形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法。包括：在半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)圖形上形成銅柱，在所述銅柱遠(yuǎn)離焊盤(pán)圖形的一端鍍上阻擋層，在所述阻擋層上布置預(yù)定量的焊料，所述焊料涂覆有焊劑。提供引線框，在引線框表面鍍絕緣層，所述絕緣層具有與銅柱位置對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，分別暴露部分的所述引線框的引線。所述半導(dǎo)體芯片倒裝在所述引線框上，所述焊料接觸所述暴露的引線。當(dāng)回流時(shí)，所述焊料熔化，在所述焊劑的協(xié)助下，所述銅柱和所述暴露的引線之間形成焊料互連。回流后在芯片的非主動(dòng)面貼膜，然后封裝，后去掉膜完成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝。通過(guò)上述方法芯片的非主動(dòng)面不被封裝材料覆蓋，使得形成的倒裝芯片半導(dǎo)體封裝件有較好的散熱效果。
【專(zhuān)利說(shuō)明】形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及在引線框上形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著時(shí)間的推移，半導(dǎo)體封裝件正變得越來(lái)越小而集中度越來(lái)越高，并且被制造成各種各樣的形狀。根據(jù)連接的方法，半導(dǎo)體封裝件典型的被分成金屬絲鍵合類(lèi)型或倒裝芯片鍵合類(lèi)型。金屬絲鍵合類(lèi)型的封裝件采用導(dǎo)電的鍵合金屬絲，以將半導(dǎo)體芯片的電極連接到引線框上，而倒裝芯片類(lèi)型的封裝件采用安置在半導(dǎo)體芯片電極焊點(diǎn)上的導(dǎo)電凸塊，來(lái)將半導(dǎo)體連接到引線或者將半導(dǎo)體芯片直接連接到電路板的連接端子。倒裝芯片鍵合類(lèi)型的封裝件具有比金屬鍵合類(lèi)型封裝件更短的電連接路徑，因而提供了優(yōu)異的熱特性和電特性，以及更小的封裝件尺寸，從而使之成為采用GHz頻率范圍的現(xiàn)代無(wú)線通訊應(yīng)用的一種有利選擇。
[0003]在倒裝芯片封裝過(guò)程中，芯片會(huì)被封在里面，熱量無(wú)法傳導(dǎo)出來(lái)。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)大多通過(guò)承載板來(lái)傳導(dǎo)芯片的熱量，但會(huì)存在以下不足:
[0004]1、傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)中，芯片懸架于承載板上，而懸著的芯片很難將熱充分散出去，進(jìn)而影響到最終產(chǎn)品的電熱性能及可靠性。
[0005]2、傳統(tǒng)的半導(dǎo)體引線框架式封裝，大多透過(guò)封裝體中的金屬板來(lái)傳導(dǎo)芯片產(chǎn)生的熱量，為了滿足高散熱需求而增加承載板的面積，一方面會(huì)因不同材質(zhì)間熱膨脹率的差異而容易產(chǎn)生應(yīng)力殘余、分層等可靠性問(wèn)題；另一方面也不符合半導(dǎo)體封裝件越來(lái)越輕薄短小的趨勢(shì)發(fā)展要求。
[0006]3、傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，也有通過(guò)選用高導(dǎo)電熱塑封材料的方式來(lái)提高散熱效果，而高導(dǎo)電熱塑封材料除了本身的成本價(jià)格外，對(duì)產(chǎn)品塑封工藝的控制也提出了更高的要求，且散熱效果不明顯。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明目的在于提供一種形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，克服或至少減少現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)。
[0008]由此，本發(fā)明提供了一種形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，包括以下步驟:
[0009]提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片的表面上具有焊盤(pán)圖形；
[0010]在所述焊盤(pán)圖形上形成銅柱；
[0011]在所述銅柱遠(yuǎn)離焊盤(pán)圖形的一端電鍍形成阻擋層；
[0012]在所述阻擋層上布置預(yù)定量的焊料；
[0013]在焊料的表面涂敷焊劑；
[0014]提供引線框，所述引線框的表面具有引線；
[0015]在所述引線框的表面形成絕緣層，所述絕緣層具有與銅柱位置對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，分別暴露部分的所述引線；
[0016]將所述半導(dǎo)體芯片倒裝在所述引線框上，其中所述焊料接觸被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線；
[0017]回流所述焊料，在所述銅柱和被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線之間形成導(dǎo)電互連，回流后的所述焊料位于所述銅柱和被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線之間；
[0018]在所述芯片的非主動(dòng)(non-active)面貼膜；
[0019]封裝所述倒裝芯片半導(dǎo)體器件；以及
[0020]去掉膜。
[0021]可選的，所述膜的材料為樹(shù)脂。
[0022]可選的，所述膜的厚度不小于所述芯片厚度的三分之一。
[0023]可選的，所述銅柱高度為10微米?90微米，直徑為20微米?150微米。
[0024]可選的，所述焊料高度為10微米?45微米。
[0025]可選的，所述絕緣層包括多個(gè)相互分離的部分，每個(gè)所述部分均具有所述開(kāi)口暴露部分所述引線。
[0026]可選的，所述絕緣層的相互分離的部分的形狀為圓形或者方形。
[0027]可選的，每個(gè)所述開(kāi)口的面積均大于其所對(duì)應(yīng)的所述銅柱的橫截面積。
[0028]可選的，所述絕緣層的厚度為5微米?10微米。
[0029]可選的，所述方法還包括在形成絕緣層的步驟前在引線框表面形成銀層或者銀合金層的步驟。
[0030]可選的，所述銀層或者銀合金層全部或部分覆蓋所述弓I線。
[0031]可選的，所述銀層或者銀合金層包括多個(gè)部分覆蓋所述引線的分離部分，所述多個(gè)分離部分的位置分別對(duì)應(yīng)所述銅柱的位置，且面積大于或等于在后續(xù)工藝中待形成的所述絕緣層中的所述開(kāi)口的面積。
[0032]可選的，所述銀層或者銀合金層的分離部分的形狀為圓形或者方形。
[0033]可選的，所述方法還包括在形成絕緣層的步驟后在所述開(kāi)口中形成錫層或錫合金層的步驟。
[0034]可選的，所述錫層或錫合金層的厚度小于所述絕緣層的厚度。
[0035]可選的，所述方法還包括在回流所述焊料的步驟后的清潔步驟。
[0036]可選的，所述方法還包括在所述清潔步驟之后，包封所述半導(dǎo)體芯片的至少一部分和所述引線框的至少一部分以形成半導(dǎo)體封裝的步驟。
[0037]可選的，所述方法還包括在所述包封步驟之后，從引線框單獨(dú)分出半導(dǎo)體封裝的步驟。
[0038]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0039]本發(fā)明通過(guò)上述方法形成芯片非主動(dòng)面裸露的倒裝芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，使得半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的散熱性強(qiáng)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適用性強(qiáng)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0040]圖1為形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法的工藝流程圖；
[0041]圖2A-2D為本發(fā)明第一實(shí)施方案工藝過(guò)程中部分引線框和半導(dǎo)體芯片的剖面圖；
[0042]圖3A-3D為本發(fā)明第二實(shí)施方案工藝過(guò)程中部分引線框和半導(dǎo)體芯片的剖面圖；以及
[0043]圖4A-4D為本發(fā)明第三實(shí)施方案工藝過(guò)程中部分引線框和半導(dǎo)體芯片的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0044]為了使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0045]在以下描述中闡述了具體的細(xì)節(jié)以便充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
[0046]針對(duì)上述缺陷，本發(fā)明提供了一種形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法。
[0047]下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。為了便于描述，在附圖中僅僅示出了引線框的一部分和半導(dǎo)體芯片的一部分。但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，下面描述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的工藝流程可以應(yīng)用于形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體芯片上所有的銅柱和引線框上所有的連接位置。
[0048]參考圖1第一實(shí)施方案提供了一種形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法。包括:
[0049]步驟S101，提供半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片的的表面焊盤(pán)上形成銅柱；
[0050]步驟S102，在銅柱遠(yuǎn)離焊盤(pán)圖形的一端涂覆阻擋層；
[0051]步驟S103，在阻擋層表面布置預(yù)定量的焊料；
[0052]步驟S104，在焊料表面涂覆焊劑；
[0053]步驟S105，提供引線框，在引線框的表面形成絕緣層，所述絕緣層具有與銅柱位置對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，分別暴露部分的所述引線；
[0054]步驟S106，將半導(dǎo)體芯片放置在所述引線框上，焊劑接觸被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線；
[0055]步驟S107，回流半導(dǎo)體芯片和引線框組件以在銅柱和被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線之間形成焊料互連；
[0056]步驟S108，在所述芯片的非主動(dòng)面貼膜；
[0057]步驟S109，用復(fù)合劑包封組件后去除膜。
[0058]下面結(jié)合剖面結(jié)構(gòu)圖具體說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的步驟。圖2A-2D為本發(fā)明第一實(shí)施方案工藝過(guò)程中部分引線框和半導(dǎo)體芯片的剖面圖。
[0059]首先執(zhí)行步驟S101，提供半導(dǎo)體芯片201，所述半導(dǎo)體芯片201的表面焊盤(pán)上形成銅柱202。如圖2A所示所述銅柱202從所述半導(dǎo)體芯片201的焊盤(pán)(未示出)上伸出。在所述半導(dǎo)體芯片201上形成銅柱202的工藝可以使用任何本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的在晶片表面形成凸起的技術(shù)。本實(shí)施例中所述銅柱202高度為10微米?90微米，直徑為20微米?150微米。控制所述銅柱202的高度，可以保證較高的成品率。
[0060]然后執(zhí)行步驟S102，在所述銅柱202遠(yuǎn)離焊盤(pán)圖形的一端涂覆阻擋層203。如圖2A所示所述阻擋層203采用電鍍的方式涂敷在所述銅柱遠(yuǎn)離焊盤(pán)圖形的表面。所述阻擋層203的材質(zhì)通常為鎳。
[0061]接著執(zhí)行步驟S103，在所述阻擋層203表面布置預(yù)定量的焊料204。本工藝可以通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的各種技術(shù)布置所述焊料204。如圖2A所示本實(shí)施例中所述焊料204以焊球的形式電鍍或者附加在所述銅柱202遠(yuǎn)離焊盤(pán)圖形一端的表面。布置在每個(gè)所述銅柱202的阻擋層203的端上焊料量是預(yù)訂的，并且無(wú)論采用什么工藝布置焊料，該工藝必須保證預(yù)定量焊料布置在每個(gè)所述阻擋層203上。本實(shí)施例采用比焊料印刷工藝具有低工藝變化流程的電鍍工藝，此工藝可以保證布置的焊料量被很好地控制并且在所述半導(dǎo)體芯片201上更均勻。布置的焊料量取決于多種因素，可以包括:所述焊料204類(lèi)型，所述銅柱202的直徑或橫截的面積、所述開(kāi)口 209的面積、所述半導(dǎo)體芯片201的質(zhì)量、所述銅柱202的數(shù)目、回流所述焊料204時(shí)的回流外形、回流所述焊料204和所述銅柱202的預(yù)期最終尺寸以及焊劑205的類(lèi)型。在回流過(guò)程中，當(dāng)所述焊料204處于熔融狀態(tài)時(shí)，所述焊料204的這些被調(diào)節(jié)的量有利地允許布置的所述焊料204留在所述銅柱202周?chē)八鲩_(kāi)口209處。本發(fā)明實(shí)施例中所述焊料204高度為10微米?45微米，優(yōu)選高度為35微米。所述焊料204的高度決定回流后焊料互連210的高度。
[0062]接著執(zhí)行步驟S104，在所述焊料204表面涂覆焊劑205。如圖2A所示本實(shí)施例中所述焊劑205涂覆整個(gè)所述焊球表面。本實(shí)施例中涂覆焊劑通過(guò)暫時(shí)將具有所述焊料204的所述半導(dǎo)體芯片201浸入所述焊劑205的儲(chǔ)存器中來(lái)實(shí)現(xiàn)。在升高溫度時(shí)，所述焊劑205清潔它涂覆的表面以增強(qiáng)所述焊料204的粘附力。清潔的表面包括所述焊料204和被所述開(kāi)口 209暴露的部分的引線框的表面。
[0063]接著執(zhí)行步驟S105，提供引線框206，所述引線框206的表面具有引線。在所述引線框206表面上形成絕緣層208，所述絕緣層208具有形成與所述銅柱202位置對(duì)應(yīng)的開(kāi)口209，所述開(kāi)口 209暴露部分的所述引線。如圖2A所示本實(shí)施例中所述開(kāi)口 209表面積大于所述銅柱202的橫截面積。所述絕緣層的厚度為5微米?10微米。所述絕緣層208可以覆蓋全部引線，也可以包括多個(gè)相互分離的部分，每個(gè)所述部分均具有所述開(kāi)口 209以暴露部分所述引線。所述絕緣層208的相互分離的部分的形狀為圓形或者方形。本發(fā)明所述絕緣層208可以用任何適合倒裝芯片封裝的絕緣材料制成，例如使用聚酰亞胺或高溫絕緣材料。形成工藝可以使用任何本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的形成絕緣層的技術(shù)。
[0064]接著執(zhí)行步驟S106，將所述半導(dǎo)體芯片201倒裝在所述引線框206上，所述焊劑204接觸被所述開(kāi)口 209暴露的部分的引線。如圖2A所示本實(shí)施例中所述焊劑204浸潤(rùn)或粘附在被所述開(kāi)口 209暴露的部分的引線上，為下一步做準(zhǔn)備。
[0065]接著執(zhí)行步驟S107，回流所述半導(dǎo)體芯片201和所述引線框組件，以在所述銅柱202和被所述開(kāi)口 209暴露的部分的引線之間形成焊料互連210。如圖2B所示加熱回流過(guò)程中，所述焊劑205清潔所述引線框206上的被所述開(kāi)口 209暴露的部分的所述引線，所述焊料204變?yōu)槿谌蹱顟B(tài)，融熔的所述焊料204流到清潔的被所述開(kāi)口 209暴露的部分的引線框表面，并粘附到被所述開(kāi)口 209暴露的部分的引線上，以在每個(gè)所述銅柱202和相應(yīng)的被所述開(kāi)口 209暴露的部分的引線之間形成所述焊料互連210。預(yù)定量的焊料204決定所述焊料互連210的形成，所述開(kāi)口 209進(jìn)一步限制了所述焊料204流走，從而確保所述焊料204保持在所述開(kāi)口 209處。
[0066]本發(fā)明有利的減少了所述焊料204從連接位置流走，從而提高所述銅柱202和引線框之間的耦合，減少不良接觸，同時(shí)也減少引線間的短路；更多的所述焊料204在所述開(kāi)口 209處，從而增加了所述銅柱202和所述引線框206之間耦連的機(jī)械強(qiáng)度，得以制造更可靠的電連接。
[0067]接著執(zhí)行步驟S108，在所述芯片201的非主動(dòng)面貼膜212。如圖2B所示，所述膜212的材料為樹(shù)脂。本發(fā)明對(duì)樹(shù)脂的種類(lèi)并無(wú)特殊的限制，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的樹(shù)脂即可。所述膜的厚度不小于所述芯片201厚度的三分之一，優(yōu)選不小于所述芯片201厚度的二分之一。
[0068]最后執(zhí)行步驟S109,用復(fù)合劑包裝封組件,后去除I旲。如圖2C所不在回流之后，當(dāng)使用普通焊劑時(shí)，清潔組件，以去除任何過(guò)量的所述焊劑205，再用模制復(fù)合劑211包封組件，以在所述引線框206上制造倒裝芯片半導(dǎo)體封裝(未示出)。另外，當(dāng)使用沒(méi)有清潔的所述焊劑205時(shí)，不需要清潔步驟。如圖2D所示封裝后去除膜212。
[0069]本發(fā)明通過(guò)上述方法形成芯片非主動(dòng)面裸露的倒裝芯片半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，使得半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的散熱性強(qiáng)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適用性強(qiáng)。
[0070]最后將倒裝芯片半導(dǎo)體封裝單分出來(lái)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，在單分步驟之前，可能有形成外部引線和測(cè)試半導(dǎo)體芯片的功能性的附加步驟。
[0071]圖3A-3D為本發(fā)明第二實(shí)施方案工藝過(guò)程中部分引線框和半導(dǎo)體芯片的剖面圖。
[0072]第二實(shí)施方案與第一實(shí)施方案基本相似于圖1的工藝流程，除了在引線框206表面形成絕緣層208前在所述引線框206表面鍍上或印刷上銀層或銀合金層207。如圖3A-3D所示，其為了方便起見(jiàn)，圖3A-3D中使用圖2A-2D中所示的相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)指示。所述銀層或銀合金層207可以全部或部分覆蓋所述引線。當(dāng)覆蓋部分引線時(shí)，所述銀層或者銀合金層207包括多個(gè)部分覆蓋所述引線的分離部分，所述多個(gè)分離部分的位置分別對(duì)應(yīng)所述銅柱202的位置，且面積大于或等于在后續(xù)工藝中待形成的所述絕緣層208中的所述開(kāi)口209的面積。所述銀層或者銀合金層207的分離部分的形狀為圓形或者方形。。本實(shí)施例中為銀層，且覆蓋全部的引線。所述銀層207可以增加所述引線框206與所述銅柱202之間的粘合力，起到防止焊料從連接位置流走的作用。需要說(shuō)明的是銀合金層也起到同樣的作用。其余工藝流程同第一實(shí)施方案，在此不再贅述。
[0073]圖4A-4D為本發(fā)明第三實(shí)施方案工藝過(guò)程中部分引線框和半導(dǎo)體芯片的剖面圖。
[0074]第三實(shí)施方案與第一實(shí)施方案基本相似于圖1的工藝流程，除了所述絕緣層208部分覆蓋所述引線框206的表面，且在引線框206表面形成絕緣層后在所述開(kāi)口內(nèi)鍍上或印刷上錫層或錫合金層207a。如圖4A-4D所示，其為了方便起見(jiàn)，圖4A-4D中使用圖2A-2D中所示的相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)指示。所述錫層或錫合金層207a厚度小于所述絕緣層208的厚度。本實(shí)施例中為錫層，所述錫層可以增加所述引線框206與所述銅柱202之間的粘合力，起到防止焊料從連接位置流走的作用。需要說(shuō)明的是錫合金層代替錫層和/或所述絕緣層208覆蓋所述引線框206的全部表面也起到同樣的作用。其余工藝流程同第一實(shí)施方案，在此不再贅述。
[0075]本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案要求保護(hù)的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片的表面具有焊盤(pán)圖形； 在所述焊盤(pán)圖形上形成銅柱； 在所述銅柱遠(yuǎn)離所述焊盤(pán)圖形的一端電鍍形成阻擋層； 在所述阻擋層上布置預(yù)定量的焊料； 在焊料的表面涂敷焊劑； 提供引線框，所述引線框的表面具有引線； 在所述引線框的表面形成絕緣層，所述絕緣層具有與銅柱位置對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，分別暴露部分的所述引線； 將所述半導(dǎo)體芯片倒裝在所述引線框上，其中所述焊料接觸被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線； 回流所述焊料，在所述銅柱和被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線之間形成導(dǎo)電互連，回流后的所述焊料位于所述銅柱和被所述開(kāi)口暴露的部分的所述引線之間； 在所述芯片的非主動(dòng)面貼膜； 封裝所述倒裝芯片半導(dǎo)體器件；以及 去掉膜。
2.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述膜的材料為樹(shù)脂。
3.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述膜的厚度不小于所述芯片厚度的三分之一。
4.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述銅柱高度為10微米?90微米，直徑為20微米?150微米。
5.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述焊料高度為10微米?45微米。
6.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述絕緣層包括多個(gè)相互分離的部分，每個(gè)所述部分均具有所述開(kāi)口暴露部分所述引線。
7.如權(quán)利要求6所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述絕緣層的相互分離的部分的形狀為圓形或者方形。
8.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，每個(gè)所述開(kāi)口的面積均大于其所對(duì)應(yīng)的所述銅柱的橫截面積。
9.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為5微米?10微米。
10.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述方法還包括在形成絕緣層的步驟前在引線框表面形成銀層或者銀合金層的步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述銀層或者銀合金層全部或部分覆蓋所述弓I線。
12.如權(quán)利要求10所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述銀層或者銀合金層包括多個(gè)部分覆蓋所述引線的分離部分，所述多個(gè)分離部分的位置分別對(duì)應(yīng)所述銅柱的位置，且面積大于或等于在后續(xù)工藝中待形成的所述絕緣層中的所述開(kāi)口的面積。
13.如權(quán)利要求11所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述銀層或者銀合金層的分離部分的形狀為圓形或者方形。
14.如權(quán)利要求1所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述方法還包括在形成絕緣層的步驟后在所述開(kāi)口中形成錫層或錫合金層的步驟。
15.如權(quán)利要求14所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述錫層或錫合金層的厚度小于所述絕緣層的厚度。
16.如權(quán)利要求1至15中任意一項(xiàng)所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述方法還包括在回流所述焊料的步驟后的清潔步驟。
17.如權(quán)利要求16所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述清潔步驟之后，包封所述半導(dǎo)體芯片的至少一部分和所述引線框的至少一部分以形成半導(dǎo)體封裝的步驟。
18.如權(quán)利要求17所述的形成倒裝芯片半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述包封步驟之后，從引線框單獨(dú)分出半導(dǎo)體封裝的步驟。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK104392940SQ201410606692
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
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