陶瓷電子部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陶瓷電子部件及其制造方法。陶瓷電子部件(100)具備：交替地層疊有陶瓷層(150)和內(nèi)部電極(140)的長方體狀的層疊體(110)、和設(shè)置在層疊體(110)的表面的一部分且與內(nèi)部電極(140)電連接的外部電極。外部電極包含：覆蓋層疊體(110)的表面的一部分且由樹脂成分和金屬成分的混合物構(gòu)成的內(nèi)側(cè)外部電極、和覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極且由金屬成分構(gòu)成的外側(cè)外部電極。在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體積為規(guī)定的范圍內(nèi)。
【專利說明】陶瓷電子部件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及陶瓷電子部件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，層疊陶瓷電容器所代表的陶瓷電子部件與以往相比可在更惡劣的環(huán)境下 使用。
[0003] 例如，關(guān)于移動電話以及便攜式音樂播放器等的移動設(shè)備中使用的電子部件，要 求耐得住落下時的沖擊。具體而言，在受到落下沖擊的情況下，要求電子部件不會從安裝基 板脫落、以及自身不會發(fā)生裂紋。
[0004] 此外，關(guān)于E⑶(Engine Control Unit)等的車載設(shè)備中使用的電子部件，要求耐得 住熱循環(huán)的沖擊。具體而言，在受到因熱循環(huán)使安裝基板發(fā)生熱膨脹以及收縮而產(chǎn)生的撓 曲應(yīng)力的情況下，要求電子部件的安裝用的焊錫以及自身不會發(fā)生裂紋。
[0005] 為了響應(yīng)上述要求，提出一種取代以往的燒成型導電膏而使用熱固化性導電膏作 為陶瓷電子部件的外部電極的方案。
[0006] 作為公開了具有由熱固化性導電膏形成的外部電極的層疊陶瓷電子部件的現(xiàn)有 技術(shù)，有國際公開第2004/053901號。
[0007] 在國際公開第2004/053901號所記載的層疊陶瓷電子部件中，針對使用包含具有 300°C以下的熔點的金屬粉末以及樹脂的熱固化性導電膏而形成的外部電極層實施鍍敷， 來形成外部電極。
[0008] -般而言，樹脂的吸濕性高，易于吸收水分。如果吸收了水分的樹脂被加熱，則在 樹脂的內(nèi)部，水分汽化而產(chǎn)生水蒸氣，并且樹脂的一部分分解而產(chǎn)生分解氣體。
[0009] 如國際公開第2004/053901號所記載的層疊陶瓷電子部件那樣，在針對使用包含 樹脂的熱固化性導電膏而形成的外部電極層實施鍍敷，從而形成了外部電極的情況下，由 于安裝層疊陶瓷電子部件時的回流焊工序中的加熱，使得在外部電極的內(nèi)部產(chǎn)生水蒸氣以 及分解氣體。該水蒸氣以及分解氣體由外部電極的表面的鍍膜來限制。
[0010] 當在鍍膜存在缺陷部或者部分性的薄壁部的情況下，被限制的水蒸氣以及分解氣 體有時會從缺陷部或者薄壁部向外部電極的外側(cè)噴出。由于該噴出，一般會引起被稱作"爆 錫"的、因回流焊工序變?yōu)槿廴诘暮稿a被吹走的現(xiàn)象。
[0011] 如國際公開第2004/053901號所記載的層疊陶瓷電子部件那樣，在熱固化性導電 膏被直接涂敷于陶瓷層疊體的情況下，陶瓷層疊體中所含的水分被外部電極的內(nèi)部的樹脂 吸收，因此加熱時產(chǎn)生的水蒸氣的量變多，易于產(chǎn)生爆錫。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種能夠抑制爆錫產(chǎn)生的陶瓷電子部件及其制造方 法。
[0013] 基于本發(fā)明的第1局面的陶瓷電子部件是具有〇.57臟以上且0.65臟以下的長 度、0· 27mm以上且〇· 35畫以下的寬度、以及0· 27mm以上且0· 35mm以下的厚度的外形尺寸 的陶瓷電子部件。陶瓷電子部件具備：交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊 體、和設(shè)置在層疊體的表面的一部分且與內(nèi)部電極電連接的外部電極。外部電極包含：覆蓋 層疊體的表面的一部分且由樹脂成分和金屬成分的混合物構(gòu)成的內(nèi)側(cè)外部電極、和覆蓋該 內(nèi)側(cè)外部電極且由金屬成分構(gòu)成的外側(cè)外部電極。在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體積 為3.79父10- 71111以上且1.02\10_61111以下。
[0014] 基于本發(fā)明的第2局面的陶瓷電子部件是具有0. 95mm以上且1. 20mm以下的長 度、0. 45圓以上且〇· 70mm以下的寬度、以及0· 45ram以上且0. 7〇nim以下的厚度的外形尺寸 的陶瓷電子部件。陶瓷電子部件具備：交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊 體、和設(shè)置在層疊體的表面的一部分且與內(nèi)部電極電連接的外部電極。外部電極包含：覆蓋 層疊體的表面的一部分且由樹脂成分和金屬成分的混合物構(gòu)成的內(nèi)側(cè)外部電極、和覆蓋該 內(nèi)側(cè)外部電極且由金屬成分構(gòu)成的外側(cè)外部電極。在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體積 為 5.23X10_7ml 以上且 2_53X10_6ml 以下。
[0015] 基于本發(fā)明的第3局面的陶瓷電子部件為具有1. 5mm以上且1. 8畫以下的長度、 0. 7mm以上且1. 〇mm以下的寬度、以及0. 7mm以上且1. 0mm以下的厚度的外形尺寸的陶瓷 電子部件。陶瓷電子部件具備：交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體、和 設(shè)置在層疊體的表面的一部分且與內(nèi)部電極電連接的外部電極。外部電極包含：覆蓋層疊 體的表面的一部分且由樹脂成分和金屬成分的混合物構(gòu)成的內(nèi)側(cè)外部電極、和覆蓋該內(nèi)側(cè) 外部電極且由金屬成分構(gòu)成的外側(cè)外部電極。在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體積為 1.94X10 _6ml 以上且 2.84X10_6ml 以下。
[0016] 基于本發(fā)明的第1局面的陶瓷電子部件的制造方法為具有0. 57咖以上且〇. 65mm 以下的長度、〇· 27mm以上且0· 35mm以下的寬度、以及0· 27mm以上且0· 35mm以下的厚度的 外形尺寸的陶瓷電子部件的制造方法。陶瓷電子部件的制造方法具備：準備交替地層疊有 陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體的工序、和按照與內(nèi)部電極電連接的方式將外部電 極設(shè)置在層疊體的表面的一部分的工序。設(shè)置外部電極的工序包括：以覆蓋層疊體的表面 的一部分的方式涂敷樹脂成分和金屬成分的混合物，對涂敷了混合物的層疊體進行加熱， 由此來設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序；和以覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極的方式鍍敷金屬成分來設(shè)置外 側(cè)外部電極的工序。在混合物中金屬成分的含有率為46體積％以上且79體積％以下。
[0017] 基于本發(fā)明的第2局面的陶瓷電子部件的制造方法為具有〇· 95mm以上且1. 20mm 以下的長度、〇. 45mm以上且0· 70mm以下的寬度、以及0· 45mm以上且0· 70mm以下的厚度的 外形尺寸的陶瓷電子部件的制造方法。陶瓷電子部件的制造方法具備：準備交替地層疊有 陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體的工序、和按照與內(nèi)部電極電連接的方式將外部電 極設(shè)置在層疊體的表面的一部分的工序。設(shè)置外部電極的工序包括：以覆蓋層疊體的表面 的一部分的方式涂敷樹脂成分和金屬成分的混合物，對涂敷了混合物的層疊體進行加熱， 由此來設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序；和以覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極的方式鍍敷金屬成分來設(shè)置外 側(cè)外部電極的工序。在混合物中金屬成分的含有率為60體積％以上且82體積％以下。
[0018] 基于本發(fā)明的第3局面的陶瓷電子部件的制造方法為具有1. 5mm以上且1. 8mm以 下的長度、〇· 以上且1· 以下的寬度、以及〇· 7mm以上且1. 0mm以下的厚度的外形尺 寸的陶瓷電子部件的制造方法。陶瓷電子部件的制造方法具備：準備交替地層疊有陶瓷層 和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體的工序、和按照與內(nèi)部電極電連接的方式將外部電極設(shè)置 在層疊體的表面的一部分的工序。設(shè)置外部電極的工序包括：以覆蓋層疊體的表面的一部 分的方式涂敷樹脂成分和金屬成分的混合物，對涂敷了混合物的層疊體進行加熱，由此來 設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序；和以覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極的方式鍛敷金屬成分來設(shè)置外側(cè)外部 電極的工序。在混合物中金屬成分的含有率為71體積％以上且79體積％以下。
[0019] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，內(nèi)側(cè)外部電極的金屬成分包含第1金屬成分、和溶點比該 第1金屬成分高的第2金屬成分。
[0020] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，在上述混合物中第1金屬成分的含有率為2〇重量％以上且 40重量％以下。
[0021] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，在上述混合物中第2金屬成分的含有率為30重量％以上且 70重量％以下。
[0022] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，第1金屬成分為Sn。
[0023] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，第2金屬成分為Ag或Cu。
[0024] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，外側(cè)外部電極的金屬成分為Ni。
[0025] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，在設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序中對層疊體進行加熱的溫度為 450°C以上。
[0026] 在本發(fā)明的一形態(tài)中，在設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序中在l〇〇ppm以下的氧濃度的 氣氛下對層疊體進行加熱。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制爆錫的產(chǎn)生。
[0028] 本發(fā)明的上述以及其他的目的、特征、局面以及優(yōu)點，根據(jù)與所添加的附圖相關(guān)聯(lián) 地加以理解的本發(fā)明相關(guān)的下述詳細說明可變得明了。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029] 圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的陶瓷電子部件的外觀的立體圖。
[0030] 圖2是從II-II線箭頭方向觀察圖1的陶瓷電子部件的剖視圖。
[0031] 圖3是從III-III線箭頭方向觀察圖2的陶瓷電子部件的剖視圖。
[0032] 圖4是從IV-IV線箭頭方向觀察圖2的陶瓷電子部件的剖視圖。
[0033] 圖5是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的陶瓷電子部件的制造方法的流程圖。
[0034] 圖6是表示第1變形例的陶瓷電子部件的外觀的立體圖。
[0035] 圖7是表示第2變形例的陶瓷電子部件的外觀的立體圖。
[0036] 圖8是從箭頭VIII方向觀察圖7的陶瓷電子部件的圖。

【具體實施方式】
[0037]以下，參照附圖來說明本發(fā)明的各實施方式所涉及的陶瓷電子部件。在以下的實 施方式的說明中，對于圖中的相同或者相應(yīng)部分賦予同一標號，不重復(fù)其說明。在以下的說 明中，雖然作為陶瓷電子部件而對陶瓷電容器進行說明，但是電子部件并不限于電容器，還 包含壓電部件、熱敏電阻或者電感器等。
[0038](實施方式1)
[0039]圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的陶瓷電子部件的外觀的立體圖。圖2是 從ΙΙ-Π 線箭頭方向觀察圖1的陶瓷電子部件的剖視圖。圖3是從III-III線箭頭方向觀 察圖2的陶瓷電子部件的剖視圖。圖4是從IV-IV線箭頭方向觀察圖2的陶瓷電子部件的 剖視圖。在圖1中，用L來表示后述的層疊體的縱長方向，用W來表示層疊體的寬度方向， 用Τ來表示層疊體的厚度方向。
[0040] 如圖1?4所示，本發(fā)明的實施方式！所涉及的陶瓷電子部件1〇〇具備：交替地層 疊有陶瓷層150和平板狀的內(nèi)部電極140的長方體狀的層疊體11〇、和設(shè)置在層疊體110的 表面的一部分且與內(nèi)部電極140電連接的外部電極。
[0041] 在本實施方式中，外部電極設(shè)置在層疊體110的兩端部。具體而言，外部電極包 含：設(shè)置在層疊體110的縱長方向的一側(cè)的端部的第1外部電極120、以及設(shè)置在層疊體 110的縱長方向的另一側(cè)的端部的第2外部電極130。
[0042] 在彼此相鄰地對置的內(nèi)部電極140的各個內(nèi)部電極中，第1內(nèi)部電極141與第1 外部電極120電連接，第2內(nèi)部電極142與第2外部電極130電連接。
[0043] 在本實施方式所涉及的層疊體110中，陶瓷層150和內(nèi)部電極140的層疊方向相 對于層疊體110的縱長方向L以及層疊體110的寬度方向W而正交。即，陶瓷層150和內(nèi) 部電極140的層疊方向平行于層疊體110的厚度方向Τ。
[0044]層疊體110具有：與厚度方向Τ正交的一對主面、與縱長方向L正交的一對端面、 以及與寬度方向W正交的一對側(cè)面。
[0045] 如上述，層疊體110雖然具有長方體狀的外形，但是也可以在角部以及棱線部的 至少一方具有圓潤度。即，長方體狀包含角部以及棱線部的至少一方被弄圓潤的長方體。長 方體狀的構(gòu)件意味著具有一對主面、一對側(cè)面以及一對端面的所有構(gòu)件。在層疊體110中， 也可以在一對主面、一對端面以及一對側(cè)面的任意一個面形成有凹凸。
[0046] 以下，對各構(gòu)成進行詳細地說明。
[0047]各陶瓷層150的厚度優(yōu)選為0· 5 μ m以上且10 μ m以下。作為構(gòu)成陶瓷層150的 材料，能夠使用以BaTi03、CaTi03、SrTi03或者CaZr0 3等為主成分的電介質(zhì)陶瓷制品。此外， 也可以使用在這些主成分中添加了 Μη化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物或者Ni化 合物等作為副成分所得的材料。
[0048]另外，在電子部件為壓電部件的情況下，能夠由壓電陶瓷制品來構(gòu)成層疊體110。 作為壓電陶瓷制品，例如有PZT (鋯鈦酸鉛）系陶瓷等。
[0049] 在電子部件為熱敏電阻的情況下，能夠由半導體陶瓷制品來構(gòu)成層疊體U0。作為 半導體陶瓷制品，例如有尖晶石系陶瓷等。
[0050] 在電子部件為電感器的情況下，能夠由磁性體陶瓷制品來構(gòu)成層疊體110。作為磁 性體陶瓷制品，例如有鐵氧體陶瓷等。
[0051] 在本實施方式中，層疊體110具有0· 51mm以上且0· 59mm以下的長度、〇. 24mm以上 且0· 32_以下的寬度、以及〇· 24mm以上且〇· 32mm以下的厚度的外形尺寸。
[0052] 各內(nèi)部電極140的厚度優(yōu)選為0. 2 μ m以上且2. 0 μ m以下。內(nèi)部電極140包含： 在俯視的情況下大致呈矩形狀的第1內(nèi)部電極141、和在俯視的情況下大致呈矩形狀的第2 內(nèi)部電極142。第1內(nèi)部電極141和第2內(nèi)部電極142沿著層疊體11〇的厚度方向τ而等 間隔地交替配置。此外，第1內(nèi)部電極141和第2內(nèi)部電極142配置成之間夾著陶瓷層150 且相互對置。
[0053]第1內(nèi)部電極丨41從層疊體lio的縱長方向的一側(cè)的端部朝向另一側(cè)的端部延伸 存在。如圖3所取，第1內(nèi)部電極141在層疊體110的一側(cè)的端面中與第i外部電極12〇 連接。
[0054]第2內(nèi)部電極142從層疊體110的縱長方向的另一側(cè)的端部朝向一側(cè)的端部延伸 存在。如圖4所不，第2內(nèi)部電極142在層疊體110的另一側(cè)的端面中與第2外部電極13〇 連接。
[0055]作為構(gòu)成內(nèi)部電極140的材料，能夠使用Ni、Cu、Ag、Pd、Au等的金屬、或者包含這 些金屬的至少一種的合金例如Ag和Pd的合金等。構(gòu)成內(nèi)部電極H〇的材料，與后述的構(gòu) 成內(nèi)側(cè)外部電極的混合物所含的第1金屬成分化合來形成合金。
[0056]外部電極包含：覆蓋層疊體110的兩端部且由樹脂成分和金屬成分的混合物構(gòu) 成的內(nèi)側(cè)外部電極、和覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極且由金屬成分構(gòu)成的外側(cè)外部電極。作為樹脂 成分，能夠使用環(huán)氧樹脂或者酚醛樹脂等的熱固化性樹脂。內(nèi)側(cè)外部電極的厚度優(yōu)選為 5· 0 μ m以上且70. 0 μ m以下。
[0057]如圖2?4所不，第1外部電極120包含第1內(nèi)側(cè)外部電極121和第1外側(cè)外部 電極122。第1內(nèi)側(cè)外部電極121覆蓋層疊體110的縱長方向的一側(cè)的端部。第i內(nèi)側(cè)外 部電極121的一部分與第1內(nèi)部電極141的一部分形成了合金。
[0058] 第2外部電極130包含第2內(nèi)側(cè)外部電極131和第2外側(cè)外部電極132。第2內(nèi) 側(cè)外部電極1：31覆蓋層疊體110的縱長方向的另一側(cè)的端部。第2內(nèi)側(cè)外部電極131的一 部分與第2內(nèi)部電極142的一部分形成了合金。
[0059]在本實施方式中，作為金屬成分，內(nèi)側(cè)外部電極包含第1金屬成分、和熔點比該第 1金屬成分高的第2金屬成分。第1金屬成分的熔點優(yōu)選為55(TC以下，進一步優(yōu)選為18(TC 以上且340°C以下。第2金屬成分的熔點優(yōu)選為85(TC以上且1050T：以下。
[0060]作為第1金屬成分，能夠使用Sn、In、Bi等的金屬、或者包含這些金屬的至少一種 的合金。作為第1金屬成分，優(yōu)選使用Sn和Ag的合金、Sn和Bi的合金、或Sn和Ag和Cu 的合金等的包含Sn的合金、或者Sn。通過使用這樣的金屬成分，從而易于形成內(nèi)部電極14〇 和內(nèi)側(cè)外部電極的合金層，內(nèi)部電極140和內(nèi)側(cè)外部電極的電連接變得容易。
[0061]第1金屬成分因安裝陶瓷電子部件100時的回流焊工序中的加熱而軟化并流動， 與構(gòu)成內(nèi)部電極140的材料化合來形成合金。
[0062] 被加熱并固化之后的混合物中的第1金屬成分的含有率優(yōu)選為8體積％以上且 18 體積％以下。
[0063]作為第2金屬成分，能夠使用Ag、Cu、Pd、Pt、Au等的金屬、或者包含這些金屬的至 少一種的合金。作為第2金屬成分，優(yōu)選使用Ag和Pd的合金等的包含Ag的合金、Ag或者 Cu〇
[0064]第2金屬成分構(gòu)成了內(nèi)側(cè)外部電極內(nèi)的通電路徑。此外，第2金屬成分與第1金 屬成分化合來形成合金。被加熱并固化之后的混合物中的第2金屬成分的含有率優(yōu)選為19 體積％以上且25體積％以下。
[0065]第1外側(cè)外部電極122覆蓋第1內(nèi)側(cè)外部電極121。第1外側(cè)外部電極122的一 部分與第1內(nèi)側(cè)外部電極121的一部分形成了合金。第2外側(cè)外部電極132覆蓋第2內(nèi)側(cè) 外部電極131。第2外側(cè)外部電極132的一部分與第2內(nèi)側(cè)外部電極131的一部分形成了 合金。
[0066]在本實施方式中，外側(cè)外部電極的金屬成分為Ni。其中，外側(cè)外部電極的金屬成分 并不限于Ni，也可以為⑶等。外側(cè)外部電極作為焊錫阻擋層來發(fā)揮功能。外側(cè)外部電極的 厚度優(yōu)選為1. Ο μ m以上且15. Ο μ m以下。
[0067]在本實施方式中，外部電極還包含覆蓋外側(cè)外部電極的未圖示的表層外部電極。 作為構(gòu)成表層外部電極的材料，優(yōu)選使用與焊錫的濕潤性良好的Sn、Au等的金屬、或者包 含這些金屬的至少一種的合金。表層外部電極的厚度優(yōu)選為1. Ο μ m以上且15. Ο μ m以下。 [0068] 本實施方式所涉及的陶瓷電子部件1〇〇具有〇. 57mm以上且0· 65mm以下的長度、 0· 27mm以上且〇· 35mm以下的寬度、以及〇· 27mm以上且0· 35mm以下的厚度的外形尺寸。
[0069] 內(nèi)側(cè)外部電極包含樹脂成分，由此作為緩沖層來發(fā)揮功能。g卩，當對陶瓷電子部件 100施加了物理上的沖擊或者因熱循環(huán)所引起的沖擊的情況下，內(nèi)側(cè)外部電極的樹脂成分 吸收沖擊。其結(jié)果，能夠抑制安裝用的焊錫以及陶瓷電子部件100自身發(fā)生裂紋。
[0070] 其中，在內(nèi)側(cè)外部電極的樹脂成分的量不充足的情況下，層疊體110和內(nèi)側(cè)外部 電極的粘接力下降，并且內(nèi)側(cè)外部電極的凝聚力下降。因而，在內(nèi)側(cè)外部電極的樹脂成分的 量不充足的情況下，內(nèi)側(cè)外部電極的耐沖擊性下降。在該情況下，當對安裝后的陶瓷電子部 件100施加了沖擊之際，內(nèi)側(cè)外部電極受到破壞，陶瓷電子部件100易于從安裝基板脫落。
[0071] 相反地，在內(nèi)側(cè)外部電極的樹脂成分的量多的情況下，被樹脂成分吸收的水分的 量變多，易于引起爆錫。為此，內(nèi)側(cè)外部電極的樹脂成分的量存在如下必要性，即在內(nèi)側(cè)外 部電極能夠作為緩沖層來發(fā)揮功能的范圍內(nèi)減少。
[0072] 因此，在本實施方式所涉及的陶瓷電子部件100中，將在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成 分所占的體積設(shè)為79X 10_7ml以上且1. 02X 10_6ml以下。
[0073] 這樣，通過在內(nèi)側(cè)外部電極中降低樹脂成分所占的體積，從而能夠減少樹脂成分 所吸收的水分的量以及樹脂成分自身的量。其結(jié)果，能夠降低因安裝陶瓷電子部件100時 的回流焊工序中的加熱而在外部電極的內(nèi)部中產(chǎn)生的水蒸氣的量以及分解氣體的量，從而 抑制爆錫的產(chǎn)生。
[0074] 以下，參照附圖來說明本實施方式所涉及的陶瓷電子部件的制造方法。圖5是表 示本實施方式所涉及的陶瓷電子部件的制造方法的流程圖。
[0075] 如圖5所示，準備交替地層疊有陶瓷層150和內(nèi)部電極140的長方體狀的層疊體 110 (S100)。層疊體110按如下方式制作。
[0076] 首先，通過絲網(wǎng)印刷法等，將包含陶瓷粉末的陶瓷膏涂敷成薄片狀并使之干燥，由 此來制作陶瓷生片。
[0077] 在所制作出的多個陶瓷生片之中的一部分，通過絲網(wǎng)印刷法等，在陶瓷生片上按 照成為規(guī)定的圖案的方式涂敷內(nèi)部電極形成用的導電膏。這樣一來，準備了形f有成為內(nèi) 部電極的導電圖案的陶瓷生片、和未形成有導電圖案的陶瓷生片。另外，在陶瓷膏以及內(nèi)部 電極形成用的導電膏中也可以包含公知的粘合劑以及溶劑。
[0078] 將未形成有導電圖案的陶瓷生片層疊規(guī)定片數(shù)，在之上依次層疊形成有導電圖案 的多個陶瓷生片，進而在之上將未形成有導電圖案的陶瓷生片層疊規(guī)定片數(shù)，由此來制作 母層疊體。也可以根據(jù)需要，通過等靜壓等的手段，在層疊方向上對母層疊體進行加壓。
[0079] 將母層疊體切割成規(guī)定的形狀并進行分割，由此來制作多個長方體狀的軟質(zhì)層疊 體。另外，也可以對長方體狀的軟質(zhì)層疊體進行滾筒拋光而弄圓軟質(zhì)層疊體的角部。
[0080] 通過燒成軟質(zhì)層疊體而使之固化，來制作層疊體110。燒成溫度根據(jù)陶瓷材料以及 導電材料的種類來酌情設(shè)定，例如在900°c以上且1300°C以下的范圍內(nèi)設(shè)定。
[0081] 其次，準備作為混合物的混合膏，該混合物包含熱固化性樹脂等的樹脂成分、由第 1金屬成分構(gòu)成的第1金屬填料、和由熔點比第1金屬成分高的第2金屬成分構(gòu)成的第2金 屬填料在內(nèi)。在混合膏中，第1金屬填料相對于第1金屬填料、第2金屬填料以及樹脂成分 的合計重量的重量比例（含有率），優(yōu)選為20重量％以上且40重量％以下，更優(yōu)選為22. 0 重量％以上且37. 2重量％以下。
[0082] 在第1金屬填料的含有率過少的情況下，與構(gòu)成內(nèi)部電極140的材料化合而形成 的合金的量變得不充足，從而無法確保內(nèi)部電極140和外部電極的電連接。
[0083] 在第1金屬填料的含有率過多的情況下，與第2金屬填料不發(fā)生反應(yīng)而殘留的第 1金屬填料的量變多。在該情況下，因安裝陶瓷電子部件100時的回流焊工序中的加熱，有 時外部電極會發(fā)生變形。另外，第1金屬填料的形狀并未特別限定，也可以為球狀或者扁平 狀等。第1金屬填料的平均粒子徑并未特別限定，例如為1. 0 μ m以上且10 μ m以下。
[0084] 在混合膏中，第2金屬填料相對于第1金屬填料、第2金屬填料以及樹脂成分的合 計重量的重量比例（含有率），優(yōu)選為30重量％以上且70重量％以下，更優(yōu)選為41. 2重 量％以上且64重量％以下。
[0085] 在第2金屬填料的含有率過少的情況下，外部電極的導電率下降，有時陶瓷電子 部件100的等效串聯(lián)電阻（ESR Equivalent Series Resistance)會變高。
[0086] 在第2金屬填料的含有率過多的情況下，內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的含有率變 少，有時內(nèi)側(cè)外部電極不會作為緩沖層來發(fā)揮功能。另外，第2金屬填料的形狀并未特別限 定,也可以為球狀或者扁平狀等。第2金屬填料的平均粒子徑并未特別限定，例如也可以為 0. 5μηι以上且5. Ομιη以下。
[0087] 在混合膏中，樹脂成分相對于第1金屬填料、第2金屬填料以及樹脂成分的合計重 量的重量比例（含有率），優(yōu)選為5重量％以上且40重量％以下，更優(yōu)選為9. 8重量％以上 且31. 5重量％以下。
[0088] 在樹脂成分的含有率過少的情況下，有時內(nèi)側(cè)外部電極不會作為緩沖層來發(fā)揮功 能。在樹脂成分的含有率過多的情況下，外部電極的導電率下降，有時陶瓷電子部件100的 等效串聯(lián)電阻（ESR)會變高。
[0089] 通過各種印刷法或者浸漬法等，將上述的混合膏涂敷在層疊體110的表面的一部 分，對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱，由此來設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極（S111)。
[0090] 在設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序（S111)中，涂敷了混合膏的層疊體110的加熱優(yōu)選 在氮氣氣氛等的中性氣氛、或者還原性氣氛、其他的非氧化氣氛中進行。具體而言，優(yōu)選在 lOOppm以下的氧濃度的氣氛下對涂敷了混合膏的層疊體11〇進行加熱。
[0091] 對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度，優(yōu)選為第1金屬成分和第2金屬 成分的合金中的結(jié)晶狀態(tài)在熱力學上發(fā)生變化的溫度（第1金屬成分中的內(nèi)側(cè)外部電極向 內(nèi)部電極側(cè)的擴散得以促進的溫度區(qū)域）以上。具體而言，優(yōu)選對涂敷了混合膏的層疊體 110進行加熱的溫度為450°C以上。在以這樣的溫度對涂敷了混合膏的層疊體110進行了 加熱的情況下，能夠從內(nèi)部電極140的端部朝向內(nèi)側(cè)外部電極形成內(nèi)部電極140和內(nèi)側(cè)外 部電極的合金層。
[0092]在對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度低于45(TC的情況下，由于殘留 在內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的量變多，因此難以抑制爆錫的產(chǎn)生，故不優(yōu)選。
[0093]另一方面，在對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度過高的情況下，無法 穩(wěn)定地形成內(nèi)側(cè)外部電極。為此，對涂敷了混合膏的層疊體no進行加熱的溫度優(yōu)選為不 足800°C，更優(yōu)選為650°C以下。
[00^4]在本實施方式中，通過調(diào)整對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度、和混 合膏中所含的金屬成分的量，由此將內(nèi)側(cè)外部電極中所含的樹脂成分的量設(shè)為所期望的 量。通過提高所加熱的溫度，從而能夠使內(nèi)側(cè)外部電極中所含的樹脂成分更易于飛散。另 夕卜，通過調(diào)整內(nèi)側(cè)外部電極的厚度，來變更內(nèi)側(cè)外部電極自身的量，由此也能夠?qū)?nèi)側(cè)外部 電極中所含的樹脂成分的量設(shè)為所期望的量。由此，即便在混合膏中所含的樹脂成分的量 較多的情況下，也能夠通過調(diào)整所加熱的溫度以及內(nèi)側(cè)外部電極的厚度當中的至少一方來 將內(nèi)側(cè)外部電極中所含的樹脂成分的量設(shè)為所期望的量。
[0095]其次，通過鍍敷法等，使金屬成分附著在內(nèi)側(cè)外部電極上，由此來設(shè)置外側(cè)外部電 極（S112)。作為設(shè)置外側(cè)外部電極的方法，優(yōu)選電解鍍敷法。
[0096] 進而，通過鍍敷法等，使金屬成分附著在外側(cè)外部電極上，由此來設(shè)置表層外部電 極。作為設(shè)置表層外部電極的方法，優(yōu)選電解鍍敷法。
[0097] 通過設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序（S111)、設(shè)置外側(cè)外部電極的工序（S112)以及設(shè) 置表層外部電極的工序，由此能夠與內(nèi)部電極140電連接地將外部電極設(shè)置在層疊體110 的表面的一部分（Slioh
[0098] 通過上述的準備層疊體110的工序（S100)以及設(shè)置外部電極的工序（S110)，由此 能夠制作本實施方式所涉及的陶瓷電子部件100。
[0099] 如上述，在本實施方式所涉及的陶瓷電子部件100的制造方法中，能夠使內(nèi)側(cè)外 部電極中含有所期望的量的樹脂成分，因此既能維持內(nèi)側(cè)外部電極作為緩沖層的功能，又 能抑制爆錫的產(chǎn)生。
[0100] 以下，對本發(fā)明的實施方式2所涉及的陶瓷電子部件及其制造方法進行說明。另 夕卜，本發(fā)明的實施方式2所涉及的陶瓷電子部件及其制造方法，只有陶瓷電子部件的外形 尺寸以及在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體積，不同于實施方式1所涉及的陶瓷電子部 件及其制造方法，因此關(guān)于其他構(gòu)成不重復(fù)進行說明。
[0101] (實施方式2)
[0102] 本發(fā)明的實施方式2所涉及的陶瓷電子部件1〇〇具有〇. 95mra以上且1. 2〇mm以下 的長度、0· 45臟以上且0. 70mm以下的寬度、以及〇· 45臟以上且〇· 7〇mm以下的厚度的外形 尺寸。
[0103] 在本實施方式中，層疊體n〇具有〇· 87mm以上且1. 12mm以下的長度、0· 41mm以上 且0. 66ram以下的寬度、以及〇. 41mm以上且〇· 66mm以下的厚度的外形尺寸。
[0104] 在本實施方式所涉及的陶瓷電子部件中，將在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體 積設(shè)為5· 23X l(Tml以上且2. 53X 1〇、1以下。
[0105] 即便在本實施方式所涉及的陶瓷電子部件中，在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的 體積也被降低，因此能夠使樹脂成分所吸收的水分的量以及樹脂成分自身的量減少。其結(jié) 果，能夠降低因安裝陶瓷電子部件100時的回流焊工序中的加熱而在外部電極的內(nèi)部中產(chǎn) 生的水蒸氣的量以及分解氣體的量，從而抑制爆錫的產(chǎn)生。
[0106] 以下，對本發(fā)明的實施方式3所涉及的陶瓷電子部件及其制造方法進行說明。另 夕卜，本發(fā)明的實施方式3所涉及的陶瓷電子部件及其制造方法，只有陶瓷電子部件的外形 尺寸以及在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體積，不同于實施方式1所涉及的陶瓷電子部 件及其制造方法，因此關(guān)于其他構(gòu)成不重復(fù)進行說明。
[0107] (實施方式3)
[0108] 本發(fā)明的實施方式3所涉及的陶瓷電子部件100具有1. 5mra以上且1. 8mm以下的 長度、0· 7mra以上且1. 0mra以下的寬度、以及〇· 7mm以上且1. 0mm以下的厚度的外形尺寸。
[0109] 在本實施方式中，層疊體110具有1. 4mm以上且1. 7腿以下的長度、0. 65mm以上且 0.95_以下的寬度、以及〇.65_以上且〇.95_以下的厚度的外形尺寸。
[0110] 在本實施方式所涉及的陶瓷電子部件中，將在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的體 積設(shè)為1. 94X 1(Γ6ιη1以上且2. 84X 10_6ml以下。
[0111] 即便在本實施方式所涉及的陶瓷電子部件中，在內(nèi)側(cè)外部電極中樹脂成分所占的 體積也被降低，因此能夠使樹脂成分所吸收的水分的量以及樹脂成分自身的量減少。其結(jié) 果，能夠降低因安裝陶瓷電子部件100時的回流焊工序中的加熱而在外部電極的內(nèi)部中產(chǎn) 生的水蒸氣的量以及分解氣體的量，從而抑制爆錫的產(chǎn)生。
[0112]另外，外部電極被設(shè)置的位置并不限于層疊體110的兩端部。以下，對外部電極設(shè) 置在層疊體110的兩端部以外的位置的變形例進行說明。
[0113] 圖6是表示第1變形例的陶瓷電子部件的外觀的立體圖。圖7是表示第2變形例 的陶瓷電子部件的外觀的立體圖。圖8是從箭頭VIII方向觀察圖7的陶瓷電子部件的圖。 [0114] 如圖6所示，在第1變形例的陶瓷電子部件l〇〇a中，第丨外部電極uoa從層疊體 110a的一個側(cè)面上遍及到兩個主面上地設(shè)置。第2外部電極130a從層疊體110a的一個側(cè) 面上遍及到兩個主面上地設(shè)置。第1變形例的陶瓷電子部件l〇〇 a是所謂的電容器陣列。 [0115]如圖7、8所示，在第2變形例的陶瓷電子部件100b中，第1外部電極120b在層疊 體110a的一個主面上被設(shè)置在一個端面?zhèn)?。?外部電極130b在層疊體110a的一個主 面上被設(shè)置在另一個端面?zhèn)?。?2變形例的陶瓷電子部件l〇〇b是所謂的無倒角電容器。 [0116]以下，對確認了本發(fā)明效果的實驗例進行說明。
[0117](實驗例1)
[0118]制作具有〇. 57mm以上且〇· 65臟以下的長度、〇· 27麵以上且〇· 351nm以下的寬度、 以及0· 27mm以上且0. 35mm以下的厚度的外形尺寸的500個陶瓷電子部件，并進行了實驗。 [0119]首先，在制作各陶瓷電子部件的過程中，對通用的構(gòu)成以及條件進行說明。作為構(gòu) 成陶瓷層的材料，使用了 BaTi03。作為構(gòu)成內(nèi)部電極的材料，使用了 Ni。在層疊體的兩端 部設(shè)置了外部電極。
[0120]由Sn構(gòu)成了第1金屬填料，由Ag構(gòu)成了第2金屬填料。作為樹脂成分，使用了環(huán) 氧樹脂。將混合膏中的第1金屬填料和第2金屬填料的重量比率設(shè)為了 3 : 7。在氮氣氣 氛下進行了 20分鐘的涂敷了混合膏的層疊體的加熱。
[0121]將內(nèi)側(cè)外部電極的厚度設(shè)為了 2〇μπι以上且3〇μπι以下（目標值為其中央值）。 由2μηι以上且3. 5 μηι以下（目標值為其中央值）的厚度的附鍍膜構(gòu)成了外側(cè)外部電極。 由2ym以上且3μπι以下（目標值為其中央值）的厚度的如鍍膜構(gòu)成了表層外部電極。 C〇^2]在實施例1中，將混合膏中的第1金屬填料和第2金屬填料加在一起的體積比例 (含有率）設(shè)為7 9體積％，將對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度設(shè)為55(TC，由 此制作了 100個陶瓷電子部件。 C〇^3]在實施例2中，將混合膏中的第1金屬填料和第2金屬填料加在一起的體積比例 (含有率）設(shè)為71體積％，將對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度設(shè)為450?，由 此制作了 100個陶瓷電子部件。
[0124]在實施例3中，將混合膏中的第1金屬填料和第2金屬填料加在一起的體積比例 (含有率）設(shè)為4e體積％，將對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度設(shè)為45(TC，由 此制作了 100個陶瓷電子部件。
[0125] 在比較例1中，將混合膏中的第1金屬填料和第2金屬填料加在一起的體積比例 (含有率）設(shè)為82體積％，將對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度設(shè)為45(TC，由 此制作了 100個陶瓷電子部件。
[0126] 在比較例2中，將混合膏中的第1金屬填料和第2金屬填料加在一起的體積比例 (含有率）設(shè)為40體積％，將對涂敷了混合膏的層疊體110進行加熱的溫度設(shè)為55(TC，由 此制作了 100個陶瓷電子部件。
[0127] 在由實施例1?3以及比較例1、2制作出的各100個的陶瓷電子部件中，計算了 層疊體的外形尺寸的平均實際測量值、內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的體積、爆錫的產(chǎn)生率、 以及因沖擊所引起的陶瓷電子部件從安裝基板脫落的脫落率。
[0128] 在此，對內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的體積的計算方法進行說明。首先，測量層疊 體110的重量。其次，測量涂敷了混合膏之后的層疊體的重量，來計算與層疊體110的重量 相比的增加量。該增加量成為被涂敷的混合膏的固化前的重量。在該固化前的混合膏的重 量上乘以固化前的混合膏中的樹脂的重量比例（含有率），由此來計算固化前的混合膏所 含的樹脂的重量。
[0129] 另外，使用差熱熱重量同時測量裝置（TG-DTA :Thermogravimetric/Differential Thermal Analysis)，在改變溫度的情況下預(yù)先測量固化前的樹脂成分的重量和固化后的樹 脂成分的重量。通過該測量，可知在以燒成溫度進行了加熱的情況下的、樹脂成分的重量 的發(fā)展趨勢。具體而言，可知以燒成溫度進行了加熱時的、樹脂成分的重量減少率。另外， 也可以取代差熱熱重量同時測量裝置（TG-DTA)，使用熱重量?質(zhì)量同時分析裝置（TG-MS : Thermogravimetry mass spectrometer)，在改變溫度條件的情況下預(yù)先測量固化目K的樹脂 成分的重量和固化后的樹脂成分的重量。
[0130] 通過將該預(yù)先調(diào)查的樹脂成分的重量減少率和固化前的樹脂的重量相乘，由此能 夠計算固化后的樹脂的減少量。由此，從固化前的混合膏所含的樹脂的重量之中減去固化 后的樹脂的減少量，從而能夠計算固化后的混合膏、即內(nèi)側(cè)外部電極所含的樹脂的重量。通 過固化后的樹脂的重量除以固化后的樹脂的密度，由此能夠計算內(nèi)側(cè)外部電極所含的樹脂 的體積。
[0131] 另外，作為計算內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的體積的其他方法，也可以使用下述 方法。首先，從陶瓷電子部件之中削掉外部電極。其次，使用差熱熱重量同時測量裝置 (TG-DTA)或者熱重量?質(zhì)量同時分析裝置（TG-MS)來測量已削掉的外部電極所含的樹脂成 分的重量。通過所測量的樹脂的重量除以固化后的樹脂的密度，從而能夠計算外部電極所 含的樹脂的體積。該計算出的體積成為內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的體積。
[0132]此外，作為計算內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的體積的又一方法，可以使用如下方 法。首先，計算陶瓷電子部件的外部電極所占的體積。具體而言，從由激光體積測量機測量 出的陶瓷電子部件的體積之中減去層疊體的體積，由此來計算外部電極所占的體積。其次， ^磨陶瓷電子部件，以使在與陶瓷電子部件的縱長方向平行的方向上露出包含外部電極的 剖面。用SEM來拍攝被露出的剖面。對被拍攝到的 SEM照片進行2值化來進行圖像處理， 由此來計算樹脂成分和金屬成分的面積比率。根據(jù)所計算出的面積比率來計算樹脂成分所 占的面積比例，將該面積比例和外部電極所占的體積相乘，由此能夠估計外部電極所含的 樹月旨的體積。該估計出的體積成為內(nèi)側(cè)外部電極中的樹脂成分的體積。
[0133] 按如下方式計算了爆錫的產(chǎn)生率。在通過回流焊工序?qū)⑻沾呻娮硬考惭b于玻璃 環(huán)氧基板之后，通過目測的方式確認了焊錫的飛散狀況。確認出爆錫的陶瓷電子部件的數(shù) 目除以各自所安裝的陶瓷電子部件的數(shù)目（100個），進一步相乘1()〇,由此計算了爆錫的產(chǎn) 生率。
[0134]按如下方式計算了因沖擊所引起的陶瓷電子部件從安裝基板脫落的脫落率。進行 使安裝了陶瓷電子部件的安裝基板以陶瓷電子部件位于上方的狀態(tài)從150cm的高度落下 的落下試驗，因落下的沖擊而從安裝基板脫落的陶瓷電子部件的數(shù)目除以各自進行過落下 實驗的陶瓷電子部件的數(shù)目，進一步乘以100,由此計算了陶瓷電子部件的脫落率。
[0135] 表1歸納了實施例1?3以及比較例1、2的實驗結(jié)果。
[0136] [表 1]
[0137]

【權(quán)利要求】
1. 一種陶瓷電子部件，具有0. 57mm以上且0. 65mm以下的長度、0. 27mm以上且0. 35mm 以下的寬度、以及〇. 27mm以上且0. 35mm以下的厚度的外形尺寸， 所述陶瓷電子部件具備： 層疊體，其交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極、且呈長方體狀；和 外部電極，其設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分、且與所述內(nèi)部電極電連接， 所述外部電極包含： 內(nèi)側(cè)外部電極，其覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分、且由樹脂成分和金屬成分的 混合物構(gòu)成；和 外側(cè)外部電極，其覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極、且由金屬成分構(gòu)成， 在所述內(nèi)側(cè)外部電極中所述樹脂成分所占的體積為3. 79X 以上且1. 02X l(T6ml 以下。
2. -種陶瓷電子部件，具有0. 95mm以上且1. 20mm以下的長度、0. 45mm以上且0. 70mm 以下的寬度、以及〇· 45mm以上且0· 70mm以下的厚度的外形尺寸， 所述陶瓷電子部件具備： 層疊體，其交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極、且呈長方體狀；和 外部電極，其設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分、且與所述內(nèi)部電極電連接， 所述外部電極包含： 內(nèi)側(cè)外部電極，其覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分、且由樹脂成分和金屬成分的 混合物構(gòu)成；和 外側(cè)外部電極，其覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極、且由金屬成分構(gòu)成， 在所述內(nèi)側(cè)外部電極中所述樹脂成分所占的體積為5. 23X 以上且2. 53X l(T6ml 以下。
3. 一種陶瓷電子部件，具有1. 5mm以上且1. 8mm以下的長度、0· 7mm以上且1. 0mm以下 的寬度、以及〇· 7mm以上且1. 〇mm以下的厚度的外形尺寸， 所述陶瓷電子部件具備： 層疊體，其交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極、且呈長方體狀；和 外部電極，其設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分、且與所述內(nèi)部電極電連接， 所述外部電極包含： 內(nèi)側(cè)外部電極，其覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分、且由樹脂成分和金屬成分的 混合物構(gòu)成；和 外側(cè)外部電極，其覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極、且由金屬成分構(gòu)成， 在所述內(nèi)側(cè)外部電極中所述樹脂成分所占的體積為1. 94X l(T6ml以上且2. 84X l(T6ml 以下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的陶瓷電子部件，其中， 作為金屬成分，所述內(nèi)側(cè)外部電極包含第1金屬成分、和熔點比該第1金屬成分高的第 2金屬成分。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷電子部件，其中， 所述第1金屬成分為Sn。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的陶瓷電子部件，其中， 所述第2金屬成分為Ag或Cu。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的陶瓷電子部件，其中， 所述外側(cè)外部電極的所述金屬成分為Ni。
8. -種陶瓷電子部件的制造方法，該陶瓷電子部件具有0. 57mm以上且0. 65mm以下的 長度、0. 27mm以上且0. 35mm以下的寬度、以及0. 27mm以上且0. 35mm以下的厚度的外形尺 寸， 所述陶瓷電子部件的制造方法具備： 準備交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體的工序；和 按照與所述內(nèi)部電極電連接的方式將外部電極設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分的 工序， 設(shè)置所述外部電極的工序包括： 以覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分的方式涂敷樹脂成分和金屬成分的混合物，對 涂敷了所述混合物的所述層疊體進行加熱，由此來設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序；和 以覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極的方式鍍敷金屬成分來設(shè)置外側(cè)外部電極的工序， 在所述混合物中所述金屬成分的含有率為46體積％以上且79體積％以下。
9. 一種陶瓷電子部件的制造方法，該陶瓷電子部件具有0. 95mm以上且1. 20mm以下的 長度、〇. 45mm以上且0. 70mm以下的寬度、以及0. 45mm以上且0. 70mm以下的厚度的外形尺 寸， 所述陶瓷電子部件的制造方法具備： 準備交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體的工序；和 按照與所述內(nèi)部電極電連接的方式將外部電極設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分的 工序， 設(shè)置所述外部電極的工序包括： 以覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分的方式涂敷樹脂成分和金屬成分的混合物，對 涂敷了所述混合物的所述層疊體進行加熱，由此來設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序；和 以覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極的方式鍍敷金屬成分來設(shè)置外側(cè)外部電極的工序， 在所述混合物中所述金屬成分的含有率為60體積％以上且82體積％以下。
10. -種陶瓷電子部件的制造方法，該陶瓷電子部件具有1. 5mm以上且1. 8mm以下的長 度、0· 7mm以上且1. 0mm以下的寬度、以及0· 7mm以上且1. 0mm以下的厚度的外形尺寸， 所述陶瓷電子部件的制造方法具備： 準備交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體的工序；和 按照與所述內(nèi)部電極電連接的方式將外部電極設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分的 工序， 設(shè)置所述外部電極的工序包括： 以覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分的方式涂敷樹脂成分和金屬成分的混合物，對 涂敷了所述混合物的所述層疊體進行加熱，由此來設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序；和 以覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極的方式鍍敷金屬成分來設(shè)置外側(cè)外部電極的工序， 在所述混合物中所述金屬成分的含有率為71體積％以上且79體積％以下。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 所述內(nèi)側(cè)外部電極的金屬成分包含第1金屬成分、和熔點比該第1金屬成分高的第2 金屬成分。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 所述第1金屬成分為Sn。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 所述第2金屬成分為Ag或Cu。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8至13中任一項所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 所述外側(cè)外部電極的所述金屬成分為Ni。
15. 根據(jù)權(quán)利要求8至14中任一項所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 在設(shè)置所述內(nèi)側(cè)外部電極的工序中，對所述層疊體進行加熱的溫度為450°C以上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8至15中任一項所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中， 在設(shè)置所述內(nèi)側(cè)外部電極的工序中，在lOOppm以下的氧濃度的氣氛下對所述層疊體 進行加熱。
【文檔編號】H01G4/002GK104240948SQ201410250679
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月19日
【發(fā)明者】浜中建一, 善哉孝太, 出倉卓, 前川清隆 申請人:株式會社村田制作所