技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種全背電極P型晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的制備方法，該方法包括：在P型硅基底前表面制備納米絨面、P+型硼淺擴(kuò)散晶硅層和SiOx鈍化/SiNx減反層；在P型硅基底背面制備P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層，然后采用印刷腐蝕漿料實(shí)現(xiàn)對(duì)P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層局部腐蝕，再依次沉積一層本征非晶硅薄膜層和一層n型非晶硅薄膜層，去除P++型硼重?cái)U(kuò)散晶硅層區(qū)域表層的本征和n型非晶硅；然后濺射一層透明導(dǎo)電薄膜層，用激光將P型硅基底背面的P區(qū)和N區(qū)分開；最后印刷電極，低溫?zé)Y(jié)。該方法將金屬電極全部移至電池背面，受光面沒有電極，降低了組件生產(chǎn)成本、電池的復(fù)合損失，從而光學(xué)損失和電阻均顯著減少，效率大幅提升。

技術(shù)研發(fā)人員：劉文峰;周洪彪;程文進(jìn);汪已琳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
文檔號(hào)碼：201410423997
技術(shù)研發(fā)日：2014.08.26
技術(shù)公布日：2016.11.23