擴散劑組合物及雜質(zhì)擴散層的形成方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制在于干燥爐內(nèi)干燥涂布有擴散劑組合物的半導體基板時、在干燥爐的爐內(nèi)及排氣口產(chǎn)生沉積物的擴散劑組合物、以及使用該擴散劑組合物的雜質(zhì)擴散層的形成方法。為此，本發(fā)明在含有雜質(zhì)擴散成分(A)和有機溶劑(S)的擴散劑組合物中配合作為雜質(zhì)擴散成分(A)的包含下述式(1)所示結(jié)構(gòu)單元的聚合物。式(1)中，R為氫原子或碳原子數(shù)1～5的烷基，Y為單鍵、-O-、酯鍵、或者可以具有-O-、-NH-、-C(＝O)-或酯鍵的碳原子數(shù)1～10的2價烴基，R1及R2各自獨立地為羥基、碳原子數(shù)1～5的烷氧基、或可以具有取代基的芳氧基，R1和R2也可以彼此鍵合而形成環(huán)。
【專利說明】擴散劑組合物及雜質(zhì)擴散層的形成方法
【技術(shù)領域】
[0001] 本發(fā)明涉及擴散劑組合物及雜質(zhì)擴散層的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，在制造太陽能電池時，在半導體基板中形成例如N型的雜質(zhì)擴散層的情況 下，使包含N型雜質(zhì)擴散成分的擴散劑從涂布于半導體基板表面的擴散劑中擴散出N型雜 質(zhì)擴散成分，從而形成N型雜質(zhì)擴散層。具體而言，首先，在半導體基板表面形成熱氧化膜， 接著，利用光刻法在熱氧化膜上層疊具有指定圖案的抗蝕劑，并將該抗蝕劑作為掩模，利用 酸或堿蝕刻未被抗蝕劑遮掩的熱氧化膜部分，并剝離抗蝕劑，從而形成熱氧化膜的掩模。然 后，涂布包含N型雜質(zhì)擴散成分的擴散劑組合物，在掩模的開口部分形成擴散劑組合物的 膜。通過將該部分加熱至高溫，使雜質(zhì)擴散成分擴散，從而形成N型雜質(zhì)擴散層（專利文獻 1 ?3)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004] 專利文獻
[0005] 專利文獻1 :日本特開2001-071489號公報
[0006] 專利文獻2 :日本特開2002-075892號公報
[0007] 專利文獻3 :日本特表2008-543097號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 發(fā)明要解決的問題
[0009] 然而，專利文獻1?3中記載的方法存在如下所述的問題。將擴散劑組合物涂布 于半導體基板上之后，要在干燥爐內(nèi)進行干燥處理。此時，使用傳統(tǒng)的擴散劑組合物的情況 下，存在容易在干燥爐的爐內(nèi)及排氣口積存包含大量磷化合物的沉積物的問題。這樣的沉 積物的問題會導致太陽能電池的生產(chǎn)性降低。這是因為，如果大量產(chǎn)生沉積物，則需要頻繁 地實施在停止干燥爐之后除去沉積物的操作。另外，如果在干燥爐內(nèi)積存沉積物，則存在沉 積物落下到硅片上的隱患。沉積物向硅片的落下將給太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率帶來不良 影響。
[0010] 本發(fā)明鑒于上述課題而完成，目的在于提供能夠抑制在于干燥爐內(nèi)干燥涂布有擴 散劑組合物的半導體基板時、在干燥爐的爐內(nèi)及排氣口產(chǎn)生沉積物的擴散劑組合物、以及 使用該擴散劑組合物的雜質(zhì)擴散層的形成方法。
[0011] 解決問題的方法
[0012] 本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，通過在含有雜質(zhì)擴散成分（A)和有機溶劑（S)的擴散劑組合物 中配合包含下式（1)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物作為雜質(zhì)擴散成分（A)，可以解決上述的課 題，進而完成了本發(fā)明。
[0013] [化學式1]
[0014]
【權(quán)利要求】
1. 一種擴散劑組合物，其是在向半導體基板進行雜質(zhì)擴散時使用的擴散劑組合物，其 中， 該組合物含有雜質(zhì)擴散成分（A)和有機溶劑（S)， 所述雜質(zhì)擴散成分（A)含有包含下述式（1)所示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，
式（1)中，R為氫原子或碳原子數(shù)1?5的烷基，Y為單鍵、-0-、酯鍵、或者任選具 有-0-、-NH-、-C ( = 0)-或酯鍵的碳原子數(shù)1?10的2價烴基，R1及R2各自獨立地為羥 基、碳原子數(shù)1?5的烷氧基、或任選具有取代基的芳氧基，R 1和R2也可以彼此鍵合而形成 環(huán)。
2. -種雜質(zhì)擴散層的形成方法，其包括下述工序： 在半導體基板上涂布權(quán)利要求1所述的擴散劑組合物而形成圖案的圖案形成工序；和 使所述擴散劑組合物的雜質(zhì)擴散成分（A)擴散至所述半導體基板的擴散工序。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雜質(zhì)擴散層的形成方法，其中，所述半導體基板用于太陽能 電池。
【文檔編號】H01L21/22GK104517820SQ201410503800
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】宮城忠 申請人:東京應化工業(yè)株式會社