Oled陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，主要內(nèi)容為：該OLED陣列基板包含有多個OLED像素單元，且任一OLED像素單元包括：第一電極，第二電極，以及位于第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；其中，第一電極包括：位于底層的金屬單質(zhì)膜層、位于金屬單質(zhì)膜層之上的合金膜層、以及位于合金膜層之上的ITO膜層，合金膜層為金屬單質(zhì)與汞以設(shè)定質(zhì)量比例混合而成的合金所形成的膜層。從而，避免了硫化銀的產(chǎn)生，保證了較好的反射率和導(dǎo)電率；降低了整個反射層的ITO發(fā)生霉變的情況。
【專利說明】OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯
示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機發(fā)光(OLED, Organic Light-Emitting Diode)顯示技術(shù)中，如圖1所示，為傳統(tǒng)的頂發(fā)射結(jié)構(gòu)中的反射層結(jié)構(gòu)。由圖1可知，反射層由上至下依次包括第一 ITO層101、金屬層102、第二 ITO層103，所述第一 ITO層101使用材料為氧化銦錫(ΙΤ0，IndiumTin Oxides),所述金屬層102使用材料為金屬單質(zhì)銀(Ag)、所述第二 ITO層103使用材料為氧化銦錫(ΙΤ0，Indium Tin Oxides)，三層膜層結(jié)構(gòu)共同作為反射層。其中，位于最上層的第一 ITO層101的厚度為100?250A，而且具有導(dǎo)電性好、透明度高、功函數(shù)高等優(yōu)點，被用作像素電極的陽極，可有效提高顯示效率。位于中間層的金屬層102的厚度為1000?1500A,由于金屬單質(zhì)銀(Ag)具有優(yōu)良的反射率和延展性，因此，在該反射層中起到反射和導(dǎo)電的作用。位于最下層的第二 ITO層103的厚度為100?250A，用于隔離下方的平坦化層104和上方的金屬層102，避免金屬層102與平坦化層104或者有源層105接觸，防止金屬層102發(fā)生形變或被氧化。
[0003]然而，在圖1的反射層結(jié)構(gòu)中，第一 ITO層101和第二 ITO層103的材料ITO能夠吸收空氣中的水汽和二氧化碳，而導(dǎo)致ITO發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，影響第一 ITO層101和第二 ITO層103的透明性和導(dǎo)電性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供一種OLED陣列基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，用以改善現(xiàn)有技術(shù)中存在的反射層成本較大以及兩層ITO膜層易發(fā)生霉變的問題。
[0005]本發(fā)明實施例采用以下技術(shù)方案:
[0006]一種OLED陣列基板，包含有多個OLED像素單元，且任一 OLED像素單元包括:第一電極，第二電極，以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)層；其中，所述第一電極包括:位于底層的金屬單質(zhì)膜層、位于金屬單質(zhì)膜層之上的合金膜層、以及位于合金膜層之上的ITO膜層，所述合金膜層為所述金屬單質(zhì)與汞以設(shè)定質(zhì)量比例混合而成的合金所形成的膜層。
[0007]一種顯示面板，包括所述的OLED陣列基板。
[0008]一種顯示裝置,包括所述的顯示面板。
[0009]一種OLED陣列基板的制備方法，包括:提供一襯底基板；在所述襯底基板之上形成TFT陣列，其中，所述第一電極比所述第二電極更靠近所述襯底基板；在所述TFT陣列之上形成多個OLED像素單元，包括:通過三次沉積形成第一電極，在所述第一電極之上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層之上形成第二電極；其中，通過三次沉積形成第一電極，具體包括:在所述TFT陣列之上利用第一次沉積形成金屬單質(zhì)膜層，在所述金屬單質(zhì)膜層之上利用第二次沉積形成合金膜層，在所述合金膜層之上利用第三次沉積形成ITO膜層。
[0010]在本發(fā)明實施例中，通過利用錫汞齊較高的反射率和較好的導(dǎo)電率，將其替代現(xiàn)有技術(shù)中反射層的金屬單質(zhì)銀，避免了硫化銀的產(chǎn)生；由于避免了最下層使用ΙΤ0，降低了整個反射層的ITO發(fā)生霉變的情況；同時，錫汞齊形成的合金膜層和單質(zhì)錫形成的金屬單質(zhì)膜層的整體厚度較小。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的反射層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明實施例中的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3為本發(fā)明實施例中的OLED陣列基板的制備方法的步驟流程圖；
[0015]圖4 Ca)為本發(fā)明實施例中的作為反射層的第一電極形成初期的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖4 (b)為本發(fā)明實施例中的第一電極形成后期的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0018]在現(xiàn)有的OLED顯示【技術(shù)領(lǐng)域】中，可以根據(jù)出射光的方向分為底發(fā)射和頂發(fā)射兩種類型。本發(fā)明實施例中涉及的方案均是頂發(fā)射結(jié)構(gòu)，而頂發(fā)射結(jié)構(gòu)必須滿足:第一電極采用反射率很高的導(dǎo)電材料，第二電極采用具有一定透過率的導(dǎo)電材料，第一電極與第二電極之間存在發(fā)光結(jié)構(gòu)層。
[0019]需要說明的是，為了便于描述，在本發(fā)明實施例中，所涉及到的第一電極中的金屬單質(zhì)均以金屬單質(zhì)錫(Sn)作為可選方案對本發(fā)明進行詳細(xì)描述，然而，本發(fā)明包括但并不限于以下實施例。
[0020]如圖2所示，為本發(fā)明實施例中提供的一種OLED陣列基板，所述OLED陣列基板包含:基板201、位于基板201之上的TFT陣列202，多個OLED像素單元203，且任一 OLED像素單元203包括:
[0021 ] 第一電極2031，第二電極2032，以及位于所述第一電極2031與所述第二電極2032之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)層2033，其中，所述第一電極2031比第二電極2032更靠近所述基板201。
[0022]在本發(fā)明實施例中，所述第一電極2031包括:位于底層的金屬單質(zhì)膜層2031a、位于金屬單質(zhì)膜層之上的合金膜層2031b、以及位于合金膜層之上的ITO膜層2031c,所述合金膜層2031b為所述金屬單質(zhì)與汞以設(shè)定質(zhì)量比例混合而成的合金所形成的膜層。
[0023]可選地，所述金屬單質(zhì)為錫、銀、鈦、釩、鋁、鋅、錫、銅、金或鉬中的任意一種。
[0024]在本發(fā)明實施例中，由于所涉及的陣列基板的結(jié)構(gòu)為頂發(fā)射結(jié)構(gòu)，因此，對第一電極的反射率要求較高，一般在88%?93%之間?？紤]到古老的鏡子的成像原理是:將錫箔貼附于玻璃表面，并通過倒入汞使兩者進行化學(xué)反應(yīng)形成錫汞齊，由于錫汞齊與玻璃的粘附性較強，而且其自身的反射率較好，因此可以成像。所謂汞齊，是汞與一種或幾種其他金屬所形成的合金，汞有一種獨特的性質(zhì)，它可以溶解多種金屬(如金、銀、鉀、鈉、鋅等)，溶解以后便組成了汞和這些金屬的合金。汞齊可以兩種狀態(tài)存在，含汞少時是固體，含汞多時是液體。
[0025]由于汞齊的穩(wěn)定性和導(dǎo)電性較好，反射率較高，因此，可以將現(xiàn)有技術(shù)中作為反射層的第一電極的金屬層102置換成汞齊，用于起到反射和導(dǎo)通的作用。
[0026]考慮到將金屬層102置換成合金膜層2031b (即汞齊)后，當(dāng)汞齊中汞的含量較高時，由于汞為液體，具有較強的內(nèi)聚力，會造成與平坦化層的粘附性不佳，因此，為了避免這一問題的發(fā)生，可以在平坦化層之上形成一金屬單質(zhì)膜層2031a，然后在該金屬單質(zhì)膜層2031a之上形成合金膜層2031b。所述合金膜層2031b為所述金屬單質(zhì)與汞以設(shè)定質(zhì)量比例混合而成的合金所形成的膜層。其中，所述金屬單質(zhì)膜層2031a和所述合金膜層2031b所選用的金屬單質(zhì)均可以為錫、銀、鈦、釩、鋁、鋅、錫、銅、金或鉬中的任意一種。
[0027]可選地，所述金屬單質(zhì)膜層2031a所選用的金屬單質(zhì)可以為錫，所述金屬單質(zhì)膜
層2031a的厚度可以為25 A?250 A。
[0028]現(xiàn)有技術(shù)中，第二 ITO層103與平坦化層之所以可以很好的粘附在一起，是因為第二 ITO層103中的ITO是SnO2 (氧化錫)和In2O3 (氧化銦)的混合物，其表面的Sn原子的濃度會比ITO內(nèi)部的Sn原子的濃度高，而Sn原子可以保證與平坦化層粘附在一起。因此，為了保證合金膜層2031b能夠置換金屬層102，且與下面的平坦化層很好的粘附，可以在平
坦化層之上、合金膜層2031b之下，形成一厚度在25 A?250人.之間的錫膜層，作為金屬單
質(zhì)月旲層2031a。
[0029]可選地，所述合金膜層2031b可以是錫汞齊形成的膜層，其中，該合金膜層2031b的厚度為150 A?300 金屬單質(zhì)錫與汞的質(zhì)量比例范圍為1.2:1?ιοο:ι。
[0030]為了進一步實現(xiàn)膜層之間能夠更好的粘附的目的，在本發(fā)明實施例中，可以使金屬單質(zhì)膜層2031a和合金膜層2031b選用同一種金屬單質(zhì)，例如，本發(fā)明實施例中所重點強調(diào)的金屬單質(zhì)錫。由于錫汞齊能夠與玻璃很好的粘附在一起，因此，選用錫汞齊作為合金膜層2031b，一般而言，錫汞齊中錫與汞的質(zhì)量比例可以根據(jù)實際需求進行選取，可選質(zhì)量比例范圍為1.2:1?100:1 ;但是，考慮到ITO玻璃的表面特性(表面Sn原子濃度較高)，在實際制備過程中，可選取錫含量較高的錫汞齊作為合金膜層2031b，以便于與該合金膜層2031b之上的ITO膜層2031c牢固的粘附在一起。
[0031]而且，在現(xiàn)有技術(shù)的反射層結(jié)構(gòu)中，電流的流經(jīng)方向是ITO-Ag-1TO，其水平方向電流非常小，可以忽略不計，只考慮垂直方向的電阻大小。另外，由于錫汞齊的電阻率大于銀的電阻率，那么，為了保證由錫汞齊形成的合金膜層2031b的電阻與金屬單質(zhì)銀形成的膜
層的電阻相等(可參考電阻公式〃 =f O，必須減小由錫汞齊形成的合金膜層2031b的厚
度，一般地，結(jié)合所述電阻公式可估計得到，合金膜層的厚度為150 A?300 A。
[0032]此外，由于金屬單質(zhì)錫的延展性非常好，無論是作為金屬單質(zhì)膜層2031a，還是與汞混合形成合金膜層2031b，都可以較好的體現(xiàn)錫的延展性，有效避免由于金屬單質(zhì)膜層2031a與合金膜層2031b的厚度均較小而產(chǎn)生的膜層斷裂現(xiàn)象。
[0033]在本發(fā)明實施例中，通過利用錫汞齊較高的反射率和較好的導(dǎo)電率，將其替代現(xiàn)有技術(shù)中反射層的金屬單質(zhì)銀，杜絕了銀刻蝕不良的問題，同時，不會產(chǎn)生Ag2S(硫化銀)，避免了反射率和導(dǎo)電率降低的可能；考慮到與下層的平坦化層、上層的ITO膜層能夠很好的粘附，在平坦化層與錫汞齊形成的膜層之間形成錫膜層作為金屬單質(zhì)層；由于ITO玻璃的功函數(shù)較高，一般作為陽極，而且，具有很高的透明度，因此，暫且保留，雖然仍存在ITO發(fā)生霉變的可能，但是，畢竟避免了之前最下層的ITO發(fā)生霉變，降低了整個反射層的ITO發(fā)生霉變的情況；
[0034]基于與實施例中OLED陣列基板相同的構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種OLED陣列基板的制備方法。
[0035]結(jié)合圖3所示，為本發(fā)明實施例中提供的OLED陣列基板的制備方法，具體包括以下步驟:
[0036]步驟301:提供一襯底基板。
[0037]所述襯底基板可以為剛性基板，也可以為柔性基板,本發(fā)明并不對襯底基板的材質(zhì)作具體限定。
[0038]步驟302:在所述襯底基板之上形成TFT陣列。
[0039]在步驟301之后，在所述襯底基板上形成薄膜晶體管陣列基板，即TFT陣列。其中，所述TFT陣列包括:有源層，柵極，柵極絕緣層，源、漏極，鈍化層等結(jié)構(gòu)，上述結(jié)構(gòu)按照現(xiàn)有技術(shù)中的膜層結(jié)構(gòu)工藝技術(shù)(沉積、光刻等工藝)依次形成，可以為頂柵結(jié)構(gòu)，也可以為底柵結(jié)構(gòu)。
[0040]步驟303:在所述TFT陣列之上形成多個OLED像素單元。具體包括以下三步:
[0041]第一步:通過三次沉積形成第一電極。具體包括:在所述TFT陣列之上利用第一次沉積形成金屬單質(zhì)膜層，在所述金屬單質(zhì)膜層之上利用第二次沉積形成合金膜層，在所述合金膜層之上利用第三次沉積形成ITO膜層。
[0042]在本發(fā)明實施例的第一步中，需要利用三次沉積工藝形成第一電極。在顯示器件工藝領(lǐng)域，沉積工藝可以分為物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)工藝和化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)工藝,而考慮到操作材料為金屬單質(zhì)和萊齊，則一般選取PVD工藝。
[0043]其中，PVD工藝的原理為:利用帶有電荷的離子在電場中加速后具有一定動能的特點，將離子引向靶電極，在離子能量合適的情況下，離子在與靶電極表面的離子碰撞的過程中將靶電極中的離子濺射出來，這些被濺射出來的離子具有一定的動能，并且會沿著一定的方向射向襯底，即基板，從而沉積形成薄膜。具體地，在本發(fā)明實施例中，以金屬單質(zhì)錫為例，利用PVD工藝形成第一電極的過程為:
[0044]首先，在所述TFT陣列之上，以金屬單質(zhì)錫作為靶電極，利用第一次PVD沉積工藝形成錫金屬單質(zhì)膜層；
[0045]然后，在錫金屬單質(zhì)膜層之上，以錫汞齊合金作為靶電極，利用第二次PVD沉積工藝形成錫汞齊合金膜層；
[0046]最后，在錫汞齊合金膜層之上，以ITO作為靶電極，利用第三次PVD沉積工藝形成ITO膜層。
[0047]需要說明的是，在形成第一電極的過程中，由于錫汞齊的特殊性，其中的汞原子會隨著時間的推進，依賴濃度擴散原理逐漸將錫金屬單質(zhì)膜層進行溶解，使其變?yōu)殄a汞齊合金，同時，這決定于汞在錫汞齊中的含量，其中，汞的質(zhì)量比例越大，錫金屬單質(zhì)膜層被溶解的速度越快，在汞含量達到一定程度的時候，錫金屬單質(zhì)膜層可能會被很快就完全溶解，成為錫汞齊合金。
[0048]如圖4 Ca)和圖4 (b)所示，分別為本發(fā)明實施例中的作為反射層的第一電極形成初期的結(jié)構(gòu)示意圖，以及本發(fā)明實施例中的第一電極形成后期的結(jié)構(gòu)示意圖，由圖4 (a)可知，第一電極形成初期為三層膜層結(jié)構(gòu)=ITO膜層-錫汞齊合金膜層-錫膜層，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的反射層而言(如圖1所示)，厚度明顯較??；由圖4 (b)可知，在經(jīng)過一段時間后，由于汞的濃度擴散原理，第一電極形成后期為兩層膜層結(jié)構(gòu)=ITO膜層-錫汞齊合金膜層。
[0049]可選地，在錫汞齊合金膜層之上利用第三次PVD沉積工藝形成ITO膜層之后，還需要對形成的第一電極進行刻蝕操作，形成第一電極圖案，具體包括兩次刻蝕；
[0050]第一次刻蝕，利用濕刻工藝對所述ITO膜層進行刻蝕:通過現(xiàn)有技術(shù)中的濕刻工藝，在35°C?55°C范圍內(nèi)，利用濃度為3%?6%的乙酸(H00C-C00H),對第一電極表面的ITO膜層進行刻蝕。
[0051]第二次刻蝕，利用設(shè)定質(zhì)量比例的混合溶液對所述合金膜層和金屬單質(zhì)膜層進行刻蝕:通過現(xiàn)有技術(shù)中的濕刻工藝，在35°C?55°C范圍內(nèi)，利用設(shè)定質(zhì)量比例的混合溶液，對經(jīng)過第一次刻蝕之后，暴露出的合金膜層和金屬單質(zhì)膜層進行刻蝕；其中，所述設(shè)定質(zhì)量比例的混合溶液包括:質(zhì)量比例為3%?7%的硝酸、質(zhì)量比例為45%?60%的磷酸或硫酸、質(zhì)量比例為15%?25%的乙酸和質(zhì)量比例為0.5%?7%的添加劑。
[0052]在經(jīng)過上述兩次刻蝕之后，形成第一電極圖案。
[0053]然而，在確定所形成的的第一電極圖案沒有偏差之后，還需要對形成第一電極圖案的陣列基板進行退火工藝，所述退火工藝的溫度為180°C?230°C，時間為30min?45min。這樣做的目的是:通過對刻蝕后的金屬加熱，隨著加熱溫度的升高，金屬內(nèi)部的原子活動能力急劇增大，通過原子的熱運動，使金屬內(nèi)部組織發(fā)生變化，消除了內(nèi)應(yīng)力，降低了強度，提高了塑性，使其能夠承受冷加工變形。
[0054]考慮到錫的熔點為232°C，錫汞齊的熔點與錫的含量有一定的關(guān)系，因此，建議選用低溫退火，一般為180°C?230°C。另外，由于汞為液體，在退火過程中，會有一定的蒸發(fā)，因此，選用功函數(shù)高、致密性好且熔點高的ITO作為第一電極的表面膜層，用于阻隔汞蒸發(fā)到反射層之外，從而，起到保護內(nèi)部結(jié)構(gòu)的作用。
[0055]第二步:在所述第一電極之上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層。
[0056]在本發(fā)明實施例中，利用蒸鍍工藝在第一電極之上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層，具體地，依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。由于發(fā)光結(jié)構(gòu)層屬于微腔結(jié)構(gòu)，其各層結(jié)構(gòu)的具體厚度需要根據(jù)微腔的腔長來決定，因而，在此不做具體限定。
[0057]第三步:在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層之上形成第二電極，其中，所述第一電極比第二電極更靠近所述基板。
[0058]最后，利用沉積工藝在發(fā)光結(jié)構(gòu)層之上形成第二電極，由于光要從第二電極側(cè)出射，則所述第二電極的材料一般選用透明度較高的導(dǎo)電材料。[0059]基于本發(fā)明實施例提供的OLED陣列基板，本發(fā)明實施例還提出了一種顯示面板。所述顯示面板包括實施例中所述的OLED陣列基板，此外，還包括現(xiàn)有技術(shù)中的與OLED陣列基板相對設(shè)置的封裝蓋板等。
[0060]另外，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括實施例中所述的顯示面板以及其他現(xiàn)有技術(shù)中的顯示器件單元，例如驅(qū)動模組、偏光片等。
[0061]盡管已描述了本發(fā)明的可選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括可選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0062]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED陣列基板，包含有多個OLED像素單元，其中所述OLED像素單元包括:第一電極，第二電極，以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)層； 其中，所述第一電極包括:位于底層的金屬單質(zhì)膜層、位于金屬單質(zhì)膜層之上的合金膜層、以及位于合金膜層之上的ITO膜層，所述合金膜層為所述金屬單質(zhì)與汞以設(shè)定質(zhì)量比例混合而成的合金所形成的膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，還包括: 襯底基板； 位于所述襯底基板之上的TFT陣列； 其中，所述第一電極比所述第二電極更靠近所述襯底基板。
3.如權(quán)利要求2所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述合金膜層中，金屬單質(zhì)與汞的質(zhì)量比例范圍為1.2:1?100:1。
4.如權(quán)利要求3所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述金屬單質(zhì)膜層的厚度為25 A?250 A,所述合金膜層的厚度為150 A-300 A,所述ITO膜層的厚度為100 A?300 A。
5.如權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述金屬單質(zhì)為錫、銀、鈦、釩、鋁、鋅、錫、銅、金或鉬中的任意一種。
6.—種顯不面板,包括如權(quán)利要求1?5任一項所述的OLED陣列基板。
7.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求6所述的顯示面板。
8.—種OLED陣列基板的制備方法，包括: 提供一襯底基板； 在所述襯底基板之上形成TFT陣列，其中，所述第一電極比所述第二電極更靠近所述襯底基板； 在所述TFT陣列之上形成多個OLED像素單元，包括:通過三次沉積形成第一電極，在所述第一電極之上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層之上形成第二電極； 其中，通過三次沉積形成第一電極，具體包括:在所述TFT陣列之上利用第一次沉積形成金屬單質(zhì)膜層，在所述金屬單質(zhì)膜層之上利用第二次沉積形成合金膜層，在所述合金膜層之上利用第三次沉積形成ITO膜層。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述合金膜層之上利用第三次沉積形成ITO膜層之后，還包括: 利用濕刻工藝對所述ITO膜層進行刻蝕； 利用設(shè)定質(zhì)量比例的混合溶液對所述合金膜層和金屬單質(zhì)膜層進行刻蝕； 形成第一電極圖案。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在形成第一電極圖案之后，還包括: 對形成第一電極圖案的陣列基板進行退火工藝，所述退火工藝的溫度為180°C?230。。。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定質(zhì)量比例的混合溶液包括:質(zhì)量比例為3%?7%的硝酸、質(zhì)量比例為45%?60%的磷酸或硫酸、質(zhì)量比例為15%?25%的乙酸和質(zhì)量比例為0.5%?7%的添加劑。
【文檔編號】H01L27/32GK103915453SQ201410130815
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月2日
【發(fā)明者】劉海, 蔣卡恩, 姚紅莉, 劉剛, 姚宇環(huán) 申請人:上海天馬有機發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司