半導(dǎo)體器件及其制造方法【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。隨著近年來(lái)半導(dǎo)體工藝的不斷縮小，形成于互連層之間的絕緣層不斷變薄。為了避免它們之間的寄生電容，低介電常數(shù)的材料被用于多層互連中的絕緣層。然而，與傳統(tǒng)絕緣層相比，低k材料的強(qiáng)度低。多孔的低k材料在結(jié)構(gòu)上是脆弱的。本發(fā)明因此提供一種具有包含低k層的多層互連層的半導(dǎo)體器件的制造方法。根據(jù)所述方法，在用錐形刀片在半導(dǎo)體晶片中形成槽之后用比槽寬度更薄的直刀片分割槽的兩步切削系統(tǒng)劃片中，用錐面覆蓋多層互連層部分并進(jìn)行切削，然后，用與多層互連層部分不接觸的薄刀片分割晶片。晶片可以被劃片而不損害較脆弱的低k層?！緦＠f(shuō)明】半導(dǎo)體器件及其制造方法[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2010年I月7日、申請(qǐng)?zhí)枮?01010002041.6、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)?！?br>技術(shù)領(lǐng)域：
】[0002]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件(或半導(dǎo)體集成電路器件)的結(jié)構(gòu)，或?qū)τ谠诎雽?dǎo)體器件(或半導(dǎo)體集成電路器件)的制造方法中的劃片技術(shù)有效的技術(shù)。【
背景技術(shù)：
】[0003]日本專利公開(kāi)第2008-55519號(hào)(專利文獻(xiàn)I)公開(kāi)了一種切削光學(xué)IC結(jié)構(gòu)的技術(shù)，其中用旋轉(zhuǎn)刀片(rotaryblade)切削光學(xué)IC結(jié)構(gòu)從而不在結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生裂紋,這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)將由光學(xué)玻璃組成的較軟的棱柱層附著于由較硬的硅材料組成的光學(xué)IC襯底上而獲得的。具體地說(shuō)，根據(jù)該技術(shù)，上方的棱柱層的一部分被用大寬度的第一刀片切削，然后上方的棱柱層的剩余部分和下方的光學(xué)IC襯底被用小寬度的第二刀片跨全厚度地切削，從而避免刀片上的任何負(fù)擔(dān)。[0004]日本專利公開(kāi)第2007-194469號(hào)(專利文獻(xiàn)2)和日本專利公開(kāi)第2005-191436號(hào)(專利文獻(xiàn)3)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體晶片的兩步切削技術(shù),其包括用錐形刀片(taperedblade)形成槽，然后，用寬度比錐形刀片的寬度小的直刀片(straightblade)對(duì)晶片進(jìn)行劃片。[0005][專利文獻(xiàn)I][0006]日本專利公開(kāi)第2008-55519號(hào)[0007][專利文獻(xiàn)2][0008]日本專利公開(kāi)第2007-194469號(hào)[0009][專利文獻(xiàn)3][0010]日本專利公開(kāi)第2005-191436號(hào)【
發(fā)明內(nèi)容】[0011]近些年來(lái)，由于不斷縮小的半導(dǎo)體工藝，互連設(shè)計(jì)規(guī)則或者互連層之間形成的絕緣層的厚度越來(lái)越小。為了防止互連層之間的寄生電容，將具有低介電常數(shù)的材料(低k材料，即介電常數(shù)小于等于3.0的材料)作為多層互連中的絕緣層的材料變得普及。[0012]低k材料包含很多的碳等，以減小它們的介電常數(shù)，使得這些材料自身的強(qiáng)度比構(gòu)成現(xiàn)有的絕緣層的材料(非低k材料，即介電常數(shù)超過(guò)3.0的材料)的強(qiáng)度低。另一方面，多孔的低k材料具有比構(gòu)成現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)的絕緣層的材料(非多孔材料)更脆弱的結(jié)構(gòu)，這是因?yàn)樵谟啥嗫椎牡蚹材料組成的絕緣層中具有很多間隙(空腔)。[0013]本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)用在側(cè)面和要與半導(dǎo)體晶片相接觸的尖端部分處的面(切削面)之間成約90°的角度(傾角)的劃片刀片(所謂直刀片)對(duì)具有這種低k材料的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行劃片時(shí)，會(huì)發(fā)生下列問(wèn)題。[0014]當(dāng)劃片刀片與半導(dǎo)體晶片的表面(主表面)接觸時(shí)，劃片刀片的整個(gè)切削面如圖27所示那樣與半導(dǎo)體晶片接觸。于是在該接觸區(qū)域中產(chǎn)生大的切削應(yīng)力(接觸阻力，contactresistance)。當(dāng)劃片刀片在如圖28所示的狀態(tài)下到達(dá)低k層時(shí),在低k層與劃片刀片的尖端部分處的面之間的接觸區(qū)域中也會(huì)產(chǎn)生大的切削應(yīng)力。本發(fā)明的發(fā)明人因此發(fā)現(xiàn)，由于該切削應(yīng)力的影響，在脆弱的低k層中產(chǎn)生裂紋。[0015]本發(fā)明的發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)劃片刀片具有與半導(dǎo)體晶片的表面(主表面)垂直的側(cè)面時(shí)，在劃片刀片插入半導(dǎo)體晶片的期間，在低k層和劃片刀片的側(cè)面之間的接觸區(qū)域中也會(huì)產(chǎn)生大的切削應(yīng)力，這可以容易地在低k層中引起裂紋。[0016]這樣，當(dāng)在低k層中出現(xiàn)裂紋時(shí)，它們甚至?xí)鞑サ脚c劃片區(qū)域相鄰的器件區(qū)域中并使半導(dǎo)體器件的可靠性惡化。[0017]要注意的是，日本專利公開(kāi)第2008-55519(專利文獻(xiàn)I)在有關(guān)在劃片步驟期間劃片刀片和低k層之間的的上述位置關(guān)系方面沒(méi)有具體說(shuō)明。即使應(yīng)用了該技術(shù)，也難以在切削具有低k層的半導(dǎo)體晶片的同時(shí)抑制裂紋的產(chǎn)生。[0018]為了克服這種問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明人研究了利用劃片刀片(所謂倒角刀片；beVelblade)執(zhí)行的劃片步驟，其中在所述劃片刀片的尖端部分處具有如圖29所示的錐形。[0019]當(dāng)劃片刀片與半導(dǎo)體晶片的表面(主表面)接觸時(shí)，采用這種結(jié)構(gòu)能夠?qū)澠镀c半導(dǎo)體晶片表面之間的接觸限制為只在劃片刀片的切削面的一部分與半導(dǎo)體晶片的表面(主表面)之間的接觸。簡(jiǎn)言之，采用這種結(jié)構(gòu)能夠減小劃片刀片與半導(dǎo)體晶片之間的接觸區(qū)域。其結(jié)果，能夠減小當(dāng)劃片刀片被插入半導(dǎo)體晶片中時(shí)所產(chǎn)生的切削應(yīng)力，從而即使劃片刀片到達(dá)低k層也能夠抑制裂紋。[0020]然而，由于尖端部分的磨損頻率高，如圖29所示的劃片刀片不能將半導(dǎo)體晶片切削到預(yù)定深度。當(dāng)尖端部分磨損了的劃片刀片和尖端部分未磨損的劃片刀片被插入到相同深度時(shí)，用前者切削的寬度變得大于用后者切削的寬度。因此，在前者的情況下，需要頻繁地用新的劃片刀片來(lái)替換。只要?jiǎng)澠镀恍碌奶鎿Q，劃片裝置中的條件(劃片刀片的位置)就必須被重置，這使得制造TAT惡化。[0021]本發(fā)明克服了上述問(wèn)題。[0022]本發(fā)明的一個(gè)目的是抑制在具有低k層的半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生裂紋(改進(jìn)切削性)。[0023]本發(fā)明的另一割目的是確保半導(dǎo)體器件的可靠性。[0024]本發(fā)明的又一個(gè)目的是改善劃片刀片的壽命。[0025]本發(fā)明的上述及其它的目標(biāo)和新穎特征將從本文的說(shuō)明和附圖中顯而易見(jiàn)。[0026]下面簡(jiǎn)述本文所公開(kāi)的典型發(fā)明的要點(diǎn)。[0027]在具有包含低k層的多層互連層的半導(dǎo)體器件的制造方法中，對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行分步切削劃片處理，其中利用錐形刀片(第一劃片刀片)形成槽，然后，將所得的槽用比槽寬度薄的直刀片(第二劃片刀片)分割。錐形刀片在徑向上的橫截面的形狀具有關(guān)于厚度方向大致對(duì)稱的多級(jí)錐形結(jié)構(gòu)，其中，傾角向著刀片的尖端部分而變大。當(dāng)從旋轉(zhuǎn)中心看時(shí)，第一錐面的上端在器件的主表面的外側(cè)。使第一錐面下端刺入到晶片的襯底區(qū)域中或者基材層(basemateriallayer)中，并通過(guò)切削器件而形成劃片槽。然后,通過(guò)用直刀片切削與一對(duì)所述下端之間的一部分相對(duì)應(yīng)的劃片槽部分來(lái)分割晶片。[0028]下面簡(jiǎn)述本文所公開(kāi)的典型發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。[0029]在具有包含低k層的多層互連層的半導(dǎo)體器件的制造方法中，當(dāng)對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行利用錐形刀片(第一劃片刀片)形成槽、然后用刀片寬度比槽的寬度小的直刀片(第二劃片刀片)來(lái)分割槽的分步切削劃片處理時(shí)，利用錐面覆蓋多層互連層的部分并同時(shí)進(jìn)行切肖IJ，然后，利用具有小的刀片寬度且不與多層互連層的所述部分相接觸的刀片來(lái)分割晶片，從而執(zhí)行劃片而不對(duì)較脆弱的低k層造成損害?！緦＠綀D】【附圖說(shuō)明】[0030]圖1(a)、l(b)、和I(c)為不意圖,表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件制造方法中劃片工藝的工藝流程，其中圖1(a)為晶片的整體俯視圖，圖1(b)為兩個(gè)芯片區(qū)域的俯視圖，而圖1(C)為沿圖1(b)的X-X’線截取的截面圖(在附著到劃片膠帶(dicingtape)之前)；[0031]圖2(a)、2(b)、和2(c)為不意圖,表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件制造方法中劃片工藝的工藝流程，其中圖2(a)為晶片的整體俯視圖，圖2(b)為兩個(gè)芯片區(qū)域的俯視圖，而圖2(c)為沿圖2(b)的X-X’線截取的截面圖(在附著到劃片膠帶之后);[0032]圖3為圖2(C)的虛線部分R2(芯片的邊緣以及芯片之間的區(qū)域)的放大截面圖；[0033]圖4(a)、4(b)、和4(c)為不意圖,表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件制造方法中劃片工藝的工藝流程，其中圖4(a)為晶片的整體俯視圖，圖4(b)為兩個(gè)芯片區(qū)域的俯視圖，而圖4(c)為沿圖4(b)的X-X’線截取的截面圖(在用第一刀片劃片期間);[0034]圖5為圖4(C)的虛線部分R2(芯片的邊緣以及芯片之間的區(qū)域)的放大截面圖；[0035]圖6為圖4(C)的虛線部分R2(芯片的邊緣以及芯片之間的區(qū)域)的放大截面圖(在用第一刀片劃片之后);`[0036]圖7(a)、7(b)、和7(c)為不意圖,表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件制造方法中劃片工藝的工藝流程，其中圖7(a)為晶片的整體俯視圖，圖7(b)為兩個(gè)芯片區(qū)域的俯視圖，而圖7(c)為沿圖7(b)的X-X’線截取的截面圖(在用第二刀片劃片期間);[0037]圖8為圖7(c)中所示的芯片的邊緣以及芯片之間的區(qū)域的放大截面圖(在用第二刀片劃片之前);[0038]圖9為圖7(c)中所示的芯片的邊緣以及芯片之間的區(qū)域的放大截面圖(在用第~刀片劃片之后)；[0039]圖10為圖7(C)中所示的芯片的邊緣以及芯片之間的區(qū)域的放大截面圖(在從劃片膠帶上剝離之后);[0040]圖11(a)和11(b)為不意圖，表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體集成電路器件制造方法中制造工藝的工藝流程，其中圖11(a)表示了引線框架(leadframe)單元區(qū)域的上表面，而圖11(b)為沿圖11(a)的A-A’線截取的截面圖(在管芯鍵合(diebonding)之前)；[0041]圖12(a)和12(b)為不意圖，表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體集成電路器件制造方法中制造工藝的工藝流程，其中圖12(a)表示了引線框架單元區(qū)域的上表面，而圖12(b)為沿圖12(a)的A-A’線截取的截面圖(管芯鍵合步驟)；[0042]圖13(a)和13(b)為不意圖，表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體集成電路器件制造方法中制造工藝的工藝流程，其中圖13(a)表示了引線框架單元區(qū)域的上表面，而圖13(b)為沿圖13(a)的A-A’線截取的截面圖(引線鍵合步驟)；[0043]圖14為與圖13(b)的虛線部分對(duì)應(yīng)的器件的放大截面圖；[0044]圖15(a)和15(b)為不意圖，表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體集成電路器件制造方法中制造工藝的工藝流程，其中圖15(a)表示了所密封的單元器件的上表面，而圖15(b)表示了所述器件的下表面(在完成密封步驟和分離步驟之后)；[0045]圖16為沿圖15的A-A’線截取的單元器件的截面圖；[0046]圖17(a)和17(b)為不意圖，表不了在本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體集成電路器件制造方法中使用的劃片裝置，其中圖17(a)表示了在主軸(spindle)的旋轉(zhuǎn)軸方向上的主視圖，而圖17(b)為沿圖17(a)的Y-Y’線截取的截面圖；[0047]圖18為旋轉(zhuǎn)刀片及其邊緣沿圖17Ca)的Y_Y’線截取的特定的截面結(jié)構(gòu)視圖；[0048]圖19表示了圖1到10中所示的劃片工藝(“基本劃片工藝”)的修改例I(使用刀片寬度小的第一刀片的實(shí)施例)；[0049]圖20表示了圖1到10中所示的劃片工藝(“基本劃片工藝”+修改例I)的修改例2(切削聚酰亞胺涂層的實(shí)施例)；[0050]圖21(a)、21(b)、21(c)、21(d)、和21(e)為刀片部分的截面圖，表示了圖1到10、圖19、和圖20中所示劃片工藝(每個(gè)劃片工藝)中所使用的錐形劃片刀片在徑向上的截面形狀的變化，其中圖21(a)為大傾角維形插入型(steep-1nclinationtaperinsertedtype),圖21(b)為尖端平坦型,而圖21(C)、21(d)、和21(e)為尖端部分倒角(tip-portionbeveled)型；其中圖21(c)為圓倒角型，圖21(d)為平倒角型，而圖21(e)為尖端圓倒角型；[0051]圖22(a)和22(b)為截面圖，分別表示了圖21(b)中所示的刀片截面結(jié)構(gòu)的最大尺寸和最大傾角的特別優(yōu)選的范圍，以及最小尺寸和最小傾角的特別優(yōu)選的范圍；[0052]圖23(a)和23(b)為截面圖，分別表示了圖21(a)中所示的刀片截面結(jié)構(gòu)的最大尺寸和最大傾角的特別優(yōu)選的范圍，以及最小尺寸和最小傾角的特別優(yōu)選的范圍；[0053]圖24(a)和24(b)為截面圖，分別表示了圖21(C)中所示的刀片截面結(jié)構(gòu)的最大尺寸和最大傾角的特別優(yōu)選的范圍，以及最小尺寸和最小傾角的特別優(yōu)選的范圍；[0054]圖25為示意圖，表示了本發(fā)明的每個(gè)劃片工藝中所使用的錐形劃片刀片的截面結(jié)構(gòu)和要用其切削的構(gòu)件之間的關(guān)系；[0055]圖26(a)為劃片步驟的示意性主視圖，用于說(shuō)明本發(fā)明的每個(gè)劃片工藝中所使用的錐形劃片刀片的截面結(jié)構(gòu)和劃片動(dòng)作，而圖26(b)為沿圖26(a)的C-C’線截取的截面圖；[0056]圖27為用于說(shuō)明本發(fā)明的問(wèn)題的參考性的截面圖(直刀片I)；[0057]圖28為用于說(shuō)明本發(fā)明的問(wèn)題的參考性的截面圖(直刀片2);以及[0058]圖29為用于說(shuō)明本發(fā)明的問(wèn)題的參考性的截面圖(錐形刀片)?！揪唧w實(shí)施方式】[0059][實(shí)施方案要點(diǎn)]首先，說(shuō)明本文中所公開(kāi)的發(fā)明的典型實(shí)施方案的要點(diǎn)。[0060]1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包含以下步驟:Ca)制備具有主表面、形成于主表面之上的多個(gè)器件區(qū)域、形成于器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域、和在與主表面相反一側(cè)上的背表面的半導(dǎo)體晶片；(b)在半導(dǎo)體晶片的劃片區(qū)域中，將第一劃片刀片從主表面?zhèn)炔迦氚雽?dǎo)體晶片中直到半導(dǎo)體晶片的背表面?zhèn)炔⑹沟谝粍澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此在半導(dǎo)體晶片的主表面中形成劃片槽(或者切削主表面)；(C)在步驟(b)之后，將第二劃片刀片從半導(dǎo)體晶片的主表面?zhèn)炔迦雱澠鄄⑹沟诙澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此將半導(dǎo)體晶片分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片；(d)(例如用粘合劑)將在步驟(c)中得到的半導(dǎo)體芯片(或其中之一)放置(固定、安裝)于芯片安裝襯底(例如引線框架或布線襯底(wiringsubstrate))的芯片安裝部分(例如管芯焊盤(diepad))之上；(e)在步驟(d)之后，將半導(dǎo)體芯片(的多個(gè)電極焊盤(electrodepad))(經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件(例如鍵合線))電稱接到芯片安裝襯底(的放置于芯片安裝襯底的邊緣處的多個(gè)接合構(gòu)件(joiningmember)(例如引線))；以及(f)用樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片(和導(dǎo)電構(gòu)件)，其中半導(dǎo)體晶片具有基材層(硅襯底層)、形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、(由例如銅制成并)形成于半導(dǎo)體元件層之上的第一互連層(低k層)、和(由例如銅制成并)形成于第一互連層之上的第二互連層(非低k層)，其中放置在第一互連層中(放置于大量互連之間)的第一絕緣層的介電常數(shù)低于形成于半導(dǎo)體元件層中的金屬前絕緣層(premetalinsulatinglayer)的和放置于第二互連層中(放置于多個(gè)互連之間)的第二絕緣層的每個(gè)的介電常數(shù)(上述條件可以用下列條件中任一個(gè)條件替換:[I]在第一絕緣層中形成的空氣間隙的體積大于金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)中所形成的空氣間隙的體積，[2]第一絕緣層比金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)都脆弱，[3]第一絕緣層的散熱率低于金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)的散熱率)，其中第一劃片刀片的(在第一劃片刀片的厚度方向上截取的)平面形狀為圓形，其中第一劃片刀片的圓周部分處的截面形狀具有第一側(cè)面、具有相對(duì)于第一側(cè)面的第一側(cè)面傾角的第二側(cè)面、和具有大于第一側(cè)面傾角的相對(duì)于第一側(cè)面的第二側(cè)面傾角的第三側(cè)面，其中第二側(cè)面和第三側(cè)面的第二邊界點(diǎn)之間的寬度小于第一側(cè)面與第二側(cè)面的第一邊界點(diǎn)之間的寬度，并且其中在步驟(b)中，第一劃片刀片被插入半導(dǎo)體晶片中使得第一劃片刀片的第二邊界點(diǎn)到達(dá)基材層。[0061]要注意的是，因?yàn)榈谝粍澠镀谄浼舛瞬糠痔?與刀片諸如具有大寬度的直刀片的寬度相比)具有小的寬度，所以當(dāng)?shù)镀徊迦氲蚹層中時(shí)，低k層上的應(yīng)力可以被減小并因此可以使低k層免于損害或裂紋。[0062]另外，因?yàn)榈蚹層被用第一劃片刀片的傾斜的第二側(cè)面切削，所以當(dāng)?shù)镀徊迦氲蚹層中(或與其接觸)時(shí)，(與要與低k層接觸的側(cè)面與低k層垂直的刀片諸如直刀片的情況相比)可以減小低k層上的應(yīng)力，并因此可以使低k層免于損害或裂紋。[0063]2.如以上在I中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步驟(C)中所要使用的第二劃片刀片的在第二劃片刀片的厚度方向上截取的平面形狀為圓形，其中第二劃片刀片在其圓周處的截面形狀具有第四側(cè)面和尖端面，其中第四側(cè)面與尖端面的第三邊界點(diǎn)之間的寬度小于要與半導(dǎo)體元件層接觸的第一劃片刀片的在第二側(cè)面的部分之間的寬度，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片被插入劃片槽中，使得第二劃片刀片的一部分到達(dá)在步驟(b)之前附著到半導(dǎo)體晶片的背表面的劃片膠帶(用于承載分離的半導(dǎo)體芯片的構(gòu)件)。[0064]3.如以上在I或2中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中器件區(qū)域的每個(gè)都具有矩形平面形狀，其中在每個(gè)器件區(qū)域中沿其側(cè)邊形成多個(gè)電極焊盤，并且其中在每個(gè)器件區(qū)域中，在電極焊盤與側(cè)邊之間(或者在用于產(chǎn)品的電極焊盤與測(cè)試焊盤之間)并且沿著所述側(cè)邊形成密封環(huán)。[0065]4.如以上在I到3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在劃片區(qū)域中形成絕緣膜(有機(jī)膜)以覆蓋測(cè)試焊盤，并且其中在步驟(a)之后且在步驟(b)之前，在形成于每個(gè)器件區(qū)域中的電極焊盤之上形成金屬層。[0066]5.如以上在4中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中利用化學(xué)鍍(electrolessplate)形成金屬層。[0067]6.如以上在I到5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成于半導(dǎo)體晶片的主表面的劃片區(qū)域中的測(cè)試焊盤通過(guò)第一互連層和第二互連層被電耦接到半導(dǎo)體元件層。[0068]7.如以上在6中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除所有測(cè)試焊盤。[0069]8.如以上在6中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除一些測(cè)試焊盤。[0070]9.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包含以下步驟:Ca)制備具有主表面、形成于主表面之上的多個(gè)器件區(qū)域、形成于器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域、和在與主表面相反一側(cè)上的背表面的半導(dǎo)體晶片；(b)在半導(dǎo)體晶片的劃片區(qū)域中，將第一劃片刀片從主表面?zhèn)炔迦氚雽?dǎo)體晶片中直到半導(dǎo)體晶片的背表面?zhèn)炔⑹沟谝粍澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此在半導(dǎo)體晶片的主表面中形成劃片槽(或者切削主表面)；(C)在步驟(b)之后，將第二劃片刀片從半導(dǎo)體晶片的主表面?zhèn)炔迦雱澠鄄⑹沟诙澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此將半導(dǎo)體晶片分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片；(d)(例如用粘合劑)將在步驟(c)中得到的半導(dǎo)體芯片(或其中之一)放置(固定、安裝)于芯片安裝襯底(例如引線框架或布線襯底(wiringsubstrate))的芯片安裝部分(例如管芯焊盤(diepad))之上；(e)在步驟(d)之后，將半導(dǎo)體芯片(的多個(gè)電極焊盤(electrodepad))(經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件(例如鍵合線))電稱接到芯片安裝襯底(的放置于芯片安裝襯底的邊緣處的多個(gè)接合構(gòu)件(joiningmember)(例如引線))；以及(f)用樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片，其中半導(dǎo)體晶片具有基材層(硅襯底層)、形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、(由例如銅制成并)形成于半導(dǎo)體元件層之上的第一互連層(低k層)、和(由例如銅制成并)形成于第一互連層之上的第二互連層(非低k層)，其中放置在第一互連層中(放置于大量互連之間)的第一絕緣層的介電常數(shù)低于形成于半導(dǎo)體元件層中的金屬前絕緣層(premetalinsulatinglayer)的和放置于第二互連層中(放置于多個(gè)互連之間)的第二絕緣層的每個(gè)的介電常數(shù)(上述條件可以用下列條件中任一個(gè)條件替換:[I]在第一絕緣層中形成的空氣間隙的體積大于金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)中所形成的空氣間隙的體積，[2]第一絕緣層比金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)都更脆弱，[3]第一絕緣層的散熱率低于金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)的散熱率)，其中第一劃片刀片的(在第一劃片刀片的厚度方向上截取的)平面形狀為圓形，其中第一劃片刀片在其圓周部分處的截面形狀具有第一面、和具有相對(duì)于第一面的第一側(cè)面傾角的第二面，其中在步驟(b)中，使第一劃片刀片沿劃片區(qū)域移動(dòng)，使得第一互連層(第一互連層的所有切削面)與第一劃片刀片的第二面接觸。[0071]10.如以上在9中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步驟(C)中所要使用的第二劃片刀片的在第二劃片刀片的厚度方向上截取的平面形狀為圓形，其中第二劃片刀片在其圓周部分處的截面形狀具有第四面和尖端面，其中第四面與尖端面的第三邊界點(diǎn)之間的寬度小于要與半導(dǎo)體元件層接觸的第一劃片刀片的在第二面的部分之間的寬度，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片被插入劃片槽中，使得第二劃片刀片的一部分到達(dá)在步驟(b)之前附著到半導(dǎo)體晶片的背表面的劃片膠帶。[0072]11.如以上在9或10中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中器件區(qū)域分別具有矩形平面形狀，其中在每個(gè)器件區(qū)域中沿其側(cè)邊形成多個(gè)電極焊盤，并且其中在每個(gè)器件區(qū)域中，在電極焊盤與側(cè)邊之間(或者在用于產(chǎn)品的電極焊盤與測(cè)試焊盤之間)并且沿著所述側(cè)邊形成密封環(huán)。[0073]12.如以上在9到11中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在劃片區(qū)域中形成絕緣膜(有機(jī)膜)以覆蓋測(cè)試焊盤，并且其中在步驟(a)之后且在步驟(b)之前，在形成于每個(gè)器件區(qū)域中的電極焊盤之上形成金屬層。[0074]13.如以上在12中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中利用化學(xué)鍍形成金屬層。[0075]14.如以上在9到13中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成于半導(dǎo)體晶片的主表面的劃片區(qū)域中的測(cè)試焊盤通過(guò)第一互連層和第二互連層被電耦接到半導(dǎo)體元件層。[0076]15.如以上在14中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除所有測(cè)試焊盤。[0077]16.如以上在14中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除一些測(cè)試焊盤。[0078]17.一種半導(dǎo)體器件，包括:(a)芯片安裝部分；(b)(放置在芯片安裝部分的邊緣處的)多個(gè)接合構(gòu)件；(C)具有主表面、形成于主表面之上的多個(gè)電極焊盤、在與主表面相反一側(cè)上的背表面、以及位于主表面和背表面之間的側(cè)面、并被放置于芯片安裝部分之上的半導(dǎo)體芯片；(d)用于將半導(dǎo)體芯片的電極焊盤分別電耦接到接合構(gòu)件的多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件；以及(e)用于(以暴露接合構(gòu)件的每個(gè)(和芯片安裝部分)的一部分的方式)密封半導(dǎo)體芯片(和導(dǎo)電構(gòu)件)的密封構(gòu)件，其中半導(dǎo)體芯片具有基材層(硅襯底層)、形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、(例如由銅制成并)形成于半導(dǎo)體元件層之上的第一互連層(低k層)、和(例如由銅制成并)形成于第一互連層之上的第二互連層(非低k層)，其中放置在第一互連層中(放置于多個(gè)互連之間的)的第一絕緣層的介電常數(shù)低于形成于半導(dǎo)體元件層中的金屬前絕緣層和放置在第二互連層中(放置于多個(gè)互連之間)的第二絕緣層的每個(gè)的介電常數(shù)(上述條件可以被用下列條件中的任一個(gè)條件替換:[I]在第一絕緣層中形成的空氣間隙的體積大于金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)中所形成的空氣間隙的體積，[2]第一絕緣層比金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)都更脆弱，[3]第一絕緣層的散熱率低于金屬前絕緣層和第二絕緣層的每個(gè)的散熱率)，并且其中半導(dǎo)體芯片的側(cè)面具有暴露第一互連層的一部分的第一端面、比第一端面更靠近半導(dǎo)體芯片的背表面?zhèn)鹊牡诙嗣?、和用于連接第一端面和第二端面的第三端面。[0079]18.如以上在17中所述的半導(dǎo)體器件，其中第二端面被形成于與背表面垂直的方向上，其中第三端面相對(duì)于第二端面形成第一端面傾角，并且其中第一端面形成相對(duì)于第二端面的比第一端面傾角更小的第二端面傾角。[0080]19.如以上在18中所述的半導(dǎo)體器件，其中第一端面傾角為90°。[0081]20.如以上在17到19中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中電極焊盤經(jīng)由第一互連層和第二互連層分別電耦接到半導(dǎo)體元件層。[0082]21.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包含如下步驟:(a)制備具有主表面、形成于主表面之上的多個(gè)器件區(qū)域、形成于器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域、和在與主表面相反一側(cè)上的背表面的半導(dǎo)體晶片；(b)在半導(dǎo)體晶片的劃片區(qū)域中，將第一劃片刀片從主表面?zhèn)炔迦氚雽?dǎo)體晶片中直到半導(dǎo)體晶片的背表面?zhèn)炔⑹沟谝粍澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此在半導(dǎo)體晶片的主表面中形成劃片槽；(C)在步驟(b)之后，將第二劃片刀片從半導(dǎo)體晶片的主表面?zhèn)炔迦雱澠鄄⑹沟诙澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此將半導(dǎo)體晶片分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片；(d)將在步驟(C)中得到的半導(dǎo)體芯片放置于芯片安裝襯底的芯片安裝部分之上；(e)在步驟(d)之后，將半導(dǎo)體芯片分別電耦接到芯片安裝襯底；以及(f)用樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片，其中半導(dǎo)體晶片具有基材層、形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、形成于半導(dǎo)體元件層之上的第一互連層、和形成于第一互連層之上的第二互連層，其中放置在第一互連層中的第一絕緣層的介電常數(shù)低于放置于第二互連層中的第二絕緣層的介電常數(shù)，其中第一劃片刀片具有平面圓形形狀，其中第一劃片刀片在其邊緣部分處的截面形狀具有第一側(cè)面、具有相對(duì)于第一側(cè)面的第一側(cè)面傾角的第二側(cè)面、和具有大于第一側(cè)面傾角的相對(duì)于第一側(cè)面的第二側(cè)面傾角的第三側(cè)面，其中第二側(cè)面與第三側(cè)面的第二邊界點(diǎn)之間的寬度小于第一側(cè)面與第二側(cè)面的第一邊界點(diǎn)之間的寬度，其中在步驟(b)中，第一劃片刀片的第一邊界點(diǎn)存在于半導(dǎo)體晶片的主表面的外側(cè)并且第一劃片刀片被插入半導(dǎo)體晶片中使得第二邊界點(diǎn)越過(guò)半導(dǎo)體元件層到達(dá)基材層。[0083]22.如以上在21中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步驟(C)中所要使用的第二劃片刀片的在第二劃片刀片的厚度方向上截取的平面形狀為圓形，其中第二劃片刀片在其圓周部分處的截面形狀具有第四側(cè)面和尖端面，其中第四側(cè)面與尖端面的第三邊界點(diǎn)之間的寬度小于要與半導(dǎo)體元件層接觸的第一劃片刀片的在第二面的部分之間的寬度，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片被插入劃片槽中，使得第二劃片刀片的一部分到達(dá)在步驟(b)之前附著到半導(dǎo)體晶片的背表面的劃片膠帶。[0084]23.如以上在21或22中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中器件區(qū)域分別具有矩形平面形狀，其中在每個(gè)器件區(qū)域中沿其側(cè)邊形成多個(gè)電極焊盤，并且其中在每個(gè)器件區(qū)域中，在電極焊盤與側(cè)邊之間并且沿著所述側(cè)邊形成密封環(huán)。[0085]24.如以上在21到23中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在劃片區(qū)域中形成絕緣膜(有機(jī)膜)以覆蓋測(cè)試焊盤，并且其中在步驟(a)之后且在步驟(b)之前，在形成于每個(gè)器件區(qū)域中的電極焊盤之上形成金屬層。[0086]25.如以上在24中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中利用化學(xué)鍍形成金屬層。[0087]26.如以上在21到25中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成于半導(dǎo)體晶片的主表面的劃片區(qū)域中的測(cè)試焊盤通過(guò)第一互連層和第二互連層被電耦接到半導(dǎo)體層。[0088]27.如以上在26中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除所有測(cè)試焊盤。[0089]28.如以上在26中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除一些測(cè)試焊盤。[0090]29.如以上在21到28中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為約90。。[0091]30.如21到29中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中劃片槽具有上部的第一芯片端面和下部的第三芯片端面，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片以使第二劃片刀片的側(cè)面不與第一芯片端面接觸的方式被插入劃片槽中并在其中移動(dòng)。[0092]31.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包含以下步驟:(a)制備具有主表面、形成于主表面之上的多個(gè)器件區(qū)域、形成于器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域、和在與主表面相反一側(cè)上的背表面的半導(dǎo)體晶片；(b)在半導(dǎo)體晶片的劃片區(qū)域中，將第一劃片刀片從主表面?zhèn)炔迦氚雽?dǎo)體晶片中直到半導(dǎo)體晶片的背表面?zhèn)炔⑹沟谝粍澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此在半導(dǎo)體晶片的主表面中形成劃片槽；(C)在步驟(b)之后，將第二劃片刀片從半導(dǎo)體晶片的主表面?zhèn)炔迦雱澠鄄⑹沟诙澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此將半導(dǎo)體晶片分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片；(d)將在步驟(c)中得到的半導(dǎo)體芯片放置于芯片安裝襯底的芯片安裝部分之上；(e)在步驟(d)之后，將半導(dǎo)體芯片分別電耦接到芯片安裝襯底；以及(f)用樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片，其中半導(dǎo)體晶片具有基材層、形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、形成于半導(dǎo)體元件層之上的第一互連層、和形成于第一互連層之上的第二互連層，其中放置在第一互連層中的第一絕緣層的介電常數(shù)低于放置于第二互連層中的第二絕緣層的介電常數(shù)，其中第一劃片刀片具有圓形平面形狀，其中第一劃片刀片在其圓周部分處的截面形狀具有第一面和具有相對(duì)于第一面的第一側(cè)面傾角的第二面，其中在步驟(b)中，第一劃片刀片的第一邊界點(diǎn)存在于半導(dǎo)體晶片的主表面的外側(cè)并且使第一劃片刀片沿劃片區(qū)域移動(dòng)使得第二邊界點(diǎn)穿過(guò)半導(dǎo)體元件層到達(dá)基材層，并且第一互連層與第一劃片刀片的第二面接觸。[0093]32.如以上在31中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步驟(C)中所要使用的第二劃片刀片的在第二劃片刀片的厚度方向上截取的平面形狀為圓形，其中第二劃片刀片在其圓周部分處的截面形狀具有第四面和尖端面，其中第四面與尖端面的第三邊界點(diǎn)之間的寬度小于要與半導(dǎo)體元件層接觸的第一劃片刀片的在第二面的部分之間的寬度，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片被插入劃片槽中，使得第二劃片刀片的一部分到達(dá)在步驟(b)之前附著到半導(dǎo)體晶片的背表面的劃片膠帶。[0094]33.如以上在31或32中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中器件區(qū)域分別具有矩形平面形狀，其中在每個(gè)器件區(qū)域中沿其側(cè)邊形成多個(gè)電極焊盤，并且在電極焊盤與側(cè)邊之間形成密封環(huán)。[0095]34.如以上在31到33中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在劃片區(qū)域中形成絕緣膜(有機(jī)膜)以覆蓋測(cè)試焊盤，并且其中在步驟(a)之后且在步驟(b)之前，在形成于每個(gè)器件區(qū)域中的電極焊盤之上形成金屬層。[0096]35.如以上在34中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中利用化學(xué)鍍形成金屬層。[0097]36.如以上在31到35中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成于半導(dǎo)體晶片的主表面的劃片區(qū)域中的測(cè)試焊盤通過(guò)第一互連層和第二互連層被電耦接到半導(dǎo)體元件層。[0098]37.如以上在36中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除所有測(cè)試焊盤。[0099]38.如以上在36中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除一些測(cè)試焊盤。[0100]39.如以上在31到38中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為約90°。[0101]40.如31到39中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中劃片槽具有上部的第一芯片端面和下部的第三芯片端面，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片以使第二劃片刀片的側(cè)面不與第一芯片端面接觸的方式被插入劃片槽中并在其中移動(dòng)。[0102]41.一種半導(dǎo)體器件，包括:(a)芯片安裝部分；(b)多個(gè)接合構(gòu)件；(C)具有主表面、形成于主表面之上的多個(gè)電極焊盤的半導(dǎo)體芯片、在與主表面相反一側(cè)上的背表面、以及位于主表面和背表面之間的側(cè)面、并被放置于芯片安裝部分之上的半導(dǎo)體芯片，(d)用于將半導(dǎo)體芯片的電極焊盤分別電耦接到接合構(gòu)件的多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件；以及(e)用于密封半導(dǎo)體芯片的密封構(gòu)件，其中半導(dǎo)體芯片具有(Cl)基材層、(c2)形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、(c3)形成于半導(dǎo)體元件層之上的第一互連層、和(c4)形成于第一互連層之上的第二互連層，其中放置在第一互連層中的第一絕緣層的介電常數(shù)低于放置于第二互連層中的第二絕緣層的介電常數(shù)，并且其中半導(dǎo)體芯片的側(cè)面具有(i)暴露出第一互連層的一部分的第一端面、(ii)比第一端面更靠近半導(dǎo)體芯片的背表面?zhèn)鹊牡诙嗣妗⒑?iii)用于連接第一端面和第二端面的第三端面，其中第二端面實(shí)質(zhì)上垂直于背表面，第三端面相對(duì)于第二端面形成第一端面傾角，并且第一端面形成相對(duì)于第二端面的比第一端面傾角更小的第二端面傾角。[0103]42.如以上在41中所述的半導(dǎo)體器件，其中第一端面傾角為90°。[0104]43.如以上在41或42中所述的半導(dǎo)體器件，其中電極焊盤經(jīng)由第一互連層和第二互連層分別電耦接到半導(dǎo)體元件層。[0105]44.如以上在41到43中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中第二端面傾角為2°或更大但不大于20°。[0106]45.如以上在41到43中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中第二端面傾角為3°或更大但不大于15°。[0107]46.如以上在41到43中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中第二端面傾角為4°或更大但不大于10°。[0108]47.如以上在41到46中任一所述的半導(dǎo)體器件，其中第一絕緣層的介電常數(shù)為3.0或更小。[0109]48.如以上在41到47中任一所述的半導(dǎo)體器件，其中第二絕緣層的介電常數(shù)大于3。[0110]49.如以上在41到48中任一所述的半導(dǎo)體器件，其中第一端面傾角大于20°。[0111]50.如以上在41到49中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中第一絕緣層的介電常數(shù)為3或更小而第二絕緣層的介電常數(shù)大于3。[0112]51.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為2°或更大但不大于20°。[0113]52.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為3°或更大但不大于15°。[0114]53.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為4°或更大但不大于10°。[0115]54.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一絕緣層的介電常數(shù)為3或更小。[0116]55.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二絕緣層的介電常數(shù)大于3。[0117]56.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一側(cè)面傾角大于20°。[0118]57.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一絕緣層的介電常數(shù)為3或更小而第二絕緣層的介電常數(shù)大于3。[0119]58.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中絕緣膜為有機(jī)絕緣膜。[0120]59.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中絕緣膜包括聚酰亞胺樹(shù)脂膜作為其主要成分。[0121]60.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面垂直于第一劃片刀片的徑向延伸并且具有平坦的尖端面。[0122]61.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面為曲線形。[0123]62.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面為等腰三角形。[0124]63.如以上在I到40中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面為具有倒角頂點(diǎn)(beveledapexes)的等腰三角形。[0125]64.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包含以下步驟:(a)制備具有主表面、形成于主表面之上的多個(gè)器件區(qū)域、形成于器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域、和在與主表面相反一側(cè)上的背表面的半導(dǎo)體晶片；(b)在半導(dǎo)體晶片的劃片區(qū)域中，將第一劃片刀片從主表面?zhèn)炔迦氚雽?dǎo)體晶片中直到半導(dǎo)體晶片的背表面?zhèn)炔⑹沟谝粍澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此在半導(dǎo)體晶片的主表面中形成劃片槽；(C)在步驟(b)之后，將第二劃片刀片從半導(dǎo)體晶片的主表面?zhèn)炔迦雱澠鄄⑹沟诙澠镀貏澠瑓^(qū)域移動(dòng)，由此將半導(dǎo)體晶片分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片；(d)將在步驟(C)中得到的半導(dǎo)體芯片放置于芯片安裝襯底的芯片安裝部分之上；(e)在步驟(d)之后，將半導(dǎo)體芯片電耦接到芯片安裝襯底；以及(f)用樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片，其中半導(dǎo)體晶片具有(i)基材層、(ii)形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、和(iii)形成于半導(dǎo)體元件層之上的多層互連層，其中第一劃片刀片具有圓形平面形狀，其中第一劃片刀片在其圓周部分處的截面形狀具有第一側(cè)面、具有相對(duì)于第一側(cè)面的第一側(cè)面傾角的第二側(cè)面、和具有大于第一側(cè)面傾角的相對(duì)于第一側(cè)面的第二側(cè)面傾角的第三側(cè)面，其中第二側(cè)面與第三側(cè)面的第二邊界點(diǎn)之間的寬度小于第一側(cè)面與第二側(cè)面的第一邊界點(diǎn)之間的寬度，并且其中在步驟(b)中，第一劃片刀片的第一邊界點(diǎn)存在于半導(dǎo)體晶片的主表面的外側(cè)并且第一劃片刀片被插入半導(dǎo)體晶片使得第二邊界點(diǎn)穿過(guò)半導(dǎo)體元件層到達(dá)基材層。[0126]65.如以上在64中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步驟(c)中所要使用的第二劃片刀片的在第二劃片刀片的厚度方向上截取的平面形狀為圓形，其中第二劃片刀片在其圓周部分處的截面形狀具有第四側(cè)面和尖端面，其中第四側(cè)面與尖端面的第三邊界點(diǎn)之間的寬度小于要與半導(dǎo)體元件層接觸的第一劃片刀片的在第二側(cè)面的部分之間的寬度，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片被插入劃片槽中，使得第二劃片刀片的一部分到達(dá)在步驟(b)之前附著到半導(dǎo)體晶片的背表面的劃片膠帶。[0127]66.如以上在64或65中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中每個(gè)器件區(qū)域具有矩形平面形狀，其中在每個(gè)器件區(qū)域中沿其側(cè)邊形成多個(gè)電極焊盤，并且其中在每個(gè)器件區(qū)域中，在電極焊盤與側(cè)邊之間并且沿著所述側(cè)邊形成密封環(huán)。[0128]67.如以上在64或65中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在劃片區(qū)域中形成絕緣膜以覆蓋測(cè)試焊盤，并且其中在步驟(a)之后且在步驟(b)之前，在形成于每個(gè)器件區(qū)域中的電極焊盤之上形成金屬層。[0129]68.如以上在67中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中利用化學(xué)鍍形成金屬層。[0130]69.如以上在64到68中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中形成于半導(dǎo)體晶片的主表面的劃片區(qū)域中的測(cè)試焊盤通過(guò)第一互連層和第二互連層被電耦接到半導(dǎo)體元件層。[0131]70.如以上在69中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除所有測(cè)試焊盤。[0132]71.如以上在69中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在步驟(b)中，利用第一劃片刀片移除一些測(cè)試焊盤。[0133]72.如以上在64到71中所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為約90。。[0134]73.如64到72中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中劃片槽具有上部的第一芯片端面和下部的第三芯片端面，并且其中在步驟(C)中，第二劃片刀片以使第二劃片刀片的側(cè)面不與第一芯片端面接觸的方式被插入劃片槽中并在其中移動(dòng)。[0135]74.如以上在64到73中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為2°或更大但不大于20°。[0136]75.如以上在64到73中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為3°或更大但不大于15°。[0137]76.如以上在64到73中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第二側(cè)面傾角為4°或更大但不大于10°。[0138]77.如以上在64到76中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一側(cè)面傾角大于20°。[0139]78.如以上在64到77中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中絕緣膜為有機(jī)絕緣膜。[0140]79.如以上在64到77中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中絕緣膜包括聚酰亞胺樹(shù)脂膜作為其主要成分。[0141]80.如以上在64到79中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面垂直于第一劃片刀片的徑向延伸并且具有平坦的尖端面。[0142]81.如以上在64到79中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面為曲線形。[0143]82.如以上在64到79中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面為等腰三角形。[0144]83.如以上在64到79中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一劃片刀片的比第二邊界點(diǎn)更靠近尖端的部分在厚度方向上的橫截面為具有倒角頂點(diǎn)的等腰三角形。[0145][本申請(qǐng)中的描述方式、基本術(shù)語(yǔ)、及其用法的說(shuō)明]1.在本發(fā)明中，出于方便的需要，實(shí)施方案中的說(shuō)明可以在被劃分成多個(gè)部分之后進(jìn)行。除非特別指出，否則所述多個(gè)部分并非彼此獨(dú)立的，而是每個(gè)都可以為單個(gè)實(shí)施例的一部分或者其中一個(gè)可以為另一個(gè)的部分細(xì)節(jié)或者另一個(gè)的部分或整體的修改例。原則上，不重復(fù)說(shuō)明與前述部分類似的部分。另外，當(dāng)引用實(shí)施方案中的構(gòu)成要素時(shí)，它們不是必要的，除非特別指出、在理論上受數(shù)量限制、或者從語(yǔ)境中顯而易見(jiàn)不是。[0146]2.關(guān)于實(shí)施方案說(shuō)明中的任何材料、任何成分等，術(shù)語(yǔ)“由A制成的X”或類似的表述不排除X具有除A之外的要素作為其主要構(gòu)成成分之一，除非特別指出或者從語(yǔ)境中顯而易見(jiàn)不是。[0147]例如，術(shù)語(yǔ)“由A制成的V，是指“X具有A作為其主要構(gòu)成成分”。當(dāng)然，例如，術(shù)語(yǔ)“硅構(gòu)件”不限于由純硅制成的構(gòu)件，而可以是包含SiGe合金、包括硅作為主要成分的其它多元素合金、或添加劑等的構(gòu)件。[0148]類似地，術(shù)語(yǔ)“銅互連”、“鋁互連”等不限于純銅互連、或純鋁互連等，而是指基于銅的互連、或基于鋁的互連等。這同樣適用于術(shù)語(yǔ)“聚酰亞胺膜”、“金鍍層”等。[0149]類似地，當(dāng)然，術(shù)語(yǔ)“氧化硅膜”不僅指比較純的未摻雜二氧化硅膜，還指熱氧化膜，諸如FSG(氟硅酸鹽玻璃)膜、基于TEOS的氧化硅膜、SiOC(氧碳化硅)膜、摻碳的氧化硅膜、OSG(有機(jī)硅酸鹽玻璃)膜、PSG(磷硅酸鹽玻璃)膜、或者BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)膜；CVD氧化膜；涂敷型氧化硅膜，諸如SOG(玻璃上旋涂(spinonglass))膜或者NSC(納米聚類二氧化娃(nano-clusteringsilica))膜；通過(guò)將孔隙引入到類似構(gòu)件中所獲得的基于氧化硅的低k絕緣膜(多孔絕緣膜)；以及在作為主要構(gòu)成要素的這種膜與另一個(gè)基于硅的絕緣膜之間的復(fù)合膜。[0150]3.形狀、位置、以及屬性等的優(yōu)選實(shí)施例會(huì)被說(shuō)明，然而，當(dāng)然，形狀、位置、以及屬性等并不嚴(yán)格限于優(yōu)選實(shí)施例，除非特別指出或者從語(yǔ)境中顯而易見(jiàn)地不是。[0151]4.當(dāng)引用具體的數(shù)或量時(shí)，數(shù)或量可以大于或小于具體的數(shù)或量，除非特別指出、理論上受具體的數(shù)或量限制、或者從語(yǔ)境中顯而易見(jiàn)地不是。[0152]5.術(shù)語(yǔ)“晶片”通常是指要在上面形成半導(dǎo)體器件(可以為半導(dǎo)體集成電路器件或者電子器件)的單晶硅晶片。然而，當(dāng)然，它包括由半導(dǎo)體層與絕緣襯底構(gòu)成的復(fù)合晶片，諸如外延晶片、SOI襯底、或LCD玻璃襯底等。[0153]6.術(shù)語(yǔ)“低k絕緣膜”通?？芍妇哂信c例如非多孔等離子體TEOS氧化硅膜相比較低的介電常數(shù)的絕緣膜。但是，在本發(fā)明中，根據(jù)半導(dǎo)體領(lǐng)域中的慣例，介電常數(shù)為3或更小的絕緣膜被稱為“低k絕緣膜”，而介電常數(shù)超過(guò)3的絕緣膜被稱為“非低k絕緣膜”。將介電常數(shù)減小到3或更小通常要求在材料成分中包含足夠量的碳或者要求將微觀尺寸(micro-size)的孔或宏觀尺寸(macro-size)的空氣間隙(空腔,void)引入材料結(jié)構(gòu),但這會(huì)使材料強(qiáng)度或結(jié)構(gòu)強(qiáng)度退化。因此，在本發(fā)明中，F(xiàn)SG(氟硅酸鹽玻璃)膜屬于非低k絕緣膜(k=約3.4)。[0154]“低k絕緣膜”的典型示例包括硅/玻璃型CVD絕緣膜，諸如SiOC(碳氧化硅)、摻碳的氧化硅膜、和OSG(有機(jī)硅酸鹽玻璃)膜；基于SSQ(倍半硅氧烷)的硅/玻璃型涂敷絕緣膜(或者S0G)，諸如HSQ(氫倍半硅氧烷)、MSQ(甲基倍半硅氧烷)、和PSQ(苯基倍半硅氧烷);耐熱高分子樹(shù)脂(包括與硅氧烷等的共聚物)，諸如基于聚酰亞胺的有機(jī)樹(shù)脂和BCB(苯并環(huán)丁烯)；以及通過(guò)將微觀尺寸的氣孔或宏觀空氣間隙(空腔)引入上述示例的材料即“非低k絕緣膜”材料中所得到的多孔絕緣膜。這些材料肯定可以用于本發(fā)明的實(shí)施方案中。[0155]當(dāng)然，術(shù)語(yǔ)“低k互連層”等很少在指互連部分中的絕緣膜的整個(gè)部分是由低k絕緣膜制成的，它是指絕緣膜的主要部分(層間絕緣膜、層內(nèi)絕緣膜)是由低k絕緣膜制成的。應(yīng)注意的是，互連層的主要的絕緣膜可以被簡(jiǎn)稱為“層間絕緣膜”而并不區(qū)分是層間還是層內(nèi)絕緣膜。[0156]多層互連層是由低k互連層和/或非低k互連層組成的，并且低k互連層和非低k互連層的每個(gè)通常包括多個(gè)互連層(通常為約兩層到十層)。[0157]7.術(shù)語(yǔ)“環(huán)形(圓環(huán)形)”不僅指幾何上的圓或者圓環(huán)，根據(jù)實(shí)際情況，還可以指包括矩形環(huán)或者其它的環(huán)形。另外，并不總限于嚴(yán)格意義上的閉合的環(huán)。[0158]另外，術(shù)語(yǔ)“輪轂形(hub-shaped)劃片刀片”在嚴(yán)格意義上不是指圓盤形的而是指圓環(huán)形的。當(dāng)提及劃片刀片的邊緣或者圓周部分時(shí)，只使用術(shù)語(yǔ)“圓形”以確保簡(jiǎn)明。[0159][實(shí)施方案的細(xì)節(jié)]下面更具體地說(shuō)明實(shí)施方案。在所有附圖中，相同或者相似的構(gòu)件將用相同或者相似的符號(hào)或者參考數(shù)字標(biāo)識(shí)，并且原則上省略重復(fù)說(shuō)明。[0160]1.關(guān)于本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施方案(主要從圖25到圖29)的概要的說(shuō)明。[0161]近些年來(lái)，由于不斷縮小的半導(dǎo)體工藝，互連設(shè)計(jì)規(guī)則或者互連層的厚度越來(lái)越小。為了滿足這種趨勢(shì)，低k材料被用作多層互連中的絕緣層的材料。[0162]然而，低k材料的強(qiáng)度低。如圖27和28所示，當(dāng)它們被用直刀片切削時(shí)，刀片和晶片之間的接觸區(qū)域變大，并且在此接觸表面產(chǎn)生切削應(yīng)力。因此，在低強(qiáng)度的低k材料中易于產(chǎn)生裂紋。從圖27和28中易見(jiàn)，當(dāng)晶片I被從器件表面?zhèn)菼a(與背表面Ib相反的表面)用直刀片51b切削時(shí)，晶片與刀片的尖端部分之間的接觸區(qū)域114大。這可能引起半導(dǎo)體器件在可靠性上的退化。[0163]本發(fā)明的發(fā)明人因此研究并發(fā)現(xiàn)了該裂紋問(wèn)題可以通過(guò)采用分步切削操作來(lái)抑制，即，首先在晶片表面上用錐形刀片(第一刀片)形成劃片槽，然后用比錐形刀片的刀片厚度小的直刀片(第二刀片)進(jìn)行完全切削。然而，如圖29所示，使用現(xiàn)有的在徑向上具有60°到90°的橫截面頂角(就錐面與晶片的主表面之間的傾角而言為30°到45°)的寬角度錐形刀片(第一刀片)使得能夠減少在晶片與刀片的尖端部分之間的接觸區(qū)域114，但是(除了尖端部分長(zhǎng)度短之外還)增加了尖端部分的磨損頻率，導(dǎo)致更換頻率增加這類問(wèn)題。[0164]在本發(fā)明的一種實(shí)施方案中，在晶片的劃片步驟中，首先，用具有70°或更大但不大于88°的傾角余角(約4°到40°的橫截面頂角，就傾角而言指從約2°到20°)的窄角度錐形刀片從晶片的器件表面?zhèn)刃纬傻竭_(dá)半導(dǎo)體襯底的切削槽，然后，用寬度小于該切削槽寬度的直刀片完全切削上述槽的底部。這使得能夠延長(zhǎng)刀片壽命，因?yàn)殄F形刀片的錐形部分的寬度可以被做得較大。[0165]然而，窄角度錐形劃片刀片的缺點(diǎn)在于當(dāng)劃片刀片的尖端部分窄時(shí)，它磨損很快，這使得難以控制刀片的高度。該問(wèn)題可以通過(guò)使用如稍后將在第2節(jié)中說(shuō)明的具有兩級(jí)錐形(包括移除了尖端部分的形狀)的第一劃片刀片來(lái)克服。使用這種刀片無(wú)論傾角范圍如何都是有效的。然而，將其與小角度錐形刀片組合使用更加有效，因?yàn)榭梢栽黾蛹舛瞬糠值拈L(zhǎng)度。其要點(diǎn)稍后將進(jìn)行說(shuō)明。[0166]圖25(與圖26Ca)所示的劃片刀片的圓周部分R4的Y_Y’截面相對(duì)應(yīng))為在根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中的兩步劃片工藝的第一切削步驟中所要使用的錐形劃片刀片51a的圓周部分在徑向上的截面圖(包括片狀構(gòu)件，諸如要?jiǎng)澠陌雽?dǎo)體晶片)。圖26(a)和26(b)(26(a)為整體示意性截面圖而26(b)為圖26(a)所示的劃片刀片的圓周部分R4的C-C’截面圖)為工藝視圖，用于說(shuō)明使用在根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件制造方法中的兩步劃片工藝的第一切削步驟中所要使用的錐形劃片刀片51a來(lái)形成槽的原理。如圖25或圖26所示，劃片刀片由具有平坦的第一側(cè)面104(內(nèi)環(huán)側(cè)面的傾角余角ΘI為例如90°)的平坦的內(nèi)環(huán)部分101、位于內(nèi)環(huán)部分之下并具有傾斜的第二側(cè)面105(外環(huán)側(cè)面的傾角的余角Θ2為例如83°，這意味著外環(huán)側(cè)面的傾角?2為7°)的外環(huán)部分102、以及位于外環(huán)部分之下并具有傾斜的第三側(cè)面106(外沿側(cè)面的傾角的余角Θ3為例如45°，意味著外沿側(cè)面的傾角03為45°)的外緣部分103組成。在該圖中，作為從平坦的第一側(cè)面104到傾斜的第二側(cè)面105的過(guò)渡點(diǎn)的第一邊界點(diǎn)P與P’之間的距離被指定為第一邊界點(diǎn)寬度Tl，而作為從第二側(cè)面105到第三偵_106的過(guò)渡點(diǎn)的第二邊界點(diǎn)Q與Q’之間的距離被指定為第二邊界點(diǎn)寬度T2。[0167]從圖25可見(jiàn)，具有如QVQ’的尖端部分的單級(jí)錐形刀片在其尖端部分處窄，使得在切削期間刀片磨損嚴(yán)重并且刀片邊緣的高度變化是不可避免的。另一方面，以實(shí)線表示的兩級(jí)錐形劃片刀片51a具有較寬的尖端部分(外沿部分103和尖端附近的外環(huán)部分102的一部分)使得可以抑制劃片刀片的磨損。其結(jié)果，無(wú)需頻繁地調(diào)整刀片高度或者刀片高度能夠易于調(diào)整。當(dāng)使用窄角度錐形刀片時(shí)，由于P和Q之間較大的寬度，可以使得其壽命相當(dāng)長(zhǎng)，即使外布邊緣部分103因磨損而消失，尖端附近的外環(huán)部分102的一部分也會(huì)變成新的外部邊緣部分103。[0168]另外，如圖25所示，只有錐形劃片刀片51a的切削部分111(從晶片的切削面112插入到晶片內(nèi)的部分)的外環(huán)側(cè)面105(第二側(cè)面)與較脆弱的低k互連層8(第一互連層)接觸。另外，在圖26(a)和26(b)的在產(chǎn)生碎片(chipping)最頻繁的靠近刀片的退刀點(diǎn)(escapepoint)62的截面中，在劃片槽21的側(cè)壁表面與錐形劃片刀片51a的外環(huán)側(cè)面105(第二側(cè)面)之間有空間，因?yàn)榈镀清F形的。這種結(jié)構(gòu)使得能夠大大抑制碎片的產(chǎn)生。該效果與是否存在低k互連層8無(wú)關(guān)，但是當(dāng)存在低k互連層8時(shí)是顯著的。[0169]如稍后基于圖8等中將說(shuō)明的那樣，在第二步驟中，刀片厚度小于第二邊界點(diǎn)寬度T2的小寬度直刀片51b(第二劃片刀片)進(jìn)入到在第一步驟中所形成的劃片槽21的位于一對(duì)第二邊界點(diǎn)Q和Q’之間的一部分中，使得直刀片51b的側(cè)面不與低k互連層8(第一互連層)的暴露的表面相接觸。這也大大抑制了破裂的產(chǎn)生。碎片(裂紋)很難發(fā)生，除非劃片刀片與脆弱的低k互連層8接觸，因此只需要第二劃片刀片51b的寬度T3至少小于要與半導(dǎo)體元件層14相接觸的第一劃片刀片(錐形劃片刀片)的第二側(cè)面(或者第二面)的一部分的寬度T4(或者相應(yīng)部分的劃片刀片的厚度)。然而，還是有擔(dān)憂，因?yàn)樵趧澠襟E中，用旋轉(zhuǎn)劃片刀片來(lái)切削半導(dǎo)體晶片1，旋轉(zhuǎn)操作和與半導(dǎo)體晶片I的接觸應(yīng)力可能引起切削位置的不對(duì)準(zhǔn)?？紤]到這種不對(duì)準(zhǔn)，如上所述優(yōu)選地，第二劃片刀片51b的寬度T3小于第二邊界點(diǎn)之間的寬度T2。[0170]2.下面說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體晶片制造方法中的劃片工藝(主要地，從圖1(a)到圖10)。[0171]首先，在本節(jié)中，說(shuō)明用于劃片的準(zhǔn)備步驟。如圖1(a)到I(C)(特別地，圖1(a))所述，必須制備幾乎已經(jīng)完成了它的晶片階段的半導(dǎo)體晶片I。晶片I為，例如，具有約300Φ的直徑(可以為200Φ或450Φ)的P型單晶硅襯底lp，并且，在其器件表面(主表面)Ia上，具有許多芯片區(qū)域2。這些芯片區(qū)域中的兩個(gè)Rl如圖1(a)到圖1(c)(具體地，圖1(b)和表示了其X-X’截面的圖1(c))所示。器件表面Ia(與背表面Ib相對(duì)的表面)除了諸如焊盤開(kāi)口(padopening)和劃片區(qū)域(scriberegion)的部分之外的大部分由最終鈍化膜3(例如，下部的無(wú)機(jī)絕緣膜和上部的感光聚酰亞胺有機(jī)樹(shù)脂膜)所覆蓋。與這些開(kāi)口對(duì)應(yīng)地形成產(chǎn)品區(qū)域2的電極焊盤4(鍵合焊盤(bondingpad))和劃片區(qū)域6的測(cè)試電極焊盤5。在產(chǎn)品區(qū)域2的邊緣附近，密封環(huán)18被環(huán)繞放置。這些電極焊盤通常被形成為鋁(或者可以為銅)互連層或者焊盤層。晶片I在其襯底區(qū)域之上具有多層互連層10，所述多層互連層10有使用例如SiOC膜(k=約2.6)等作為層間絕緣膜Si(第一絕緣膜)的下部的低k互連層8(第一互連層)、和使用例如等離子體TEOS氧化硅膜(k=約4.1)作為層間絕緣膜7i(第二絕緣膜)的上部的非低k絕緣層7(第二互連層)。每個(gè)互連層都由銅型(也可以為銀型)的鑲嵌互連或者傳統(tǒng)的鋁型(也可以包括鎢插塞等)的互連或者它們的組合構(gòu)成。在本實(shí)施方案中，電極焊盤4其具有矩形平面形狀(在本實(shí)施方案中為正方形平面形狀)，并沿著產(chǎn)品區(qū)域2的每條側(cè)邊放置；但是它們可以在產(chǎn)品區(qū)域2中被放置成(多個(gè))行，并可以在產(chǎn)品區(qū)域2的中央部沿著產(chǎn)品區(qū)域2的一條側(cè)邊放置；或者可以集中于產(chǎn)品區(qū)域2的一條側(cè)邊上。[0172]接下來(lái)，如圖2所示，晶片I的背表面Ib被附著到劃片膠帶11上然后固定到劃片架(dicingframe)等上。芯片周圍和芯片之間的區(qū)域R2的細(xì)節(jié)接下來(lái)將結(jié)合圖3進(jìn)行具體說(shuō)明。如圖3所示，晶片I在其基材層Ip上具有半導(dǎo)體元件層14(包括阱、硅襯底表面、柵電極、和金屬前層等)。在密封環(huán)之間的區(qū)域LI中，劃線區(qū)域6被設(shè)置在一對(duì)碎片余裕區(qū)域(chippingmarginregion)17之間。劃線區(qū)域6在其內(nèi)部具有TEG測(cè)試焊盤開(kāi)口15。多層互連層10中的互連構(gòu)成密封環(huán)18和TEG測(cè)試互連部分19。在本實(shí)施方案中，晶片I的背表面Ib在半導(dǎo)體晶片I的制備之后被附著到劃片膠帶11上，但是在附著到劃片膠帶11上之前，可以在半導(dǎo)體晶片I的器件表面(主表面)Ia上形成重布線層(redistributionlayer)以改變電極焊盤4的位置。[0173]接下來(lái)，結(jié)合圖4(a)到4(C)對(duì)作為第一切削步驟的使用錐形刀片51a的切削步驟進(jìn)行說(shuō)明。如圖4(a)到4(c)所示，晶片在X和Y的每個(gè)方向上沿著劃片線(劃線區(qū)域連接起來(lái)的直線型區(qū)域)被切削(作為兩步切削的第一步驟的半切削)以在晶片I的器件表面Ia的側(cè)邊形成劃片槽21a。截面的細(xì)節(jié)將基于圖5進(jìn)行說(shuō)明。錐形劃片刀片51a(第一劃片刀片)在其圓周部分處的截面結(jié)構(gòu)關(guān)于厚度方向上的中心線大致成線對(duì)稱。它具有這樣的結(jié)構(gòu):從旋轉(zhuǎn)中心開(kāi)始，配備有平坦的內(nèi)環(huán)部分101、具有傾斜的側(cè)面的外環(huán)部分102、以及具有更傾斜的側(cè)面的外緣部分103等。一對(duì)這種兩個(gè)斜度改變點(diǎn)(拐點(diǎn))分別被稱為第一邊界點(diǎn)P和P’(在平坦的內(nèi)環(huán)部分101和外環(huán)部分102之間)和第二邊界點(diǎn)Q和Q’(在外環(huán)部分102和外沿部分103之間)。第一邊界點(diǎn)P和P’之間的距離被稱為第一邊界點(diǎn)寬度Tl，而第二邊界點(diǎn)Q和Q’之間的距離被稱為第二邊界點(diǎn)寬度T2。顯然它們之間有下列關(guān)系:T1>T2。圖5的用錐形劃片刀片51a的切削結(jié)果如圖6所示。[0174]如圖6所示，與兩級(jí)錐形相應(yīng)地，劃片槽21a具有陡峭的第一芯片端面205(槽的側(cè)面)、較緩的第三芯片端面206(槽的底面)等。[0175]接下來(lái)將結(jié)合圖7(a)到7(C)對(duì)作為用直刀片51b進(jìn)行劃片的第二步驟地切削步驟進(jìn)行說(shuō)明。如圖7(a)到7(c)所示，晶片在X和Y的每個(gè)方向上沿著劃片槽21a被切削(作為兩步切削的第二步驟的切削)，晶片I的器件表面Ia上的劃片槽21a延伸到附著于背表面Ib的劃片膠帶11內(nèi)。接下來(lái)將結(jié)合圖8具體說(shuō)明截面。如圖8所示，直刀片51b的厚度T3(第三邊界點(diǎn)S與S’之間的距離，即第三邊界點(diǎn)寬度T3)小于錐形劃片刀片51a的第二邊界點(diǎn)寬度T2，使得直刀片51b只切削劃片槽21a的第三芯片端面206。在該區(qū)域中不存在小型的器件結(jié)構(gòu)，因此可以進(jìn)行劃片而不會(huì)損傷器件。另外，該部分由單晶硅制成并因此比較硬而且堅(jiān)固，使得碎片的發(fā)生頻率低。在該實(shí)施例中，直刀片51b具有平坦的尖端面(tipface)110作為其尖端部分。尖端部分本來(lái)不必具有平坦表面，但是這種平坦表面能夠被容易地制造。因此，它可以具有與錐形劃片刀片51a相似的形狀(參考圖21(a)到21(e))。重要的是上述的這兩個(gè)刀片之間的相對(duì)的厚度關(guān)系。使用直刀片51b的切削結(jié)果如圖9所示。[0176]如圖9所示，第二劃片槽21b是新近形成的，并且因此，形成了芯片2的垂直面207(第二芯片端面)。除此以外，芯片側(cè)壁部分209還由陡峭的第一芯片端面205(槽側(cè)面)、以及較緩的第三芯片端面206(槽底面)等組成。[0177]如圖10所示，然后剝離劃片膠帶11，由此出現(xiàn)大量獨(dú)立的芯片2。實(shí)際上，從劃片膠帶11上拾取芯片2，然后執(zhí)行下述第3節(jié)所述的管芯鍵合。[0178]3.關(guān)于本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中的組裝工藝(assemblyprocess)等(主要地,從圖11(a)到圖16)的說(shuō)明。[0179]在本節(jié)中，將說(shuō)明每節(jié)所述的劃片步驟后的組裝工藝的一個(gè)實(shí)例。[0180]首先，芯片安裝襯底31(只表示了單元器件區(qū)域)如圖11(a)和11(b)(圖11(a)表示了上表面，而圖11(b)表示了A-A’截面)所示。該圖表示了引線框架的示例，但是可以使用有機(jī)多層互連襯底或者其它的互連襯底來(lái)代替。如圖11(a)和11(b)所示，芯片安裝襯底31在其中央部分處具有管芯焊盤部分32(芯片安裝部分)。管芯焊盤部分32由懸掛引線(suspendinglead)33在四個(gè)方向上固定。許多的外部引線部分34(接合構(gòu)件)在管芯焊盤部分32的外側(cè)周邊處延伸。[0181]然后，處于如圖9所示狀態(tài)下的芯片2被拾取并如圖12(a)和12(b)所示那樣被管芯鍵合到管芯焊盤部分32上。然后，如圖13(a)和13(b)所示，利用鍵合線35(導(dǎo)電構(gòu)件)，對(duì)外部引線部分34和芯片2的上表面上的電極焊盤4進(jìn)行例如球一楔鍵合。[0182]圖14為圖13(a)和13(b)的芯片端部R3的放大視圖。如圖14所示，第一芯片端面205相對(duì)于垂直面207以第二端面傾角Σ2傾斜。第三芯片端面206相對(duì)于垂直面207以大于第二端面傾角Σ2的第一端面傾角Σ1傾斜。[0183]然后，如圖15(a)和15(b)所示，引線框架31被彼此分離并且每個(gè)都成為樹(shù)脂密封部分36(單個(gè)的器件)。最終的器件具有如圖16所示的截面形狀。[0184]4.關(guān)于在本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中使用的劃片裝置等的說(shuō)明(主要地，圖17Ca)到圖18)。[0185]在本節(jié)中，說(shuō)明在每個(gè)實(shí)施例中都要使用的劃片裝置等。如圖17(a)和17(b)所示，劃片裝置具有吸附臺(tái)(suctiontable)54(晶片載臺(tái)),而由劃片膠帶粘附并固定到環(huán)形架55上的晶片I被真空吸附到吸附臺(tái)上。在此狀態(tài)下，利用刀片夾持部分52，將劃片刀片51附著到由主軸夾持部分56支持的主軸57的末端部分58，并且以高速旋轉(zhuǎn)以實(shí)施切削。此時(shí)，載臺(tái)54通常在水平方向上移動(dòng)以實(shí)行切削從而形成劃片槽21。在切削期間，從冷卻水供給臂狀噴嘴59、純水噴霧器(spray)60、或純水噴淋器(shower)61等供給用于冷卻或清洗的純水或者冷卻液。在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“刀片在徑向上的截面”(或者簡(jiǎn)稱，刀片的截面形狀)是指圖17Ca)的Y-Y’截面，除非特別指出。[0186]圖17(a)和17(b)所示的刀片為組裝型?，F(xiàn)在流行使用的輪轂型刀片如圖18所示。在該輪轂型刀片中，刀片夾持部分52在其中心部分處具有主軸附著部分53，而劃片刀片51被集成為一體。在此情況下，劃片刀片51自身不是圓盤型而是圓環(huán)形。[0187]每個(gè)構(gòu)件都具有標(biāo)準(zhǔn)尺寸，如本圖中所示。當(dāng)然，也可以使用具有其它尺寸的構(gòu)件。[0188]5.關(guān)于本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中的劃片工藝(修改例I錐形薄刀片系統(tǒng)”)等的說(shuō)明(主要地，圖19)。[0189]在本實(shí)施例中，在第2節(jié)的第一步驟中，只有一些TEG測(cè)試焊盤5(測(cè)試焊盤或者電極焊盤)被切削和移除。圖19為截面圖，其中第2節(jié)的圖5和圖8相互重疊。在本例中，與圖5相反，非器件區(qū)域6(劃片區(qū)域(scriberegion或dicingregion))大于錐形劃片刀片的平坦的內(nèi)環(huán)部分的厚度Tl(第一邊界點(diǎn)寬度)。[0190]在現(xiàn)有的劃片步驟中，幾乎所有的TEG測(cè)試焊盤5被移除以防止測(cè)試技巧(testknow-how)的泄露或者防止在后續(xù)步驟中產(chǎn)生灰塵。然而，這容易使劃片區(qū)域擴(kuò)大。劃片區(qū)域的擴(kuò)大導(dǎo)致可用數(shù)量的大幅度減少，因此必須盡可能避免這種情況。在SIP(系統(tǒng)級(jí)封裝)型產(chǎn)品中，劃片區(qū)域的尺寸經(jīng)常事先被設(shè)為較小值以便于設(shè)計(jì)。另外，考慮到它的預(yù)期用途，難以使碎片余裕變窄。為了滿足上述目標(biāo)，最好的方法是如本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例那樣移除所有的TEG測(cè)試焊盤5，但是如果不能的話，那么如本實(shí)施例中那樣減小第一步驟刀片的厚度是有效的。[0191]當(dāng)如本實(shí)施方案那樣只有主要的TEG測(cè)試焊盤5被移除時(shí)，能夠減小劃片區(qū)域的寬度，因?yàn)樗鼈兡芾眯挾鹊牡镀?用于第一切削的刀片)而被移除。因?yàn)橹饕腡EG測(cè)試焊盤5被移除，所以這樣的系統(tǒng)對(duì)于防止測(cè)試技巧的泄露和抑制后續(xù)步驟中的灰塵的產(chǎn)生也是有效的。[0192]6.關(guān)于本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中的劃片工藝(修改例2聚酰亞胺涂敷系統(tǒng)”)等的說(shuō)明(主要地，圖20)。[0193]本實(shí)例是第2節(jié)和第5節(jié)所述的器件結(jié)構(gòu)的修改例。在諸如晶片級(jí)封裝的具有重布線結(jié)構(gòu)的器件或者具有凸起電極(bumpelectrode)的器件中，需要在下部的最終鈍化膜3之上形成上部的最終鈍化膜12(例如感光聚酰亞胺型有機(jī)樹(shù)脂膜)的圖案，然后通過(guò)電鍍或化學(xué)鍍將鍍敷層(金屬層)形成于產(chǎn)品區(qū)中的電極焊盤4之上(傾向于使用化學(xué)鍍金等)。然而，在所述鍍敷中，在劃片區(qū)域中的電極焊盤5之上也不必要地形成了鍍敷層，或者電極焊盤5被用于預(yù)處理的酸所腐蝕。為了防止這種問(wèn)題，經(jīng)常用與上部的最終鈍化膜12形成于相同的層中的有機(jī)保護(hù)膜諸如聚酰亞胺膜來(lái)覆蓋劃片區(qū)域的電極焊盤5。然而，當(dāng)這種有機(jī)樹(shù)脂膜和硬質(zhì)的硅構(gòu)件同時(shí)被機(jī)械劃片時(shí)，可能對(duì)旋轉(zhuǎn)刀片施加額外的負(fù)擔(dān)，導(dǎo)致頻繁地產(chǎn)生碎片(在沒(méi)有低k互連層8的情況下也一樣)。[0194]在此情況下，如第I節(jié)或第5節(jié)所述的劃片方法是有效的。如結(jié)合圖26(a)和26(b)所述那樣，即使由于額外的負(fù)擔(dān)，刀片發(fā)生輕微的不對(duì)準(zhǔn)，它對(duì)劃片槽側(cè)壁的影響也可以被抑制，因?yàn)樵谧钊菀装l(fā)生碎片的退刀點(diǎn)附近，劃片槽的側(cè)壁和刀片的側(cè)面之間有空間。[0195]7.關(guān)于可用于本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施方案所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中所要使用的劃片裝置中的劃片刀片的截面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明(主要地，從圖21(a)到圖24(b)。[0196]在以上各節(jié)中，主要詳細(xì)說(shuō)明了要用于第一步驟的具有兩級(jí)錐形的錐形劃片刀片。在本節(jié)中，另一方面，將具體說(shuō)明刀片圓周部分R4(圖18)的截面形狀的變化。[0197]如圖21(a)到21(e)所示，本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施方案中的刀片圓周部分R4(圖18)的截面形狀在形態(tài)上可以粗略地劃分為五種類型。圖21(a)所示的刀片具有第2節(jié)中所述的基本截面形狀，其中平坦的內(nèi)環(huán)部分101(對(duì)應(yīng)于內(nèi)環(huán)部分側(cè)面104或第一側(cè)面)在其下方具有梯形的外環(huán)部分102(對(duì)應(yīng)于外環(huán)側(cè)面105或第二側(cè)面)，并且，在外環(huán)部分之下，具有等腰三角形的外緣部分103(對(duì)應(yīng)于外緣側(cè)面106或第三側(cè)面)。圖21(b)所示的刀片(無(wú)尖端型)具有與圖21(a)的刀片類似的截面形狀，除了等腰三角形的外緣部分103被用平坦的尖端面108替代以外。其它的刀片的每個(gè)都具有與基本形狀類似的截面形狀，除了等腰三角形的外緣部分103被修改以外。圖21(c)為截面形狀，具有平緩曲線而非等腰三角形(弧形尖端型)；圖21Cd)為截面形狀，其中靠近等腰三角形頂點(diǎn)的部分被線性地倒角(外端倒角部分107);圖21Ce)為截面形狀，其中靠近等腰三角形的部分被球形地倒角(外端倒角部分107)。[0198]關(guān)于由本發(fā)明的發(fā)明人在各種條件下制造和評(píng)價(jià)的每個(gè)實(shí)施方案的試驗(yàn)刀片，下面結(jié)合圖22(a)到24(b)說(shuō)明刀片圓周部分R4的截面形狀的角度和尺寸的優(yōu)選的范圍。在這些圖中，尺寸用單位_表示，而角度用單位。表示。在這些圖中，每個(gè)圖中的(a)圖表示傾角的最優(yōu)的最大余角(在通常條件下實(shí)際可用的傾角的最大余角)和外環(huán)部分的最優(yōu)的最大寬度。每個(gè)圖中的(b)圖表示傾角的最優(yōu)的最小余角(在通常條件下實(shí)際可用的傾角的最小余角)和外環(huán)部分的最優(yōu)的最小寬度。圖23(a)和23(b)中的頂點(diǎn)處的內(nèi)角優(yōu)選地為50°到180°(與圖22(a)和22(b)中的相等)。因此能夠給出75°到87°的實(shí)例作為通常條件下外環(huán)部分側(cè)面的傾角的余角的實(shí)際范圍。這意味著就外環(huán)部分側(cè)面的傾角Θ2(第一側(cè)面傾角)而言為3°到15°。在允許足夠機(jī)械精度的情況下，能夠給出70°到88°的實(shí)例作為通常條件下外環(huán)部分側(cè)面的傾角?2的余角的實(shí)際范圍。這意味著就外環(huán)部分側(cè)面的傾角?2(第一側(cè)面傾角)而言為2°到20°。在特別地要求可靠性的情況下，能夠給出80°到86°的實(shí)例作為通常條件下外環(huán)部分側(cè)面的傾角02的余角的實(shí)際范圍。這意味著就外環(huán)部分側(cè)面的傾角?2(第一側(cè)面傾角)而言為4°到10°。[0199]8.概述[0200]以上詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的發(fā)明人提出的發(fā)明。然而，應(yīng)記住，本發(fā)明不受此限制，而是能夠在不偏離本發(fā)明范圍的情況下被改變。[0201]例如，在以上的實(shí)施方案中，以傳統(tǒng)的要在背表面研磨之后進(jìn)行的劃片步驟為前提進(jìn)行了具體說(shuō)明。然而本發(fā)明并不受此限制，并且當(dāng)然地，本發(fā)明可以被應(yīng)用先于背表面研磨進(jìn)行劃片的DBG(研磨前劃片)。在此情況下，利用第二切削進(jìn)行半切削而不是完全切削。[0202]在以上實(shí)施方案中，發(fā)明被用于使用基于鋁的傳統(tǒng)互連或者基于銅的鑲嵌互連的互連結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本發(fā)明不僅可以被應(yīng)用于這些情況，還可以應(yīng)用于使用基于銀的鑲嵌互連或者其它類型的互連結(jié)構(gòu)?！緳?quán)利要求】1.一種半導(dǎo)體器件，包括:(a)芯片安裝部分；(b)多個(gè)接合構(gòu)件；(C)半導(dǎo)體芯片，其具有主表面、多個(gè)形成于所述主表面上的電極焊盤、與所述主表面相對(duì)的背表面、以及在所述主表面和所述背表面之間的側(cè)面，并且安裝于所述芯片安裝部分上；(d)多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件，用于將所述半導(dǎo)體芯片的所述電極焊盤分別電耦接到所述接合構(gòu)件；以及Ce)密封所述半導(dǎo)體芯片的密封構(gòu)件，其中，所述半導(dǎo)體芯片具有基材層、形成于基材層之上的半導(dǎo)體元件層、形成于半導(dǎo)體元件層之上的第一互連層、和形成于第一互連層之上的第二互連層，放置在第一互連層中的第一絕緣層的介電常數(shù)低于形成于半導(dǎo)體元件層中的金屬前絕緣層和放置于第二互連層中的第二絕緣層的每一個(gè)的介電常數(shù)，所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面具有暴露第一互連層的一部分的第一端面、比第一端面更靠近所述半導(dǎo)體芯片的背表面?zhèn)鹊牡诙嗣妗⒑偷谝欢嗣婧偷诙嗣嬷g的第三端面，由第一端面相對(duì)于所述背表面形成的第一傾角小于由第二端面相對(duì)于所述背表面形成的第二傾角，且大于由第三端面相對(duì)于所述背表面形成的第三傾角。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中第二端面被形成于與所述背表面垂直的方向上。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中第二傾角為90°。4.權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電極焊盤經(jīng)由第一互連層和第二互連層分別電耦接到所述半導(dǎo)體元件層?！疚臋n編號(hào)】H01L21/78GK103871993SQ201410104152【公開(kāi)日】2014年6月18日申請(qǐng)日期:2010年1月7日優(yōu)先權(quán)日:2009年1月22日【發(fā)明者】秋葉俊彥,木村稔,小田切政雄申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社