一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的制作方法
【專利摘要】一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池，由透明導(dǎo)電襯底、致密層、三維有序介孔支架層及填充在其中的鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層和對電極層依次組成疊層結(jié)構(gòu)，所述帶有三維有序介孔支架層是以水溶性膠體晶微球為模板制備的三維有序介孔材料，三維有序介孔支架層的孔徑尺寸由水溶性膠體晶模板微球的尺寸決定；鈣鈦礦吸光層為具有ABXmY3-m型晶體結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成。本發(fā)明的優(yōu)點是：該結(jié)構(gòu)鈣鈦礦薄膜太陽能電池具有孔徑均一可調(diào)、較大的比表面積和較好的電子傳輸通道的三維有序介孔支架層，光電轉(zhuǎn)換效率高，重復(fù)性及穩(wěn)定性好；其制備方法條件溫和可控、制備方法簡單、成本低，適用于大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說明】一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)光電領(lǐng)域，具體地說涉及一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球石油資源的日益耗盡，太陽能電池作為解決世界能源危機(jī)的一個可行方法成為一個廣泛研究的前沿性課題。太陽能電池的研究與開發(fā)始終圍繞以下兩個關(guān)鍵問題而展開:I)提高光電轉(zhuǎn)換效率及壽命；2)采用新型材料以降低成本。到目前為止，無機(jī)硅太陽能電池在制備過程中所需的高溫、高真空使得無機(jī)硅太陽能電池的生產(chǎn)成本非常高，這使得其應(yīng)用受到很大的限制。II1-V族化合物太陽能電池由銦硒等稀有元素所制備，盡管制成的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率很高,但從材料來源看,這類太陽能電池將來不可能占據(jù)主導(dǎo)地位。而納米晶太陽能電池和染料敏化太陽能電池這兩類電池還處于探索階段。有機(jī)太陽能電池雖然在轉(zhuǎn)換效率、光譜響應(yīng)范圍、電池的穩(wěn)定性方面都取得了較大的發(fā)展，但光電轉(zhuǎn)換效率較低、壽命短和穩(wěn)定性較差的缺點嚴(yán)重制約著其商業(yè)化的進(jìn)程。
[0003]2012年以來，以CH3NH3PbX3為代表的金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜太陽能電池從制備方法、光電轉(zhuǎn)換效率和內(nèi)在機(jī)理等方面均有很大突破，被《Science》評為2013年世界科學(xué)十大發(fā)現(xiàn)(Science，2013，342，1438-1439)。CH3NH3PbX3鈣鈦礦材料是由有機(jī)分子和無機(jī)分子有序自組裝形成的、具有量子肼結(jié)構(gòu)的晶體材料。此類材料結(jié)合了有機(jī)組分功能性、易加工性和無機(jī)組分高載流子傳輸性能、機(jī)械穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性的優(yōu)點，在光、電、磁等方向表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能，有很廣闊的應(yīng)用前景。由于IVA族金屬(Sn，Pb等)具有特殊的分子軌道特征，使該族金屬鹵化物的雜化鈣鈦礦材料具有很好的導(dǎo)電性。因此，這類雜化鈣鈦礦作為半導(dǎo)體材料，其突出的光電性能一直以來都引起了極大關(guān)注并被廣泛研究。CH3NH3PbX3(X= Br, I)作為一種新型的光敏材料在2009年被首先合成并應(yīng)用于液相染料敏化太陽能電池(DSSC)中，分別獲得了 3.8%和3.1%的光電轉(zhuǎn)換效率(J.Am.Chem.Soc.2009，131，6050 - 6051)。2011年P(guān)ark等人進(jìn)一步將光電轉(zhuǎn)換效率提高到6.5% (Nano Lett.2012,12，1863 - 1867)，但是器件的穩(wěn)定性很差。2012年瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院的Michael Gratzel教授等人采用Spiro-MeOTAD作為空穴傳輸層，T12為電子傳輸層制備了全固態(tài)雜化電池，光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)9.7%(Sc1.Rep.2012, 2，591-1-7)。2013年6 月，Michael Gratzel 課題組進(jìn)一步將電池的效率提升到 15% (www.nature.com/doifinder/10.1038 /naturel2340)。這一成果被認(rèn)為是太陽能領(lǐng)域的一項重大研究進(jìn)展。目前鈣鈦礦薄膜太陽能電池最高效率達(dá)到了 19.3%(Science，2014，345，542-546)。據(jù)理論預(yù)測，基于金屬鹵化物的鈣鈦礦薄膜電池的光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)20%。鈣鈦礦薄膜太陽能電池材料具有較窄的帶隙(約1.5eV);可以用變換無機(jī)和有機(jī)元的組成來改變或調(diào)節(jié)量子阱的阱深、阱寬、勢壘高度和寬度，進(jìn)而可以連續(xù)地調(diào)控材料的電子學(xué)性能；既保留無機(jī)晶體的高載流子傳輸性又保留有機(jī)材料良好的可成膜性，從而克服了目前制約著有機(jī)太陽能電池性能及穩(wěn)定性偏低的缺點。同時，鈣鈦礦電池具有直接帶隙、可見光吸收系數(shù)高(約15 cnT1)、較高的載流子遷移率(約10 cm2 V—1S—1)、合成工藝簡單、可以通過溶液法大面積低成本制備的特點成為材料、化學(xué)以及凝聚態(tài)物理等學(xué)科中的研究熱點。作為一種全固態(tài)的太陽能電池，其獨特的光電特性正引起學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。而完美高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜是獲得高效器件的關(guān)鍵因素。
[0004]目前，鈣鈦礦薄膜太陽電池的器件結(jié)構(gòu)包括采用介孔體相異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)、平面異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)等。體相異質(zhì)結(jié)介觀太陽能電池結(jié)構(gòu)包括致密層、介孔支架層、吸光層、空穴傳輸層、對電極。體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池具有較好的環(huán)境穩(wěn)定性。但還存在如下幾個方面的問題:
I)致密層通常采用半導(dǎo)體材料Ti02。在紫外光照下具有光催化效應(yīng)，可能會誘導(dǎo)鈣鈦礦吸光層發(fā)生分解，顯著降低電池穩(wěn)定性。T12材料存在著一些固有缺陷，例如納米晶粒間存在著大量的晶界，比表面積大，表面懸掛鍵起著俘獲光生電子的陷阱作用，他們會使電子的壽命和擴(kuò)散距離減小，復(fù)合幾率增加。電荷復(fù)合正是制約著其效率提高的主要因素。一些研究人員嘗試著在T12納米晶表面包覆具有較高導(dǎo)帶位置的金屬氧化物(ZnO、Cs2C03、MgO)薄層形成核殼結(jié)構(gòu),通過能量勢魚抑制T12導(dǎo)帶電子與染料及電解質(zhì)的復(fù)合。
[0005]2)多孔層在鈣鈦礦層中擔(dān)負(fù)著重要的支架支撐作用。而多孔層的孔隙則限制住鈣鈦礦晶粒生長的尺寸。如果孔隙率太小，會導(dǎo)致填充率過低，減小了鈣鈦礦與電子傳輸層之間的接觸面積，增加了界面電阻。擴(kuò)大多孔孔隙，可以提高晶粒尺寸，提高載流子傳輸長度，減小復(fù)合的幾率。而目前多孔材料的合成大多采用溶膠凝膠法制備，孔隙的大小受到制備條件(溫度、濃度、處理時間、晶形等因素)的影響。而填充在介孔支架層中的金屬鹵化物鈣鈦礦材料的晶體生長受到介孔的影響?？紫恫蝗菀卓刂?、形成的薄膜不均勻、填充不充分以及局部堆積較為嚴(yán)重。因此制備的相同結(jié)構(gòu)的器件重復(fù)性差異較大。
[0006]金屬鹵化物鈣鈦礦材料具有很高的電子遷移率，人們又提出了簡單、高效的平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池結(jié)構(gòu)。平面異質(zhì)結(jié)太陽能電池結(jié)構(gòu)包括正置結(jié)構(gòu)和倒置結(jié)構(gòu):透明導(dǎo)電襯底/空穴阻擋層/鈣鈦礦吸光層/電子傳輸層/對電極(正置結(jié)構(gòu))、透明導(dǎo)電襯底/致密層(同時作為電子傳輸層)/鈣鈦礦吸光層/空穴傳輸層/對電極(倒置結(jié)構(gòu))。
[0007]對于平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽電池結(jié)構(gòu)，同樣存在以下幾個方面的問題:
I)致密層的表面缺陷會導(dǎo)致界面形成復(fù)合中心，增加界面接觸電阻，阻礙電子有效傳輸。
[0008]2)界面效應(yīng)及鈣鈦礦結(jié)晶時巨大的表面張力會造成鈣鈦礦薄膜結(jié)晶速度過快、成膜性差，容易形成孤島現(xiàn)象，使鈣鈦礦層的孔洞變多、表面粗糙度變大。后續(xù)沉積的空穴傳輸層或者電子傳輸層有可能通過孔洞與致密層直接接觸，使漏電流增大。
[0009]3)平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦太陽能電池結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差，對水氧敏感。
[0010]上述問題極大地限制了鈣鈦礦薄膜太陽電池技術(shù)的發(fā)展。該領(lǐng)域尚未解決的關(guān)鍵問題是能夠通過采用簡單的技術(shù)手段，優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，保持較好的載流子傳輸通道同時盡可能的提高的比表面積。提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率、重復(fù)性、穩(wěn)定性。
[0011]三維有序介孔材料(Three-Dimens1nallyOrdered Mesoscopic Materials,3D0M)是指具有均一孔徑尺寸的高度單分散的球孔在三維空間內(nèi)高度均勻地分散在基質(zhì)(聚合物、無機(jī)氧化物、半導(dǎo)體材料、金屬等)中，且每個球孔之間又有小孔連通的一種新型材料。三維有序介孔材料具有獨特的排列整齊有序的孔結(jié)構(gòu)，不但具有孔徑尺寸單一、孔結(jié)構(gòu)在三維空間內(nèi)有序排列的特點，而且其孔徑尺寸大小一般在50nm。彌補(bǔ)了以往小孔結(jié)構(gòu)難以讓大分子進(jìn)入空腔的缺點。同時，該種材料孔徑尺寸大且分布均勻，孔道排列整齊有序，與其它多孔材料相比，其獨特的孔道結(jié)構(gòu)將有利于PbI2前驅(qū)體物質(zhì)從各個方向進(jìn)入孔內(nèi)，降低物質(zhì)擴(kuò)散阻力，為物質(zhì)的擴(kuò)散提供最佳通道(Science，1998，281，538-539)。模板法是制備三維有序孔材料最常用的方法。首先制備單分散的膠體微球，通過離心等方法再組裝成有序排列的膠晶模板；然后將目標(biāo)前驅(qū)體溶液通過浸潰等方法填充到模板間隙中。前驅(qū)體通過毛細(xì)管力滲透到模板的間隙內(nèi)，經(jīng)過液相-固相轉(zhuǎn)化形成孔壁；最后通過焙燒或溶解等方法去除膠體模板微球，即可得到相應(yīng)的3D0M氧化物。這種制備方法方便而且通用性很高，因而受到廣泛的應(yīng)用。通過調(diào)節(jié)模板微球的尺寸，有序孔的尺寸和序列分布可以得到精確的控制(Adv.Mater., 2000, 12，693-713)。
[0012]本發(fā)明提出了一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池及其制備方法。以水溶性膠體晶為模板制備的三維有序介孔材料，通過調(diào)控模板微球尺寸可以制備孔徑大小可控的的介孔支架層，進(jìn)而控制鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶過程及晶粒的大小。通過合成三維有序的介孔支架層，可以使電子傳輸通道更加暢通，充分發(fā)揮平面異質(zhì)結(jié)與介孔體相異質(zhì)結(jié)各自的優(yōu)點，避免其各自的缺點。因此有望克服目前制約著鈣鈦礦薄膜太陽電池技術(shù)發(fā)展的瓶頸。目前還尚未見到相關(guān)文獻(xiàn)的報道。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的目的是針對制約著鈣鈦礦薄膜太陽電池技術(shù)發(fā)展中存在的瓶頸問題，提出了一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，該結(jié)構(gòu)鈣鈦礦薄膜太陽能電池具有孔徑均一可調(diào)、較大的比表面積和較好的電子傳輸通道的三維有序介孔支架層，光電轉(zhuǎn)換效率提高，重復(fù)性及穩(wěn)定性好；可以實現(xiàn)在不耐高溫的柔性襯底上制備鈣鈦礦薄膜電池；其制備方法條件溫和可控、制備方法簡單、成本低，適用于大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)。
[0014]本發(fā)明的技術(shù)方案:
一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池，由透明導(dǎo)電襯底、致密層、三維有序介孔支架層及填充在其中的鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層和對電極層依次組成疊層結(jié)構(gòu)，所述透明導(dǎo)電襯底是以銦錫氧化物(ITO)或摻雜氟的SnO2(FTO)或摻Al的氧化鋅(AZO)為導(dǎo)電層的導(dǎo)電玻璃；致密層為T12或ZnO薄膜，厚度為20-150nm ;帶有三維有序介孔支架層是以水溶性膠體晶為模板制備的三維有序介孔材料，三維有序介孔支架層的孔徑尺寸由水溶性膠體晶模板微球的尺寸決定，介孔支架層為二氧化鈦T12、二氧化硅S12、氧化鋅ZnO、三氧化二鋁Al2O3、氧化鋯ZrO2、聚苯乙烯PS、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA和聚丙烯腈PAN中的一種或兩種以上任意比例的混合物，厚度為100-800nm ;鈣鈦礦吸光層為具有ABXmY3_m型晶體結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成，其中A為CH3NH3或C4H9NH3, B為Pb或Sn，X、Y為Cl、Br或I，m為
1、2或3 ;空穴傳輸層為N1、CuO、CuSCN、Cu1、三氧化鎢、三氧化鑰、五氧化二礬、2，2’，7，7’ -四[N, N- 二氨基]_9，9’ -螺二芴 Spiro-OMETAD、P3HT、PTAA, NPB, TPD 中的一種或兩種以上任意比例的混合物；對電極層為Au或Ag。
[0015]一種所述帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
1)清洗透明導(dǎo)電襯底并烘干，紫外臭氧處理后待用；
2)利用磁控濺射技術(shù)在透明導(dǎo)電襯底上制備致密層； 3)以水溶性膠體晶為模板制備三維有序介孔支架層，在惰性氣體保護(hù)下，利用兩步法或一步法制備鈣鈦礦吸光層并填充到三維有序介孔支架層中；
4)通過熱蒸鍍或溶液旋涂的方法將空穴傳輸層沉積在鈣鈦礦吸光層上；
5 )采用蒸鍍、旋涂或者絲網(wǎng)印刷的辦法蒸制備對電極。
[0016]本發(fā)明的優(yōu)點和積極效果是:
本發(fā)明制備的帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)中三維有序介孔支架層的孔徑尺寸，可由模板微球尺寸得以調(diào)控；可以方便的溶解在水中獲得孔徑均一可調(diào)、具有較大的比表面積和較好的電子傳輸能力的支架層，進(jìn)而使得電子-空穴的復(fù)合得到了有效的抑制，光電轉(zhuǎn)換效率提高。與傳統(tǒng)的鈣鈦礦薄膜電池制備方法相比，具有更好的重復(fù)性及穩(wěn)定性；三維有序大孔材料制備過程中可用水為溶劑去除模板，可以實現(xiàn)在不耐高溫的柔性襯底上制備鈣鈦礦薄膜電池；該制備方法條件溫和可控、制備方法簡單、成本低，適用于大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)。
[0017]【【專利附圖】

【附圖說明】】
圖1是該鈣鈦礦薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1.透明導(dǎo)電襯底；2.致密層；3.介孔支架層及填充在其中的鈣鈦礦吸光層；4.空穴傳輸層；5.對電極層。
[0018]圖2為膠體晶模板電鏡照片。
[0019]圖3為制備的T12三維有序介孔支架層。
[0020]【【具體實施方式】】
實施例:
一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池，如圖1所示，由透明導(dǎo)電襯底1、致密層2、三維有序介孔支架層及填充在其中的鈣鈦礦吸光層3、空穴傳輸層4和對電極層5依次組成疊層結(jié)構(gòu)，所述透明導(dǎo)電襯底I是FTO導(dǎo)電玻璃；致密層2為T12薄膜，厚度為50nm ;三維有序介孔支架層是以水溶性聚丙烯酰胺為模板制備的二氧化鈦(3D0MT12),三維有序介孔支架層的孔徑尺寸為50nm由直徑為50nm的水溶性膠體晶模板微球制備，薄膜厚度為500nm ;鈣鈦礦吸光層為CH3NH3PbI3 ;空穴傳輸層為2，2’，7，7’ -四[N，N- 二氨基]-9，9’ -螺二芴Spiro-OMETAD ;對電極層為Au。
[0021]所述帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
1)將FTO導(dǎo)電玻璃襯底切割成長度20mm、寬度20mm方塊，用洗潔精和去離子水分別洗滌15分鐘以去除油脂和有機(jī)物，然后依次用丙酮、異丙醇、去離子水分別超聲洗滌15分鐘，最后將襯底放入紫外-臭氧處理機(jī)中處理1min待用；
2)利用磁控濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃襯底上生長50nm厚的T12致密層，方法是:以高純鈦為濺射靶材，高純氬氣和高純氧氣分別作為濺射氣體和反應(yīng)氣體。本底真空度為10_3帕，工作氣壓為0.6帕。O2流量為10 sccm，Ar流量為90 sccm，濺射功率350W，13.56MHz。時間為30min，襯底溫度為200°C ；
3)在氬氣保護(hù)下向三口瓶中加入5mL水、Ig丙烯酰胺、1.5g表面活性劑司班80、1.5 g表面活性劑吐溫80、20mL環(huán)己烷。體系攪拌均勻后加熱到30°C，再加入過硫酸銨0.00125g,反應(yīng)5h后停止反應(yīng)，將所得乳液用5000rpm離心分離得到單分散聚丙烯酰胺膠體晶模板，粒徑為40-50nm，圖2為膠體晶模板電鏡照片，圖中顯示:制備的聚丙烯酰胺膠體晶模板微球呈現(xiàn)單分散性，尺寸均一；
將制得的聚丙烯酰胺膠體晶模板旋涂在帶有T12致密層的FTO襯底上，滴加4.2mL鈦酸四丁酯、0.3mL鹽酸(濃度37wt%)、0.8mL H2O和4.2mL無水乙醇組成的的混合液并將模板浸沒，浸泡Ih后,放入30°C烘箱中聚合反應(yīng)48h，反應(yīng)結(jié)束后，用去離子水及無水乙醇清洗干凈，70度溫度下真空干燥3h，制得帶有3D0M T12介孔支架層的基片，圖3為制備的T12三維有序介孔支架層，圖中顯示:三維有序介孔支架層每個孔的內(nèi)部是相互連通的。這些有序孔成為I丐欽礦電池載流子傳輸?shù)耐ǖ?，為進(jìn)一步的光電轉(zhuǎn)換效率的提聞提供了可能；
4)將碘化鉛PbI2溶于N，N-二甲基甲酰胺中配置成濃度為lmol/L的溶液并加熱到70°C，然后將其旋涂在上述基片上，旋涂速度為6000rpm，旋涂時間為50s，干燥后浸沒在濃度為0.05moL/L的碘甲胺CH3NH3I異丙醇溶液中20s，然后用異丙醇溶液進(jìn)行清洗干凈，100度干燥處理30min，形成填充有鈣鈦礦的吸光層，厚度為500nm，最后通過溶液旋涂的方法將空穴傳輸層2，2’，7，7’-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9’-螺二芴(Spiro-MeOTAD)沉積在無機(jī)雜化鈣鈦礦材料CH3NH3PbI3上；
5)在3X10-4Pa條件下采用熱蒸鍍的辦法蒸鍍70nmAu背電極。在AM1.5G (100 mff/cm2)光照下，Jsc、Voc、FF、PCE 分別為 13.2 mA/cm2、0.89 V,54%,6.5%。
【權(quán)利要求】
1.一種帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池，其特征在于:由透明導(dǎo)電襯底、致密層、三維有序介孔支架層及填充在其中的鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層和對電極層依次組成疊層結(jié)構(gòu)，所述透明導(dǎo)電襯底是以銦錫氧化物(ITO)或摻雜氟的SnO2 (FTO)或摻Al的氧化鋅(AZO)為導(dǎo)電層的導(dǎo)電玻璃；致密層為T12或ZnO薄膜，厚度為20_150nm ;帶有三維有序介孔支架層是以水溶性膠體晶為模板制備的三維有序介孔材料，三維有序介孔支架層的孔徑尺寸由水溶性膠體晶模板微球的尺寸決定，介孔支架層為二氧化鈦T12、二氧化娃S12、氧化鋅ZnO、三氧化二招Al2O3、氧化錯ZrO2、聚苯乙烯PS、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA和聚丙烯腈PAN中的一種或兩種以上任意比例的混合物，厚度為100-800nm ;鈣鈦礦吸光層為具有ABXmY3_m型晶體結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成，其中A為CH3NH3或C4H9NH3, B為Pb或Sn，X、Y為Cl、Br或I，m為1、2或3 ;空穴傳輸層為N1、CuO、CuSCN、Cu1、三氧化鎢、三氧化鑰、五氧化二礬、2，2’，7，7’ -四[N, N- 二氨基]_9，9’ -螺二芴 Spiro-OMETAD, P3HT、PTAA、NPB、TPD中的一種或兩種以上任意比例的混合物；對電極層為Au或Ag。
2.一種如權(quán)利要求1所述帶有三維有序介孔支架層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于包括以下步驟: (1)清洗透明導(dǎo)電襯底并烘干，紫外臭氧處理后待用； (2)利用磁控濺射技術(shù)在透明導(dǎo)電襯底上制備致密層； (3)以水溶性膠體晶為模板制備三維有序介孔支架層，在惰性氣體保護(hù)下，利用兩步法或一步法制備鈣鈦礦吸光層并填充到三維有序介孔支架層中； (4)通過熱蒸鍍或溶液旋涂的方法將空穴傳輸層沉積在鈣鈦礦吸光層上； (5)采用蒸鍍、旋涂或者絲網(wǎng)印刷的辦法蒸制備對電極。
【文檔編號】H01L51/48GK104409636SQ201410656432
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月18日
【發(fā)明者】楊利營, 印壽根, 唐彤, 左紅文, 秦文靜, 曹煥奇, 郭娜, 吳海珍, 吳江蓉, 孫愛, 張翠翠 申請人:天津理工大學(xué)