發(fā)光器件封裝件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了發(fā)光器件封裝件及其制造方法，發(fā)光器件封裝件包括：框架單元，包括彼此間隔開的至少兩個引線框架和通過所述兩個引線框架之間的距離限定的發(fā)光區(qū)；發(fā)光器件，安裝在所述框架單元的一個表面上，以使得所述發(fā)光器件布置為橫跨所述發(fā)光區(qū)，并且所述發(fā)光器件電連接至引線框架；波長轉(zhuǎn)換單元，設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，并被構(gòu)造為轉(zhuǎn)換從所述發(fā)光器件發(fā)射的光的波長，并發(fā)射具有轉(zhuǎn)換的波長的光；以及反射模制單元，形成在所述框架單元的所述表面上以覆蓋所述發(fā)光器件。
【專利說明】發(fā)光器件封裝件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年2月14日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2013-0015839的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開內(nèi)容以引用方式全文并入本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]與示例性實(shí)施例一致的裝置、方法和制品涉及一種發(fā)光器件封裝件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]現(xiàn)有技術(shù)的側(cè)發(fā)光式發(fā)光器件封裝件(其發(fā)光表面設(shè)置為垂直于板)包括設(shè)置在安裝于板上的封裝件的側(cè)表面上的電極焊盤。為此，必須執(zhí)行用于從封裝體的側(cè)表面中暴露電連接至發(fā)光器件的引線框架和用于彎曲暴露的引線框架的一系列復(fù)雜處理。因此，限制了減小封裝件尺寸和降低制造成本的能力。
[0005]另外，在通過分配工藝?yán)煤坠怏w的樹脂填充其中安裝有發(fā)光器件的反射杯時，難以重復(fù)地均勻地注射預(yù)定量的樹脂以保持和管理預(yù)定厚度的發(fā)光器件。具體地說，難以保持具有均勻厚度的磷光體層，這繼而不利地影響彩色坐標(biāo)分散性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]示例性實(shí)施例提供了具有簡單的結(jié)構(gòu)、導(dǎo)致低制造成本并具有一致厚度的磷光體層的發(fā)光器件封裝件及其制造方法。
[0007]根據(jù)示例性實(shí)施例的一個方面，提供了一種發(fā)光器件封裝件，包括:框架單元，包括彼此間隔開的至少兩個引線框架和通過它們之間的距離限定的發(fā)光區(qū)；發(fā)光器件，安裝在框架單元的一個表面上，以使得發(fā)光器件布置為橫跨發(fā)光區(qū)，并且所述發(fā)光器件電連接至所述至少兩個引線框架；波長轉(zhuǎn)換單元，被構(gòu)造為轉(zhuǎn)換從發(fā)光器件發(fā)射的光的波長，并向外發(fā)射具有轉(zhuǎn)換的波長的光；以及反射模制單元，形成在框架單元的所述表面上以覆蓋所述發(fā)光器件。
[0008]波長轉(zhuǎn)換單元可設(shè)置在發(fā)光區(qū)中，并且可形成為平行于框架單元的所述表面和與框架單元的所述表面相對的框架單元的另一表面。
[0009]反射模制單元可由包括反射材料的樹脂制成。
[0010]反射模制單元的外表面可與框架單元的外周表面共面。
[0011]至少兩個引線框架中的每一個的面對發(fā)光區(qū)的內(nèi)表面可沿著從安裝有發(fā)光器件的表面至與所述表面相對的另一表面的方向從發(fā)光區(qū)傾斜遠(yuǎn)離。
[0012]框架單元還可包括形成在至少兩個引線框架的每一個中的安裝凹槽，安裝凹槽凹入引線框架中，并且發(fā)光器件安裝至所述安裝凹槽。
[0013]至少兩個引線框架中的每一個可包括從引線框架沿著延伸方向延伸的延伸框架部分。[0014]延伸框架部分可設(shè)置為彼此平行，其中發(fā)光器件介于延伸框架部分之間，并且延伸框架部分不與沿著延伸方向布置的其它引線框架接觸。
[0015]延伸框架部分可彼此平行地延伸，并且每個延伸框架部分的端部可延伸超過介于延伸框架部分之間的發(fā)光器件的寬度，并且每個引線框架還可包括用于容納與其平行地延伸的另一引線框架的端部的凹槽。
[0016]每個引線框架的端部朝著與其平行地延伸的另一引線框架的凹槽彎曲，并且每個凹槽的一部分包括電絕緣部分。
[0017]根據(jù)另一示例性實(shí)施例的一方面，提供了一種制造發(fā)光器件封裝件的方法，所述方法包括:制備其中布置有多個框架單元的基礎(chǔ)框架，所述多個框架單元中的每一個包括第一引線框架和與第一引線框架間隔開的第二引線框架；將臨時固定膜附著至基礎(chǔ)框架的下表面；在通過第一引線框架和第二引線框架之間的距離限定的發(fā)光區(qū)中形成波長轉(zhuǎn)換單元；將發(fā)光器件安裝為橫跨每個框架單元的發(fā)光區(qū)，發(fā)光器件安裝在第一引線框架和第二引線框架中的每一個的表面的一部分上；以及在每個框架單元上形成反射模制單元以覆蓋發(fā)光器件。
[0018]形成波長轉(zhuǎn)換單元的步驟可包括用含磷光體的樹脂填充每個發(fā)光區(qū)。
[0019]形成反射模制單元的步驟可包括:將包括反射材料的樹脂注射到基礎(chǔ)框架上以覆蓋發(fā)光器件，以及固化所述樹脂。
[0020]所述方法還可包括在形成波長轉(zhuǎn)換單元之后去除臨時固定膜。
[0021]所述方法還可包括將基礎(chǔ)框架切割為框架單元。
[0022]根據(jù)另一示例性實(shí)施例的一方面，提供了一種發(fā)光器件封裝件，包括:第一引線框架；第二引線框架，與第一引線框架間隔開，以在第一引線框架與第二引線框架之間的間隙中形成發(fā)光區(qū)；發(fā)光器件，安裝并電連接至第一引線框架和第二引線框架，以使得發(fā)光器件布置為橫跨發(fā)光區(qū)；波長轉(zhuǎn)換單元，形成在發(fā)光區(qū)中，并且轉(zhuǎn)換從發(fā)光器件發(fā)射的光的波長并發(fā)射具有轉(zhuǎn)換的波長的光；以及反射模制單元，形成在第一引線框架和第二引線框架上以覆蓋發(fā)光器件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說明中，將更加清楚地理解以上和其它方面，附圖中:
[0024]圖1是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件封裝件的透視圖；
[0025]圖2是圖1的發(fā)光器件封裝件的剖視圖；
[0026]圖3是圖2的發(fā)光器件封裝件的變型例；
[0027]圖4是示出可在示例性實(shí)施例中采用的發(fā)光二極管(LED)芯片的示例的剖視圖；
[0028]圖5是示出可在示例性實(shí)施例中采用的LED芯片的另一示例的剖視圖；
[0029]圖6是示出可在另一示例性實(shí)施例中采用的LED芯片的示例的剖視圖；
[0030]圖7是示出作為可在示例性實(shí)施例中采用的發(fā)光器件的安裝在安裝板上的LED芯片的示例的剖視圖；
[0031]圖8A和圖8B是示出圖1的發(fā)光器件封裝件的變型例的透視圖和剖視圖；
[0032]圖9A和圖9B是示意性地示出根據(jù)另一示例性實(shí)施例的發(fā)光器件封裝件的透視圖；[0033]圖10是示意性地示出圖9的發(fā)光器件封裝件的框架單元的透視圖；
[0034]圖11是示意性地示出圖9的發(fā)光器件封裝件的變型例的透視圖；
[0035]圖12A至圖16是示意性地示出用于制造根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件封裝件的方法的過程的剖視圖；以及
[0036]圖17A和圖17B是示意性地示出采用根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件封裝件的背光單元的平面圖和剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可按照許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)理解為限于本文闡述的實(shí)施例。另外，提供這些實(shí)施例以使得本公開將是徹底和完整的，并且將本發(fā)明構(gòu)思的范圍全面?zhèn)鬟f給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，可夸大元件的形狀和尺寸，并且相同的附圖標(biāo)記將始終用于指代相同或相似的組件。
[0038]將參照圖1至圖3詳細(xì)描述根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件封裝件。圖1是示意性地示出根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件封裝件的透視圖。圖2是圖1的發(fā)光器件封裝件的剖視圖。圖3是圖2的發(fā)光器件封裝件的變型例。
[0039]參照圖1至圖3，發(fā)光器件封裝件10可包括框架單元100、發(fā)光器件200、波長轉(zhuǎn)換單元300和反射模制單元400。
[0040]框架單元100 (如下文中描述的一種支撐發(fā)光器件200的支承構(gòu)件)可包括彼此面對的至少一對引線框架Iio和120。所述一對引線框架可包括第一引線框架110和第二引線框架120，并可通過它們之間的間隔彼此間隔開并分別連接至具有不同極性的電極。間隔可以是預(yù)定的?？蚣軉卧?00可具有由所述一對引線框架110和120之間的距離(或空間)限定的發(fā)光區(qū)130。也就是說，發(fā)光區(qū)130可位于所述間隔中。
[0041]框架單元100可由具有電導(dǎo)率的材料制成。例如，框架單元100可由諸如鋁(Al)、銅(Cu)、鐵(Fe)等的金屬或合金制成。在當(dāng)前示例性實(shí)施例中，示出了框架單元100具有由金屬制成的板結(jié)構(gòu)，但當(dāng)前示例性實(shí)施例不限于此。例如，框架單元100可為FR4式印刷電路板(PCB)，可由含有環(huán)氧樹脂、三嗪類衍生物(triazine)、硅等的有機(jī)樹脂材料或任何其它有機(jī)樹脂材料制成，可由諸如氮化硅、A1N、A1203等的陶瓷材料制成，或可包括金屬芯印刷電路板(MCPCB)等。
[0042]發(fā)光器件200可安裝在框架單元100上并且被框架單元100支撐，并可電連接至框架單元100。詳細(xì)地說，發(fā)光器件200可跨過發(fā)光區(qū)130安裝在第一引線框架110和第二引線框架120的一部分上。例如，見圖1，其中發(fā)光器件200安裝在第一引線框架110的一部分和第二引線框架120的一部分上。雖然圖1-圖3示出了發(fā)光器件200橫跨該間隔而大致居中布置，但是當(dāng)前示例性實(shí)施例不限于此，并且發(fā)光器件200可以與一側(cè)相比更多地偏向另一側(cè)。例如，第一引線框架110的被發(fā)光器件200覆蓋的那部分可比第二引線框架120的被發(fā)光器件200覆蓋的那部分更多，反之亦然。
[0043]發(fā)光器件200可通過焊料(S)根據(jù)倒裝芯片接合形式安裝在框架單元100上并與之電連接。另外，如圖3所示，發(fā)光器件200可安裝在框架單元100上并且被框架單元100支撐，并且可通過線W根據(jù)引線接合形式電連接至框架單元100。[0044]發(fā)光器件200 (—種通過從外部施加的外部功率產(chǎn)生具有預(yù)定波長的光的半導(dǎo)體器件)可包括發(fā)光二極管(LED)芯片。發(fā)光器件200可根據(jù)其中含有的材料發(fā)射藍(lán)光、綠光或紅光，或可發(fā)射白光。應(yīng)該注意，不具體地限制光的顏色或類型。
[0045]在下文中，將描述可在根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光器件封裝件中采用的各種發(fā)光器件。
[0046]<發(fā)光器件一第一示例>
[0047]圖4是示出發(fā)光器件(LED芯片)的一個示例的剖視圖。
[0048]如圖4所不,發(fā)光器件1000可包括形成在襯底1001上的發(fā)光層疊體S。發(fā)光層疊體S可包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004、有源層1005和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006。
[0049]歐姆接觸層1008可形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006上，并且第一電極1009a和第二電極1009b可分別形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和歐姆接觸層1008的上表面上。
[0050]在本公開中，基于附圖確定諸如“上部”、“上表面”、“下部”、“下表面”、“側(cè)表面”等的術(shù)語的含義。然而，在實(shí)際實(shí)施例中，所述術(shù)語的含義可根據(jù)設(shè)置發(fā)光器件的方向而改變。
[0051]在下文中，將描述發(fā)光器件的組件。
[0052][襯底]
[0053]作為襯底1001，可使用絕緣襯底、導(dǎo)電襯底或半導(dǎo)體襯底。例如，可使用藍(lán)寶石、SiC, S1、MgAl2O4' Mg。、LiAlO2' LiGaO2或GaN作為襯底1001的材料。對于GaN材料的外延生長，GaN襯底、同質(zhì)襯底可為理想的，但同質(zhì)襯底由于其制造過程中的難度而具有高生產(chǎn)成本。
[0054]作為異質(zhì)襯底，可使用藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底等，并且在這種情況下，與較昂貴的碳化硅襯底相比，藍(lán)寶石襯底使用得相對更多。當(dāng)使用異質(zhì)襯底時，諸如位錯等的缺陷由于襯底材料和薄膜材料之間的晶格常數(shù)的差異而增加。另外，由于溫度改變，襯底材料和薄膜材料之間的熱膨脹系數(shù)的差異可能導(dǎo)致彎曲，并且所述彎曲可能導(dǎo)致薄膜中的裂縫。通過在襯底1001和基于GaN的發(fā)光層疊體S之間使用緩沖層1002可減小這種彎曲。
[0055]在芯片制造工藝中，襯底1001可被完全或部分去除或圖案化，以在LED結(jié)構(gòu)生長之前或之后提高LED芯片的光學(xué)或電學(xué)特性。
[0056]例如，可通過將激光通過藍(lán)寶石襯底照射到襯底和半導(dǎo)體層之間的界面上來分離藍(lán)寶石襯底，并且可通過諸如拋光/蝕刻等的方法來去除硅襯底或碳化硅襯底。
[0057]在去除襯底時，可使用支撐襯底，并且在這種情況下，為了提高原始生長襯底的相對側(cè)中LED芯片的發(fā)光效率，可通過使用反射金屬來接合支撐襯底，或者可將反射結(jié)構(gòu)插入結(jié)合層(junction layer)的中心。
[0058]在LED結(jié)構(gòu)生長之前或之后，襯底圖案化在襯底的主表面(一個表面或兩面)或側(cè)表面上形成凹凸表面或傾斜表面，從而提高了光提取效率。圖案尺寸可在約5nm至約500μπι的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。襯底可具有用于提高光提取效率的規(guī)則或不規(guī)則的圖案。襯底可具有多種形狀，諸如柱狀、峰谷狀、半球狀等。
[0059]這里，藍(lán)寶石襯底可為具有六菱形R3c對稱性的晶體，其沿著c軸和a軸方向的晶格常數(shù)分別為大約13.0OlA和大約4.758 A，并具有C面(0001)、A面(1120)、R面(1102)等。在這種情況下，藍(lán)寶石晶體的C面允許氮化物薄膜在其上相對容易生長，并且在高溫下穩(wěn)定，因此藍(lán)寶石襯底通常用作氮化物生長襯底。
[0060]襯底1001也可由硅(Si)制成。由于硅(Si)襯底更適于增大直徑，并且價格相對低，因此可使用Si襯底以有利于大批生產(chǎn)。使用了這樣的技術(shù):通過致使具有作為襯底表面的(111)面的硅襯底與GaN之間的晶格常數(shù)的差異達(dá)到17%的程度，從而抑制由于晶格常數(shù)之間的差異而導(dǎo)致晶體缺陷的產(chǎn)生。另外，硅和GaN之間的熱膨脹系數(shù)的差異為大約56%，因此使用抑制由于熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生的晶圓彎曲的技術(shù)。彎曲的晶圓會在GaN薄膜中導(dǎo)致裂縫，并導(dǎo)致難以控制在同一晶圓中增大光的發(fā)射波長(或激發(fā)波長)的分散等的工藝。
[0061]硅襯底吸收在基于GaN的半導(dǎo)體中產(chǎn)生的光，從而降低發(fā)光器件的外部量子產(chǎn)率。因此,可去除襯底并且可額外形成諸如硅襯底、鍺襯底、SiAl襯底、陶瓷襯底、金屬襯底等包括反射層的支撐襯底以使用。
[0062][緩沖層]
[0063]當(dāng)GaN薄膜在諸如硅襯底的異質(zhì)襯底上生長時，由于襯底材料和薄膜材料之間的晶格常數(shù)失配會增大位錯密度，并且由于熱膨脹系數(shù)之間的差異會產(chǎn)生裂縫和翹曲(或彎曲)。為了防止在發(fā)光層疊體S中產(chǎn)生位錯和裂縫，可在襯底1001和發(fā)光層疊體S之間設(shè)置緩沖層1002。當(dāng)有源層生長時，緩沖層1002可用于調(diào)整襯底的翹曲程度，以減小晶圓的波長分散。
[0064]緩沖層1002 可由 AlxInyGa1IyN (O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0^ x+y ( I)制成，具體地說由 GaN、AIN、AlGaN, InGaN 或 InGaNAlN 制成，并且也可使用諸如 ZrB2、HfB2、ZrN, HfN,TiN等的材料。另外，可通過結(jié)合多個層或通過逐漸改變成分來形成緩沖層。 [0065]硅(Si)襯底的熱膨脹系數(shù)明顯與GaN的熱膨脹系數(shù)不同。因此，在硅襯底上生長基于GaN的薄膜的情況下，當(dāng)GaN薄膜在高溫下生長并且隨后冷卻至室溫時，由于硅襯底和GaN薄膜之間的熱膨脹系數(shù)的差異而對GaN薄膜施加了拉伸應(yīng)力，從而產(chǎn)生裂縫。在這種情況下，為了防止產(chǎn)生裂縫，在GaN薄膜生長的同時使得壓應(yīng)力施加至GaN薄膜的生長GaN薄膜的方法被用來補(bǔ)償拉伸應(yīng)力。
[0066]娃(Si)和GaN之間的晶格常數(shù)的差異與其中廣生缺陷的聞度可能性有關(guān)。就娃襯底而言，可使用具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的緩沖層以控制用于限制翹曲(或彎曲)以及控制缺陷的應(yīng)力。
[0067]例如，首先，可在襯底1001上形成AlN層。在這種情況下，可使用不包括鎵(Ga)的材料以防止硅(Si)和鎵(Ga)之間的反應(yīng)。除AlN以外，還可使用諸如SiC等的材料。AlN層通過使用鋁(Al)源和氮(N)源在從約400°C至約1300°C范圍內(nèi)的溫度下生長。AlGaN夾層可用于控制應(yīng)力。例如，就AlN/AlGaN緩沖層而言，AlGaN夾層可插入在緩沖層和GaN層之間并控制應(yīng)力。
[0068][發(fā)光層疊體]
[0069]將詳細(xì)描述具有多層結(jié)構(gòu)的III族氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光層疊體S。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006可分別由η型和ρ型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體形成。
[0070]然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，相反，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006可分別由ρ型和η型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體形成。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006可由III族氮化物半導(dǎo)體(例如，組成為AlxInyGai_x_yN(0≤x≤1，0≤y≤1，O ^ x+y ^ I)的材料)制成。當(dāng)然，當(dāng)前示例性實(shí)施例不限于此，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006還可由諸如基于AlGaInP的半導(dǎo)體或基于AlGaAs的半導(dǎo)體之類的材料制成。 [0071 ] 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006可具有單層結(jié)構(gòu)，或者，可替代地，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006可具有包括具有不同成分、厚度等的多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006分別可具有用于提高電子和空穴注入效率的載流子注入層，或可具有多種超晶格結(jié)構(gòu)。
[0072]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004還可以在與有源層1005相鄰的區(qū)域中包括電流擴(kuò)散層(未示出)。電流擴(kuò)散層可具有其中反復(fù)地層疊了具有不同成分或不同雜質(zhì)含量的多個InxAlyGa(1_x_y) N層的結(jié)構(gòu)，或可具有部分地形成在其中的絕緣材料層。
[0073]第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006還可以在與有源層1005相鄰的區(qū)域中包括電子阻擋層。電子阻擋層可包括其中層疊了具有不同成分的多個InxAlyGa(1_x_y)N層的結(jié)構(gòu)，或可具有包括AlyGa(1_y)N的一層或多層。電子阻擋層的帶隙比有源層1005的帶隙寬，因此防止電子轉(zhuǎn)移至第二導(dǎo)電(P型)半導(dǎo)體層1006。
[0074]可通過使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備形成發(fā)光層疊體S。為了制造發(fā)光層疊體S，將有機(jī)金屬化合物氣體(例如，三甲基鎵(TMG)、三甲基鋁(TMA))和含氮?dú)怏w(氨(NH3)等)作為反應(yīng)氣體而供應(yīng)至其中安裝有襯底1001的反應(yīng)容器，襯底保持在約900°C至約1100°C范圍內(nèi)的高溫，并且在基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體生長的同時，可供應(yīng)雜質(zhì)氣體以層疊基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體作為未摻雜的η型或ρ型半導(dǎo)體。硅(Si)是公知的η型雜質(zhì)，P型雜質(zhì)包括鋅(Zn)、鎘(Cd)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋇(Ba)等。在它們中，可主要使用鎂(Mg)和鋅(Zn)。
[0075]另外，設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1004和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1006之間的有源層1005可具有其中量子阱層和量子勢壘層交替地層疊的多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。例如，就氮化物半導(dǎo)體而言，可使用GaN/InGaN結(jié)構(gòu)，或者也可使用單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)。
[0076][歐姆接觸層以及第一和第二電極]
[0077]歐姆接觸層1008可具有相對高的雜質(zhì)濃度以具有低歐姆接觸電阻，從而降低元件的工作電壓并提高元件特性。歐姆接觸層1008可由GaN層、InGaN層、ZnO層或石墨烯層形成。
[0078]第一電極1009a和第二電極1009b可由諸如銀(Ag)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉬(Pt)、金(Au)等的材料制成，并可具有包括諸如Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Zn/Al、Pd/Ag、Pd/Al、Ir/Ag、Ir/Au、Pt/Ag、Pt/Al、Ni/Ag/Pt 等的兩個或更多個層的結(jié)構(gòu)。第一電極1009a和第二電極1009b可由相同材料或不同材料制成。
[0079]圖4中所示的LED芯片具有其中第一電極1009a和第二電極1009b面向與光提取表面相同的表面的結(jié)構(gòu)，但其還可以實(shí)現(xiàn)為具有各種其它結(jié)構(gòu)，諸如:倒裝芯片結(jié)構(gòu)，其中第一電極1009a和第二電極1009b面向與光提取表面相對的表面；豎直結(jié)構(gòu)，其中第一電極1009a和第二電極1009b形成在彼此相對的表面上；豎直和水平結(jié)構(gòu)，采用通過在芯片中形成若干通孔而形成的電極結(jié)構(gòu)作為用于提高電流擴(kuò)散效率和熱耗散效率的結(jié)構(gòu)等。
[0080]<發(fā)光器件一第二示例>
[0081]就制造聞輸出的大發(fā)光器件而目，可提供具有提聞電流擴(kuò)散效率和熱耗散效率的結(jié)構(gòu)的圖5中示出的LED芯片。
[0082]如圖5所示，LED芯片1100可包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104、有源層1105、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106、第二電極層1107、絕緣層1102、第一電極層1108和襯底1101。這里，為了電連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104，第一電極層1108包括從第一電極層1108的一個表面延伸至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104的至少一部分區(qū)域并與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106和有源層1105電絕緣的一個或多個接觸孔H。然而，第一電極層1108在當(dāng)前示例性實(shí)施例中并非必要元件。
[0083]接觸孔H從第一電極層1108的界面延伸，穿過第二電極層1107、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106和有源層1105，到達(dá)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104的內(nèi)部。接觸孔H至少延伸至有源層1105和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104之間的界面，并可延伸至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104的一部分。然而，形成接觸孔H是用于電連接和電流擴(kuò)散，從而當(dāng)接觸孔H與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104接觸時，實(shí)現(xiàn)了接觸孔H存在的目的。因此，接觸孔H沒有必要延伸至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104的外表面。
[0084]考慮到光反射功能和與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106的歐姆接觸的功能，形成為連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106的第二電極層1107可選擇性地由諸如銀(Ag)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉬(Pt)、金(Au)等的材料制成，并且可通過利用諸如濺射、沉積等的工藝形成。
[0085]接觸孔H可具有穿透第二電極層1107、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106和有源層1105以連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104的形式。接觸孔H可通過例如電感耦合等離子體-反應(yīng)離子蝕刻(ICP-RIE)等的蝕刻工藝形成。
[0086]形成絕緣體1102以覆蓋接觸孔H的側(cè)壁和第二電極層1107的表面。在這種情況下，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104的與接觸孔H的底部對應(yīng)的至少一部分可被暴露出來?？赏ㄟ^沉積諸如SiO2、SiOxNy或SixNy的絕緣材料形成絕緣體1102。
[0087]包括通過填充導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電通孔的第一電極層1108形成在接觸孔H內(nèi)。接著，襯底1101形成在第一電極層1108上。在該結(jié)構(gòu)中，襯底1101可通過連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104的導(dǎo)電通孔而被電連接。
[0088]襯底1101 可由諸如 Au、N1、Al、Cu、W、S1、Se、GaAs、SiAl、Ge、SiC、AIN、Al2O3'GaN或AlGaN之類的材料制成，并可通過諸如電鍍、濺射、沉積、接合等的工藝形成。但本發(fā)明構(gòu)思不限于此，并且還可使用其它工藝。
[0089]為了減小接觸電阻，可適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)接觸孔H的數(shù)量、形狀、間距和/或接觸孔H與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1104和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106等的接觸面積。接觸孔H可按照多行多列布置為具有多種形狀以改善電流。第二電極層1107可具有至少一個暴露區(qū)域E，即，第二電極層1107和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1106之間的部分地外露的界面部分。將外部電極連接至第二電極層1107的電極焊盤1109可形成在暴露區(qū)域E上。
[0090]<發(fā)光器件一第三示例>
[0091]根據(jù)第三示例的LED發(fā)光器件提供改善的熱耗散特性，但在整體熱耗散性能方面，LED發(fā)光器件采用具有低熱值的LED芯片。作為具有低熱值的LED芯片，可使用包括納米結(jié)構(gòu)的LED芯片(在下文中，稱作‘納米LED芯片’)。
[0092]這種納米LED芯片包括最近研發(fā)的核/殼(core/shell)式納米LED芯片,其具有低結(jié)合密度(binding density)以產(chǎn)生相對低程度的熱,通過利用納米結(jié)構(gòu)增大發(fā)光區(qū)來具有增大的發(fā)光效率，并且通過獲得無極性有源層防止了由于極化導(dǎo)致的效率降低，因此改進(jìn)了下降(drop )特性。
[0093]圖6是示出可在前述發(fā)光器件中采用的LED芯片的另一示例的剖視圖。
[0094]如圖6所示，納米LED芯片1200包括形成在襯底1201上的多個納米發(fā)光結(jié)構(gòu)。在該示例中，示出了納米發(fā)光結(jié)構(gòu)具有作為棒結(jié)構(gòu)的核-殼結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明構(gòu)思不限于此，并且所述納米發(fā)光結(jié)構(gòu)可具有諸如金字塔型結(jié)構(gòu)的不同結(jié)構(gòu)。
[0095]納米LED芯片1200包括形成在襯底1201上的基底層1202?；讓?202是提供用于納米發(fā)光結(jié)構(gòu)的生長表面的層，其可為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。具有用于納米發(fā)光結(jié)構(gòu)(具體地說，核)的生長的開口區(qū)域的掩模層1203可形成在基底層1202上。掩模層1203可由諸如SiO2或SiNx的電介質(zhì)材料制成。
[0096]在納米發(fā)光結(jié)構(gòu)中，通過利用具有開口區(qū)域的掩模層1203，通過選擇性地生長第一導(dǎo)電半導(dǎo)體來形成第一導(dǎo)電納米核1204，并且有源層1205和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1206在納米核1204的表面上形成為殼層。因此，納米發(fā)光結(jié)構(gòu)可具有其中第一導(dǎo)電半導(dǎo)體是納米核并且包圍納米核的有源層1205和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1206是殼層的核-殼結(jié)構(gòu)。
[0097]納米LED芯片1200包括用于填充納米發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的空間的填充劑材料1207。填充劑材料1207還可用于使納米發(fā)光結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)上穩(wěn)定。填充劑材料1207可由諸如SiO2等的透明材料制成，但是當(dāng)前示例性實(shí)施例不限于此。歐姆接觸層1208可形成在納米發(fā)光結(jié)構(gòu)上，并連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1206。納米LED芯片1200包括分別連接至基底層1202和歐姆接觸層1208的第一電極1209a和第二電極1209b。
[0098]通過形成納米發(fā)光結(jié)構(gòu)以使得納米發(fā)光結(jié)構(gòu)具有不同直徑、組成和摻雜密度，可從單個元件發(fā)射具有兩個或更多個不同波長的光。通過適當(dāng)調(diào)節(jié)具有不同波長的光，在所述單個元件中不用磷光體的情況下可實(shí)現(xiàn)白光，通過將不同LED芯片與前述元件結(jié)合或者通過結(jié)合諸如磷光體的波長轉(zhuǎn)換材料，可實(shí)現(xiàn)具有多種期望顏色的光或具有不同色溫的白光。
[0099]<發(fā)光器件一第四示例〉
[0100]在圖7中，示出了其中LED芯片安裝在安裝襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其作為可在前述發(fā)光器件中采用的光源的另一示例。
[0101]圖7中示出的半導(dǎo)體發(fā)光元件1300包括安裝在安裝襯底1320上的LED芯片1310。示出的LED芯片1310是與上述示例的LED芯片不同的LED芯片。
[0102]LED芯片1310包括設(shè)置在襯底1301的一個表面上的發(fā)光層疊體S。第一電極1308a和第二電極1308b設(shè)置在發(fā)光層疊體S的與襯底1301的相對側(cè)上。另外，LED芯片1310包括覆蓋第一電極1308a和第二電極1308b的絕緣單元1303。
[0103]第一電極1308a和第二電極1308b可包括分別通過電連接部分1309a和電連接部分1309b與它們連接的第一電極焊盤1319a和第二電極焊盤1319b。
[0104]發(fā)光層疊體S可包括依次設(shè)置在襯底1301上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304、有源層1305和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1306。可提供第一電極1308a作為穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1306和有源層1305連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304的導(dǎo)電通孔。第二電極1308b可連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1306。[0105]絕緣層1303具有暴露第一電極1308a和第二電極1308b的至少一部分的開口區(qū)域，并且第一電極焊盤1319a和第二電極焊盤1319b可分別連接至第一電極1308a和第二電極1308b的暴露部分。
[0106]第一電極1308a和第二電極1308b可具有多層結(jié)構(gòu)，其中形成有由分別相對于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1306具有歐姆特性的導(dǎo)電材料制成的一層或多層。例如，可通過沉積或?yàn)R射銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、透明導(dǎo)電氧化物(TCO)等的一個或多個來形成第一電極1308a和第二電極1308b。第一電極1308a和第二電極1308b可按照相同方向設(shè)置，并可安裝為如下文所述的所謂的引線框架上的倒裝芯片。在這種情況下，第一電極1308a和第二電極1308b可設(shè)置為面對相同方向。
[0107]具體地說，第一電極1308a可經(jīng)由通過穿過發(fā)光層疊體S中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1306和有源層1305而連接至第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304的導(dǎo)電通孔來連接至第一電連接部分1309a。
[0108]可適當(dāng)調(diào)節(jié)導(dǎo)電通孔的數(shù)量、形狀、間距和/或與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304等的接觸面積以及第一電連接部分1309a，以降低接觸電阻，并且導(dǎo)電通孔和第一電連接部分1309a可按照行和列布置，以改善電流。
[0109]另一電極結(jié)構(gòu)可包括直接形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1306上的第二電極1308b和形成在第二電極1308b上的第二電連接部分1309b。除了具有形成與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層1306的電-歐姆連接的功能之外，第二電極1308b可由光反射材料制成，因此，如圖7所示，在其中LED芯片1310安裝為所謂的倒裝芯片結(jié)構(gòu)的狀態(tài)下，從有源層1305發(fā)射的光可沿著襯底1301的方向有效地發(fā)射。根據(jù)主發(fā)光方向，第二電極1308b可由諸如透明導(dǎo)電氧化物的光透射導(dǎo)電材料 制成。
[0110]如上所述的兩個電極結(jié)構(gòu)可通過絕緣單元1303電分離。絕緣單元1303可由任何材料制成，只要絕緣單元1303具有電絕緣性質(zhì)即可。也就是說，絕緣單元1303可由具有電絕緣性質(zhì)的任何材料制成，并且可使用具有低程度的光吸收的材料?？墒褂美缪趸杌虻?諸如Si02、SiOxNy> SixNy等)。光反射填充劑可分散在光透射材料中，以形成光反射結(jié)構(gòu)。
[0111]第一電極焊盤1319a和第二電極焊盤1319b可分別連接至第一電連接部分1309a和第二電連接部分1309b以分別用作LED芯片1310的外部端子。例如，第一電極焊盤1319a和第二電極焊盤1319b可由金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、錫(Sn)、鎳(附)、鉬(？丨)、鉻(0)、附511、1^1、411511或它們的共熔金屬制成。在這種情況下，當(dāng)LED芯片安裝在安裝襯底1320上時，可通過使用共熔金屬接合第一電極焊盤1319a和第二電極焊盤1319b，從而不需要使用倒裝芯片接合通常需要的焊料凸點(diǎn)。與使用焊料凸點(diǎn)的情況相比，在安裝方法中使用共熔金屬有利地獲得優(yōu)質(zhì)的熱耗散效果。在這種情況下，為了獲得優(yōu)秀的熱耗散效果，第一電極焊盤1319a和第二電極焊盤1319b可形成為占據(jù)相對大的面積。
[0112]除非說明不是這樣，否則可參照以上參照圖4描述的內(nèi)容理解襯底1301和發(fā)光層疊體S。另外，雖然未示出，但緩沖層可形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)S和襯底1301之間?？刹捎镁彌_層作為由氮化物等制成的未摻雜的半導(dǎo)體層，以減輕其上生長的發(fā)光結(jié)構(gòu)的晶格缺陷。
[0113]襯底1301可具有彼此相對的第一和第二主表面，并且可在第一和第二主表面的至少一個上形成不平的結(jié)構(gòu)(即，凹陷和突起)。形成在襯底1301的一個表面上的不平的結(jié)構(gòu)可通過蝕刻襯底1301的一部分形成，從而由與襯底的材料相同的材料制成?？商娲?，不平的結(jié)構(gòu)可由與襯底1301的材料不同的異質(zhì)材料制成。
[0114]在當(dāng)前示例性實(shí)施例中，由于在襯底1301和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304之間的界面上形成了不平的結(jié)構(gòu)，因而從有源層1305發(fā)射的光的路徑可多樣化，并且因此，在半導(dǎo)體層中吸收的光的光吸收率可減小，并且可增大光散射率，從而增大光提取效率。
[0115]詳細(xì)地說，不平的結(jié)構(gòu)可形成為具有規(guī)則或不規(guī)則的形狀。用于形成不平的結(jié)構(gòu)的異質(zhì)材料可為透明導(dǎo)體、透明絕緣體或具有優(yōu)秀反射率的材料。這里，作為透明絕緣體，可使用諸如Si02、SiNx、Al203、Hf0、Ti02 *ZrO等的材料。作為透明導(dǎo)體，可使用諸如ZnO的透明導(dǎo)電氧化物(TC0)、含有添加劑(例如，Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、S1、N1、Co、Mo、Cr、Sn)的氧化銦等。作為反射材料，可使用銀(Ag)、鋁(Al)或包括具有不同折射率的多層的分布式布拉格反射層(DBR)。然而，本發(fā)明不限于此。
[0116]可從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304上去除襯底1301。為了去除襯底1301，可使用利用激光的激光剝離(LLO)工藝、蝕刻或拋光工藝。另外，在去除襯底1301之后，凹陷和突起可形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層1304的表面上。
[0117]如圖7所示，LED芯片1310安裝在安裝襯底1320上。安裝襯底1320包括:上電極層1312b和下電極層1312a,其分別形成在襯底主體1311的上表面和下表面上；和過孔1313，其穿透襯底主體1311以連接上電極層1312b和下電極層1312a。襯底主體1311可由樹脂、陶瓷或金屬制成，并且上電極層1312b或下電極層1312a可為由金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)或鋁(Al)等制成的金屬層。
[0118]安裝有前述LED芯片1310的襯底不限于圖7中所示的安裝襯底1320的構(gòu)造，并且可采用具有驅(qū)動LED芯片1310的配線結(jié)構(gòu)的任何襯底。例如，還可設(shè)置為具有這樣的封裝件結(jié)構(gòu)，其中LED芯片安裝在具有一對引線框架的封裝體上。
[0119]〈發(fā)光器件的其它示例〉
[0120]還可使用具有除上面描述的前述LED芯片的結(jié)構(gòu)之外的多種結(jié)構(gòu)的LED芯片。例如，也可有利地使用這樣的LED芯片，其中表面等離子體激元(SPP)形成在LED芯片的金屬-電介質(zhì)界面中以與量子阱激子相互作用，因此獲得顯著提高的光提取效率。
[0121]同時，在當(dāng)前示例性實(shí)施例中，示出了單個發(fā)光器件200安裝在框架單元100上，但本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，可提供多個發(fā)光器件200。在這種情況下，發(fā)光器件200可以是產(chǎn)生具有相同波長的光的同質(zhì)發(fā)光器件，或?yàn)楫a(chǎn)生具有不同波長的光的異質(zhì)發(fā)光器件，或?yàn)檫@二者的混合。
[0122]波長轉(zhuǎn)換單元300設(shè)置在發(fā)光區(qū)130中，并轉(zhuǎn)換在發(fā)光器件200中產(chǎn)生的光的波長和將轉(zhuǎn)換的光向外發(fā)射。波長轉(zhuǎn)換單元300可被構(gòu)造為使得至少一種磷光體分散在透明樹脂中。通過波長轉(zhuǎn)換單元300轉(zhuǎn)換的光可與從發(fā)光器件200發(fā)射的光混合以實(shí)現(xiàn)白光。
[0123]例如，發(fā)光器件200可被構(gòu)造為包括通過將綠色、紅色和橙色磷光體結(jié)合至藍(lán)色LED芯片而發(fā)射白光的發(fā)光元件和紫色、藍(lán)色、綠色、紅色和紅外發(fā)光元件中的一個或多個。在這種情況下，發(fā)光器件200可具有被調(diào)節(jié)為從鈉(Na) (40)至陽光等級(100)等范圍內(nèi)的顯色指數(shù)(CRI)，并具有從燭光(1500K)至藍(lán)天(12000K)等級范圍的色溫以產(chǎn)生多種白光。發(fā)光器件200可產(chǎn)生具有紫色、藍(lán)色、綠色、紅色、橙色的可見光或紅外光，以根據(jù)周圍環(huán)境或氣氛來調(diào)節(jié)照明色。另外，光源設(shè)備可產(chǎn)生具有刺激植物生長的特殊波長的光。[0124]通過結(jié)合黃色、綠色、紅色磷光體和/或綠色和紅色LED芯片以及紅色LED芯片產(chǎn)生的白光可具有兩個或更多個峰值波長，并可布置在連接CIE1931色度圖的(X，y)坐標(biāo)(0.4476,0.4074)、(0.3484,0.3516)、(0.3101,0.3162)、(0.3128,0.3292)、(0.3333，
0.3333)的區(qū)段內(nèi)?？商娲?，白光可布置在黑體輻射光譜和所述區(qū)段包圍的區(qū)域內(nèi)。白光的色溫對應(yīng)于2000K至20000K的范圍。
[0125]磷光體可具有以下經(jīng)驗(yàn)式和顏色。
[0126]氧化物系統(tǒng):黃色和綠色Y3Al5O12: Ce、Tb3Al5O12: Ce、Lu3Al5O12 = Ce
[0127]硅酸鹽系統(tǒng):黃色和綠色(Ba，Sr) 2Si04:Eu，黃色和橙色(Ba，Sr) 3Si05: Ce
[0128]氮化物系統(tǒng):綠色β-SiAlON:Eu、黃色 L3Si6O11:Ce、橙色 a-SiAlON:Eu、紅色CaAlSiN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、SrSiAl4N7:Eu
[0129]磷光體組合物應(yīng)該基本遵守化學(xué)計(jì)算法，并且各元件可用周期表的各個族的不同元素替代。例如，鍶(Sr )可由鋇(Ba)、鈣(Ca)、鎂(Mg)等堿土元素替代，并且釔(Y)可由鋱(Tb)、镥(Lu)、鈧(Sc)、釓(Gd)等替代。另外，根據(jù)期望的能量水平，銪(Eu)和活化劑可由鈰(Ce)、鋱(Tb)、鐠(Pr)、鉺(Er)、鐿(Yb)等替代，并且可單獨(dú)應(yīng)用活化劑，或者可額外施加共活化劑等以改變特性。
[0130]另外，諸如量子點(diǎn)等的材料可作為替換磷光體的材料應(yīng)用，并且磷光體和量子點(diǎn)可結(jié)合使用或單獨(dú)用于LED中。
[0131]量子點(diǎn)可具有包括核(約3至IOnm)(諸如CdSe> InP等)、殼(約0.5至2nm)(諸如ZnS、ZnSe等)和用于穩(wěn)定核和殼的配合基的結(jié)構(gòu)，并可根據(jù)大小實(shí)現(xiàn)各種顏色。
[0132]下面的表I示出了在利用藍(lán)色LED (440nm至460nm)的白光發(fā)射裝置的應(yīng)用領(lǐng)域中的多種磷光體。
[0133][表I]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件封裝件，包括: 框架單元，包括彼此間隔開的至少兩個引線框架和通過所述引線框架之間的距離限定的發(fā)光區(qū)； 發(fā)光器件，安裝在所述框架單元的一個表面上，以使得所述發(fā)光器件布置為橫跨所述發(fā)光區(qū)，并且所述發(fā)光器件電連接至所述引線框架； 波長轉(zhuǎn)換單元，被構(gòu)造為轉(zhuǎn)換從所述發(fā)光器件發(fā)射的光的波長，并向外發(fā)射具有轉(zhuǎn)換的波長的光；以及 反射模制單元，形成在所述框架單元的所述表面上以覆蓋所述發(fā)光器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述波長轉(zhuǎn)換單元設(shè)置在所述發(fā)光區(qū)中，并且形成為平行于所述框架單元的所述表面和與所述框架單元的所述表面相對的所述框架單元的另一表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射模制單元由包括反射材料的樹脂制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射模制單元的外表面與所述框架單元的外周表面共面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述至少兩個引線框架中的每一個的面對所述發(fā)光區(qū)的內(nèi)表面從安裝有所述發(fā)光器件的表面至與所述表面相對的另一表面傾斜遠(yuǎn)離所述發(fā)光區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述框架單元還包括形成在所述至少兩個引線框架的每一個中的安裝凹槽，所述安裝凹槽凹入所述引線框架中，并且所述發(fā)光器件安裝至所述安裝凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述至少兩個引線框架中的每個引線框架包括從所述引線框架沿著延伸方向延伸的延伸框架部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述延伸框架部分設(shè)置為彼此平行，所述發(fā)光器件介于所述延伸框架部分之間，并且所述延伸框架部分不與沿著延伸方向布置的其它引線框架接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述延伸框架部分彼此平行地延伸，并且所述延伸框架部分中的每一個的端部比介于所述延伸框架部分之間的所述發(fā)光器件的寬度延伸得更多，并且所述每個引線框架還包括用于容納與其平行地延伸的另一引線框架的端部的凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述每個引線框架的端部朝著與其平行地延伸的所述另一引線框架的凹槽彎曲，并且每個凹槽的一部分包括電絕緣部分。
11.一種制造發(fā)光器件封裝件的方法，所述方法包括: 制備其中布置有多個框架單元的基礎(chǔ)框架，所述多個框架單元中的每個框架單元包括第一引線框架和與所述第一引線框架間隔開的第二引線框架； 將臨時固定膜附著至所述基礎(chǔ)框架的下表面； 在通過所述第一引線框架和所述第二引線框架之間的距離限定的發(fā)光區(qū)中形成波長轉(zhuǎn)換單元； 將發(fā)光器件安裝為橫跨每個框架單元的所述發(fā)光區(qū)，所述發(fā)光器件安裝在所述第一引線框架和所述第二引線框架中的每一個的表面的一部分上；以及在每個框架單元上形成反射模制單元以覆蓋所述發(fā)光器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述波長轉(zhuǎn)換單元的步驟包括利用含磷光體的樹脂填充每個發(fā)光區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述反射模制單元的步驟包括: 將包括反射材料的樹脂注射到所述基礎(chǔ)框架上以覆蓋所述發(fā)光器件，以及 固化所述樹脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在形成所述波長轉(zhuǎn)換單元之后去除所述臨時固定膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括將所述基礎(chǔ)框架切割為框架單元。
16.一種發(fā)光器件封裝件，包括: 第一引線框架； 第二引線框架，與所述第一引線框架間隔開，以在所述第一引線框架與所述第二引線框架之間的間隙中形成發(fā)光區(qū)； 發(fā)光器件，其安裝并電連接至所述第一引線框架和所述第二引線框架，以使得所述發(fā)光器件布置為橫跨所述發(fā)光區(qū)； 波長轉(zhuǎn)換單元，其形成在所述發(fā)光區(qū)中，并且轉(zhuǎn)換從所述發(fā)光器件發(fā)射的光的波長并發(fā)射具有轉(zhuǎn)換的波長的光；以及 反射模制單元，其形成在所述第一引線框架和所述第二引線框架上以覆蓋所述發(fā)光器件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述反射模制單元由包括反射材料的樹脂制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件封裝件，其中: 所述第一引線框架的形成所述間隙的內(nèi)表面從所述第一引線框架的安裝有所述發(fā)光器件的表面朝著所述發(fā)光器件封裝件的外表面傾斜，并且 所述第二引線框架的形成所述間隙的內(nèi)表面從所述第二引線框架的安裝有所述發(fā)光器件的表面朝著所述發(fā)光器件封裝件的外表面傾斜。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件封裝件，其中: 所述第一引線框架包括凹入所述第一引線框架中的第一安裝凹槽，并且所述發(fā)光器件的第一端安裝在所述第一安裝凹槽中，以及 所述第二引線框架包括凹入所述第二引線框架中的第二安裝凹槽，并且所述發(fā)光器件的第二端安裝在所述第二安裝凹槽中。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件封裝件，其中: 所述第一引線框架包括橫跨所述發(fā)光區(qū)延伸并與所述第二引線框架重疊的第一延伸框架部分， 所述第二引線框架包括橫跨所述發(fā)光區(qū)延伸并與所述第一引線框架重疊的第二延伸框架部分， 所述第一引線框架包括第一凹槽， 所述第二引線框架包括第二凹槽，所述第一延伸框架部分的與所述第二引線框架重疊的端部朝著所述第二凹槽彎曲并容納在所述第二凹槽中，并且 所述第二延伸框架部分的與所述第一引線框架重疊的端部朝著所述第一凹槽彎曲并容納在所述第一 凹槽中。
【文檔編號】H01L33/50GK103996782SQ201410050257
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月14日
【發(fā)明者】樸明報(bào), 宋鎬榮 申請人:三星電子株式會社