電子部件的制造裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種電子部件的制造裝置。其中，第1對準(zhǔn)標(biāo)記提供給基板，第2對準(zhǔn)標(biāo)記提供給掩膜。掩膜在基板上形成電子電路圖案。控制單元基于第1和第2對準(zhǔn)標(biāo)記來進(jìn)行掩膜與基板的位置對準(zhǔn)。第2對準(zhǔn)標(biāo)記形成為包圍第1對準(zhǔn)標(biāo)記。第2對準(zhǔn)標(biāo)記在其內(nèi)具有臺階圖案。
【專利說明】電子部件的制造裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子部件的制造裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在表面安裝型電感的制造過程中，在充當(dāng)基板的晶片上形成的光刻膠通過形成有線圈圖案的掩膜而曝光，從而線圈圖案形成在基板上。被稱為“對準(zhǔn)標(biāo)記”的標(biāo)記分別賦給基板和掩膜，并進(jìn)行對準(zhǔn)標(biāo)記的位置對準(zhǔn)，以便調(diào)整基板和標(biāo)記的相對位置。一般而言，基板的對準(zhǔn)標(biāo)記通常通過鍍覆法等形成為十字型(參照日本特開2011-009273號和2000-252189 號公報)。
[0003]隨著電子產(chǎn)品的小型化，也要求使包含表面安裝型電感的電子部件小型化。因此，需要更高精度的基板與掩膜的位置對準(zhǔn)。
[0004]但是，當(dāng)十字型的對準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸減小，則十字型端部的檢測變得困難。例如，在由鍍覆法形成的對準(zhǔn)標(biāo)記的情況下，端部略圓，十字型的直線性容易劣化且其寬度容易不均勻。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是有鑒于上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種電子部件的制造方法，即基于新型的對準(zhǔn)標(biāo)記的基板與掩膜的更精確的對準(zhǔn)方法。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的電子部件的制造裝置包括:具有第I對準(zhǔn)標(biāo)記的基板、具有第2對準(zhǔn)標(biāo)記且在基板上印刷電子電路圖案的掩膜、以及基于第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記來執(zhí)行掩膜與基板的位置對準(zhǔn)的控制單元。第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記形成為一個包圍另一個，且包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記在其內(nèi)具有臺階圖案。
[0007]通過設(shè)置這樣的臺階圖案，根據(jù)第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記的重疊的量，可以容易觀察這些標(biāo)記的合成圖像(輪廓圖像(silhouette image))的形狀變化，因而容易提高位置對準(zhǔn)精度。
[0008]被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記可以具有直線狀延伸的部分?？刂茊卧梢曰诎鼑鷤?cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記的臺階圖案與被包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記的直線部分的重疊的量來調(diào)整掩膜與基板的相對位置。臺階圖案可以包括2個臺階或3個以上的臺階。被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記可以具有十字型。包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記可以由從4個角包圍被包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記的4個部分所構(gòu)成。
[0009]包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記可以在與被包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記的十字型形狀相對應(yīng)的兩個方向上分別具有臺階圖案。作為電子電路的圖案，電感圖案可以通過掩膜印刷在基板上。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一方面的電子部件的制造裝置包括:具有第I對準(zhǔn)標(biāo)記的基板、具有第2對準(zhǔn)標(biāo)記且在基板上印刷電子電路圖案的掩膜、以及基于第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記來進(jìn)行掩膜與基板的位置對準(zhǔn)的控制單元。第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記形成為一個包圍另一個，且被包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記在其外側(cè)具有臺階圖案。
[0011]控制單元可以基于包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記的內(nèi)側(cè)的直線部分與被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記的臺階圖案的重疊的量，來調(diào)整掩膜與基板的相對位置。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的電子部件的制造方法，包括移動基板和具有電子電路圖案的掩膜的一個或兩個從而進(jìn)行基板的第I對準(zhǔn)標(biāo)記與掩膜的第2對準(zhǔn)標(biāo)記的位置對準(zhǔn)的第I步驟、以及位置對準(zhǔn)后對掩膜進(jìn)行曝光從而在基板上曝光電子電路圖案的第2步驟。第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記形成為一個包圍另一個，且包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記在其內(nèi)具有臺階圖案。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一方面的電子部件的制造方法，包括移動基板和具有電子電路圖案的掩膜的一個或兩個從而進(jìn)行基板的第I對準(zhǔn)標(biāo)記與掩膜的第2對準(zhǔn)標(biāo)記的位置對準(zhǔn)的第I步驟、以及對準(zhǔn)后對掩膜進(jìn)行曝光從而在基板上曝光電子電路圖案的第2步驟。第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記形成為一個包圍另一個，且被包圍側(cè)上的對準(zhǔn)標(biāo)記在其外側(cè)具有臺階圖案。
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能夠在電子部件的制造過程中提高基板與掩膜的位置對準(zhǔn)精度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]本發(fā)明的特征和優(yōu)點將從下列結(jié)合附圖的優(yōu)選實施方式的描述變得更明顯，其中:
[0016]圖1是制造裝置的一個例子的示意圖。
[0017]圖2是從相機側(cè)看到的工件和掩膜的圖。
[0018]圖3A是表示常規(guī)的十字型對準(zhǔn)標(biāo)記的圖。
[0019]圖3B是表示常規(guī)的具有4個部分的對準(zhǔn)標(biāo)記的圖。
[0020]圖4是表示對準(zhǔn)標(biāo)記的位置對準(zhǔn)成功的狀態(tài)的圖。
[0021 ]圖5是表示對準(zhǔn)標(biāo)記的位置對準(zhǔn)失敗的狀態(tài)的圖。
[0022]圖6是十字型對準(zhǔn)標(biāo)記Ml的實際形式的圖。
[0023]圖7是表示根據(jù)第I實施方式的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的圖。
[0024]圖8是十字型對準(zhǔn)標(biāo)記M2的局部的放大圖。
[0025]圖9是表示第I實施方式中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的位置對準(zhǔn)成功的狀態(tài)的圖。
[0026]圖10是表示第I實施方式中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml與M2的位置對準(zhǔn)失敗的狀態(tài)的圖。
[0027]圖11是表示根據(jù)第I實施方式的變形例的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的圖。
[0028]圖12是表示第2實施方式中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml與M2的位置對準(zhǔn)成功的狀態(tài)的圖。
[0029]圖13是表示第2實施方式的變形例中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml與M2的位置對準(zhǔn)成功的狀態(tài)的圖。

【具體實施方式】
[0030]參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0031]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式(第I和第2實施方式)的電子部件的制造裝置100的例子的示意圖。工件106是涂覆了光刻膠的晶片(基板)，并置于基臺104上。電子電路圖案形成在掩膜108上。根據(jù)本實施方式的制造裝置100在X-Y方向(水平方向)上移動基臺104并進(jìn)行工件106與掩膜108的位置對準(zhǔn)，接著從Z方向(豎直方向)經(jīng)由掩膜108對工件106曝光，從而在工件106上形成電子電路圖案。
[0032]盡管在本實施方式中掩膜108固定而工件106配置成可移動，但掩膜108可以配置成可移動或掩膜108和工件106均可以配置成可移動。此外，盡管本實施方式說明了制造裝置100是在工件106上印刷多個線圈圖案的曝光裝置，但制造裝置100也可以應(yīng)用于印刷其他電子電路圖案例如晶體管和線路。
[0033]將被稱為“對準(zhǔn)標(biāo)記M”的標(biāo)記賦給工件106和掩膜108的表面。對準(zhǔn)標(biāo)記M的位置和形狀的詳細(xì)描述稍后說明。工件106和掩膜108的對準(zhǔn)標(biāo)記M由相機IlOa和IlOb從Z方向拍攝。盡管圖1中表示了 2臺相機110，但相機110的數(shù)目是任意的。控制單元102獲得由相機IlOa和IlOb所拍攝的對準(zhǔn)標(biāo)記M并水平地移動基臺104，以使工件106的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml (第I對準(zhǔn)標(biāo)記)的位置(Χ-Y坐標(biāo))與掩膜108的對準(zhǔn)標(biāo)記M2 (第2對準(zhǔn)標(biāo)記)的位置相匹配?？刂茊卧?02移動基臺104并主要基于由相機IlOb所拍攝的圖像來精細(xì)地調(diào)整基臺104 (掩膜108)的位置。當(dāng)兩個對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的位置彼此匹配時，控制單元102使基臺104停止?；_104停止后，工件106經(jīng)由掩膜108被光源(未圖示)曝光，以使電感線圈圖案形成在工件106上。
[0034]圖2表示從相機側(cè)看到的工件106和掩膜108。兩個對準(zhǔn)標(biāo)記Ml形成在工件106上。兩個對準(zhǔn)標(biāo)記M2也形成在掩膜108的與工件106的兩個對準(zhǔn)標(biāo)記Ml分別相對應(yīng)的位置?？刂茊卧?02在X-Y方向上移動工件106來進(jìn)行兩個對準(zhǔn)標(biāo)記Ml與兩個對準(zhǔn)標(biāo)記M2的位置對準(zhǔn)。對準(zhǔn)標(biāo)記M的數(shù)目不限于2個，可以形成I個或3個以上的對準(zhǔn)標(biāo)記M。
[0035]圖3A和3B表示常規(guī)的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2。例如，工件106的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml形成為十字型。同時，例如掩膜108的對準(zhǔn)標(biāo)記M2形成為排列有4個方形的形狀(以下稱“4部分型”)。不言而喻，對準(zhǔn)標(biāo)記Ml可以形成為4部分型而對準(zhǔn)標(biāo)記M2可以形成為十字型。
[0036]圖4表示圖3A和3B所示的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的位置對準(zhǔn)成功的狀態(tài)。如圖4所示，控制單元102將基臺104移動至被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml完全被包圍于包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的位置，換言之，移動至對準(zhǔn)標(biāo)記Ml不與對準(zhǔn)標(biāo)記M2重疊的位置。通過這樣的控制，進(jìn)行工件106與掩膜108的位置對準(zhǔn)。
[0037]圖5表示圖3A和3B所示的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的位置對準(zhǔn)失敗的狀態(tài)。在圖5中，與圖4相比對準(zhǔn)標(biāo)記Ml在-X方向上偏移。因此,對準(zhǔn)標(biāo)記Ml不被對準(zhǔn)標(biāo)記M2完全包圍且對準(zhǔn)標(biāo)記Ml部分地與對準(zhǔn)標(biāo)記M2重疊。在圖5的狀態(tài)下，控制單元102在+X方向上移動對準(zhǔn)標(biāo)記Ml。
[0038]然而，如上所述，由于工件106的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml由鍍覆法等形成，因此在實際中對準(zhǔn)標(biāo)記Ml的端部變圓，其邊緣呈曲線狀，且其寬度變得不均勻(參照圖6)。因此，即使當(dāng)控制單元102可以確定對準(zhǔn)標(biāo)記Ml應(yīng)該在+X方向上移動，控制單元102也難以正確地評估移動量。
[0039][第I實施方式]
[0040]圖7表示根據(jù)第I實施方式的對準(zhǔn)標(biāo)記M2。在第I實施方式中，對準(zhǔn)標(biāo)記M2的形狀變更為圖7所示的形狀。盡管對準(zhǔn)標(biāo)記Ml的形狀與圖3A所示的形狀即十字型相同，但對準(zhǔn)標(biāo)記Ml可以比常規(guī)的對準(zhǔn)標(biāo)記細(xì)約60%。
[0041]對準(zhǔn)標(biāo)記M2也通過4個部分包圍十字型對準(zhǔn)標(biāo)記Ml，因而在這一方面對準(zhǔn)標(biāo)記M2與圖3B的對準(zhǔn)標(biāo)記M2相同。然而，臺階狀切口(3階的臺階圖案114)形成在各個部分(部分112)的內(nèi)側(cè)(各個部分的與對準(zhǔn)標(biāo)記Ml相對的側(cè))。4個部分112a至112d可以如圖7般彼此完全隔開，或者可部分地彼此連接。在任何情況下，只要根據(jù)第I實施方式的對準(zhǔn)標(biāo)記M2可以包圍對準(zhǔn)標(biāo)記Ml且在內(nèi)側(cè)形成臺階圖案114即可。
[0042]圖8是部分112b的放大圖。臺階圖案114在X方向上具有l(wèi)u，Iu和2u的單位臺階。Iu是指任意單位長度，例如Iu是5μπι。對于Y方向也是如此。然而，不需要如X方向那樣也在Y方向上設(shè)置lu，Iu和2u的臺階。例如，可以形成2u，Iu和2u的臺階。
[0043]圖9表示第I實施方式中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的位置對準(zhǔn)成功的狀態(tài)?？刂茊卧?02將基臺104移動至被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml被完全包圍于包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的位置，也就是說移動至對準(zhǔn)標(biāo)記Ml不與對準(zhǔn)標(biāo)記M2重疊的位置。
[0044]圖10表示第I實施方式中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的位置對準(zhǔn)失敗的狀態(tài)。在圖10中，與圖9相比對準(zhǔn)標(biāo)記Ml在-X方向上偏移。因此,對準(zhǔn)標(biāo)記Ml不完全包圍于對準(zhǔn)標(biāo)記M2，且對準(zhǔn)標(biāo)記Ml部分地與對準(zhǔn)標(biāo)記M2重疊。在圖10的狀態(tài)下，控制單元102在+X方向上移動對準(zhǔn)標(biāo)記Ml。
[0045]根據(jù)第I實施方式，當(dāng)對準(zhǔn)標(biāo)記Ml與對準(zhǔn)標(biāo)記M2重疊時，檢測到空白區(qū)域116。臺階圖案114的一部分可以在空白區(qū)域116中被確認(rèn)。更具體而言，偏移量可以通過在空白區(qū)域16中所確認(rèn)的臺階數(shù)按Iu單位基準(zhǔn)來確認(rèn)。在圖10的狀態(tài)中，確認(rèn)兩個臺階出現(xiàn)在空白區(qū)域116，因而可以理解對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的重疊對應(yīng)于Iu(在X方向上)。因此，控制單元102只要將對準(zhǔn)標(biāo)記Ml偏移Iu以上即可。當(dāng)對準(zhǔn)標(biāo)記Ml移動過多時，空白區(qū)域形成在部分112a與對準(zhǔn)標(biāo)記Ml之間，因而通過同樣的方法將準(zhǔn)標(biāo)記Ml在-X方向上向回移動。通過這樣的控制方法，左右移動(在X方向上移動)的量可以精細(xì)地調(diào)整。根據(jù)第I實施方式的對準(zhǔn)標(biāo)記M2,不僅對準(zhǔn)標(biāo)記Ml的移動方向而且其移動量也容易進(jìn)行正確地評估。對于Y方向也是如此。
[0046]圖11表示根據(jù)第I實施方式的變形例的對準(zhǔn)標(biāo)記M2。圖11所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2也可以包圍對準(zhǔn)標(biāo)記Ml且臺階圖案114也形成在其內(nèi)。然而，臺階圖案114的形狀與圖7所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的形狀不同。圖7所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2在X方向和Y方向上分別具有l(wèi)u, Iu和2u的單位臺階，而圖11所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2在X方向和Y方向上分別具有l(wèi)u，Iu和Iu的臺階。
[0047][第2實施方式]
[0048]圖12表示第2實施方式中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的位置對準(zhǔn)成功的狀態(tài)。在第2實施方式中，臺階圖案不形成在工件106的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml而是形成于掩膜108的對準(zhǔn)標(biāo)記M2。對準(zhǔn)標(biāo)記Ml與圖3B所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2同樣地具有彼此隔開的4個方形的形狀，對準(zhǔn)標(biāo)記M2與圖3A所示同樣地形成為十字型。在第2實施方式中，臺階狀切口形成在被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記M2 (對準(zhǔn)標(biāo)記M2的與包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml相對的側(cè))的外側(cè)。與第I實施方式的對準(zhǔn)標(biāo)記M2同樣地,對準(zhǔn)標(biāo)記M2的臺階圖案可以包括例如lu, Iu和2u的單位臺階?？刂茊卧?02將基臺104移動至被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記M2被完全包圍于包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml,換言之，移動至對準(zhǔn)標(biāo)記Ml不與對準(zhǔn)標(biāo)記M2重疊的位置。即使當(dāng)臺階圖案不形成在包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記而是形成在被包圍側(cè)的對準(zhǔn)標(biāo)記，也可以按Iu單位基準(zhǔn)來確認(rèn)偏移量。
[0049]圖13表示第2實施方式的變形例中的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的對準(zhǔn)成功的狀態(tài)。同樣地，在圖13中，對準(zhǔn)標(biāo)記Ml可以包圍對準(zhǔn)標(biāo)記M2且臺階圖案形成在對準(zhǔn)標(biāo)記M2的外側(cè)上。然而，臺階圖案的形狀與圖12所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的形狀不同。圖12所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2形成為從中心部放射狀地逐漸變細(xì)的十字型。相反，圖13所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2形成為從中心部放射狀地逐漸變粗的十字型。
[0050]使用對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2的電子部件的制造裝置100已經(jīng)基于上述實施方式進(jìn)行了說明。一般而言，由于工件106的對準(zhǔn)標(biāo)記Ml由鍍覆法等形成，因此對準(zhǔn)標(biāo)記Ml的形狀易于變化。另一方面，在掩膜108上形成對準(zhǔn)標(biāo)記M2的精度比對準(zhǔn)標(biāo)記Ml的精度顯著要高。因此，圖7或11所示的復(fù)雜形狀的對準(zhǔn)標(biāo)記M2可以形成在掩膜108上。
[0051]根據(jù)本發(fā)明人等的實驗，盡管圖3B所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的對準(zhǔn)精度約ΙΟμπι，但圖7所示的對準(zhǔn)標(biāo)記M2的對準(zhǔn)精度被提高至約5 μ m。換言之，對準(zhǔn)精度提高至約為常規(guī)技術(shù)的2倍。在層疊電感中，第I層線圈的端子電極經(jīng)由通孔連接于第2層線圈的端子電極。在這樣的層疊電子部件中，需要具有嚴(yán)格的對準(zhǔn)精度，因而本實施方式所描述的制造裝置100是特別有效的。
[0052]通過在圖2所示的多個位置設(shè)置對準(zhǔn)標(biāo)記Ml和M2，可以以如下方式進(jìn)行位置對準(zhǔn)控制，即在對準(zhǔn)標(biāo)記M在各個位置的偏移中，使最大偏移最小化。
[0053]本發(fā)明已經(jīng)基于上述實施方式進(jìn)行了說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，上述實施方式僅是本發(fā)明的例示，在不偏離本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以做出各種變形和改變，這些變形例可以包含在本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。因此，本說明書的描述和附圖應(yīng)該認(rèn)為不是限定而是例示的。
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件的制造裝置，其特征在于: 包括: 基板，其具有第I對準(zhǔn)標(biāo)記；掩膜，其用于在所述基板上印刷電子電路圖案，所述掩膜具有第2對準(zhǔn)標(biāo)記；以及控制單元，其基于所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記來進(jìn)行所述掩膜與所述基板的位置對準(zhǔn)，所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的一個對準(zhǔn)標(biāo)記包圍所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的另一個對準(zhǔn)標(biāo)記，且所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣具有臺階圖案，所述邊緣面向所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個的對準(zhǔn)標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件的制造裝置，其特征在于: 所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記具有直線狀延伸的部分，并且所述控制單元基于所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記的所述臺階圖案與所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記的直線狀延伸的部分的重疊的量，來調(diào)整所述掩膜與所述基板的相對位置。
3.如權(quán)利要求1所述的電子部件的制造裝置，其特征在于: 所述臺階圖案包括3個以上的臺階。
4.如權(quán)利要求1所述的電子部件的制造裝置，其特征在于: 所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記具有十字型。
5.如權(quán)利要求4所述的電子部件的制造裝置，其特征在于: 所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記包括從4個角包圍所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記的4個部分。
6.如權(quán)利要求4所述的電子部件的制造裝置，其特征在于: 所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記，在與所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記的十字型相對應(yīng)的兩個方向上具有多個臺階圖案。
7.如權(quán)利要求1所述的電子部件的制造裝置，其特征在于: 所述電子電路圖案是電感圖案。
8.一種電子部件的制造裝置，其特征在于: 包括: 基板，其具有第I對準(zhǔn)標(biāo)記；掩膜，其用于在所述基板上印刷電子電路圖案，所述掩膜具有第2對準(zhǔn)標(biāo)記；以及控制單元，其基于所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記來進(jìn)行所述掩膜與所述基板的位置對準(zhǔn)；所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的一個對準(zhǔn)標(biāo)記包圍所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的另一個對準(zhǔn)標(biāo)記，且所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣具有臺階圖案、所述邊緣面向所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記。
9.如權(quán)利要求8所述的電子部件的制造裝置，其特征在于: 所述控制單元基于所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記的直線部分與所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記的臺階圖案的重疊的量，來調(diào)整所述掩膜與所述基板的相對位置。
10.一種電子部件的制造方法，其特征在于: 包括:移動基板和用于在所述基板上印刷電子電路圖案的掩膜中的至少一個，從而進(jìn)行所述基板的第I對準(zhǔn)標(biāo)記與所述掩膜的第2對準(zhǔn)標(biāo)記的位置對準(zhǔn)；以及 在所述位置對準(zhǔn)后通過使用所述掩膜進(jìn)行曝光從而在所述基板上形成所述電子電路圖案， 所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的一個對準(zhǔn)標(biāo)記包圍所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的另一個對準(zhǔn)標(biāo)記，且所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣具有臺階圖案，所述邊緣面向所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記。
11.一種電子部件的制造方法，其特征在于: 包括: 移動基板和用于在所述基板上印刷電子電路圖案的掩膜中的至少一個，從而進(jìn)行所述基板的第I對準(zhǔn)標(biāo)記與所述掩膜的第2對準(zhǔn)標(biāo)記的位置對準(zhǔn)；以及 在所述位置對準(zhǔn)后通過使用所述掩膜進(jìn)行曝光從而在所述基板上形成所述電子電路圖案， 所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的一個對準(zhǔn)標(biāo)記包圍所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的另一個對準(zhǔn)標(biāo)記，且所述第I和第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述另一個對準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣具有臺階圖案、所述邊緣面向所述第I和 第2對準(zhǔn)標(biāo)記中的所述一個對準(zhǔn)標(biāo)記。
【文檔編號】H01L21/68GK104078404SQ201410119775
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月27日
【發(fā)明者】石川直純, 渡邊文男, 神山浩 申請人:Tdk株式會社