發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管及其制造方法。發(fā)光二極管包含：一基板，基板包含一上表面、一底面相對于上表面以及一側(cè)表面；一第一型態(tài)半導(dǎo)體層位于上表面上，其中第一型態(tài)半導(dǎo)體層包含一第一部分以及一第二部分，且第二部分包含一邊緣圍繞第一部分；一發(fā)光層在第一部分上；以及一第二型態(tài)半導(dǎo)體層在發(fā)光層上，其中，第二部分包含一第一表面以及一第二表面，在第一表面以及上表面之間具有一第一距離，在第二表面以及上表面之間具有一第二距離小于第一距離，其中，第一表面比第二表面粗糙，且第二表面位于邊緣。
【專利說明】發(fā)光二極管及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種切割晶片的方法，用以提升發(fā)光二極管的產(chǎn)能以及降低生產(chǎn)的成 本。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來隨著發(fā)光二極管（LED)的發(fā)光效率逐漸提升，發(fā)光二極管的應(yīng)用已經(jīng)從裝 飾燈擴展至一般照明。發(fā)光二極管也逐漸取代傳統(tǒng)的熒光燈成為下一世代的光源。
[0003] 制造發(fā)光二極管的最后一個步驟為切割晶片。在切割晶片的步驟中，首先以激光 切割晶片，接著再劈裂晶片形成多個發(fā)光二極管。一般激光是從晶片的表面開始往晶片內(nèi) 部進行切除或融解。晶片具有半導(dǎo)體疊層在其表面上，因此，當(dāng)以激光切除或融解晶片的時 候，會產(chǎn)生吸光物質(zhì)導(dǎo)致光線被吸收。
[0004] 上述的發(fā)光二極管還包含一次載板以形成一發(fā)光裝置，其中發(fā)光裝置包含電路配 置在次載板上，至少一接合物質(zhì)位于次載板上用以固定發(fā)光二極管在次載板上，以及一電 連接結(jié)構(gòu)用以電連接發(fā)光二極管的電極以及次載板上的電路。次載板可為一導(dǎo)線架或一固 定基板用以設(shè)計電路以及提升散熱效能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，包含：一基板，基板包含一上表面、 一底面相對于上表面以及一側(cè)表面；一第一型態(tài)半導(dǎo)體層位于上表面上，其中第一型態(tài)半 導(dǎo)體層包含一第一部分以及一第二部分，且第二部分包含一邊緣圍繞第一部分；一發(fā)光層 在第一部分上；以及一第二型態(tài)半導(dǎo)體層在發(fā)光層上，其中，第二部分包含一第一表面以及 一第二表面，在第一表面以及上表面之間具有一第一距離，在第二表面以及上表面之間具 有一第二距離小于第一距離，其中，第一表面比第二表面粗糙，且第二表面位于邊緣。
[0006] 本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管，包含：一第一型態(tài)半導(dǎo)體層，其中第一型態(tài)半導(dǎo)體 層包含一第一部分以及一第二部分，且第二部分包含一第一表面以及一第二表面；一發(fā)光 層位于第一部分上；以及一第二型態(tài)半導(dǎo)體層位于發(fā)光層上，其中第二型態(tài)半導(dǎo)體層包含 一第五表面，其中第一表面以及第五表面比第二表面粗糙，且第二表面圍繞第一部分。
[0007] 本發(fā)明還一種制造發(fā)光二極管的方法，包含：提供一基板；提供一半導(dǎo)體疊層在 基板上，其中半導(dǎo)體疊層包含一第一表面相對于基板；處理第一表面以形成一第二表面，其 中第二表面比第一表面平坦；以及提供一激光束穿透過第二表面以切割基板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1A及1B是根據(jù)本發(fā)明一實施例揭示一發(fā)光二極管；
[0009] 圖2A及2B是根據(jù)本發(fā)明一實施例揭示一晶片裝置；
[0010] 圖3A至3G是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的制造發(fā)光二極管的方法；
[0011] 圖4為依本發(fā)明另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012] 符號說明
[0013] 1 單元 41 第五表面
[0014] 10 透明基板 42 第四表面
[0015] 101 上表面 43 第二電極
[0016] 102 底面 50 反射層
[0017] 103 側(cè)表面 8 激光束
[0018] 1031 破壞區(qū)域 9 切刀
[0019] 2 晶片裝置 600 球泡燈
[0020] 20 第一型態(tài)半導(dǎo)體層 602 燈罩
[0021] 201 第一部分 604 透鏡
[0022] 202 第二部分 606 承載部
[0023] 21 第一表面 608 半導(dǎo)體發(fā)光兀件
[0024] 221 第三表面 610 發(fā)光模塊
[0025] 222 第二表面 612 燈座
[0026] 23 第一電極 614 散熱片
[0027] 30 發(fā)光層 616 連接部
[0028] 40 第二型態(tài)半導(dǎo)體層

【具體實施方式】
[0029] 第一實施例
[0030] 圖1A及1B是根據(jù)本發(fā)明一實施例揭示的一發(fā)光二極管。如圖1A所示的上視圖， 一發(fā)光二極管包含一第一型態(tài)半導(dǎo)體層20, 一第二型態(tài)半導(dǎo)體層40位于第一型態(tài)半導(dǎo)體 層20之上，一第一電極23與第一型態(tài)半導(dǎo)體層20歐姆接觸以及一第二電極43與第二型 態(tài)半導(dǎo)體層40歐姆接觸。第一型態(tài)半導(dǎo)體層20包含一第一表面21以及一第二表面222， 其中第二表面222圍繞著第一型態(tài)半導(dǎo)體層20的第一部分201，如圖1B所示。
[0031] 圖1B顯示圖1A中虛線AA'的剖面視圖。發(fā)光二極管包含一透明基板10具有一 上表面101、一底面102以及一側(cè)表面103位于上表面101以及底面102之間，一第一型態(tài) 半導(dǎo)體層20位于上表面101上，一發(fā)光層30位于第一型態(tài)半導(dǎo)體層20上，一第二型態(tài)半 導(dǎo)體層40位于發(fā)光層30上，一第一電極23與第一型態(tài)半導(dǎo)體層20歐姆接觸，一第二電極 43與第二型態(tài)半導(dǎo)體層40歐姆接觸，以及一反射層50位于底面102上，其中側(cè)表面103包 含一破壞區(qū)域1031。
[0032] 透明基板10的材料包含透明材料，例如藍(lán)寶石（A1203)、GaN、SiC、AIN、ZnO、MgO、 Si02、B203或BaO,因此透明基板10可被激光束穿透聚焦在其內(nèi)部。在激光穿透的過程中， 破壞區(qū)域1031形成在側(cè)表面103上，與上表面101以及底面102之間有一段距離。激光 束的波長區(qū)間包含350?500、350?800、350?1200、500?1000、700?1200或350? 1500nm。第一型態(tài)半導(dǎo)體層20包含一第一部分201以及一第二部分202,發(fā)光層30位于 第一部分201上，第二型態(tài)半導(dǎo)體層40位于發(fā)光層30上。當(dāng)?shù)谝恍蛻B(tài)半導(dǎo)體層20為p型 半導(dǎo)體材料時，第二型態(tài)半導(dǎo)體層40可為η型半導(dǎo)體材料。反之，當(dāng)?shù)谝恍蛻B(tài)半導(dǎo)體層20 為η型半導(dǎo)體材料時，第二型態(tài)半導(dǎo)體層40可為ρ型半導(dǎo)體材料。發(fā)光層30可為本質(zhì)半 導(dǎo)體材料、P型半導(dǎo)體材料或η型半導(dǎo)體材料。當(dāng)一電流流經(jīng)第一型態(tài)半導(dǎo)體層20、發(fā)光層 30以及第二型態(tài)半導(dǎo)體層40時，發(fā)光層30可發(fā)射出一光線。當(dāng)發(fā)光層30為AlaGabI ni_a_bP 所組成時，發(fā)光層30可發(fā)出紅色光、橘色光或黃色光。當(dāng)發(fā)光層30為Al^GaJrVdN所組成 時，發(fā)光層30可發(fā)出藍(lán)色光或綠色光。
[0033] 第一型態(tài)半導(dǎo)體層20的第二部分202包含一第一表面21、一第二表面222以及 一第三表面221。第二型態(tài)半導(dǎo)體層40包含一第四表面42以及一第五表面41。第一表面 21的平均粗糙度（Ra)以及第五表面41的平均粗糙度（Ra)大于100nm。第二表面222的 平均粗糙度（Ra)、第三表面221的平均粗糙度（Ra)以及第四表面42的平均粗糙度（Ra)都 介于10?100nm的范圍之間，較佳地是小于50nm。其中，第二表面222以及第三表面221 比第一表面21平坦，第四表面42比第五表面41平坦。第一表面21的平均粗糙度（Ra)以 及第五表面41的平均粗糙度（Ra)大于100nm可減少來自于發(fā)光層30的光發(fā)生全反射的 機率，以增加出光效率。第二表面222、第三表面221以及第四表面42在相同的時間，以相 同的制作工藝施行在第一表面21以及第五表面41上部分的區(qū)域，其中制作工藝包含濕蝕 亥丨J、干蝕刻或兩者混用，使第四表面42的平均粗糙度（Ra)或第三表面221的平均粗糙度 (Ra)與第二表面222的平均粗糙度（Ra)之間的差異小于50nm。因此，第二表面222或第 三表面221相對于第一表面21的深度與第四表面42相對于第五表面41的深度相同。第 二表面222或第三表面221相對于第一表面21的深度介于2000人?ΙΟΟΟΟΑ的范圍之間， 較佳地是介于4000A?7000A的范圍之間；第四表面42相對于第五表面41的深度也介于 2000A?10000A的范圍之間，較佳地是介于4000A?7000A的范圍之間。
[0034] 第一電極23形成在第三表面221上與第一型態(tài)半導(dǎo)體層20歐姆接觸。第二電極 43形成在第四表面42上與第二型態(tài)半導(dǎo)體層40歐姆接觸。第一電極23與第二電極43用 于從外部傳導(dǎo)一電流流經(jīng)第一型態(tài)半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30以及第二型態(tài)半導(dǎo)體層40。第 一電極 23 與第二電極 43 包含金屬材料，例如 Cu、Al、In、Sn、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Ni、Pb、Pd、 Ge、Cr、Cd、Co、Μη、Sb、Bi、Ga、Tl、Po、Ir、Re、Rh、0s、W、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zr、Mo 或 La，或是金屬合金，例如 Ag-Ti、Cu-Sn、Cu-Zn、Cu_Cd、Sn-Pb-Sb、Sn-Pb-Zn、Ni-Sn、Ni_Co、 Au 合金、或 Ge-Au-Ni。
[0035] 第二表面222圍繞著第一部分201，且位于發(fā)光二極管的邊緣。第二表面222的寬 度介于5 μ m?15 μ m的范圍之間，較佳地是10 μ m。因為第二表面222的平均粗糙度（Ra) 介于10nm?100nm的范圍之間，較佳地是小于50nm，激光束可以穿透第二表面222以聚焦 在透明基板10的內(nèi)部。
[0036] 位于底面102的反射層50可反射來自于發(fā)光層30的光以提升出光效率。反射層 50包含一金屬層、布拉格反射鏡（DBR)或其組合。反射層50對于激光束的反射率大于70%， 其中激光束的波長位于 350nm ?500nm、350nm ?800nm、350nm ?1200nm、500nm ?lOOOnrn、 700nm?1200nm或350nm?1500nm的范圍之間。
[0037] 第二實施例
[0038] 圖2A及2B是根據(jù)本發(fā)明一實施例揭示一晶片裝置2。圖2A顯示一晶片裝置2具 有一透明基板10以及多個單元1位于透明基板10上。任兩個單元1被一第二表面222隔 開。沿著第二表面222劈裂晶片裝置2可制成多個發(fā)光二極管。
[0039] 圖2B顯示在圖2A中沿虛線BB'的剖面視圖。透明基板10具有一上表面101以 及一底面102。透明基板10的材料包含透明材料，例如藍(lán)寶石（Al 203)、GaN、SiC、AlN、Zn0、 MgO、Si02、B203或BaO,因此透明基板10可被激光束穿透聚焦在其內(nèi)部。破壞區(qū)域1031形 成在透明基板10的內(nèi)部，與上表面101以及底面102之間有一段距離。激光束的波長區(qū)間 包含 350nm ?500nm、350nm ?800nm、350nm ?1200nm、500nm ?1000nm、700nm ?1200nm 或 350nm ?1500nm。
[0040] 第一型態(tài)半導(dǎo)體層20形成在上表面101上，上表面101具有多個第一部分201以 及多個第二部分202。在每一個第一部分201上都形成一發(fā)光層30, 一第二型態(tài)半導(dǎo)體層 40形成在發(fā)光層30上。當(dāng)?shù)谝恍蛻B(tài)半導(dǎo)體層20為p型半導(dǎo)體材料時，第二型態(tài)半導(dǎo)體層 40可為η型半導(dǎo)體材料。反之，當(dāng)?shù)谝恍蛻B(tài)半導(dǎo)體層20為η型半導(dǎo)體材料時，第二型態(tài)半 導(dǎo)體層40可為ρ型半導(dǎo)體材料。發(fā)光層30可為本質(zhì)半導(dǎo)體材料、ρ型半導(dǎo)體材料或η型 半導(dǎo)體材料。當(dāng)一電流流經(jīng)第一型態(tài)半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30以及第二型態(tài)半導(dǎo)體層40時， 發(fā)光層30可發(fā)射出一光線。當(dāng)發(fā)光層30為Al^GaJrVtbP所組成時，發(fā)光層30可發(fā)出紅色 光、橘色光或黃色光。當(dāng)發(fā)光層30為Al eGadIni_e_dN所組成時，發(fā)光層30可發(fā)出藍(lán)色光或綠 色光。
[0041] 每一個第一型態(tài)半導(dǎo)體層20的第二部分202包含一第一表面21、一第二表面222 以及一第三表面221。第二型態(tài)半導(dǎo)體層40包含一第五表面41以及一第四表面42。第 一表面21的平均粗糙度（Ra)以及第五表面41的平均粗糙度（Ra)大于100nm。第二表面 222的平均粗糙度（Ra)、第三表面221的平均粗糙度（Ra)以及第四表面42的平均粗糙度 (Ra)都介于10?100nm的范圍之間，較佳地是小于50nm。其中，第二表面222以及第三表 面221比第一表面21平坦，第四表面42比第五表面41平坦。第一表面21的平均粗糙度 (Ra)以及第五表面41的平均粗糙度（Ra)大于100nm可減少來自于發(fā)光層30的光發(fā)生全 反射的機率，以增加出光效率。第二表面222、第三表面221以及第四表面42在相同的時 間，以相同的制作工藝施行在第一表面21以及第五表面41上部分的區(qū)域，其中制作工藝包 含濕蝕刻或干蝕刻，使第四表面42的平均粗糙度（Ra)或第三表面221的平均粗糙度（Ra) 與第二表面222的平均粗糙度（Ra)之間的差異小于50nm。因此，第二表面222或第三表 面221相對于第一表面21的深度與第四表面42相對于第五表面41的深度相同。第二表 面222或第三表面221相對于第一表面21的深度介于2000A?10000A的范圍之間，較 佳地是介于4000A?7000A的范圍之間；第四表面42相對于第五表面41的深度也介于 2000A?10000A的范圍之間，較佳地是介于4000A?7000A的范圍之間。
[0042] 第一電極23形成在第三表面221上與第一型態(tài)半導(dǎo)體層20歐姆接觸。第二電極 43形成在第四表面42上與第二型態(tài)半導(dǎo)體層40歐姆接觸。第一電極23與第二電極43用 于從外部傳導(dǎo)一電流流經(jīng)第一型態(tài)半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30以及第二型態(tài)半導(dǎo)體層40。第 一電極 23 與第二電極 43 包含金屬材料，例如 Cu、Al、In、Sn、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Ni、Pb、Pd、 Ge、Cr、Cd、Co、Μη、Sb、Bi、Ga、Tl、Po、Ir、Re、Rh、0s、W、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zr、Mo 或 La，或是金屬合金，例如 Ag-Ti、Cu-Sn、Cu-Zn、Cu-Cd、Sn-Pb-Sb、Sn-Pb-Zn、Ni-Sn、Ni_Co、 Au合金、或Ge-Au-Ni。因為第二表面222的平均粗糙度（Ra)介于lOnm?lOOnm的范圍之 間，較佳地是小于50mn，激光束可以穿透第二表面222以聚焦在透明基板10中位于上表面 101下方的內(nèi)部區(qū)域。因為第一表面21的平均粗糙度（Ra)大于lOOnm，激光束通過第一表 面21時會散射而無法聚焦在透明基板10中位于上表面101下方的內(nèi)部區(qū)域。因此，激光 束可以穿透第二表面222以聚焦在透明基板10的內(nèi)部形成多個破壞區(qū)域1031。
[0043] -反射層50形成在透明基板10的底面102。位于底面102的反射層50可反射 來自于發(fā)光層30的光以提升出光效率。反射層50包含一金屬層、布拉格反射鏡（DBR)或 其組合。反射層50對于激光束的反射率大于70%，其中激光束的波長位于350nm?500nm、 350nm ?800nm、350nm ?1200nm、500nm ?1000nm、700nm ?1200nm 或 350nm ?1500nm 的 范圍之間。
[0044] 第三實施例
[0045] 圖3A至3G是顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的制造發(fā)光二極管的方法。如圖3A所示 的第一步驟，提供一透明基板10。透明基板10具有一上表面101以及一底面102。透明基 板10的材料包含透明材料，例如藍(lán)寶石（Al 203)、GaN、SiC、AlN、Zn0、Mg0、Si02、B20 3 *Ba0， 因此透明基板10可被激光束穿透聚焦在其內(nèi)部。
[0046] 如圖3B所示的步驟，依序形成一第一型態(tài)半導(dǎo)體層20、一發(fā)光層30以及一第二 型態(tài)半導(dǎo)體層40。第二型態(tài)半導(dǎo)體層40包含一第五表面41，且第五表面41的平均粗糙度 (Ra)大于100nm。當(dāng)?shù)谝恍蛻B(tài)半導(dǎo)體層20為p型半導(dǎo)體材料時，第二型態(tài)半導(dǎo)體層40可 為η型半導(dǎo)體材料。反之，當(dāng)?shù)谝恍蛻B(tài)半導(dǎo)體層20為η型半導(dǎo)體材料時，第二型態(tài)半導(dǎo)體 層40可為ρ型半導(dǎo)體材料。發(fā)光層30可為本質(zhì)半導(dǎo)體材料、ρ型半導(dǎo)體材料或η型半導(dǎo) 體材料。當(dāng)一電流流經(jīng)第一型態(tài)半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30以及第二型態(tài)半導(dǎo)體層40時，發(fā)光 層30可發(fā)射出一光線。當(dāng)發(fā)光層30為Al^Gablrih+P所組成時，發(fā)光層30可發(fā)出紅色光、 橘色光或黃色光。當(dāng)發(fā)光層30為Al eGadIni_e_dN所組成時，發(fā)光層30可發(fā)出藍(lán)色光或綠色 光。
[0047] 如圖3C所示的步驟，圖形化蝕刻第二型態(tài)半導(dǎo)體層40、發(fā)光層30以及第一型態(tài)半 導(dǎo)體層20,以露出位于第一型態(tài)半導(dǎo)體層20上的一第一表面21，其中圖形化蝕刻是以干蝕 刻或濕蝕刻來施行。第一表面21的平均粗糙度（Ra)系大于100nm。
[0048] 如圖3D所示的步驟，對第一表面21以及第五表面41施以干蝕刻或濕蝕刻的制作 工藝，用以形成多個第四表面42、多個第二表面222以及多個第三表面221。對第一表面21 以及第五表面41施以的步驟包含，形成一圖形化光致抗蝕劑在第一表面21以及第五表面 41上，蝕刻第一表面21以及第五表面41未被圖形化光致抗蝕劑所覆蓋的區(qū)域，以及移除圖 形化光致抗蝕劑。蝕刻第一表面21以及第五表面41的方法包含干蝕刻或濕蝕刻。每一個 第二表面222或第三表面221相對于第一表面21的深度介于2000A?10000A的范圍之 間，較佳地是介于4000A?7000A的范圍之間；第四表面42相對于第五表面41的深度也 介于2000A?10000A的范圍之間，較佳地是介于4000A?7000A的范圍之間。每一個第 二表面222、第三表面221以及第四表面42的平均粗糙度（Ra)介于10?100nm的范圍之 間，較佳地是小于50nm。第二表面222可用于定義多個單元1。
[0049] 如圖3E所示的步驟，在每一個第四表面42上形成一第二電極43,以及在每一個第 三表面221上形成一第一電極23,接著在底面102上形成一反射層50。反射層50包含一 金屬層、布拉格反射鏡（DBR)或其組合，且具有大于70%的反射率。反射層50的厚度小于 5 μ m，且較佳地是介于2 μ m?3 μ m的范圍之間。在形成反射層50在底面102之前，透明基 板10的厚度會以研磨的方式減薄至90?150 μ m的范圍之間，研磨的方法包含化學(xué)機械研 磨（CMP)。多個第一電極23以及第二電極43用于從外部傳導(dǎo)一電流流經(jīng)第一型態(tài)半導(dǎo)體 層20、發(fā)光層30以及第二型態(tài)半導(dǎo)體層40。第一電極23與第二電極43包含金屬材料，例 如 Cu、Al、In、Sn、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Ni、Pb、Pd、Ge、Cr、Cd、Co、Mn、Sb、Bi、Ga、Tl、Po、Ir、 Re、Rh、Os、W、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zr、Mo 或 La，或是金屬合金，例如 Ag-Ti、Cu-Sn、 Cu-Zn、Cu-Cd、Sn-Pb-Sb、Sn-Pb-Zn、Ni_Sn、Ni_Co、Au 合金、或 Ge-Au-Ni。
[0050] 如圖3F所示的步驟，提供一激光束8,在透明基板10內(nèi)、第二表面222下方形成多 個破壞區(qū)域1031。激光束8的波長位于350nm?500nm、350nm?800nm、350nm?1200nm、 500nm?1000nm、700nm?1200nm或350nm?1500nm的范圍之間。由于第二表面222的 平均粗糙度（Ra)介于10?100nm的范圍之間，較佳地是小于50nm，激光束8可以穿透第 二表面222以聚焦在透明基板10的內(nèi)部，切割透明基板10而不會損傷第一型態(tài)半導(dǎo)體層 20。由于第一表面21的平均粗糙度（Ra)大于100nm，激光束通過第一表面21時會散射而 無法聚焦在透明基板10中位于上表面101下方的內(nèi)部區(qū)域。
[0051] 如圖3G所示的步驟，提供一切刀9沿著第二表面222、穿過透明基板10中位于第 二表面222下的多個破壞區(qū)域1031，劈裂第一型態(tài)半導(dǎo)體層20、透明基板10以及反射層 50。于是多個單元1可被分離以形成多個發(fā)光二極管。
[0052] 第四實施例
[0053] 圖4為依本發(fā)明另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。一球泡燈600包括一燈罩602、一透鏡 604、一發(fā)光模塊610、一燈座612、一散熱片614、一連接部616以及一電連接兀件618。發(fā) 光模塊610包含一承載部606,以及多個前述實施例中的半導(dǎo)體晶片608在承載部606上。
[0054] 本發(fā)明所列舉的各實施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何 人對本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更都不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一發(fā)光二極管，包含： 基板，該基板包含一上表面、一底面相對于該上表面以及一側(cè)表面； 第一型態(tài)半導(dǎo)體層，位于該上表面上，其中該第一型態(tài)半導(dǎo)體層包含第一部分以及第 二部分，且該第二部分包含一邊緣圍繞該第一部分； 發(fā)光層，在該第一部分上；以及 第二型態(tài)半導(dǎo)體層，在該發(fā)光層上， 其中，該第二部分包含第一表面以及第二表面，在該第一表面以及該上表面之間具有 第一距離，在該第二表面以及該上表面之間具有第二距離小于該第一距離， 其中，該第一表面比該第二表面粗糙，且該第二表面位于該邊緣。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該基板包含透明基板。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該第二表面的寬度介于5?15 μ m之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該第一距離比該第二距離大 2000A?10000A。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該第一表面包含第一平均粗糙度（Ra)大于 lOOnm，及/或該第二表面包含第二平均粗糙度（Ra)介于10?lOOnm之間。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包含反射層在該底面上。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包含破壞區(qū)域，位于該側(cè)表面上，且與該上表面 及該底面之間具有一距離。
8. -種制造發(fā)光二極管的方法，包含： 提供一基板； 提供一半導(dǎo)體疊層在該基板上，其中該半導(dǎo)體疊層包含一第一表面相對于該基板； 處理該第一表面以形成一第二表面，其中該第二表面比該第一表面平坦；以及 提供一激光束穿透過該第二表面以切割該基板。
9. 如權(quán)利要求8所述的制造發(fā)光二極管的方法，其中該激光束形成一破壞區(qū)域在該基 板中，位于該第二表面之下。
10. 如權(quán)利要求8的制造發(fā)光二極管的方法，其中該激光束通過該第一表面時會散射。
【文檔編號】H01L21/78GK104103726SQ201410138137
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月8日
【發(fā)明者】紀(jì)喨勝, 陳佩佳, 陳之皓 申請人:晶元光電股份有限公司