只要滿足第二薄膜晶體管22的漏極與第一薄膜晶體管21的柵極電連接即可。
[0048]步驟S02、如圖6所示，在襯底10上形成鈍化層30，其中，鈍化層30覆蓋第一薄膜晶體管21和第二薄膜晶體管22。
[0049]步驟S03、如圖7所示，在襯底10上形成第一電極40，其中，第一電極40與第一薄膜晶體管21的漏極電連接，且至少覆蓋第一薄膜晶體管21的有源層未與第一薄膜晶體管21的源極和第一薄膜晶體管21的漏極交疊的區(qū)域，以及第二薄膜晶體管22的有源層未與第二薄膜晶體管22的源極和第二薄膜晶體管22的漏極交疊的區(qū)域，優(yōu)選的，至少覆蓋第一薄膜晶體管21和第二薄膜晶體管22。進(jìn)一步的，為了保護(hù)第一薄膜晶體管21，在第一薄膜晶體管21和第一電極40之間還可以形成鈍化層30。優(yōu)選的，為了更好的實(shí)現(xiàn)不同像素的顯示，在第一電極40上還可以形成有像素界定層50。進(jìn)一步優(yōu)選的，第一電極40可以作為陰極或陽(yáng)極，這樣不用單獨(dú)形成用于吸收紫外光的吸收層，從而減少了一次構(gòu)圖工藝，降低了生產(chǎn)成本。
[0050]步驟S04、對(duì)襯底進(jìn)行紫外光清洗。
[0051]步驟S05、如圖8所示，在襯底10上依次形成發(fā)光層60、第二電極70，其中，發(fā)光層可以是由有機(jī)小分子電致發(fā)光材料蒸鍍形成，也可以是由有機(jī)高分子電致發(fā)光材料噴墨打印形成。
[0052]以形成第一薄膜晶體管為例具體說(shuō)明上述步驟SOl的制作方法，可以如圖9所示，具體包括:
[0053]步驟S011、在襯底上形成柵極。
[0054]步驟SO12、采用CVD (Chemical Vapor Deposit1n,化學(xué)氣相沉積)法在襯底上形成柵絕緣層，其中，柵絕緣層可以是S1x (氧化硅)、SiNx (氮化硅)的單層或多層薄膜。
[0055]步驟S013、在襯底上形成有源層，其中，有源層可以是IGZ0、ITZO等氧化物薄膜。
[0056]步驟S014、在襯底上形成刻蝕阻擋層，其中，刻蝕阻擋層可以是S1x薄膜。
[0057]步驟S015、在襯底上形成源極和漏極。
[0058]需要說(shuō)明的是，第二薄膜晶體管的具體制作方法與上述第一薄膜晶體管的具體制作方法相同，這里不再贅述，以上只是一種示例性的對(duì)薄膜晶體管的制作方法和結(jié)構(gòu)進(jìn)行介紹，本發(fā)明不對(duì)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和制備方法進(jìn)行限定，現(xiàn)有所公知的薄膜晶體管的制作方法和結(jié)構(gòu)均為本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0059]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底以及形成在所述襯底上的第一薄膜晶體管和第一電極，所述第一薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極，其特征在于，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋所述第一薄膜晶體管的有源層未與所述源極和所述漏極交疊的區(qū)域，所述第一電極能夠吸收紫外光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極覆蓋所述第一薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，形成所述第一電極的材料為氧化銦錫、氧化鎵鋅或氧化銦鋅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極的厚度為30nm-300nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極對(duì)于波長(zhǎng)小于300nm的紫外光的吸收率不低于90%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為陰極或陽(yáng)極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第一薄膜晶體管的柵極電連接，所述第一電極還至少覆蓋所述第二薄膜晶體管的有源層未與所述第二薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極交疊的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極還覆蓋所述第二薄膜晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，形成所述有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括形成在所述襯底上的鈍化層、發(fā)光層和第二電極，其中，所述鈍化層形成在所述第一電極和所述第一薄膜晶體管之間，所述發(fā)光層、所述第二電極依次形成在所述第一電極之上。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。
12.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底上形成第一薄膜晶體管，包括形成柵極、有源層、源極和漏極； 在形成有所述第一薄膜晶體管的襯底上形成第一電極，其中，所述第一電極與所述第一薄膜晶體管的漏極電連接，且至少覆蓋所述第一薄膜晶體管的有源層未與所述源極和所述漏極交疊的區(qū)域，所述第一電極能夠吸收紫外光。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第一電極覆蓋所述第一薄膜晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一電極的材料為氧化銦錫、氧化鎵鋅或氧化銦鋅。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述第一電極的厚度為30nm-300nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求12-14任一項(xiàng)所述的制作方法,其特征在于,所述第一電極對(duì)于波長(zhǎng)小于300nm的紫外光的吸收率不低于90%。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述襯底上形成第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第一薄膜晶體管的柵極電連接； 所述第一電極還至少覆蓋所述第二薄膜晶體管的有源層未與所述第二薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極交疊的區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制作方法，其特征在于， 所述第一電極還覆蓋所述第二薄膜晶體管。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管之后，且在形成所述第一電極之前，所述方法還包括:在所述襯底上形成鈍化層。
20.根據(jù)權(quán)利要求12-14和17-18任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，在形成有所述第一薄膜晶體管的襯底上形成第一電極之后，所述方法還包括:對(duì)所述襯底進(jìn)行紫外光清洗。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制作方法，其特征在于，在對(duì)所述襯底進(jìn)行紫外光清洗之后，所述方法還包括:在所述襯底上依次形成發(fā)光層、第二電極。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104362157SQ201410723212
【公開日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月2日
【發(fā)明者】陳江博, 王燦, 王輝鋒, 宋文峰 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司