一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板包括：柵金屬層；柵絕緣層；源漏金屬層，與所述柵金屬層同層設置的第一公共電極線；設置于所述柵絕緣層上、與所述第一公共電極線對應的第一過孔；位于所述第一過孔中的源漏金屬填充部；與所述第一過孔連通的第二過孔；透明連接部；其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部電連接。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以降低陣列基板上的過孔的深度，改善取向?qū)訑U散不均的問題。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，所述薄膜晶體管陣列基板包括:公共電極102，柵線103，與柵線103同層設置的公共電極線104，以及數(shù)據(jù)線105，其中，公共電極線104與公共電極102連接，以減小公共電極102的電阻。
[0003]上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板的制作方法包括以下步驟:
[0004]步驟Sll:在一基板上形成公共電極；
[0005]步驟S12:通過一次構(gòu)圖工藝在形成有公共電極的基板上形成柵金屬層及公共電極線，所述柵金屬層包括:柵電極和柵線；
[0006]步驟S13:在形成有柵金屬層和公共電極線的基板上形成柵絕緣層；
[0007]步驟S14:在形成有柵絕緣層的基板上形成有源層；
[0008]步驟S15:在形成有源層的基板上形成源漏金屬層，所述源漏金屬層包括:源漏電極和數(shù)據(jù)線；
[0009]步驟S16:在形成有源漏金屬層的基板上形成鈍化層(PVX)，并形成貫通鈍化層和柵絕緣層的過孔；
[0010]步驟S17:在形成有鈍化層的基板上形成像素電極層及用于連接像素電極與漏電極的第一連接部以及用于連接柵金屬層上的相鄰的公共電極線的第二連接部。
[0011]請參考圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的位于柵金屬層的公共電極線的連接方式示意圖。圖中，101為基板，104為與柵金屬層同層設置的公共電極線，106為柵絕緣層，107為鈍化層，108為鈍化層上的過孔，109為與像素電極層同層設置的第二連接部。
[0012]從圖2中可以看出，鈍化層107上形成的過孔108深度較大，導致過孔108處會呈現(xiàn)凸凹不平的樣貌，從而會造成取向?qū)?PI)擴散不均，嚴重影響顯示面板(panel)的畫面品質(zhì)。比如在panel周邊會出現(xiàn)周邊取向?qū)雍贛ura,在像素區(qū)內(nèi)會出現(xiàn)M24不良(現(xiàn)象為多條發(fā)生的豎向線性Mura，中間發(fā)黑兩邊發(fā)白)及白污潰(不連續(xù)呈麻點狀的黑點)等不良。
[0013]因此，如何降低陣列基板上的過孔的深度，改善取向?qū)訑U散不均成為亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以降低陣列基板上的過孔的深度，改善取向?qū)訑U散不均的問題。
[0015]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板，包括:
[0016]柵金屬層；
[0017]柵絕緣層；[0018]源漏金屬層；
[0019]與所述柵金屬層同層設置的第一公共電極線；
[0020]設置于所述柵絕緣層上、與所述第一公共電極線對應的第一過孔；
[0021]位于所述第一過孔中的源漏金屬填充部；
[0022]與所述第一過孔連通的第二過孔；
[0023]透明連接部；
[0024]其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部電連接。
[0025]其中，所述薄膜晶體管陣列基板還包括:鈍化層，所述第二過孔形成于所述鈍化層上。
[0026]其中，所述第一公共電極線與所述柵金屬層同層同材料制成。
[0027]其中，所述源漏金屬填充部與所述源漏金屬層同層同材料制成。
[0028]其中，所述陣列基板還包括:
[0029]第一透明導電層；
[0030]其中，所述透明連接部與所述第一透明導電層同層同材料制成；
[0031 ]所述第一透明導電層為像素電極層或公共電極層。
[0032]其中，所述陣列基板還包括:
[0033]與所述源漏金屬層同層同材料制成的第二公共電極線；
[0034]位于所述第一過孔中的源漏金屬連接部；
[0035]其中，所述第二公共電極線通過所述第一過孔并借由所述源漏金屬連接部與所述第一公共電極線電連接。
[0036]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0037]在柵金屬層形成第一公共電極線的步驟；
[0038]在柵絕緣層上形成與所述第一公共電極線對應的第一過孔的步驟；
[0039]在所述第一過孔中形成源漏金屬填充部的步驟；
[0040]形成與所述第一過孔連通的第二過孔的步驟；
[0041]形成透明連接部的步驟；
[0042]其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部電連接。
[0043]其中，所述第一公共電極線與所述柵金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0044]其中，所述源漏金屬填充部與所述源漏金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0045]其中，所述方法還包括:
[0046]形成第一透明導電層的步驟；
[0047]其中，所述透明連接部與所述第一透明導電層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0048]其中，所述方法具體包括:
[0049]通過一次構(gòu)圖工藝在一基板上形成柵金屬層和多條第一公共電極線；
[0050]在形成有所述柵金屬層和第一公共電極線的基板上形成柵絕緣層，并在所述柵絕緣層上形成與所述第一公共電極線對應的第一過孔；
[0051 ]在形成有所述柵絕緣層的基板上形成有源層；[0052]通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層的基板上形成源漏金屬層和源漏金屬填充部，其中，所述源漏金屬填充部位于所述第一過孔中；
[0053]在形成有所述源漏金屬層和源漏金屬填充部的基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成與所述第一過孔連通的第二過孔；
[0054]通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述鈍化層的基板上形成第一透明導電層和透明連接部，其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部連接。
[0055]其中，所述方法還包括:
[0056]形成第二公共電極線和源漏金屬連接部的步驟，所述源漏金屬連接部位于所述第一過孔中，所述第二公共電極線通過所述第一過孔并借由所述源漏金屬連接部與所述第一公共電極線連接；
[0057]其中，所述第二公共電極線和所述源漏金屬連接部與所述源漏金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0058]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述薄膜晶體管陣列基板。
[0059]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0060]由于在與柵金屬層同層設置的第一公共電極線的上方的過孔中填充了源漏金屬填充部，使得第一公共電極線上方的過孔的深度降低，從而提高了陣列基板的平整度，進一步能夠改善取向?qū)訑U散不均的問題，提高了顯示質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0061]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0062]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的與柵金屬層同層設置的公共電極線的連接方式示意圖。
[0063]圖3為本發(fā)明實施例的陣列基板的一結(jié)構(gòu)示意圖。
[0064]圖4為本發(fā)明實施例的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)不意圖；
[0065]圖5為現(xiàn)有技術(shù)中的與柵線同層設置的公共電極線和與數(shù)據(jù)線同層設置的公共電極線的連接方式示意圖。
[0066]圖6為本發(fā)明實施例的與柵線同層設置的公共電極線和與數(shù)據(jù)線同層設置的公共電極線的連接方式示意圖。
【具體實施方式】
[0067]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0068]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括:
[0069]柵金屬層；
[0070]柵絕緣層；
[0071]源漏金屬層；
[0072]與柵金屬層同層設置的第一公共電極線；
[0073]形成于柵絕緣層上、與所述第一公共電極線對應的第一過孔；
[0074]位于所述第一過孔中的源漏金屬填充部；[0075]與所述第一過孔連通的第二過孔；
[0076]透明連接部；
[0077]其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部電連接。
[0078]通過上述結(jié)構(gòu)，由于在第一公共電極線上方的第一過孔中填充了源漏金屬填充部，使得第一公共電極線上方的過孔(第一過孔+第二過孔)的深度降低，從而提高了陣列基板的平整度，進一步能夠改善取向?qū)訑U散不均的問題，提高了顯示質(zhì)量。
[0079]上述實施例中，所述柵金屬層包括柵線和柵極，所述第一公共電極線與柵線平行，并與公共電極連接，用以減小公共電極的電阻。所述第一公共電極線和所述柵金屬層同層同材料制成。
[0080]所述源漏金屬層包括源漏電極和數(shù)據(jù)線，所述源漏金屬填充部和所述源漏金屬層同層同材料制成。
[0081]本發(fā)明實施例的陣列基板還可以包括:第一透明導電層；
[0082]其中，所述透明連接部與所述第一透明導電層同層同材料制成；
[0083]所述第一透明導電層為像素電極層或公共電極層。
[0084]當本發(fā)明實施例的薄膜晶體管陣列基板為ADS模式的陣列基板時，還可以包括:第二透明導電層，所述第二透明導電層可以與所述柵金屬層同層設置。
[0085]請參考圖3，圖3為本發(fā)明實施例的陣列基板的一結(jié)構(gòu)示意圖，所述陣列基板包括:
[0086]基板201;
[0087]與柵金屬層同層設置的第一公共電極線204 ；
[0088]柵絕緣層205 ；
[0089]形成于柵絕緣層205上、與所述第一公共電極線204對應的第一過孔206 ；
[0090]位于所述第一過孔206中的源漏金屬填充部207 ；
[0091]鈍化層210;
[0092]形成于鈍化層210上與所述第一過孔206連通的第二過孔211 ;以及
[0093]透明連接部212。
[0094]其中，所述第一公共電極線204之間通過所述第二過孔211并借由所述透明連接部212及所述源漏金屬填充部207電連接。
[0095]與圖2中所示的陣列基板相比，可以看出，圖3中所示的第一公共電極線204上方的過孔由于填充了源漏金屬填充部207，深度明顯降低。
[0096]上述實施例中示出的陣列基板包括與柵金屬層同層設置公共電極線，與公共電極連接，以減小公共電極的電阻，此外，本發(fā)明實施例的陣列基板還可以同時包括與源漏金屬層同層設置的公共電極線，進一步減小公共電極的電阻。
[0097]請參考圖4，圖4為本發(fā)明實施例的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖，所述陣列基板包括:公共電極202，柵線203，與柵線203同層設置的第一公共電極線204，數(shù)據(jù)線208，以及與數(shù)據(jù)線208同層設置的第二公共電極線209，其中，第一公共電極線204和第二公共電極線209均與公共電極連接，以減小公共電極的電阻。
[0098]所述第二公共電極線209與所述數(shù)據(jù)線208平行，且所述數(shù)據(jù)線208同層同材料制成。
[0099]為了均衡公共電極線上的電壓，第二公共電極線209還需要與第一公共電極線204連接。
[0100]請參考圖5，圖5為現(xiàn)有技術(shù)中的與柵線同層設置的公共電極線和與數(shù)據(jù)線同層設置的公共電極線的連接方式示意圖。
[0101]圖5中，101為基板，104為與柵線同層設置的公共電極線，106為柵絕緣層，110為有源層，111為與數(shù)據(jù)線同層設置的公共電極線，107為鈍化層，112和113為形成于鈍化層上的過孔，其中，109為透明導電層上的第三連接部，與柵線同層設置的公共電極線104通過鈍化層上的過孔113和112并借由所述第三連接部109與與數(shù)據(jù)線同層設置的公共電極線111電連接。
[0102]從圖5中可以看出，位于公共電極線104上方的過孔110也存在深度大的問題。
[0103]為解決上述問題，請參考6，本發(fā)明實施例的陣列基板還包括:位于所述第一過孔中的源漏金屬連接部207 ;其中，與源漏金屬層同層設置的第二公共電極線209可以借由所述源漏金屬連接部207與所述第一公共電極線204電連接。圖6中，213為有源層。
[0104]與圖5中所示的陣列基板相比，可以看出，圖6中所示的陣列基板中，不再需要在形成鈍化層后，開設用于連接第一公共電極線和第二公共電極線的過孔，從而提高了陣列基板的平整度，進一步能夠改善取向?qū)訑U散不均的問題，提高了顯示質(zhì)量。
[0105]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0106]在柵金屬層形成第一公共電極線的步驟；
[0107]在柵絕緣層上形成與所述第一公共電極線對應的第一過孔的步驟；
[0108]在所述第一過孔中形成源漏金屬填充部的步驟；
[0109]形成與所述第一過孔連通的第二過孔的步驟；
[0110]形成透明連接部的步驟；
[0111]其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部電連接。
[0112]通過上述方法，由于在第一公共電極線上方的第一過孔中填充了源漏金屬填充部，使得第一公共電極線上方的過孔(第一過孔+第二過孔)的深度降低，從而提高了陣列基板的平整度，進一步能夠改善取向?qū)訑U散不均的問題，提高了顯示質(zhì)量。
[0113]優(yōu)選的，所述第一公共電極線與所述柵金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0114]優(yōu)選的，所述源漏金屬填充部與所述源漏金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0115]優(yōu)選的，所述方法還包括:
[0116]形成第一透明導電層的步驟；
[0117]其中，所述透明連接部與所述第一透明導電層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0118]上述一次構(gòu)圖工藝的過程包括形成薄膜、涂覆光刻膠、曝光顯影、刻蝕和剝離剩余的光刻膠的步驟。
[0119]優(yōu)選地，所述方法具體包括:
[0120]步驟S21:通過一次構(gòu)圖工藝在一基板上形成柵金屬層和第一公共電極線；所述柵金屬層包括:柵線和柵電極；
[0121]步驟S22:在形成有所述柵金屬層和第一公共電極線的基板上形成柵絕緣層，并在所述柵絕緣層上形成與所述第一公共電極線對應的第一過孔；
[0122]步驟S23:在形成有所述柵絕緣層的基板上形成有源層；
[0123]步驟S24:通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層的基板上形成源漏金屬層和源漏金屬填充部，所述源漏金屬填充部形成于所述第一過孔中，所述源漏金屬層包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極；
[0124]步驟S25:在形成有所述源漏金屬層和源漏金屬填充部的基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成與所述第一過孔連通的第二過孔；
[0125]步驟S26:通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述鈍化層的基板上形成第一透明導電層和透明連接部，其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部連接。
[0126]現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，是在形成鈍化層后，形成貫通鈍化層和柵絕緣層的深孔，然后在深孔中形成用于連接與柵金屬層同層設置的公共電極線的第二連接部，該種方法形成的孔的深度較大，而，本發(fā)明實施例中，是在形成柵絕緣層后，首先在柵絕緣層上開設第一過孔，在形成源漏金屬層時，在第一過孔中形成源漏金屬連接部，然后在形成鈍化層后，在鈍化層上形成與第一開孔連通的第二開孔，由于第一開孔中填充有漏金屬連接部，因而，使得第一公共電極線上方的過孔(第一過孔+第二過孔)的深度減小，
[0127]從而提高了陣列基板的平整度，進一步能夠改善取向?qū)訑U散不均的問題，提高了
顯示質(zhì)量。
[0128]上述實施例中示出的陣列基板包括與柵金屬層同層設置的第一公共電極線，與公共電極連接，以減小公共電極的電阻，此外，本發(fā)明實施例中的薄膜晶體管陣列基板還可以同時包括與源漏金屬層同層設置的第二公共電極線，進一步減小公共電極的電阻。
[0129]為了均衡公共電極線上的電壓，與源漏金屬層同層設置的第二公共電極線還需要與第一公共電極線連接。
[0130]此時，本發(fā)明的方法還可以包括:
[0131]形成第二公共電極線和源漏金屬連接部的步驟，所述源漏金屬連接部位于所述第一過孔中，所述第二公共電極線通過所述第一過孔并借由所述源漏金屬連接部與所述第一公共電極線連接；
[0132]其中，所述第二公共電極線和所述源漏金屬連接部與所述源漏金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0133]通過上述結(jié)構(gòu)，不再需要在形成鈍化層后，開設用于連接第一公共電極線和第二公共電極線的過孔，從而提高了陣列基板的平整度，進一步能夠改善取向?qū)訑U散不均的問題，提高了顯示質(zhì)量。
[0134]另外，當本發(fā)明實施例的陣列基板為ADS模式的陣列基板時，本發(fā)明的方法還可以包括:形成第二透明導電層的步驟，所述第二透明導電層可以與所述柵金屬層同層設置。
[0135]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。所述顯示裝置可以為:液晶顯示面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0136]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括柵金屬層、柵絕緣層及源漏金屬層，其特征在于，還包括: 與所述柵金屬層同層設置的第一公共電極線； 設置于所述柵絕緣層上、與所述第一公共電極線對應的第一過孔； 位于所述第一過孔中的源漏金屬填充部； 與所述第一過孔連通的第二過孔； 及透明連接部； 其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:鈍化層，所述第二過孔形成于所述鈍化層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線與所述柵金屬層同層同材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏金屬填充部與所述源漏金屬層同層同材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 第一透明導電層； 其中，所述透明連接部與所述第一透明導電層同層同材料制成； 所述第一透明導電層為像素電極層或公共電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 與所述源漏金屬層同層同材料制成的第二公共電極線； 位于所述第一過孔中的源漏金屬連接部； 其中，所述第二公共電極線通過所述第一過孔并借由所述源漏金屬連接部與所述第一公共電極線電連接。
7.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在柵金屬層形成多條第一公共電極線的步驟； 在柵絕緣層上形成與所述第一公共電極線對應的第一過孔的步驟； 在所述第一過孔中形成源漏金屬填充部的步驟； 形成與所述第一過孔連通的第二過孔的步驟； 形成透明連接部的步驟； 其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一公共電極線與所述柵金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏金屬填充部與所述源漏金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括: 形成第一透明導電層的步驟； 其中，所述透明連接部與所述第一透明導電層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法具體包括:通過一次構(gòu)圖工藝在一基板上形成柵金屬層和第一公共電極線； 在形成有所述柵金屬層和第一公共電極線的基板上形成柵絕緣層，并在所述柵絕緣層上形成與所述第一公共電極線對應的第一過孔； 在形成有所述柵絕緣層的基板上形成有源層； 通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述有源層的基板上形成源漏金屬層和源漏金屬填充部，其中，所述源漏金屬填充部位于所述第一過孔中； 在形成有所述源漏金屬層和源漏金屬填充部的基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成與所述第一過孔連通的第二過孔； 通過一次構(gòu)圖工藝在形成有所述鈍化層的基板上形成第一透明導電層和透明連接部，其中，所述第一公共電極線之間通過所述第二過孔并借由所述透明連接部及所述源漏金屬填充部連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括: 形成第二公共電極線和源漏金屬連接部的步驟，所述源漏金屬連接部位于所述第一過孔中，所述第二公共電極線通過所述第一過孔并借由所述源漏金屬連接部與所述第一公共電極線連接； 其中，所述第二公共電極線和所述源漏金屬連接部與所述源漏金屬層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
13.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK103972243SQ201410168661
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月24日
【發(fā)明者】白金超, 劉耀, 李梁梁, 丁向前, 郭總杰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司