環(huán)形天線用屏蔽材料、屏蔽單元、以及屏蔽標(biāo)簽的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供可適用于RFID系統(tǒng)和NFC系統(tǒng)的具有厚度減小的屏蔽片材的屏蔽標(biāo)簽。該屏蔽標(biāo)簽具備：IC標(biāo)簽(210)，其搭載有IC芯片；環(huán)形天線(220)，其連接于IC標(biāo)簽(210)；標(biāo)簽基材(230)，其載置IC標(biāo)簽(210)及環(huán)形天線(220)；以及片狀基材(120)，其具有粘貼于標(biāo)簽基材(230)的多個(gè)帶狀的屏蔽材料(101a-101c)。上述屏蔽材料(101a-101c)對(duì)于13.56MHz電磁波的磁導(dǎo)率為200以上且厚度為60μm以下。
【專利說(shuō)明】環(huán)形天線用屏蔽材料、屏蔽單元、以及屏蔽標(biāo)簽

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明系涉及用于環(huán)形天線的屏蔽材料、屏蔽單元、以及屏蔽標(biāo)簽，尤其涉及可適用于 RFID (Rad1 Frequency Identificat1n:射頻識(shí)別)系統(tǒng)、NFC(Near FieldCommunicat1n:近場(chǎng)通信)系統(tǒng)的環(huán)形天線用屏蔽材料、屏蔽單元、及屏蔽標(biāo)簽。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，已有即便在附近存在金屬時(shí)亦可使磁場(chǎng)集中通過(guò)而不損耗磁場(chǎng)能量的標(biāo)簽用磁性屏蔽片材(專利文獻(xiàn)I)。在專利文獻(xiàn)I中，公開了通過(guò)以復(fù)磁導(dǎo)率μ的實(shí)部大的扁平軟磁性金屬材料形成的屏蔽層構(gòu)成的標(biāo)簽用磁性屏蔽片材。根據(jù)專利文獻(xiàn)1，即便在附近存在金屬時(shí)，在將該屏蔽層設(shè)置于磁場(chǎng)中時(shí)，磁力線也會(huì)集中地通過(guò)屏蔽層。因此，可防止被磁性屏蔽片材隔開的一個(gè)區(qū)域的磁場(chǎng)向另一個(gè)區(qū)域泄漏。此外，在專利文獻(xiàn)I中，揭示對(duì)于13.56MHz的電磁波，復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率μ的實(shí)部μ ’設(shè)定為30以上，但根據(jù)圖2等，可知實(shí)部μ ’無(wú)論如何也無(wú)法到達(dá)100。
[0003]專利文獻(xiàn)I日本特開2006-005365號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0005]然而，對(duì)于專利文獻(xiàn)I所公開的屏蔽片材而言，當(dāng)要獲得充分的屏蔽特性時(shí)，通常，屏蔽片材整體的厚度會(huì)超過(guò)160 μ m。這是由于一般而言，在使用相同軟磁性金屬材料的屏蔽層時(shí)，其厚度越大，則可使與讀寫器之間的通信距離越長(zhǎng)。
[0006]另一方面，近年來(lái)，移動(dòng)電話、智能電話等移動(dòng)設(shè)備的薄型化發(fā)展十分顯著，為了實(shí)現(xiàn)移動(dòng)設(shè)備的薄型化，亦要求移動(dòng)設(shè)備的各種零件實(shí)現(xiàn)薄型化。當(dāng)然，移動(dòng)設(shè)備只是較為典型的例子，其它領(lǐng)域中亦有薄型化的需求。
[0007]因此，本發(fā)明考慮上述情況，將屏蔽片材的薄型化作為技術(shù)問(wèn)題。
[0008]解決問(wèn)題的技術(shù)手段
[0009]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的環(huán)形天線用屏蔽材料包括:屏蔽材料，其對(duì)于例如13.56MHz的電磁波的磁導(dǎo)率為200以上且厚度為60 μ m以下；以及樹脂薄膜，其通過(guò)黏著層粘貼于所述屏蔽材料的至少一面。
[0010]另外，本發(fā)明的屏蔽單元包括:所述環(huán)形天線用屏蔽材料；剝離紙，其排列有所述環(huán)形天線用屏蔽材料；以及黏著層，其形成于所述環(huán)形天線用屏蔽材料與所述剝離紙之間。
[0011]再有，本發(fā)明的屏蔽標(biāo)簽包括:所述環(huán)形天線用屏蔽材料；以及環(huán)形天線，其連接于標(biāo)簽；所述環(huán)形天線由所述環(huán)形天線用屏蔽材料覆蓋。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式I的屏蔽標(biāo)簽的示意性說(shuō)明圖。
[0013]圖2為包含圖1所示之屏蔽材料1la-1Olc等的屏蔽帶300的示意圖。
[0014]圖3為本發(fā)明的實(shí)施方式2的屏蔽標(biāo)簽的示意性說(shuō)明圖。
[0015]符號(hào)說(shuō)明:
[0016]100 屏蔽片材
[0017]1la?1lc 屏蔽材料
[0018]120 片狀基材
[0019]130 剝離紙
[0020]140 剝離紙
[0021]200 RFID 標(biāo)簽
[0022]210 IC 標(biāo)簽
[0023]220 環(huán)形天線
[0024]230 標(biāo)簽基材
[0025]300 屏蔽帶
[0026]發(fā)明的實(shí)施方式
[0027]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在各附圖中，對(duì)相同部分標(biāo)注相同符號(hào)。為了便于說(shuō)明，附圖之間的尺寸及各圖所示構(gòu)件的數(shù)量等可能與實(shí)際不同，敬請(qǐng)留
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[0028](實(shí)施方式I)
[0029]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式I的屏蔽標(biāo)簽的示意性說(shuō)明圖。本實(shí)施方式的屏蔽標(biāo)簽為可適用于IS015693規(guī)格之IC標(biāo)簽之屏蔽標(biāo)簽。如圖1所示，本實(shí)施方式的屏蔽標(biāo)簽大致分為已知的RFID標(biāo)簽200，與粘貼于該RFID標(biāo)簽200的屏蔽單元、即屏蔽片材100。
[0030]RFID標(biāo)簽200如現(xiàn)有的那樣包括:搭載有IC芯片的IC標(biāo)簽210、連接于IC標(biāo)簽210的環(huán)形天線220、以及載置IC標(biāo)簽210及環(huán)形天線220的標(biāo)簽基材230。此外，IC標(biāo)簽210并非必須設(shè)置于RFID標(biāo)簽200本身，亦可與RFID標(biāo)簽200分開設(shè)置，再與該RFID標(biāo)簽200電連接。
[0031]屏蔽片材100包括:帶狀的屏蔽材料1la-1Olc等，為環(huán)形天線用屏蔽材料?’片狀基材120，由粘貼有屏蔽材料1la-1Olc等的例如厚度為5μπι-30μπι的PET薄膜或聚酰亞胺薄膜等構(gòu)成；以及剝離紙130，通過(guò)黏著層粘貼于片狀基材120中的各屏蔽材料1la-1Olc等的粘貼面的背面。此外，屏蔽材料1la等的條件將在后文描述。
[0032]再者，如后所述，本實(shí)施方式的屏蔽標(biāo)簽并非必須具備屏蔽片材100本身。從功能上說(shuō)，只要具備屏蔽片材100所包含的屏蔽材料1la-1OlC即可。因此，請(qǐng)留意并非必需具有例如片狀基材120才能構(gòu)成屏蔽片材100。
[0033]在本實(shí)施方式中，屏蔽片材100的單面或兩面由PET薄膜、聚酰亞胺薄膜等樹脂薄膜覆蓋。在此情況下，在片狀基材120的整個(gè)表面設(shè)置黏著層，將屏蔽材料1la-1Olc等排列于該黏著層上。繼而，粘貼PET薄膜即可。例如可考慮使用以丙烯酸或硅為基礎(chǔ)的粘合劑形成黏著層。另外，亦可根據(jù)環(huán)形天線220的形狀或尺寸、或者RFID標(biāo)簽200的設(shè)置位置等，重迭2塊屏蔽材料1la-1Olc等。
[0034]當(dāng)將屏蔽片材100粘貼于RFID標(biāo)簽200時(shí)，剝離屏蔽片材100的剝離紙130后，使標(biāo)簽基材230與片狀基材120的位置對(duì)準(zhǔn)，將片狀基材120的黏著層粘貼于標(biāo)簽基材230即可。
[0035]屏蔽材料1la-1Olc等可使用以鐵為主原料的合金箔。作為一例，可使用所謂的PC坡莫合金(permal 1y)箔。PC坡莫合金系包含鎳、鑰、銅、及鐵等的合金,且以如下分配比構(gòu)成:鎳為77wt% -78wt%，鑰為5wt%，銅為4wt%，剩余部分為鐵。
[0036]此外，屏蔽材料1la-1Olc等亦可為包含鐵、銅、鈮、硅、硼、及鈷基非晶體等的合金箔。作為一例，可使用日立金屬公司制造的Finemet (注冊(cè)商標(biāo))。
[0037]上述合金箔的厚度通常均為30 μ m以下，因此，無(wú)論使用任一種，剝除剝離紙130后的屏蔽片材100整體的厚度為80μπι以下。其概要內(nèi)容為:在使用ESD EMAI Engineering公司的PC坡莫合金箔帶T 8027時(shí)，屏蔽材料1la-1Olc等為約24 μ m。此外，通用的黏著層為約5 μ m-約30 μ m，通用的PET薄膜同樣為約30 μ m左右。
[0038]因此，在使用平均厚度的黏著層時(shí)，剝除剝離紙130后的屏蔽片材100整體的厚度為約70 μ m，使用較厚的黏著層條，厚度為約85 μ m。另一方面，在先前的典型屏蔽片材的情況下，相應(yīng)的厚度分別為約150 μ m與約160 μ m，因此，與此相比，可將其厚度減小至約1/2。
[0039]此外，即便重迭使用2塊屏蔽材料1la-1Olc等，剝除剝離紙130后的屏蔽片材100整體的厚度為110 μ m以下。在此情況下，與先前的典型屏蔽片材相比，亦可將其厚度減小至約2/3。
[0040]然而，一般而言，屏蔽片材對(duì)于通信的改善效果是基于屏蔽材料的厚度與磁導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)整。在減薄屏蔽材料時(shí)，必須增加屏蔽材料的素材的磁導(dǎo)率。
[0041]本實(shí)施方式的屏蔽材料1la-1Olc等是以PC坡莫合金、Finemet等作為材料,其磁導(dǎo)率對(duì)于如13.56MHz、135KHz、100KHz、90KHz之類的頻帶的電磁波為200以上。若添加若干原子百分比的如鈮之類的高磁導(dǎo)材料，則屏蔽材料的磁導(dǎo)率會(huì)增大。
[0042]此處，為了使本實(shí)施方式的屏蔽片材100獲得充分的屏蔽效果，重要的是屏蔽材料1la-1Olc等的磁導(dǎo)率、形狀、大小及屏蔽材料1la-1Olc等相對(duì)于片狀基材120的配置。
[0043]首先，本實(shí)施方式的屏蔽材料1la-1Olc等應(yīng)選擇厚度至少為30 μ m以下的合金箔。否則，根據(jù)情況，由于屏蔽材料1la-1Olc等重迭使用2塊上述PC坡莫合金箔帶，因此，在考慮片狀基材120及PET薄膜的厚度時(shí)，無(wú)法使屏蔽片材100較之先前的屏蔽片材整體變薄。而且，已知在該情況下，屏蔽材料1la-1Olc等的磁導(dǎo)率較佳為大致200以上。
[0044]此外，在選用如上所述的合金箔時(shí)，若采用如先前的屏蔽材料那樣的形狀，則根據(jù)楞次定律(Lenz’s law)，會(huì)產(chǎn)生流動(dòng)方向與為了與未圖示的讀寫器之間進(jìn)行通信而流入至環(huán)形天線220的電流相反的電流。如此，兩電流會(huì)相互抵消，因此，無(wú)法利用讀寫器接收來(lái)自RFID標(biāo)簽200的信號(hào)。
[0045]在此情況下，換言之，由于屏蔽材料發(fā)揮與存在于RFID標(biāo)簽200附近的金屬相同的作用，因此，導(dǎo)致磁場(chǎng)能量的損耗。如此則通信效果降低。
[0046]因此，如圖1所示，采用帶狀的屏蔽材料1la-1Olc等，即便上述電流在屏蔽材料1la-1Olc等之間抵消，亦可于粘貼有屏蔽材料1la-1Olc等的位置避免該電流抵消。
[0047]屏蔽材料1la-1Olc等采用如下配置:以覆蓋構(gòu)成環(huán)形天線220的天線線圈的形態(tài)，使延伸方向與該天線線圈正交。屏蔽材料1la與屏蔽材料1lb的間隔例如為3mm-15mm即可。在本實(shí)施方式中，該間隔例如設(shè)為10mm。屏蔽材料1lb與屏蔽材料1lc的間隔等亦設(shè)為與上述相同的條件即可。
[0048]此外，先前的典型的屏蔽片材通常具備形狀與屏蔽片材本體相同的屏蔽材料，如此，屏蔽材料的面積當(dāng)然亦會(huì)相對(duì)變大。屏蔽材料一般昂貴，因此，屏蔽片材100的成本會(huì)相對(duì)升高。另一方面，在本實(shí)施方式的情況下，由于屏蔽材料的面積較小即可。因此，可抑制屏蔽片材100的成本。
[0049]此外，關(guān)于屏蔽材料1la等的長(zhǎng)度，到達(dá)較構(gòu)成環(huán)形天線220的天線線圈的最內(nèi)周更靠?jī)?nèi)側(cè)的例如左右為止的位置即可。進(jìn)而，屏蔽材料1la等的寬度例如為5mm-1Omm左右即可。根據(jù)RFID標(biāo)簽200的大小決定屏蔽材料1la等的數(shù)量即可。然而，為了容易加工屏蔽片材100，亦可橫亙片狀基材120的兩端粘貼屏蔽材料1la-1Olc等。
[0050]亦即，圖1中表示了分別與屏蔽材料1la-1Olc相向的3個(gè)屏蔽材料，但亦可代替此種的各自相向的3組屏蔽材料，形成使屏蔽材料1la-1Olc自片狀基材120的一端延伸至另一端為止而成為一體的屏蔽材料。此外，屏蔽材料101亦可設(shè)置于與IC標(biāo)簽210對(duì)應(yīng)的位置、及與將IC標(biāo)簽210與環(huán)形天線220連接的連接線對(duì)應(yīng)的位置。如此，在此類部位，亦可避免上述抵消。
[0051]此處，如上所述，可利用樹脂薄膜覆蓋屏蔽片材100，且就功能而言，本實(shí)施方式的屏蔽標(biāo)簽只要具備屏蔽材料101即可。根據(jù)該觀點(diǎn)，預(yù)先附帶說(shuō)明屏蔽材料101與樹脂薄月吳的關(guān)系。
[0052]首先，可考慮通過(guò)黏著層以樹脂薄膜覆蓋屏蔽材料101的單面或兩面的情形。在前者的情況下，樹脂薄膜有助于保持屏蔽片材100的形狀及防止屏蔽材料101氧化。與此相對(duì)，在后者的情況下，樹脂薄膜中的一方及其附帶的黏著層亦發(fā)揮作為屏蔽材料101與環(huán)形天線220之間的隔離層的功能。
[0053]其次，對(duì)樹脂薄膜與屏蔽材料101的關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。首先，可以考慮以下四種利用樹脂薄膜覆蓋屏蔽材料101的方式。
[0054](第一方式)
[0055]可考慮通過(guò)第一黏著層以樹脂薄膜僅覆蓋屏蔽材料101的第一面。在此情況下，通過(guò)其他黏著層將屏蔽材料101的未被樹脂薄膜覆蓋的第二面粘貼于標(biāo)簽基材230。屏蔽材料101的第一面利用樹脂薄膜與外部氣體隔絕，由此防止氧化，第二面利用上述其他黏著層與外部氣體隔絕，由此防止氧化。
[0056]再者，樹脂薄膜不一定為單層，亦可由多層構(gòu)成。此外，在此情況下，僅上述其他黏著層發(fā)揮作為隔離層的功能，因此，使上述其他黏著層具有足以發(fā)揮作為隔離層功能的厚度亦為一個(gè)方法。具體而言，雖然黏著層的厚度亦取決于環(huán)形天線220的頻帶，但在13.56MHz的電磁波的情況下,確保黏著層為15μηι左右即可。
[0057](第二方式)
[0058]作為第二方式，可考慮亦通過(guò)第二黏著層以樹脂薄膜覆蓋第一方式的屏蔽材料101的第二面。在第一方式的情況下，樹脂薄膜在附加至標(biāo)簽基材230之前有助于保持屏蔽材料101的形狀，在附加至標(biāo)簽基材230的后有助于防止氧化，但在從制成屏蔽材料101到附加至標(biāo)簽基材230為止需要長(zhǎng)時(shí)間的情形時(shí)，必須防止從屏蔽材料101的第二面發(fā)生氧化。
[0059]因此，可考慮利用樹脂薄膜覆蓋屏蔽材料101的第一面及第二面。再者，在此情況下，第二面的第二黏著層及樹脂薄膜發(fā)揮作為隔離層的功能。因此，在此情況下，由于存在第二黏著層附帶的樹脂薄膜，因此，與第一方式的情形比較，第二黏著層的厚度相對(duì)較薄即可。就上述例子而言，第二黏著層及樹脂薄膜的總厚度為15 μ m左右即可。
[0060](第三方式)
[0061]作為第三方式，可考慮通過(guò)第二黏著層以剝離紙覆蓋第一方式的屏蔽材料101的第二面。在第三方式的情況下，與第二方式同樣，第二黏著層有助于防止氧化。而且，若將剝離紙剝離，則可通過(guò)第二黏著層容易地將屏蔽材料101粘貼于標(biāo)簽基材230。再者，在此情況下，由于第二黏著層發(fā)揮作為隔離層的功能，因此，第二黏著層的厚度應(yīng)為與第一方式相同的程度。
[0062](第四方式)
[0063]第四方式可包含第一方式-第三方式的全部要素。具體而言，可考慮通過(guò)第三黏著層以剝離紙覆蓋第二方式中的屏蔽材料101的任一個(gè)樹脂薄膜。然后，若將剝離紙剝離，則可通過(guò)第三黏著層，容易地將屏蔽材料101粘貼于標(biāo)簽基材230。
[0064]再者，在上述情況下，第二黏著層及第三黏著層與其間的樹脂薄膜發(fā)揮作為隔離層的功能。因此，在此情況下，由于存在第二黏著層附帶的樹脂薄膜，因此，與第一方式的情形比較，第二黏著層的厚度相對(duì)較薄即可。具體而言，就上述例子而言，第二黏著層及第三黏著層與其間的樹脂薄膜的總厚度為15 μ m左右即可。
[0065]然而，本實(shí)施方式的屏蔽片材的總厚度必須為80 μ m以下。根據(jù)各黏著層及各樹脂薄膜的厚度，對(duì)本實(shí)施方式的屏蔽片材的總厚度進(jìn)行調(diào)整即可。然而，為了獲得黏著層的充分的黏著效果，一般而言，確保至少ΙΟμπι左右的厚度即可。基于屏蔽片材的總厚度而決定樹脂薄膜的厚度即可。
[0066]如此，例如在第一方式的情況時(shí)，僅作為各構(gòu)件的厚度的一例，可使用厚度為18 μ m左右的屏蔽材料101、厚度為10 μ m左右的第一黏著層、及厚度為5 μ m左右的樹脂薄膜。在此情況下，第二面的其他黏著層在上述例子的情況下為15μπι左右即可。在此情況下，屏蔽片材的總厚度為[18 μ m+10 μ m+5 μ m+15 μ m = 48 μ m]。
[0067]圖2為屏蔽帶300的示意圖，包含圖1所示的屏蔽材料1la-1Olc的屏蔽單元。圖2中表示上述屏蔽材料lOla-lOlc、與粘貼有屏蔽材料1la等的剝離紙140。設(shè)置有形成于屏蔽材料1la-1Olc與剝離紙140之間的未圖示的黏著層。
[0068]此外，還可利用PET薄膜、聚酰亞胺薄膜等樹脂薄膜覆蓋屏蔽材料lOla-lOlc。在此情況下，在剝離紙140的整個(gè)表面設(shè)置黏著層，將屏蔽材料1la-1Olc排列于該黏著層上，繼而粘貼PET薄膜即可。
[0069]屏蔽帶300的長(zhǎng)度例如為Im-1Om即可。屏蔽材料1la-1Olc以相互隔開例如5mm-15mm的間隔粘貼于剝離紙140上。因此，當(dāng)制造屏蔽片材100時(shí),例如若將屏蔽帶300切斷為所需的長(zhǎng)度，其后一面將剝離紙140剝離，一面將屏蔽材料1la-1Olc—體粘貼于片狀基材120，則可等間隔地將屏蔽材料1la-1Olc配置于片狀基材120。
[0070]再者，亦可變更將屏蔽材料1la-1Olc粘貼于片狀基材120的粘貼步驟與屏蔽帶300的切斷步驟的順序。在此情況下，亦可容易保持片狀基材120上的屏蔽材料1la-1Olc的相互間隔。
[0071](實(shí)施方式2)
[0072]圖3為本發(fā)明的實(shí)施方式2的屏蔽標(biāo)簽的示意性說(shuō)明圖，對(duì)應(yīng)于圖1。圖3所示的屏蔽標(biāo)簽中，代替上述屏蔽材料lOla-lOlc，在與大致長(zhǎng)方形的環(huán)形天線220的四條邊相對(duì)應(yīng)的位置形成屏蔽材料101a-101d。
[0073]此處，屏蔽材料1laUOlc為相同形狀，屏蔽材料101b、1ld亦為相同形狀。屏蔽材料1la-屏蔽材料1ld任一個(gè)的寬度,均為環(huán)形天線220的寬度(最內(nèi)周的天線線圈與最外周的天線線圈的間隔)以上即可。但實(shí)際上，以可確實(shí)覆蓋環(huán)形天線220的寬度方向的方式，例如寬度設(shè)為比環(huán)形天線220的寬度寬2mm左右。
[0074]關(guān)于此點(diǎn)，已嘗試?yán)脤?duì)應(yīng)于NFC系統(tǒng)用的IS014443規(guī)格的讀寫器，對(duì)將屏蔽片材100粘貼于RFID標(biāo)簽200而制成的屏蔽標(biāo)簽進(jìn)行驗(yàn)證。此外已確認(rèn)，當(dāng)作為屏蔽標(biāo)簽的條件而將環(huán)形天線220的寬度設(shè)為4_、屏蔽材料1la等的寬度設(shè)為6_、使環(huán)形天線220的寬度中心與屏蔽材料1la等的寬度中心對(duì)準(zhǔn)、且屏蔽材料1la等的兩側(cè)相對(duì)于環(huán)形天線220的兩側(cè)各超出1_時(shí)，可獲得良好的通信特性。
[0075]再者，已知即便將屏蔽材料10a等的寬度設(shè)為上述的寬度以上，屏蔽標(biāo)簽與讀寫器的通信距離亦處于飽和狀態(tài)。在此情況下，較佳為減少屏蔽材料1la等的使用量，從而抑制屏蔽標(biāo)簽整體的材料費(fèi)。此外已知的是，相反地，若屏蔽材料1la等的寬度未達(dá)到環(huán)形天線的寬度，則通信特性會(huì)與該寬度情況成比例地變差。
[0076]此外，根據(jù)實(shí)驗(yàn)，已知較佳為環(huán)形天線與屏蔽材料1la-1Old重復(fù)部分的總面積大致為環(huán)形天線的總面積(由最內(nèi)周的天線線圈確定的外緣與由最外周的天線線圈確定的外緣所包圍的面積)的50%以上。進(jìn)而，已知若使總面積比朝向100%增加，則通信距離特性在70%附近到達(dá)峰值，以上則通信距離特性減小。再者，通信距離特性與粘貼于天線的屏蔽材料的材料常數(shù)相關(guān)，可根據(jù)安裝屏蔽材料時(shí)天線的阻抗特性預(yù)測(cè)峰值。
[0077]上述總面積比較佳為50%以上的根據(jù)在于:目前市售的屏蔽標(biāo)簽的通信距離大致為10mm-20mm左右，若總面積比為50%以上，則可實(shí)現(xiàn)20mm以上的通信距離。
[0078]而且，即便為總面積比為100%的屏蔽標(biāo)簽，亦需要與目前市售的屏蔽標(biāo)簽相同程度的制造費(fèi)用。因此，本實(shí)施方式的屏蔽標(biāo)簽與目前的市售品相比較，性能優(yōu)異，且可廉價(jià)地制造。
[0079]再者，即便在以上述方式粘貼屏蔽材料1la等時(shí)，亦可避免如實(shí)施方式I中所說(shuō)明的抵消。
[0080]以上，在本發(fā)明的各實(shí)施方式中，說(shuō)明了通過(guò)片狀基材120將屏蔽材料1la等粘貼于RFID標(biāo)簽200的例子，但亦可準(zhǔn)備多個(gè)被樹脂薄膜等覆蓋的屏蔽材料1la等，將這些屏蔽材料1la等配置于適當(dāng)?shù)奈恢?。此外，本發(fā)明的各實(shí)施方式中所說(shuō)明的內(nèi)容，亦可適用于不通過(guò)金屬接點(diǎn)或連接器等傳輸電力的無(wú)線供電。
【權(quán)利要求】
1.環(huán)形天線用屏蔽材料，包括:屏蔽材料，其對(duì)于電磁波的磁導(dǎo)率為200以上且厚度為60 μ m以下；和樹脂薄膜，其通過(guò)黏著層粘貼于所述屏蔽材料的至少一個(gè)面。
2.屏蔽單元,包括:屏蔽材料，其對(duì)于電磁波的磁導(dǎo)率為200以上且厚度為60 μ m以下；剝離紙，其排列有所述屏蔽材料；和黏著層，其形成于所述屏蔽材料與所述剝離紙之間。
3.屏蔽標(biāo)簽，包括:屏蔽材料，其對(duì)于電磁波的磁導(dǎo)率為200以上且厚度為60 μ m以下；和環(huán)形天線，其連接于IC標(biāo)簽，其中所述環(huán)形天線由所述屏蔽材料覆蓋。
【文檔編號(hào)】H01F27/36GK104396360SQ201380031491
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2013年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月19日
【發(fā)明者】荻野哲, 大村直輝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社新日本電波吸收體