晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制備方法，所述晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器包括聚光基板和探測(cè)器基板，所述聚光基板與所述探測(cè)器基板通過一焊料層連接，所述聚光基板允許紅外光穿過并將紅外光匯聚在探測(cè)器基板上。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)是，將常規(guī)紅外探測(cè)器封裝中的光學(xué)窗口和紅外透鏡簡(jiǎn)并成一體，在一塊聚光基板上實(shí)現(xiàn)兩者功能，該封裝方式具有結(jié)構(gòu)緊湊，成本低的優(yōu)勢(shì)；采用雙面抗反射設(shè)計(jì)提高紅外抗反射性能，器件性能也能極大提升；實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝，降低封裝成本，從而降低紅外探測(cè)器制作成本。
【專利說明】晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及紅外熱成像領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制備方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 紅外成像技術(shù)廣泛應(yīng)用于軍事、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、森林防火、環(huán)境保護(hù)等各領(lǐng)域， 其核心部件是紅外焦平面陣列（IRFPA)。根據(jù)工作原理分類可分為：制冷型紅外探測(cè)器和 非制冷紅外探測(cè)器。制冷型探測(cè)器主要利用窄禁帶半導(dǎo)體光電效應(yīng)將紅外光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電 信號(hào)，又稱為光子探測(cè)器，通常工作在77K或更低溫度下，這就需要笨重而又昂貴的制冷設(shè) 備。此外，制作光子探測(cè)器所用的HgCdTe、InSb等材料價(jià)格昂貴、制備困難，且與CMOS工 藝不兼容，所以光子型紅外探測(cè)器的價(jià)格一直居高不下。
[0003] 非制冷熱型紅外探測(cè)器通過紅外探測(cè)單元吸收紅外線，將紅外能量轉(zhuǎn)化為熱能， 熱能引起探測(cè)器材料電學(xué)特性變化從而將紅外能量轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，通過讀出電路讀取該信 號(hào)并進(jìn)行處理。非制冷型紅外探測(cè)器也叫室溫探測(cè)器，可在室溫條件下工作而無需制冷，因 此具有更易于便攜等優(yōu)點(diǎn)。非制冷紅外探測(cè)器一般是熱探測(cè)器，即通過探測(cè)紅外輻射的熱 效應(yīng)來工作。常用的紅外熱探測(cè)器包括熱堆、熱釋電、以及微測(cè)輻射熱計(jì)。
[0004] 對(duì)于非制冷紅外探測(cè)器來說，傳統(tǒng)的封裝類型主要是芯片級(jí)封裝，通常采用金屬 或陶瓷管殼。主要工藝流程包括如下步驟：（1)硅晶圓上制備非制冷紅外探測(cè)器的讀出電 路及敏感結(jié)構(gòu)；（2)將上述制備好的晶圓切割成單個(gè)探測(cè)器芯片；（3)貼片、打線；(4)真 空封蓋。上述步驟（3)和（4)是針對(duì)單個(gè)芯片的。由于一個(gè)晶圓上可以切出上百個(gè)探測(cè) 器芯片，因此，這種封裝形式不僅效率低下而且成本高昂。目前，利用傳統(tǒng)封裝類型的非制 冷紅外探測(cè)器的封裝成本占到了整個(gè)探測(cè)器成本的90%。非制冷紅外探測(cè)器的成本居高不 下，封裝是個(gè)很重要的原因。因此，要實(shí)現(xiàn)非制冷紅外探測(cè)器的大批量應(yīng)用，必須降低非制 冷紅外探測(cè)器的成本，首先就必須降低封裝的成本。只有實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝才能大幅度降低 封裝成本。
[0005] 晶圓級(jí)真空封裝主要是晶圓制造過程中制作封裝所需要的焊料，然后在對(duì)晶圓進(jìn) 行切割前完成兩片或多片晶圓的鍵合封裝，這樣做的好處是可以大大減小封裝后的器件尺 寸，滿足目前在移動(dòng)設(shè)備中對(duì)小型化芯片的需求。同時(shí)無需使用金屬或陶瓷管殼，能有效地 降低器件的成本。
[0006] 早期研究的非制冷紅外探測(cè)器晶圓級(jí)封裝多數(shù)是先在封蓋晶圓上表面沉積抗反 射膜，然后對(duì)封蓋晶圓進(jìn)行刻蝕形成腔體，通過特定工藝將封蓋晶圓與探測(cè)器晶圓鍵合到 一起，在這種封裝方法中封蓋晶圓只能起到窗口作用，對(duì)于紅外探測(cè)器所需要的透鏡仍需 另行封裝。此外這種封裝方法只是在封裝晶圓外表面做抗反射處理，通?？狗瓷湫阅懿桓摺?因此，早期紅外探測(cè)器的晶圓級(jí)封裝并不能很好地降低探測(cè)器成本，同時(shí)探測(cè)器性能也會(huì) 受到影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制備方法。
[0008] 為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，包括聚光基板和 探測(cè)器基板，所述聚光基板與所述探測(cè)器基板通過一焊料層連接，所述聚光基板允許紅外 光穿過并將紅外光匯聚在探測(cè)器基板上。
[0009] 進(jìn)一步，所述聚光基板朝向和/或背向所述探測(cè)器基板的表面覆蓋有抗反射膜。
[0010] 進(jìn)一步，所述抗反射膜為用于窄帶增透的單層抗反射膜或者為用于寬帶增透的多 層膜系。
[0011] 進(jìn)一步，所述聚光基板朝向所述探測(cè)器基板的表面設(shè)置有微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)用 于提高所述聚光基板的紅外光抗反射性能。
[0012] 進(jìn)一步，所述微結(jié)構(gòu)表面設(shè)置有抗反射膜。
[0013] 進(jìn)一步，所述聚光基板為凸透鏡基板。
[0014] 進(jìn)一步，所述探測(cè)器基板包括讀出電路、橋墩、橋腿和橋面，所述讀出電路設(shè)置于 所述探測(cè)器基板內(nèi)部，所述橋墩設(shè)置在所述探測(cè)器基板表面且與所述讀出電路電連接，所 述橋腿設(shè)置在所述橋墩上且與所述橋面連接，使得所述橋面懸浮在所述探測(cè)器基板表面， 在所述探測(cè)器基板的表面與所述橋面相對(duì)的部分設(shè)置有紅外抗反射膜，所述紅外抗反射膜 與所述橋面形成紅外共振腔。
[0015] 本發(fā)明還提供一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的制備方法，包括如下步驟：提供一第 一基板和一探測(cè)器基板，所述探測(cè)器基板含有紅外探測(cè)元件；在所述第一基板的一表面制 作聚光結(jié)構(gòu)，以形成聚光基板，用以將紅外光匯聚；在所述第一基板的另一表面制作焊環(huán)； 在所述探測(cè)器基板含有紅外探測(cè)元件的表面制作焊環(huán)；以所述第一基板的焊環(huán)及所述探測(cè) 器基板的焊環(huán)為中間層，將所述第一基板和探測(cè)器基板鍵合，所述第一基板允許紅外光穿 過并將紅外光匯聚在探測(cè)器基板上。
[0016] 進(jìn)一步，在所述制作聚光結(jié)構(gòu)步驟后，進(jìn)一步包括一在所述第一基板朝向和/或 背向所述探測(cè)器基板的表面覆蓋抗反射膜的步驟。
[0017] 進(jìn)一步，在所述第一基板的另一表面制作焊環(huán)步驟之前，進(jìn)一步包括一在所述第 一基板朝向所述探測(cè)器基板的表面制作微結(jié)構(gòu)的步驟。
[0018] 本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，將常規(guī)紅外探測(cè)器封裝中的光學(xué)窗口和紅外透鏡簡(jiǎn)并成 一體，在一塊聚光基板上實(shí)現(xiàn)兩者功能，該封裝方式具有結(jié)構(gòu)緊湊，成本低的優(yōu)勢(shì)。
[0019] 本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，采用雙面抗反射設(shè)計(jì)大大提高紅外抗反射性能，器件 性能也能極大提升。
[0020] 本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)封裝，降低封裝成本，從而降低紅外探測(cè)器 制作成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 圖1為本發(fā)明晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2A圖2C為微結(jié)構(gòu)的俯視7]^意圖； 圖2D為橋壤、橋腿和橋面的相對(duì)位置關(guān)系不意圖； 圖2E為本發(fā)明晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器入射光路示意圖； 圖3為本發(fā)明晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的制備方法步驟示意圖； 圖4A~圖4F為本發(fā)明晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的制備方法的工藝流程圖； 圖5A?圖?為在第一基板的一表面制作凸透鏡的工藝流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器及其制備方法的具體實(shí)施 方式做詳細(xì)說明。
[0023] 參見圖1，本發(fā)明晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器包括聚光基板10和探測(cè)器基板20。所述 聚光基板10與所述探測(cè)器基板20通過一焊料層30連接。所述聚光基板10允許紅外光穿 過并將紅外光匯聚在探測(cè)器基板20上，所述探測(cè)器基板20接收所述紅外光。
[0024] 在本【具體實(shí)施方式】中，所述聚光基板10為凸透鏡基板。所述凸透鏡的凸面11背 向所述探測(cè)器基板20。在本發(fā)明其他【具體實(shí)施方式】中，所述聚光基板10還可以為菲涅爾透 鏡或者利用不同折射率材料復(fù)合而成的折射率透鏡。所述聚光基板10由硅、鍺、硫化鋅或 硒化鋅等常用的紅外光學(xué)窗口材料制成。
[0025] 進(jìn)一步，所述聚光基板10朝向和/或背向所述探測(cè)器基板10的表面覆蓋有抗反 射膜12,以提高所述聚光基板10的紅外抗反射性能。圖1僅顯示在所述聚光基板10背向 所述探測(cè)器基板10的表面設(shè)置抗反射膜12?？狗瓷淠?2可以是應(yīng)用于窄帶增透的單層抗 反射膜，也可以是應(yīng)用于寬帶增透的多層膜系，其材料通常選用氟化鎂、氧化鈦、硫化鉛、硒 化鉛以及陶瓷紅外光紅外增透膜或乙烯基倍半硅氧烷雜化膜等。
[0026] 進(jìn)一步，所述聚光基板10朝向所述探測(cè)器基板20的表面設(shè)置有微結(jié)構(gòu)13。所述 微結(jié)構(gòu)13用于提高所述聚光基板10的紅外光抗反射性能。所述微結(jié)構(gòu)13可以為衍射光 柵。所述微結(jié)構(gòu)13可以為凹陷結(jié)構(gòu)，也可以為凸起結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)13的俯視圖形可以是圓、 矩形、多邊形等，參見圖2A、圖2B和圖2C所示。在所述聚光基板10朝向所述探測(cè)器基板 20的表面覆蓋有抗反射膜的情況下，在所述抗反射膜上制作所述微結(jié)構(gòu)13。在所述聚光基 板10朝向所述探測(cè)器基板20的表面沒有覆蓋有抗反射膜的情況下，在所述微結(jié)構(gòu)13的表 面覆蓋抗反射膜（附圖中未標(biāo)示)，以進(jìn)一步提高所述聚光基板10的紅外光抗反射性能。
[0027] 所述探測(cè)器基板20為現(xiàn)有的探測(cè)器基板，在此簡(jiǎn)略描述其結(jié)構(gòu)。所述探測(cè)器基板 20包括讀出電路21、橋墩22、橋腿23和橋面24。所述讀出電路21設(shè)置于所述探測(cè)器基板 20內(nèi)部。所述橋墩22設(shè)置在所述探測(cè)器基板20表面且與所述讀出電路21電連接。所述 橋腿23設(shè)置在所述橋墩22上且與所述橋面24連接，使得所述橋面24懸浮在所述探測(cè)器 基板20表面。所述橋壤22、橋腿23和橋面24的相對(duì)位置關(guān)系參見圖2D。所述聚光基板 10將紅外光聚焦在所述橋面24上。所述聚光基板10與探測(cè)器基板20之間的間距設(shè)置為 使得入射紅外線可匯聚到橋面24上，參見圖2E所示。進(jìn)一步，在所述探測(cè)器基板20的表 面與所述橋面24相對(duì)的部分設(shè)置有紅外抗反射膜25,以反射紅外光，所述紅外抗反射膜25 與所述橋面24形成紅外共振腔。
[0028] 參見圖3,本發(fā)明還提供一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的制備方法。所述方法包括如 下步驟：步驟S30,提供一第一基板和一探測(cè)器基板，所述探測(cè)器基板含有紅外探測(cè)元件； 步驟S31，在所述第一基板的一表面制作聚光結(jié)構(gòu)，以形成聚光基板，用以將紅外光匯聚； 步驟S32,在所述第一基板朝向和/或背向所述探測(cè)器基板的表面覆蓋抗反射膜；步驟S33， 所述第一基板背向所述探測(cè)器基板的表面制作微結(jié)構(gòu)；步驟S34,在所述第一基板的另一 表面制作焊環(huán)；步驟S35,在所述探測(cè)器基板含有紅外探測(cè)元件的表面制作焊環(huán)；步驟S36， 以所述第一基板的焊環(huán)及所述探測(cè)器基板的焊環(huán)為中間層，將所述第一基板和探測(cè)器基板 鍵合。
[0029] 圖4A?圖4F為本發(fā)明晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的制備方法的工藝流程圖。
[0030] 參見圖4A及步驟S30,提供一第一基板400和一探測(cè)器基板410,所述探測(cè)器基板 410含有紅外探測(cè)元件。
[0031] 所述第一基板400由硅、鍺、硫化鋅或硒化鋅等常用的紅外光學(xué)窗口材料制成。
[0032] 所述探測(cè)器基板410包括讀出電路411、橋墩412、橋腿413和橋面414。所述讀 出電路411設(shè)置于所述探測(cè)器基板410內(nèi)部。所述橋墩412設(shè)置在所述探測(cè)器基板410表 面且與所述讀出電路411電連接。所述橋腿413設(shè)置在所述橋墩412上且與所述橋面414 連接，使得所述橋面414懸浮在所述探測(cè)器基板410表面。所述橋墩412、橋腿413和橋面 414的相對(duì)位置關(guān)系參見圖2。所述第一基板10將紅外光聚焦在所述橋面414上。所述第 一基板400與探測(cè)器基板410之間的間距設(shè)置為使得入射紅外線可匯聚到橋面414上。進(jìn) 一步，在所述探測(cè)器基板410的表面與所述橋面414相對(duì)的部分設(shè)置有紅外反射膜415,以 反射紅外光，所述紅外抗反射膜415與所述橋面414形成紅外共振腔。
[0033] 參見圖4B及步驟S31，在所述第一基板400的一表面制作聚光結(jié)構(gòu)401，以形成聚 光基板，用以將紅外光匯聚。所述聚光結(jié)構(gòu)401的構(gòu)型在本發(fā)明中不進(jìn)行限制，只要能夠起 到將紅外光匯聚的作用即可。在本【具體實(shí)施方式】中，以聚光結(jié)構(gòu)401為凸透鏡為例，進(jìn)行講 解。所述凸透鏡在第一基板400的一表面直接加工制成。
[0034] 圖5A?圖?為在所述第一基板400的一表面制作凸透鏡的工藝流程圖。
[0035] 參見圖5A，在所述第一基板400的需要制作凸透鏡的表面旋涂光刻膠，對(duì)該光刻 膠進(jìn)行曝光顯影，形成方形光刻膠塊501。在本【具體實(shí)施方式】中，以形成兩個(gè)單元的微透鏡 為例。
[0036] 參見圖5B，熔融所述方形光刻膠塊501并迅速冷卻至室溫，形成具有凸透鏡形狀 的光刻膠掩膜502。
[0037] 參見圖5C，采用等離子體刻蝕方法對(duì)第一基板400進(jìn)行過刻蝕，形成如圖?所示 的具有聚光結(jié)構(gòu)401的第一基板400。
[0038] 參見圖4C及步驟S32,在所述第一基板400朝向和/或背向所述所述探測(cè)器基板 410的表面覆蓋抗反射膜402,以提高所述第一基板400的紅外抗反射性能。在本具體實(shí)施 方式中僅在所述第一基板400背向所述探測(cè)器基板410的表面設(shè)置抗反射膜402?？狗瓷?膜402可以是應(yīng)用于窄帶增透的單層抗反射膜，也可以是應(yīng)用于寬帶增透的多層膜系，其 材料通常選用氟化鎂、氧化鈦、硫化鉛、硒化鉛以及陶瓷紅外光紅外增透膜或乙烯基倍半硅 氧烷雜化膜等。所述設(shè)置抗反射膜402的方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述。
[0039] 參見圖4D及步驟S33,在所述第一基板400朝向所述探測(cè)器基板410的表面制作 微結(jié)構(gòu)403。該步驟可以設(shè)置于所述步驟S31之前。制作微結(jié)構(gòu)403的方法為現(xiàn)有技術(shù)， 在此不贅述。在本【具體實(shí)施方式】中，以圓形微結(jié)構(gòu)為例，刻蝕深度為1飛微米，圓形直徑為 廣3微米，微結(jié)構(gòu)403的排列周期為1飛微米。
[0040] 進(jìn)一步，在本發(fā)明其他【具體實(shí)施方式】中，若在所述第一基板400朝向所述探測(cè)器 基板410的表面覆蓋有抗反射膜402的情況下，步驟S33則是在所述抗反射膜402上制作 所述微結(jié)構(gòu)403。若在所述第一基板400朝向所述探測(cè)器基板410的表面沒有覆蓋有抗反 射膜402的情況下，則在步驟S33之后，還包括一在所述微結(jié)構(gòu)403的表面覆蓋抗反射膜的 步驟，以進(jìn)一步提高所述第一基板400的紅外光抗反射性能。
[0041] 參見圖4E、步驟S34及步驟S35,在所述第一基板400的另一表面制作焊環(huán)404 ; 在所述探測(cè)器基板410含有紅外探測(cè)元件的表面制作焊環(huán)416。所述制作焊環(huán)404和焊環(huán) 416的方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不贅述。所述焊環(huán)404和焊環(huán)416的焊料通常選用銅錫合金、 金錫合金、金硅合金等，厚度為1-100微米。在所述探測(cè)器基板410含有紅外探測(cè)元件的表 面制作焊環(huán)416后，還包括一釋放犧牲層，以得到完整的探測(cè)器基板410的步驟。
[0042] 參見圖4F及步驟S36,以所述聚光基板的焊環(huán)404及所述探測(cè)器基板的焊環(huán)416 為中間層，將所述第一基板400和探測(cè)器基板410鍵合。鍵合之后的第一基板400與探測(cè) 器基板410之間的間距設(shè)置為使得外部入射紅外光線匯聚到橋面414上。
[0043] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為 本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，其特征在于，包括聚光基板和探測(cè)器基板，所述聚光基 板與所述探測(cè)器基板通過一焊料層連接，所述聚光基板允許紅外光穿過并將紅外光匯聚在 探測(cè)器基板上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，其特征在于，所述聚光基板朝向和/ 或背向所述探測(cè)器基板的表面覆蓋有抗反射膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，其特征在于，所述抗反射膜為用于 窄帶增透的單層抗反射膜或者為用于寬帶增透的多層膜系。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，其特征在于，所述聚光基板朝向所 述探測(cè)器基板的表面設(shè)置有微結(jié)構(gòu)，所述微結(jié)構(gòu)用于提高所述聚光基板的紅外光抗反射性 能。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)表面設(shè)置 有抗反射膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，其特征在于，所述聚光基板為凸透 鏡基板。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)器基板包括 讀出電路、橋墩、橋腿和橋面，所述讀出電路設(shè)置于所述探測(cè)器基板內(nèi)部，所述橋墩設(shè)置在 所述探測(cè)器基板表面且與所述讀出電路電連接，所述橋腿設(shè)置在所述橋墩上且與所述橋面 連接，使得所述橋面懸浮在所述探測(cè)器基板表面，在所述探測(cè)器基板的表面與所述橋面相 對(duì)的部分設(shè)置有紅外抗反射膜，所述紅外抗反射膜與所述橋面形成紅外共振腔。
8. -種晶圓級(jí)封裝紅外探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：提供一第一 基板和一探測(cè)器基板，所述探測(cè)器基板含有紅外探測(cè)元件；在所述第一基板的一表面制 作聚光結(jié)構(gòu)，形成聚光基板，用以將紅外光匯聚；在所述第一基板的另一表面制作焊環(huán)； 在所述探測(cè)器基板含有紅外探測(cè)元件的表面制作焊環(huán)；以所述第一基板的焊環(huán)及所述探 測(cè)器基板的焊環(huán)為中間層，將所述第一基板和探測(cè)器基板鍵合，所述第一基板允許紅外光 穿過并將紅外光匯聚在探測(cè)器基板上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述制作聚光結(jié)構(gòu)步驟后，進(jìn)一步 包括一在所述第一基板朝向和/或背向所述探測(cè)器基板的表面覆蓋抗反射膜的步驟。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述第一基板的另一表面制作 焊環(huán)步驟之前，進(jìn)一步包括一在所述第一基板朝向所述探測(cè)器基板的表面制作微結(jié)構(gòu)的步 驟。
【文檔編號(hào)】H01L31/101GK104157719SQ201410321574
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月8日
【發(fā)明者】孟如男, 錢良山, 姜利軍 申請(qǐng)人:浙江大立科技股份有限公司