陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置，涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠增大存儲電容，從而提高顯示裝置的顯示效果。該陣列基板的制作方法，包括：在基板上形成TFT、柵線和數(shù)據(jù)線；在包括所述TFT、柵線和數(shù)據(jù)線的基板上形成板狀電極；在包括所述板狀電極的基板上形成絕緣層，對所述絕緣層上的存儲電容區(qū)域進行刻蝕，使所述存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度；在包括所述絕緣層的基板上形成狹縫電極，所述狹縫電極與所述板狀電極的重疊區(qū)域為所述存儲電容區(qū)域。
【專利說明】陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級超維場開關(guān)(Advanced-SuperDimensional Switching,簡稱 ADS)模式是平面電場寬視角核心技術(shù)，具體為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率。ADS模式廣泛應(yīng)用在液晶顯示裝置中，如圖1和圖2所示，其中板狀電極I和狹縫電極2的重疊區(qū)域之間形成存儲電容Cst，隨著液晶顯示裝置的分辨率越來越高，受制于像素大小，存儲電容無法做的很大，導(dǎo)致某些顯示效果較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置，能夠增大存儲電容，從而提高顯示裝置的顯示效果。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0006]在基板上形成TFT、柵線和數(shù)據(jù)線；
[0007]在包括所述TFT、柵線和數(shù)據(jù)線的基板上形成板狀電極；
[0008]在包括所述板狀電極的基板上形成絕緣層，對所述絕緣層上的存儲電容區(qū)域進行刻蝕，使所述存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度；
[0009]在包括所述絕緣層的基板上形成狹縫電極，所述狹縫電極與所述板狀電極的重疊區(qū)域為所述存儲電容區(qū)域。
[0010]具體地，所述在包括所述板狀電極的基板上形成絕緣層，對所述絕緣層上的存儲電容區(qū)域進行刻蝕，使所述存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度的過程包括:
[0011]在包括所述板狀電極的基板上沉積絕緣層材料；
[0012]在包括所述絕緣層材料的基板上沉積光刻膠；
[0013]對絕緣層過孔區(qū)域的光刻膠進行完全曝光，對所述存儲電容區(qū)域的光刻膠進行半色調(diào)曝光；
[0014]對光刻膠進行顯影，使所述絕緣層過孔區(qū)域的光刻膠完全去除，使所述存儲電容區(qū)域的光刻膠變??；
[0015]對所述絕緣層過孔區(qū)域的絕緣層材料進行刻蝕，形成絕緣層過孔；
[0016]對所述光刻膠進行灰化，使所述存儲電容區(qū)域的光刻膠完全去除，所述存儲電容區(qū)域之外的光刻膠變薄；[0017]對所述存儲電容區(qū)域的絕緣層材料進行刻蝕，使所述存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度；
[0018]去除剩余的光刻膠。
[0019]可選地，所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極。
[0020]可選地，所述板狀電極為公共電極，所述狹縫電極為像素電極。
[0021]另一方面，提供一種陣列基板，包括板狀電極、狹縫電極和位于所述板狀電極與狹縫電極之間的絕緣層，其特征在于，
[0022]存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度，所述狹縫電極與所述板狀電極的重疊區(qū)域為所述存儲電容區(qū)域。
[0023]可選地，所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極。
[0024]可選地，所述板狀電極為公共電極，所述狹縫電極為像素電極。
[0025]另一方面，提供一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0026]本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法和液晶顯示裝置，通過使存儲電容區(qū)域中絕緣層的厚度變薄，減小了板狀電極和狹縫電極之間的距離，因此增大了存儲電容，從而提高顯示裝置的顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為圖1中陣列基板BB’向的截面圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實施例中一種陣列基板制作方法的流程圖；
[0031]圖4為圖3的制作方法中形成板狀電極后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5為圖4中陣列基板CC’向的截面圖；
[0033]圖6為圖3的制作方法中對絕緣層上存儲電容區(qū)域進行刻蝕后陣列基板的截面圖；
[0034]圖7為圖3的制作方法中形成狹縫電極后陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖8為圖7中陣列基板CC’向的截面圖；
[0036]圖9為圖3的制作方法中步驟103的一種制作過程的具體流程圖；
[0037]圖10為圖9的制作過程中沉積光刻膠后陣列基板的截面圖；
[0038]圖11為圖9的制作過程中顯影后陣列基板的截面圖；
[0039]圖12為圖9的制作過程中灰化后陣列基板的截面圖；
[0040]圖13為圖9的制作過程中對存儲電容區(qū)域的絕緣層進行刻蝕后陣列基板的截面圖。
【具體實施方式】
[0041]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0042]如圖3所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0043]步驟101、在基板上形成TFT、柵線和數(shù)據(jù)線；
[0044]步驟102、如圖4和圖5所示，在包括上述TFT、柵線和數(shù)據(jù)線的基板上形成板狀電極I ;
[0045]步驟103、如圖6所示，在包括板狀電極I的基板上形成絕緣層3，對絕緣層3上的存儲電容區(qū)域A進行刻蝕，使存儲電容區(qū)域A的絕緣層厚度小于存儲電容區(qū)域A之外的絕
緣層厚度；
[0046]步驟104、如圖7和圖8所示，在包括絕緣層3的基板上形成狹縫電極2，狹縫電極2與板狀電極I的重疊區(qū)域為存儲電容區(qū)域A。
[0047]本實施例中陣列基板的制作方法，通過使存儲電容區(qū)域中絕緣層的厚度變薄，減小了板狀電極和狹縫電極之間的距離，因此增大了存儲電容，從而提高顯示裝置的顯示效
果O
[0048]進一步地,如圖9所示,上述步驟103、在包括板狀電極I的基板上形成絕緣層3,對絕緣層3上的存儲電容區(qū)域A進行刻蝕，使存儲電容區(qū)域A的絕緣層厚度小于存儲電容區(qū)域A之外的絕緣層厚度的過程包括:
[0049]步驟1031、在包括板狀電極的基板上沉積絕緣層材料；
[0050]步驟1032、如圖10所示,在包括上述絕緣層材料的基板上沉積光刻膠4 ；
[0051]步驟1033、對絕緣層過孔區(qū)域(圖中未示出)的光刻膠進行完全曝光，對存儲電容區(qū)域A的光刻膠4進行半色調(diào)曝光；
[0052]步驟1034、如圖11所示，對光刻膠4進行顯影，使上述絕緣層過孔區(qū)域的光刻膠完全去除，使存儲電容區(qū)域A的光刻膠4變??；
[0053]步驟1035、對上述絕緣層過孔區(qū)域的絕緣層材料進行刻蝕，形成絕緣層過孔；
[0054]步驟1036、如圖12所示，對光刻膠4進行灰化，使存儲電容區(qū)域A的光刻膠完全去除，存儲電容區(qū)域A之外的光刻膠4變?。?br> [0055]步驟1037、如圖13所示，對存儲電容區(qū)域A的絕緣層材料進行刻蝕，使存儲電容區(qū)域A的絕緣層3厚度小于存儲電容區(qū)域A之外的絕緣層3厚度；
[0056]步驟1038、去除剩余的光刻膠，形成如圖6所示的結(jié)構(gòu)。
[0057]具體地，板狀電極I為像素電極，狹縫電極2為公共電極；或者板狀電極I為公共電極，狹縫電極2為像素電極。
[0058]上述絕緣層過孔用于使上層的狹縫電極與下層相關(guān)線路連通，在制作絕緣層過孔的過程中，通過半色調(diào)曝光配合曝光和灰化工藝形成存儲電容區(qū)域的光刻膠圖案，實現(xiàn)在制作絕緣層過孔的同時刻蝕存儲電容區(qū)域的絕緣層，無需通過單獨的構(gòu)圖工藝刻蝕存儲電容區(qū)域的絕緣層。
[0059]本實施例中陣列基板的制作方法，通過使存儲電容區(qū)域中絕緣層的厚度變薄，減小了板狀電極和狹縫電極之間的距離，因此增大了存儲電容，從而提高顯示裝置的顯示效果。并且在制作絕緣層過孔的同時刻蝕存儲電容區(qū)域的絕緣層，無需通過單獨的構(gòu)圖工藝刻蝕存儲電容區(qū)域的絕緣層，簡化了工藝步驟。
[0060]如圖7和圖8所示，本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括板狀電極1、狹縫電極
2和位于板狀電極I與狹縫電極2之間的絕緣層3，
[0061]存儲電容區(qū)域A的絕緣層3厚度小于存儲電容區(qū)域A之外的絕緣層3厚度，狹縫電極2與板狀電極I的重疊區(qū)域為存儲電容區(qū)域A。
[0062]具體地，板狀電極I為像素電極，狹縫電極2為公共電極；或者板狀電極I為公共電極，狹縫電極2為像素電極。
[0063]本實施例中陣列基板，通過使存儲電容區(qū)域中絕緣層的厚度變薄，減小了板狀電極和狹縫電極之間的距離，因此增大了存儲電容，從而提高顯示裝置的顯示效果。
[0064]本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0065]該陣列基板的具體結(jié)構(gòu)與上述實施例相同，在此不再贅述。
[0066]該液晶顯示裝置具體可以為:液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、電子紙、數(shù)碼相框、手機等等。
[0067]本實施例中液晶顯示裝置，通過使存儲電容區(qū)域中絕緣層的厚度變薄，減小了板狀電極和狹縫電極之間的距離，因此增大了存儲電容，從而提高顯示裝置的顯示效果。
[0068]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上形成TFT、柵線和數(shù)據(jù)線； 在包括所述TFT、柵線和數(shù)據(jù)線的基板上形成板狀電極； 在包括所述板狀電極的基板上形成絕緣層，對所述絕緣層上的存儲電容區(qū)域進行刻蝕，使所述存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度； 在包括所述絕緣層的基板上形成狹縫電極，所述狹縫電極與所述板狀電極的重疊區(qū)域為所述存儲電容區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在包括所述板狀電極的基板上形成絕緣層，對所述絕緣層上的存儲電容區(qū)域進行刻蝕，使所述存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度的過程包括: 在包括所述板狀電極的基板上沉積絕緣層材料； 在包括所述絕緣層材料的基板上沉積光刻膠； 對絕緣層過孔區(qū)域的光刻膠進行完全曝光，對所述存儲電容區(qū)域的光刻膠進行半色調(diào)曝光； 對光刻膠進行顯影，使所述絕緣層過孔區(qū)域的光刻膠完全去除，使所述存儲電容區(qū)域的光刻膠變?。? 對所述絕緣層過孔區(qū)域的絕緣層材料進行刻蝕，形成絕緣層過孔； 對所述光刻膠進行灰化，使所述存儲電容區(qū)域的光刻膠完全去除，所述存儲電容區(qū)域之外的光刻膠變??； 對所述存儲電容區(qū)域的絕緣層材料進行刻蝕，使所述存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度； 去除剩余的光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述板狀電極為公共電極，所述狹縫電極為像素電極。
5.一種陣列基板，包括板狀電極、狹縫電極和位于所述板狀電極與狹縫電極之間的絕緣層，其特征在于， 存儲電容區(qū)域的絕緣層厚度小于所述存儲電容區(qū)域之外的絕緣層厚度，所述狹縫電極與所述板狀電極的重疊區(qū)域為所述存儲電容區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述板狀電極為公共電極，所述狹縫電極為像素電極。
8.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求5至7中任意一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK103794556SQ201410031062
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年1月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月22日
【發(fā)明者】李鑫, 任健, 唐磊, 裴揚 申請人:北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司