Qd-led像素顯示器件、制作方法及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板。本發(fā)明具有如下優(yōu)點或者有益效果：本發(fā)明將無機量子點材料應(yīng)用到OLED中作為發(fā)光層形成一種新型的QD-LED像素顯示器件，并將其應(yīng)用于顯示面板中，其發(fā)光波長覆蓋波長范圍廣，可以制備出可見光區(qū)域任何顏色的器件，可以提高顯示屏幕的NTSC，穩(wěn)定性優(yōu)于有機EL器件，且機械強度增加；此外，采用無機材料作為電子傳輸層，使得本發(fā)明QD-LED像素顯示器件的封裝標(biāo)準(zhǔn)遠低于OLED，大幅縮減封裝成本和工序，且色純度高。
【專利說明】QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種QD-LED像素顯示器件、制作方法及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,量子點(Quantum Dot, QD) LED技術(shù)得到廣泛發(fā)展，量子點是一種尺寸在2~20nm半導(dǎo)體納米晶體材料,是由CdSe (S/Te)、ZnSe (S)等元素組成。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體中，電子和空穴可用波函數(shù)來描述，在量子點限制系統(tǒng)中，波函數(shù)被限制在一個很小的區(qū)域中，導(dǎo)致載流子能量升高。當(dāng)限制程度提高時，這個能量會增加，對量子點來說，限制程度由量子點的粒徑?jīng)Q定，當(dāng)量子點尺寸減小時，電子與空穴波函數(shù)增加，也就是說電子與空穴輻射復(fù)合所產(chǎn)生的能量將隨著量子點尺寸的減小而增加。
[0003]現(xiàn)在LTPS技術(shù)成為制備高畫質(zhì)顯示器的前提條件，很多機構(gòu)都在開發(fā)OLED顯示屏，通常使用的OLED發(fā)光層材料為有機發(fā)光材料，且OLED器件層次結(jié)構(gòu)多為有機材料，其發(fā)光波長覆蓋波長范圍較窄，色域(NTSC)較小，穩(wěn)定性和色純度均不高，此外，封裝成本較高、工序較復(fù)雜。
[0004]中國專利(
【發(fā)明者】翟保才 申請人:上海和輝光電有限公司