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具有防濕密封件的顯示單元的制作方法

文檔序號:7038535閱讀:220來源:國知局
具有防濕密封件的顯示單元的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示裝置,其包括彼此對向配置的第一基板和第二基板;在第一基板上的第一有機絕緣層;在顯示區(qū)域中排列的多個發(fā)光元件,所述顯示區(qū)域在第一有機絕緣層上并面對第二基板;和在周邊區(qū)域中覆蓋第一有機絕緣層的第一防濕膜,其中所述周邊區(qū)域設置在第一基板上并包圍所述顯示區(qū)域。
【專利說明】具有防濕密封件的顯示單元

【技術領域】
[0001]本技術涉及一種具有包含有機層的自發(fā)光型發(fā)光元件的顯示裝置,還涉及一種設有這種顯示裝置的電子設備。

【背景技術】
[0002]通過使用有機材料的有機EL現象發(fā)光的有機電致發(fā)光(EL)元件包括有機層,其中在陽極和陰極之間層疊著有機空穴傳輸層和有機發(fā)光層。作為能夠實現通過低壓直流驅動而實現高強度發(fā)光的發(fā)光元件,有機EL元件受到關注。然而,在使用有機EL元件的顯示裝置(有機EL顯示裝置)中,由于吸濕的原因,發(fā)生有機EL元件中的有機層的劣化,導致有機EL元件中的發(fā)光強度降低或發(fā)光不穩(wěn)定等。因此,這種類型的顯示裝置具有諸如隨時間變化的低穩(wěn)定性和短壽命等缺點。
[0003]因此,例如,日本未審查專利申請公開N0.2002-93576已經提出了一種有機EL顯示裝置,其中在基板的形成有有機EL元件和其他電路的元件形成面?zhèn)壬显O置用于密封的覆蓋材料,并且基板和覆蓋材料之間的邊緣部由密封材料密封。JP 2002-93576A還提出一種構造,其中密封材料的外側覆蓋有作為防止水蒸汽等侵入的保護膜的硬質碳膜。這種構造使得能夠在基板上形成的有機EL元件與外部完全屏蔽,并且防止通過有機EL元件的氧化而加速劣化的諸如水和氧等物質的侵入。
[0004]此外,還提出了一種完全固體型的有機EL顯示裝置,其中用于密封的覆蓋材料經由粘合劑粘附到基板的形成有有機EL元件和其他電路的元件形成面?zhèn)取?br> [0005]此外,還提出了一種有機EL顯示裝置,其中將有機絕緣膜分離成內部區(qū)域側和外部區(qū)域側的分離槽形成在顯示區(qū)域周圍的位置(即,在顯示區(qū)域的外緣側)。參見,例如,日本未審查專利申請公開N0.2006-54111和N0.2008-283222。設置該分離槽防止在有機絕緣膜的外部區(qū)域側存在的水由于通過有機絕緣膜的內側而侵入內部區(qū)域側(即,顯示區(qū)域側)。因此,可以抑制由于留在顯示裝置內的水通過有機絕緣膜而導致有機層(有機EL元件)的劣化。
[0006][引用文獻列表]
[0007][專利文獻]
[0008][專利文獻I]日本未審查專利申請公開N0.2002-93576
[0009][專利文獻2]日本未審查專利申請公開N0.2006-54111
[0010][專利文獻3]日本未審查專利申請公開N0.2008-283222


【發(fā)明內容】

[0011][技術問題]
[0012]另一方面,近年來,有機EL顯示裝置被安裝在諸如所謂的平板個人電腦(PC)和智能手機(多功能便攜式電話)等便攜式信息終端上。對于這種類型的便攜式信息終端,從便攜性的觀點來看,難以提高主體的大小。然而,從確保使用者的可視性和可操作性的觀點來看,必需使有效畫面區(qū)域盡可能大。因此,期望提供一種所謂的窄邊框,即,在便攜式信息終端的主體中盡可能減少除了有效畫面區(qū)域之外的由周邊區(qū)域所占據的區(qū)域。
[0013]然而,在諸如上述日本未審查專利申請公開N0.2006-54111和N0.2008-283222提出的構造中,例如,使用白色有機EL元件的情況,在區(qū)域掩模被用于形成有機層等膜的情況下,難以提供窄邊框。換句話說,考慮到區(qū)域掩模的未對準(掩模未對準區(qū)域)和膜的環(huán)繞(錐形區(qū)域),實際上,必需在充分遠離顯示區(qū)域的位置形成上述分離槽。因此,需要確保寬邊框(即,需要增大顯示區(qū)域和周邊區(qū)域之間的距離),使得難以提供窄邊框。此外,由于需要增大顯示區(qū)域和周邊區(qū)域之間的距離,因此包含在該區(qū)域(分離槽的內部區(qū)域)的有機層內的水侵入有機層,由此使有機層劣化。
[0014]希望提供一種在抑制由水引起發(fā)光元件劣化的同時具有高可靠性和更大有效畫面區(qū)域的顯示裝置以及設有這種顯示裝置的電子設備。
[0015][解決問題的方案]
[0016]根據本技術實施方案的顯示裝置包括:彼此對向配置的第一基板和第二基板;設置在第一基板上的第一有機絕緣層;在顯示區(qū)域中排列的多個發(fā)光元件,其中所述顯示區(qū)域設置在第一有機絕緣層上并面對第二基板;和在周邊區(qū)域中覆蓋第一有機絕緣層的第一防濕膜,其中所述周邊區(qū)域設置在第一基板上并包圍所述顯示區(qū)域。
[0017]根據本技術實施方案的電子設備配備有顯示裝置。所述顯示裝置包括:彼此對向配置的第一基板和第二基板;設置在第一基板上的第一有機絕緣層;在顯示區(qū)域中排列的多個發(fā)光元件,其中所述顯示區(qū)域設置在第一有機絕緣層上并面對第二基板;和在周邊區(qū)域中覆蓋第一有機絕緣層的第一防濕膜,其中所述周邊區(qū)域設置在第一基板上并包圍所述顯示區(qū)域。
[0018]在根據本技術上述實施方案的顯示裝置和電子設備中,周邊區(qū)域中的第一有機絕緣層被第一防濕膜覆蓋。因此,第一有機絕緣層與含有水的外部空氣充分地隔離。
[0019][發(fā)明的有益效果]
[0020]根據本技術上述實施方案的顯示裝置和電子設備,由于設置有第一防濕膜,所以在提供簡單構造的同時可以有效地防止水從周邊區(qū)域侵入到顯示區(qū)域。因此,防止了發(fā)光元件的劣化,這樣允許實現高可靠性,同時還實現了窄邊框。
[0021]應當理解不論上述概括說明還是以下詳細說明都是示例性的,并且其目的是用來提供對所請求保護的技術的進一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是示出根據本技術實施方案的顯示裝置的構成的圖。
[0023]圖2是示出圖1所示的像素驅動電路的一個例子的圖。
[0024]圖3是示出圖1所示的顯示區(qū)域的構成的平面圖。
[0025]圖4是示出圖1所示的顯示區(qū)域的構成的斷面圖。
[0026]圖5是示出圖1所示的顯示區(qū)域的構成的另一個斷面圖。
[0027]圖6是示出圖4和圖5所法的有機層的放大斷面圖。
[0028]圖7是示出根據第一變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0029]圖8是示出根據第二變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0030]圖9A是示出根據第三變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0031]圖9B是示出根據第四變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0032]圖9C是示出根據第五變形例的顯示裝置的要部構成的放大斷面圖。
[0033]圖10是示出根據第六變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0034]圖11是示出包括根據上述實施方案和變形例的顯示裝置的模塊的示意性構成平面圖。
[0035]圖12是示出根據顯示裝置的應用例I的電視機的外觀的立體圖。
[0036]圖13A是示出根據顯示裝置的應用例2的數碼相機的外觀的第一立體圖。
[0037]圖13B是示出根據顯示裝置的應用例2的數碼相機的外觀的第二立體圖。
[0038]圖14是示出根據顯示裝置的應用例3的膝上型電腦的外觀的立體圖。
[0039]圖15是示出根據顯示裝置的應用例4的攝像機的外觀的立體圖。
[0040]圖16A是示出根據顯示裝置的應用例5的便攜式電話的圖,即,處于關閉狀態(tài)的便攜式電話的前視圖、左視圖、右視圖、俯視圖和仰視圖。
[0041]圖16B是示出根據顯示裝置的應用例5的便攜式電話的圖,即,處于打開狀態(tài)的便攜式電話的前視圖和側視圖。
[0042]圖17A是示出使用顯示裝置的根據應用例6的平板型PC的外觀的第一立體圖。
[0043]圖17B是示出使用顯示裝置的根據應用例6的平板型PC的外觀的第二立體圖。
[0044]圖18是示出根據第七變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0045]圖19A是示出根據第八變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0046]圖19B是示出根據第九變形例的顯示裝置的要部構成的放大斷面圖。
[0047]圖20是示出根據第十變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0048]圖21A是示出根據第^^一變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0049]圖21B是示出根據第十二變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0050]圖22k是示出根據第十三變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0051]圖22B是示出根據第十三變形例的顯示裝置的要部構成的另一個斷面圖。
[0052]圖23是用于說明制造圖22A和圖22B示出的顯示裝置的方法的立體圖。
[0053]圖24A是示出根據第十四變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0054]圖24B是示出根據第十四變形例的顯示裝置的要部構成的另一個斷面圖。
[0055]圖25是示出根據第十五變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。
[0056]圖26是用于說明制造圖25示出的顯示裝置的方法的立體圖。
[0057]圖27是示出根據第十六變形例的顯示裝置的要部構成的斷面圖。

【具體實施方式】
[0058]下面將參照附圖詳細說明本公開的實施方案和應用例。需要指出的是,將按以下順序進行說明。
[0059]1.實施方案(圖1?圖10):顯示裝置
[0060]2.顯示裝置的應用例(圖11?圖17B):電子設備
[0061]〈實施方案〉
[0062](有機EL顯示裝置的整體構成例)
[0063]圖1示出根據本技術實施方案的有機EL顯示裝置1(下面簡稱作顯示裝置I)的整體構成例。顯示裝置I可以用作有機EL電視機,并且具有在基板111上的顯示區(qū)域110A。在顯示區(qū)域IlOA中,以矩陣狀配置多個子像素10R,1G和10B。子像素1R顯示紅色,子像素1G顯示綠色,子像素1B顯示藍色。這里,顯示相同顏色的子像素在Y方向上排列成列,并且該列在X方向上順次重復。因此,在X方向上排列的3個子像素的組合形成I個圖像元素(像素)。此外,在顯示區(qū)域IlOA周圍(即,在其外緣側或外周側)的周邊區(qū)域IlOB中,設置有用作圖像顯示用的驅動器(后述的周邊電路12B)的信號線驅動電路120和掃描線驅動電路130。
[0064]信號線驅動電路120將與從信號供給源(未示出)供給的亮度信息對應的圖像信號的信號電壓通過信號線120A供給到像素。
[0065]掃描線驅動電路130包括與輸入的時鐘脈沖同步順次移位(轉移)起始脈沖的移位寄存器等。在向各像素寫入圖像信號時,掃描線驅動電路130逐行掃描各像素,并順次向各掃描線130A供給掃描信號。
[0066]在顯示區(qū)域110中設置有像素驅動電路140,圖2示出了一個像素驅動電路140的例子(即,子像素10R,1G和1B的像素電路的例子)。像素驅動電路140是形成在后面將要說明的第一電極13下方(后述的像素驅動電路形成層112)的有源型驅動電路。像素驅動電路140包括驅動晶體管Trl、寫入晶體管Tr2、位于其間的電容器(保持電容)Cs。像素驅動電路140還包括位于第一電源線(Vcc)和第二電源線(GND)之間并串聯連接至驅動晶體管Trl的白色有機EL元件1W (下面簡稱作EL元件10W)。換句話說,各子像素10R,1G和1B設有EL元件10W。驅動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2均使用普通的薄膜晶體管(TFT)構成,并且可以被構造成具有但不限于逆交錯結構(所謂的底柵型)或交錯結構(所謂的頂柵型)。
[0067]在像素驅動電路140中,多個信號線120A沿列方向配置,多個掃描線130A沿行方向配置。各信號線120A與各掃描線130A之間的交叉點對應于子像素10R,10G和1B中的一個。各信號線120A連接至信號線驅動電路120,使得信號線驅動電路120通過信號線120A將圖像信號供給寫入晶體管Tr2的源極。各掃描線130A連接至掃描線驅動電路130,使得掃描線驅動電路130通過掃描線130A將掃描信號供給寫入晶體管Tr2的柵極。
[0068](顯示裝置的平面構成例)
[0069]圖3示出在XY平面上擴展的顯示區(qū)域IlOA的構成例。這里,示意性地示出了從上方觀察時包括顯示區(qū)域IlOA和包圍顯示區(qū)域IlOA的周邊區(qū)域IlOB的平面構成。顯示區(qū)域IlOA處于其中第二電極層16、填充層18和密封基板19 (均后述)被移除的狀態(tài)。如圖3所示,在顯示區(qū)域IlOA中,多個EL元件1W在X方向和Y方向上配置,S卩,整體配置成矩陣狀。更具體地,EL元件1W包括各發(fā)光部20,一個EL元件1W針對各個子像素10R,1G和1B設置。各發(fā)光部20由開口限定絕緣膜24彼此分離和限定。
[0070]在圖3中,由包圍發(fā)光部20的虛線所示的矩形表示形成有機層14的區(qū)域。此外,由包圍形成有機層14的區(qū)域的虛線所示的矩形表示形成第一電極層13的區(qū)域。例如,第一電極層13的一部分設置有可以與驅動晶體管Trl的源極建立導通的接觸部124。需要指出的是,在X方向和Y方向上配置的子像素的數目任選設定,而不限于圖3所示的數目。此夕卜,例如,通過進一步設置可以顯示黃色和白色的子像素,4個以上的EL元件1W可以包括在I個像素中。
[0071](顯示裝置I的斷面構成)
[0072]圖4示出鄰近顯示區(qū)域IlOA與周邊區(qū)域IlOB之間邊界的部分的XZ斷面的示意性構成,XZ斷面沿著圖3的線IV-1V截取。此外,圖5是圖3所示的顯示區(qū)域IlOA沿著線V-V截取的斷面圖。此外,圖6示出圖4和圖5所示的有機層14的斷面的放大部分。
[0073]本實施方案的顯示裝置I可以是頂面發(fā)光型(所謂的頂部發(fā)射型)的,其中R(紅色),G(綠色)和B(藍色)的任一色光通過使用上述EL元件1W和后述的濾色片從頂面(面對基板111的密封基板19)發(fā)射。如圖4所示,在顯示區(qū)域IlOA中,包括EL元件1W的發(fā)光元件形成層12形成在基體11上,在基體中,像素驅動電路形成層112設置在基板111上。在EL元件1W上,防濕膜17、填充層18和密封基板19按順序設置。顯示區(qū)域IlOA和周邊區(qū)域IlOB由密封基板19的沿著對向面19S上的周緣部設置的密封部23分離,對向面19S面對基板111。在EL元件1W中,作為陽極的第一電極層13、包含發(fā)光層14C(后述)的有機層14和作為陰極的第二電極層16按順序在作為像素驅動電路形成層112的最上層的平坦化膜218上層疊。有機層14和第一電極層13針對每個EL元件1W由開口限定絕緣膜24分離。需要指出的是,平坦化膜218和開口限定絕緣膜24都可以使用例如具有優(yōu)異的圖案精度的有機材料構成,如聚酰亞胺、丙烯酸酯類和硅氧烷。另一方面,第二電極層16被設置為所有EL元件1W的共用層。需要指出的是,圖4中省略了包括像素驅動電路形成層112中的驅動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2的詳細構成。
[0074]在基體11中,包含像素驅動電路140的像素驅動電路形成層112設置在基板111上?;?11是支撐體,其中EL元件1W以陣列狀形成,諸如由石英、玻璃、金屬箔或樹脂等制成的膜或片的材料可以用于基板111。其中,石英和玻璃是優(yōu)選的。在使用樹脂作為材料的情況下,其例子可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)代表的甲基丙烯酸樹脂、諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等聚酯以及聚碳酸酯樹脂。然而,在這種情況下,可能需要降低透水性和透氣性的層疊結構和表面處理。在基板111的表面上,作為驅動晶體管Trl的柵極的金屬層211G、作為寫入晶體管Tr2的柵極的金屬層221G(圖5)以及信號線120A(圖5)被設置作為第一階層的金屬層。金屬層211G和221G以及信號線120A用可以由氮化硅、氧化硅等制成的柵極絕緣膜212覆蓋。
[0075]在柵極絕緣膜212上的區(qū)域(對應于金屬層21IG和221G的區(qū)域)中,設置有可以由非晶硅等形成的半導體膜制成的通道層213和223。在通道層213和223上,絕緣通道保護膜214和224被分別設置以占用作為通道層213和223的中心區(qū)域的通道區(qū)域213R和223R。設置在通道保護膜214兩側的是漏極21?和源極215S,設置在通道保護膜224兩側的是漏極22?和源極225S。漏極21?和22?以及源極215S和225S可以由諸如η型非晶硅等η型半導體膜制成。漏極21?和源極215S經由通道保護膜214彼此分離,漏極22?和源極225S經由通道保護膜224彼此分離。漏極21?和源極215S的端面經由夾在其間的通道區(qū)域213R彼此相隔,漏極22?和源極225S的端面經由夾在其間的通道區(qū)域223R彼此相隔。此外,作為第二階層的金屬層,用作漏極配線的金屬層216D和226D以及用作源極配線的金屬層216S和226S被分別設置以覆蓋漏極21?和22?以及源極215S和225S。金屬層216D和226D以及金屬層216S和226S分別可以具有例如其中鈦(Ti)層、鋁(Al)層和鈦層按順序層疊的構造。除了金屬層216D和226D以及金屬層216S和226S之夕卜,掃描線130A(未示出)也被設置作為第二階層的金屬層。金屬層216S可以被連接到用于與諸如周邊區(qū)域IlOB中的FPC等外部元件連接的連接配線31 (圖4)。
[0076]像素驅動電路140例如可以被由諸如氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化鈦(T1x)和氧化銷(AlxOy)等低水分透過性的無機材料制成的保護膜(鈍化膜)217完全覆蓋。在保護膜217上,設置有具有絕緣性的平坦化膜218。優(yōu)選地,平坦化膜218可以具有極高的表面平坦性。此外,微細的接觸部124設置在平坦化膜218和保護膜217的一部分區(qū)域中(圖4)。接觸部124被第一電極層13填充,從而建立與形成驅動晶體管Trl的源極的金屬層216S的導通。
[0077]作為形成在平坦化膜218上的下部電極的第一電極層13也可以用作反射層,并且優(yōu)選地,可以使用具有最高可能反射率的材料構成以增加發(fā)光效率。因此,第一電極層13可以使用例如高反射率的材料構成,如鋁(Al)和鋁釹合金(AlNd)。第一電極層13可以例如是層疊方向的厚度(下面簡稱作厚度)為約1nm以上和1,OOOnm以下的層。第一電極層13的材料不限于上面提到的那些,并且可以是諸如鉻(Cr)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎢(W)和銀(Ag)等金屬元素的單體或合金。此外,第一電極層13可以具有層疊結構,包括金屬膜和透明導電膜。金屬膜可以由上述金屬元素的單體或合金構成,透明導電膜可以由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋅(ZnO)和鋁(Al)的合金等構成。
[0078]開口限定絕緣膜24被設置成填充EL元件1W與相鄰EL元件1W中的第一電極層13以及有機層14之間的間隙,S卩,發(fā)光部20之間的間隙。開口限定絕緣膜24也被稱為隔壁,其確保第一電極層13和第二電極層16之間的絕緣性,并且精確地限定EL元件1W的發(fā)光部20的輪廓。換句話說,發(fā)光區(qū)域由開口限定絕緣膜24限定。開口限定絕緣膜24還具有當在后述的制造過程中進行噴墨涂布或噴嘴涂布時的隔壁的功能。需要指出的是,盡管有機層14和/或第二電極層16不僅可以設置在開口上而且可以設置在開口限定絕緣膜24上,但是發(fā)光僅在對應于開口限定絕緣膜24的開口的發(fā)光部20中發(fā)生。
[0079]有機層14可以無縫地形成在由開口限定絕緣膜24限定的發(fā)光部20的整個表面上。例如,如圖6所示,有機層14可以具有其中空穴注入層14A、空穴傳輸層14B、發(fā)光層14C和電子傳輸層14D按順序從第一電極層13側層疊的構成。然而,可以根據需要設置發(fā)光層14C以外的各層。
[0080]空穴注入層14A用于提高發(fā)光層14C的空穴注入效率,也兼用作防止泄漏的緩沖層。例如,空穴注入層14A可以優(yōu)選具有5nm?10nm的厚度,更優(yōu)選8nm?50nm。構成空穴注入層14A的材料可以與電極或相鄰層的材料相聯系地適當選擇。構成空穴注入層14A的材料的例子可以包括聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚對苯乙炔、聚噻吩乙烯、聚喹啉、聚喹喔啉及其衍生物、諸如在主鏈或側鏈上含有芳香胺結構的聚合物等導電性高分子、金屬酞菁(如銅酞菁)和碳。在其中用于空穴注入層14A的材料是高分子材料的情況下,其重均分子量(Mw)可以為約10,000?約300,000,特別地,可以優(yōu)選為約5,000?約200,000。此外,可以使用約2,000?約10,OOOMw的低聚物,但是當Mw小于5,000時,在形成空穴輸送層和后續(xù)層時,空穴注入層可能會溶解。當Mw大于300,000時,成膜可能困難,因為材料凝膠化。用作空穴注入層14A的材料的典型導電性高分子的例子可以包括聚苯胺、低聚苯胺和諸如聚(3,4-乙稀二氧噻吩)(PEDOT)等聚二氧噻吩。其他例子可以包括位于Goslar,Germany的H.C.Starck GmbH以商品名〃Naf1n〃(商標)市售的高分子、以商品名〃Liqu1n〃(商標)市售的溶解形式的高分子、可從位于Tokyo,Japan的Nissan Chemical Industries,Ltd.獲得的〃 EL source 〃(商標)和從位于 Tokyo,Japan 的 Soken Chemi cal&Engineering,C0.,Ltd.以名稱〃Verazol〃(商標)市售的導電性尚分子。
[0081]空穴傳輸層14B用于提高發(fā)光層14C的空穴傳輸效率。取決于元件的整體構成,例如,空穴傳輸層14B可以優(yōu)選具有約1nm?200nm的厚度,更優(yōu)選約15nm?150nm。作為構成空穴傳輸層14B的高分子材料,可以使用可溶于有機溶劑的發(fā)光材料。發(fā)光材料的例子可以包括聚乙烯基咔唑、聚芴、聚苯胺、聚硅烷及其衍生物、在側鏈或主鏈上含有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、聚噻吩及其衍生物和聚吡咯。當用于形成空穴傳輸層14B的材料是高分子材料時,其重均分子量(Mw)可以優(yōu)選為約50,000?約300,000,可以更優(yōu)選為約100,000?約200,000。當Mw小時50,000時,在形成發(fā)光層14C時,高分子材料中的低分子成分脫落,導致空穴注入層14A和空穴傳輸層14B中出現斑點,因此,可能有機EL元件的初始性能降低或元件劣化。另一方面,當Mw大于300,000時,成膜可能困難,因為材料凝膠化。需要指出的是,重均分子量(Mw)是使用四氫呋喃作為溶劑,通過凝膠滲透色譜法(GPC),換算為聚苯乙烯的重均分子量而求得的值。
[0082]當由于電場的施加導致電子和空穴的再結合時,發(fā)光層14C發(fā)射光。取決于元件的整體構成,例如,發(fā)光層14C可以優(yōu)選具有約1nm?200nm的厚度,更優(yōu)選15nm?150nm。發(fā)光層14C可以使用其中低分子量材料添加到高分子(發(fā)光)材料中的混合材料構成。優(yōu)選地,低分子材料可以是單體或通過結合約單體2?10個這種單元而形成的低聚物,并且可以具有50,000以下的重均分子量。需要指出的是,這并不一定排除具有上述范圍之外的重均分子量的低分子材料。發(fā)光層14C可以例如通過諸如噴墨涂布等涂布法形成。發(fā)光層14C可以通過使用其中至少一種高分子材料和低分子材料溶解在諸如甲苯、二甲苯、苯甲醚、環(huán)己酮、均三甲苯(1,3,5-三甲基苯)、偏三甲苯(1,2,4_三甲基苯)、氫苯并呋喃、1,2, 3,4-四甲基苯、四氫化萘、環(huán)己基苯、1-甲基萘、對-茴香基醇、二甲基萘、3-甲基聯苯、4-甲基聯苯、3-異丙基聯苯和單異丙基萘等有機溶劑中的混合物來形成。作為發(fā)光層14C的高分子材料,可以使用例如聚芴系高分子衍生物、(聚)對苯乙炔衍生物、聚苯衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、茈系色素、香豆素系色素、羅丹明系色素和摻雜有機EL材料的這些高分子中的任一種。摻雜材料的例子可以包括紅熒烯、二萘嵌苯、9,10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅和香豆素6。
[0083]此外,優(yōu)選地,低分子材料可以添加到發(fā)光層14C的高分子材料中。添加到發(fā)光層14C中的低分子材料可以是由作為低分子化合物的相同鏈反應或類似鏈反應的重復結果生成的高分子量聚合物或縮合產物的分子構成的化合物以外的材料,即,分子量基本上單一的材料。此外,分子間通過加熱不發(fā)生新的化學鍵,并且材料以單分子的形式存在。優(yōu)選地,這種低分子材料可以具有50,000以下的重均分子量(Mw)。這是因為,與大于50,OOOMw的材料相比,分子量小到一定程度的材料具有各種特性,并且很容易調整諸如空穴或電子迀移率、帶隙和在溶劑中的溶解度等因素。此外,優(yōu)選地,對于低分子材料的添加量,用于發(fā)光層14C的高分子材料和低分子材料的混合比率按重量比可以為約10:1以上和約1:2以下。一些原因如下。當高分子材料和低分子材料的混合比率小于10:1時,通過添加低分子材料所產生的效果很低。另一方面,當混合比率大于I '2時,難以獲得作為發(fā)光材料的高分子材料的特性。這種低分子材料的有用例子可以包括石油揮發(fā)油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、苯并菲、氮雜苯并菲、四氰基對苯二醌二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳燒、苯二胺、芳胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪(stilbene)及其衍生物以及諸如聚硅烷系化合物、乙烯基咔唑系化合物、噻吩系化合物和苯胺系化合物等共軛雜環(huán)系的單體或低聚物。更具體的例子可以包括但不限于α-萘基苯基苯二胺、Π卜啉、金屬四苯基卟啉、金屬萘酞菁、六氰基氮雜三亞苯、7,7,8,8-四氰基對苯二醌甲烷(TCNQ)、7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟對苯二醌甲烷(F4-TCNQ)、四氰基-4,4,4-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺、N,N,N,,N,-四(對甲苯基)對苯二胺、N,N, N’,N’ -四苯基-4,4’ - 二氨基聯苯、N-苯基咔唑、4- 二 -對甲苯基氨基芪、聚(對苯撐乙烯)、聚(噻吩撐乙烯)和聚(2,2’-噻吩基吡咯)。需要指出的是,添加到發(fā)光層14C中的低分子材料可能并不只有一種,兩種或更多種可以混合使用。
[0084]作為發(fā)光層14C中的發(fā)光客體材料,可以使用具有高發(fā)光效率的材料,其例子可以包括低分子發(fā)光材料和有機發(fā)光材料,如磷光染料和金屬配合物。這里,藍色的發(fā)光客體材料可以是發(fā)光波長范圍在約400nm?約490nm具有峰值的化合物。作為這樣的化合物,可以使用諸如萘衍生物、蒽衍生物、并四苯衍生物、苯乙烯胺衍生物和雙(吖嗪基)甲烷硼配合物等有機物質。其中,優(yōu)選地,所述化合物可以選自氨基萘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基屈(chrysene)衍生物、氨基芘衍生物、苯乙烯胺衍生物和雙(吖嗪基)甲烷硼配合物。
[0085]電子傳輸層14D用于提高發(fā)光層14C的電子傳輸效率。構成電子傳輸層14D的材料的例子可以包括喹啉、二萘嵌苯、菲咯啉、聯苯乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、富勒烯、噁二唑、芴酮及其衍生物以及金屬配合物。具體例子可以包括三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱為Alq3)、蒽、萘、菲、芘、蒽、二萘嵌苯、丁二烯、香豆素、C60、B丫啶、芪、1,10-菲咯啉及其衍生物以及金屬配合物。
[0086]電子注入層(未不出)可以由LiF、Li2O等制成,其可以設置在電子傳輸層14D和第二電極層16之間。電子注入層用來提高電子注入效率,并且可以設置在電子傳輸層14D的整個表面上。例如,作為這種電子注入層的材料,可以使用作為鋰(Li)的氧化物的氧化鋰(Li2O)、作為銫(Cs)的復合氧化物的碳酸銫(Cs2CO3)以及這些氧化物和復合氧化物的混合物。電子注入層不限于上面列出的材料。例如,可以使用諸如鈣(Ca)和鋇(Ba)等堿土金屬、諸如鋰和銫等堿金屬以及諸如銦(In)和鎂(Mg)等具有小功函數的金屬。此外,這些金屬的氧化物、復合氧化物、氟化物等可以作為單質使用。此外,可以使用這些金屬、氧化物、復合氧化物和氟化物的混合物或合金以增加穩(wěn)定性。
[0087]需要指出的是,有機層14可以進一步包括與發(fā)光層14C接觸的其他空穴傳輸層。其他空穴傳輸層可以通過氣相沉積形成,因此,優(yōu)選的是使用低分子材料,特別是單體。這是因為諸如高分子和低聚物等聚合分子可能在氣相沉積過程中分解。需要指出的是,用于其他空穴傳輸層的低分子材料可以是分子量不同的兩種或更多種材料的混合物。作為用于其他空穴傳輸層的低分子材料,可以使用類似于上面針對發(fā)光層14C所述的低分子材料。因此,同樣地,其例子可以包括但不限于石油揮發(fā)油、苯乙烯胺、三苯胺身啉、苯并菲、氮雜苯并菲、四氰基對苯二醌二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳燒、苯二胺、芳胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪(stilbene)及其衍生物以及諸如聚硅烷系化合物、乙烯基咔唑系化合物、噻吩系化合物和苯胺系化合物等共軛雜環(huán)系的單體、低聚物和聚合物。更具體的材料的例子可以包括但不限于α-萘基苯基苯二胺、Π卜啉、金屬四苯基卟啉、金屬萘酞菁、六氰基氮雜三亞苯、7,7,8,8-四氰基對苯二醌甲烷(TCNQ)、7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟對苯二醌甲烷(F4-TCNQ)、四氰基-4,4,4-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺、N,N,N’,N’ -四(對甲苯基)對苯二胺、N,N, N’,N’ -四苯基-4,4’ - 二氨基聯苯、N-苯基咔唑、4- 二 -對甲苯基氨基芪、聚(對苯撐乙烯)、聚(噻吩撐乙烯)和聚(2,2’-噻吩基吡咯)。
[0088]第二電極層16是設置為兩個以上或所有EL元件1W的共用電極,并且設置成面對各EL元件1W中的第一電極層13。第二電極層16形成為不僅覆蓋有機層14,而且覆蓋開口限定絕緣膜24,可以具有例如約2nm以上和15nm以下的厚度。第二電極層16是使用對在發(fā)光層產生的光具有透光性的導電性材料構成的透明電極。因此,優(yōu)選地,其材料可以例如是ITO、含有銦、鋅(Zn)和氧的化合物(例如,IZO)、ZnO(氧化鋅)等。此外,第二電極層16可以例如是使用諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)和鈉(Na)等金屬元素的單質或合金構成的半透過性反射膜。合適的例子可以包括鎂和銀的合金(MgAg合金)以及鋁(Al)和鋰(Li)的合金(AlLi合金)。在使用Mg-Ag合金的情況下,優(yōu)選地,Mg:Ag膜厚比可以在約20:1?約1:1的范圍內。此外,第二電極層16可以是含有有機發(fā)光材料的混合層,如喹啉鋁配合物、苯乙烯胺衍生物和酞菁衍生物。在這種情況下,具有光透過性的層,如由MgAg制成的層,可以進一步設置作為第三層。
[0089]覆蓋EL元件1W的防濕膜17可以例如由具有低吸濕性的無機材料制成,如氧化娃(S1x)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(SiNxOy)、氧化鈦(T1x)和氧化銷(AlxOy)??蛇x擇地,可以使用金屬材料,例如鋁。通過設置防濕膜17,EL元件1W與外部空氣隔離,并且防止水從外部環(huán)境侵入到EL元件1W內部。防濕膜17幾乎均勻地形成,不僅覆蓋第二電極層16,而且覆蓋開口限定絕緣膜24和平坦化膜218 (后述)。換句話說,防濕膜17可以從顯示區(qū)域IlOA到周邊區(qū)域IlOB連續(xù)地覆蓋EL元件10W、開口限定絕緣膜24和平坦化膜218。然而,防濕膜17覆蓋周邊區(qū)域I1B中的至少開口限定絕緣膜24和平坦化膜218就是足夠的。這是因為,如上所述,由于開口限定絕緣膜24和平坦化膜218都使用具有高吸濕性的有機材料構成,所以需要防止水通過這些膜侵入EL元件1W的內部。需要指出的是,當開口限定絕緣膜24不存在于周邊區(qū)域IlOB中的情況下,防濕膜17覆蓋平坦化膜218就是足夠的。此外,防濕膜17可以具有單層結構,但是當增加厚度時可以具有多層結構。這是為了減少防濕膜17中的內部應力。
[0090]填充層18可以是幾乎均勻地形成在防濕膜17上的透明樹脂層,并且用作粘合層。填充層18可以由例如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂等制成,也可以優(yōu)選地由熱固化性樹脂、紫外線固化性樹脂等制成。填充層18密封在基體11和密封基板19之間。
[0091]密封部23設置在密封基板19的邊緣部,并且形成為圍繞顯示區(qū)域IlOA的環(huán)狀。密封部23是設置為用于從外部密封基板111和密封基板19之間的各層的元件。密封部23也可以由例如非導電性材料制成,如環(huán)氧樹脂和丙烯酸類樹脂。然而,密封部23可以由導電性粘接材料制成。在這種情況下,密封部23被允許用作防止填充層18的流出以及緩和第二電極層16的電壓下降的輔助配線。
[0092]密封基板19與填充層18和密封部23 —起密封EL元件10W。密封基板19可以使用對從紅色像素10R、綠色像素1G和藍色像素1B發(fā)射的各色光具有高透過性的材料構成,例如透明玻璃。在密封基板19的表面上(該表面在基板111側),可以設置例如濾色片(未示出)和BM層(遮光膜)。濾色片可以包括紅色濾光器、綠色濾光器和藍色濾光器。因此,從紅色像素10R、綠色像素1G和藍色像素1B內的各EL元件1W發(fā)出的白色光通過上述的各色濾色片,使得紅色光、綠色光和藍色光出射。此外,密封基板19通過吸收在紅色像素10R、綠色像素1G和藍色像素1B內以及其間的配線中反射的外部光提高了對比度。此外,在顯示區(qū)域IlOA和周邊區(qū)域IlOB之間區(qū)域的對向面19S中,可以設置游標32和黑矩陣33。游標32用于當貼合密封基板19時的對準。黑矩陣33阻斷不需要的光。紅色濾色片、綠色濾色片和藍色濾色片例如可以形成為矩形,并且可以無縫地形成。紅色濾色片、綠色濾色片和藍色濾色片可以使用與顏料混合的樹脂構成,并且通過選擇顏料,調整成在目標紅色、綠色或藍色波長區(qū)域中光透過率高而在其他波長區(qū)域中光透過率低。此外,從在濾色片中具有高透過率的波長范圍與共振器結構中提取的所需光的光譜的峰值波長L( λ )彼此一致。因此,在從密封基板19進入的外部光中,只有波長等于被提取的所需光的光譜的峰值波長λ的光通過濾色片,具有其他波長的外部光被阻止進入EL元件10W。
[0093]遮光膜可以使用例如與黑色著色劑混合且光學密度為I以上的黑色樹脂膜或者利用薄膜干涉的薄膜濾波器構成。使用黑色樹脂膜可以容易地以低成本形成,因此可能是優(yōu)選的。薄膜濾波器可以例如是其中由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物制成的薄膜層疊為一層或多層并且利用薄膜干涉來減弱光的濾波器。作為薄膜濾波器,具體地,可以使用其中鉻和氧化鉻(III) (Cr2O3)交替層疊的濾波器。
[0094]顯示裝置I可以例如按下述制造。制造根據本實施方案的顯示裝置的方法將在下面參照圖4?圖6進行說明。
[0095]首先,在由上述材料制成的基板111上,形成包括驅動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2的像素驅動電路140。具體地,首先,例如通過濺射法在基板111上形成金屬膜。接著,通過利用例如光刻法、干法蝕刻或濕法蝕刻使金屬膜圖案化,在基板111上形成金屬層211G和221G和信號線120A的一部分。隨后,將整個表面用柵極絕緣膜212覆蓋。此外,通道層、通道保護膜、漏極以及源極、金屬層216D和226D以及金屬層216S和226S在柵極絕緣膜212上按順序形成為預定形狀。這里,信號線120A的一部分和掃描線130A在形成金屬層216D和226D以及金屬層216S和226S時一起形成為第二金屬層。在此過程中,連接金屬層221G和掃描線130A的連接部、連接金屬層226D和信號線120A的連接部以及連接金屬層226S和金屬層211G的連接部被預先形成。接著,保護膜217被設置成覆蓋整體,從而完成像素驅動電路140。在此過程中,在金屬層216S上的預定位置,通過干法蝕刻等在保護膜217中形成開口。
[0096]在形成像素驅動電路140后,例如,可以將含有聚酰亞胺作為主要成分的感光性樹脂通過旋涂法等涂布在整個表面上。接著,通過對感光性樹脂進行光刻,形成具有接觸部124的平坦化膜218。具體地,例如,利用在預定位置具有開口的掩模,通過選擇性曝光和顯影,形成與保護膜217中設置的開口連通的接觸部124。隨后,平坦化膜218在必要時經歷焙燒。從而得到像素驅動電路形成層112。
[0097]此外,形成由上述預定材料制成的第一電極層13。具體地,在通過例如濺射法在整個表面上形成由上述材料制成的金屬膜后,通過使用預定的掩模在該層疊膜上形成預定形狀的抗蝕劑圖案(未示出)。此外,使用抗蝕劑圖案作為掩模,選擇性地蝕刻金屬膜。在此過程中,第一電極層13形成為覆蓋平坦化膜218的表面并填充接觸部124。
[0098]接著,開口限定絕緣膜24形成為填充彼此相鄰的第一電極層13之間的間隙。具體地,例如,可以通過CVD(化學氣相沉積)法在第一電極層13和平坦化膜218上形成諸如3102等無機絕緣材料的膜。然后使用光刻技術和蝕刻技術圖案化該膜,從而形成下部開口限定絕緣膜。在下部開口限定絕緣膜的預定位置上形成由上述感光性樹脂制成的上部開口限定絕緣膜,具體地,在像素的發(fā)光區(qū)域周圍的位置。因此,形成包括上部開口限定絕緣膜和下部開口限定絕緣膜的開口限定絕緣膜24。
[0099]在形成開口限定絕緣膜24后,對基體11的表面進行氧等離子體處理,該表面在形成第一電極層13和開口限定絕緣膜24的那側,從而諸如附著于表面的有機物等污染物被除去,以提高潤濕性。具體地,基體11可以被加熱到預定溫度,例如約70°C?約80°C,然后,進行等離子體處理,其中氧用作大氣壓力下的反應氣體(即,O2等離子體處理)。
[0100]在等離子體處理后,進行疏水處理(疏液性處理),以減少尤其是上部開口限定絕緣膜的上面和側面的潤濕性。具體地,可以如下進行。首先,進行等離子體處理⑴匕等離子體處理),其中四氟甲烷用作常壓下的反應氣體。接著,通過將已經進行等離子體處理的加熱的基體11冷卻到環(huán)境溫度,使上部開口限定絕緣膜的上面和側面疏液,從而使?jié)櫇裥越档?。需要指出的是,在CF4等離子體處理中,第一電極層13的露出面和下部開口限定絕緣膜也可能受到一些影響。然而,在CF4等離子體處理中,作為第一電極層13材料的諸如ITO等材料和作為下部開口限定絕緣膜材料的S12對氟的親合性低,因此,通過氧等離子體處理改善潤濕性原樣保持。
[0101]接著,可以通過利用例如氣相沉積按順序層疊由預定材料制成并具有上述厚度的空穴注入層14A、空穴傳輸層14B、發(fā)光層14C和電子傳輸層14D形成有機層14。這些層形成為完全覆蓋第一電極層13的在由上部開口限定絕緣膜所包圍的區(qū)域內露出的部分。此夕卜,第二電極層16形成在整個表面上,經由有機層14面對第一電極層13。接著,第二電極層16被圖案化成預定的形狀,從而獲得EL元件10W。
[0102]除了氣相沉積之外,可以使用諸如旋涂法或液滴排出法等涂布法來形成空穴注入層14A。在這種情況下,特別是,考慮到在由上部開口限定絕緣膜包圍的區(qū)域中必需選擇性地配置用于形成空穴注入層14A的材料,優(yōu)選地,可以使用作為液滴排出法的噴墨法或使用噴嘴涂布法。
[0103]接著,可以使用其中成膜粒子的能量小到不影響基體層的成膜方法形成由上述材料制成的防濕膜17,例如氣相沉積和CVD。例如,當形成非晶氮化硅制成的防濕膜17時,防濕膜17通過CVD法形成為約2 μ m?3 μ m的膜厚度。在此過程中,優(yōu)選地,為了防止亮度由于有機層14的劣化而下降,成膜溫度可以設定為室溫,并且膜可以在膜的應力被最小化以防止防濕膜17剝離的條件下形成。此外,優(yōu)選地,電子傳輸層14D、電子注入層14E、第二電極層16和防濕膜17可以在同一成膜裝置內連續(xù)形成,而不暴露于大氣中。這樣防止由于大氣中的水分造成有機層14的劣化。
[0104]最后,在防濕膜17上設置填充層18,并經由密封部23貼合到密封基板19。這樣完成了顯不裝置I。
[0105](顯示裝置I的功能和效果)
[0106]在顯示裝置I中,將來自掃描線驅動電路130的掃描信號經由寫入晶體管Tr2的柵極供給到各像素,并且將來自信號線驅動電路120的圖像信號經由寫入晶體管Tr2保持在保持電容Cs中。換句話說,根據保持在電容C s中的信號控制驅動晶體管Trl的0N/0FF,由此將驅動電流Id注入EL元件1W中,從而發(fā)生空穴-電子再結合,這引起發(fā)光。由于顯示裝置I可以是頂面發(fā)光型的(頂部發(fā)射型),因此光可以透過第二電極層16、防濕膜17、填充層18、各色的濾色片(未示出)和密封基板19而提取。因此,在顯示裝置I中進行圖像顯示(彩色圖像顯示)。
[0107]在過去的有機EL顯示裝置中,例如,由于吸濕使有機EL元件的有機層劣化,從而導致發(fā)有機EL元件的發(fā)光強度降低或發(fā)光不穩(wěn)定。因此,諸如隨時間變化的低穩(wěn)定性和短壽命等缺點已被指出。
[0108]相比而言,在本實施方案中,周邊區(qū)域IlOB中的平坦化膜218被防濕膜17覆蓋。因此,用作EL元件1W的基體層的平坦化膜218與含有水的外部空氣充分地隔離。結果,可以有效地防止水從周邊區(qū)域IlOB侵入到顯示區(qū)域IlOA中,同時提供了簡單的結構。因此,水造成的發(fā)光元件劣化被抑制,獲得了高的操作可靠性。此外,也可以實現窄邊框,因為沒有必要增大顯示區(qū)域和周邊區(qū)域之間的距離,這與日本未審查專利申請公開N0.2006-54111 和 N0.2008-283222 中提出的結構不同。
[0109]〈變形例〉
[0110]下面,對上述實施方案的變形例(第一變形例?第六變形例)進行說明。需要指出的是,與上述實施方案相同的元件用與上述實施方案相同的附圖標記表示,并且將適當地省略對它們的說明。
[0111]〈變形例1>
[0112]圖7示出根據變形例I的顯示裝置IA的斷面構成。在本變形例中,防濕膜25設置在保護膜217和平坦化膜218之間,并且防濕膜26設置在平坦化膜218和開口限定絕緣膜24之間。本變形例的其他構成與上述實施方案類似。防濕膜25和26由與防濕膜17同樣具有低吸濕性的無機材料制成,并且分別從平坦化膜218的邊緣和開口限定絕緣膜24的邊緣朝著顯示區(qū)域IlOA延伸。除了防濕膜17之外,設置防濕膜25和26可靠地防止水從外部環(huán)境侵入到EL元件1W中。這是因為,能夠可靠地阻止在通過保護膜217和平坦化膜218之間的邊界或者平面化膜218和開口限定絕緣膜24之間的邊界之間后可能到達EL元件1W的水分。
[0113]〈變形例2?4>
[0114]圖8、圖9A和圖9B分別示出根據變形例2?4的有機EL顯示裝置(下面簡稱作顯示裝置)1B、1C1和1C2的斷面構成。此外,圖9C示出根據變形例5的顯示裝置1C3的要部的放大斷面構成。變形例2?5在對應于密封部23的區(qū)域中分別設置分離槽27,并且具有類似于上述實施方案的構造。分離槽27在XY平面上以圍繞顯示區(qū)域IlOA的環(huán)狀延伸,類似于密封部23。分離槽27將顯示區(qū)域中設置的開口限定絕緣膜24和平坦化膜218與周邊區(qū)域IlOB中設置的開口限定絕緣膜24和平坦化膜218分開。分離槽27的底部到達保護膜217。分離槽27用防濕膜17填充(在顯示裝置1C3中的防濕膜29)。特別地,在顯示裝置1B(變形例2)中,防濕膜17直接覆蓋分離槽27的內表面。在各顯示裝置1C1、1C2和1C3 (變形例3?5)中,金屬膜28被進一步設置成覆蓋分離槽27的內表面和底面。需要指出的是,金屬膜28可以例如由與第二電極層16相同的材料制成,并且與第二電極層16 一體地設置,如圖9B所示的顯示裝置1C2那樣??蛇x擇地,如圖9A和圖9C所示的顯示裝置ICl和1C3那樣,當金屬膜28獨立于第二電極層16形成時,可以選擇不同于第二電極層16的材料??蛇x擇地,如顯示裝置1C3那樣,三層結構的防濕膜29可以作為獨立于覆蓋顯示區(qū)域IlOA中的開口限定絕緣膜24和第二電極層16的防濕膜17的膜來設置。防濕膜29填充分離槽27的內部并覆蓋周邊區(qū)域IlOB中的保護膜217和平坦化膜218。在防濕膜29中,第一?第三層291?293按順序層疊在保護膜217和平坦化膜218上。第——第三層291?293可以例如是由氮化硅(SiNx)等制成的氮化物膜,并且第二層292可以例如是由氧化硅(S1x)等制成的氧化物膜。此外,在各顯示裝置1B、1C1、1C2和1C3中,可以設置多個分離槽27。
[0115]在各顯示裝置1B、1C1和1C2中,除了防濕膜17之外,還設置有分離槽27,因此,更可靠地防止水從外部環(huán)境侵入到EL元件1W中。這是因為,形成水的行進路徑的保護膜217和平坦化膜218被顯示區(qū)域IlOA和周邊區(qū)域IlOB斷開。
[0116]〈變形例6>
[0117]圖10示出根據變形例6的顯示裝置ID的斷面構成。在本變形例的顯示裝置ID中具有防濕膜34代替防濕膜17,其他構成與上述實施方案類似。防濕膜34從基板111的端面連續(xù)地設置到密封基板19的端面,并且密封夾在基板111和密封基板19之間的包括EL元件1W的區(qū)域。防濕膜34可以例如由類似于防濕膜17那樣的無機材料制成。
[0118]在顯示裝置ID中,由于設置有防濕膜34,因此水從外部環(huán)境侵入到EL元件1W被可靠地防止。這是因為,在周邊區(qū)域I1B中的平坦化膜218和開口限定絕緣膜24覆蓋有防濕膜34,并且與含有水的外部空氣充分地隔離。此外,當由導電性無機材料形成時,防濕膜34允許用作信號線。這樣的導電性材料例如可以是諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鋁(Al)、釹(Nd)和鉬(Mo)等金屬元素的單質或合金。作為這樣的合金,例如,可以使用Ag-Pd-Cu合金或Al-Nd合金。Ag-Pd-Cu合金可以含有銀作為主要成分以及約0.3wt%?約Iwt %的鈕(Pd)和約0.3wt%?約Iwt %的銅。在這種情況下,與外部建立連接的諸如FPC等連接配線31的一端可以埋在防濕膜34中。需要指出的是,防濕膜34和密封部23可以設置為共用元件。
[0119]〈應用例〉
[0120]下面說明根據上述實施方案和變形例的顯示裝置(S卩,顯示裝置I和IA?1D)的應用例。根據上述實施方案和變形例的顯示裝置能夠應用于各種電子設備領域中,用于將從外部輸入的圖像信號或由內部產生的圖像信號顯示作為靜止或移動圖像。電子設備可以包括例如電視機、數碼相機、膝上型電腦、諸如便攜式電話等便攜式終端、攝像機等。
[0121](模塊)
[0122]例如,根據上述實施方案和變形例的顯示裝置可以作為如圖11中所示的模塊組入在后面將要說明的第一至第六應用例I?6中列出的各種電子設備中。通過在基板111的一側具有從密封基板19等露出的區(qū)域210,可以形成該模塊。在露出區(qū)域210中,通過延長從信號線驅動電路120和掃描線驅動電路130的配線,形成外部連接端子(未圖示)。外部連接端子可以通過柔性印刷電路(FPC) 220進行信號輸入和輸出。
[0123](應用例I)
[0124]圖9示出應用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置的電視機的外觀。例如,該電視機可以具有由前面板310和濾光玻璃320構成的圖像顯示屏部300。圖像顯示屏部300使用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置構成。
[0125](應用例2)
[0126]圖13A和圖13B示出應用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置的數碼相機的外觀。例如,該數碼相機可以具有閃光燈410、顯示部420、菜單鍵430和快門按鈕440。顯示部420使用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置構成。
[0127](應用例3)
[0128]圖14示出應用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置的膝上型電腦的外觀。例如,該膝上型電腦可以具有主體510、用于輸入字符等的鍵盤520和用于顯示圖像的顯示部530。顯示部530使用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置構成。
[0129](應用例4)
[0130]圖15示出應用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置的攝像機的外觀。例如,該攝像機可以具有主體610、設于主體610的前表面上以捕獲被寫體的鏡頭620、拍攝開始/停止鍵630和顯示部640。顯示部640使用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置構成。
[0131](應用例5)
[0132]圖16A和圖16B示出應用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置的便攜式電話的外觀。例如,該便攜式電話可以是其中借助連接部(鉸鏈部)730連接上殼體710與下殼體720的裝置,并且可以具有顯示部740、子顯示部750、圖片燈760和相機770。顯示部740和子顯示部750使用根據上述實施方案和變形例的顯示裝置構成。
[0133](應用例6)
[0134]圖17A和圖17B示出了所謂的平板個人電腦(PC)的外觀構成。平板PC可以包括例如顯示部810、諸如支撐顯示部810的殼體等非顯示部820和諸如電源開關等操作部830。需要指出的是,操作部830可以設置在非顯示部820的前面上,如圖17A所示,或者在其頂面上,如圖17B所示。顯示部810是具有除了圖像顯示功能之外的位置輸入功能(指針功能)的觸摸屏(觸摸面板)。
[0135]〈其他變形例〉
[0136]已經參照示例性實施方案和一些變形例說明了本技術,但不限于此,可以進行各種變形。例如,在上述實施方案、變形例和應用例中,通過用防濕膜17/或29覆蓋周邊區(qū)域IlOB中的平坦化膜218等來防止水侵入到EL元件1W中,但本發(fā)明不限于此。例如,如圖18所示的顯示裝置IE那樣,分離槽27可以設置在對應于密封部23的區(qū)域中代替防濕膜17,密封部23可以由金屬材料形成,并且分離槽27可以用密封部23的一部分填充(第七變形例)。作為適用于密封部23的金屬材料,例如可以使用諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、銷(Al)、釹(Nd)和鉬(Mo)等金屬元素的單質或合金。更具體地,可以使用Ag-Pd-Cu合金或Al-Nd合金。Ag-Pd-Cu合金可以含有銀作為主要成分以及約0.3界1:%?約Iwt %的鈕(Pd)和約0.3界1:%?約Iwt %的銅??蛇x擇地,杜美絲(dumet wire,使用鎳鐵合金絲作為芯的銅導線(S卩,覆蓋有銅的鎳鐵合金絲))可以適用于密封部23。
[0137]在顯示裝置IE中,由于設置有用由金屬材料制成的密封部23的一部分填充的分離槽27,所以更可靠地防止水從外部環(huán)境侵入到EL元件1W中。此外,密封部23也可以被用作配線。密封部23可以使用掩模通過真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法或電鍍法來形成。此外,在使用杜美絲的情況下,密封部23可以通過利用燃燒器等施加熱量焊接杜美絲來形成。需要指出的是,在形成密封部23時,與外部建立連接的諸如FPC等引出配線(未示出)的一端可以埋在密封部23中。
[0138]此外,在本技術中,如圖19A所示的顯示裝置IFl那樣,例如,分離槽27可以設置在對應于密封部23的區(qū)域中,分離槽27的內表面可以用金屬層28覆蓋,并且分離槽27可以用防濕膜17填充(第八變形例)。可選擇地,如圖19B所示的顯示裝置1F2那樣,具有三層結構并填充分離槽27內部的防濕膜29可以獨立于防濕膜17設置。在防濕膜29中,第一?第三層291?293按順序層疊。例如,第一和第三層291和293可以是由氮化硅(SiNx)等制成的氮化物膜,第二層292可以是由氧化硅(S1x)等制成的氧化物膜(第九變形例)??蛇x擇地,如圖20的顯示裝置IG那樣,可以設置2個分離槽27A和27B并用金屬層28填充(第十變形例)。
[0139]在本技術中,如圖21A所示的顯示裝置IHl那樣,例如,防濕膜17可以設置在顯示區(qū)域I1A中的開口限定絕緣膜24和有機層14之間(第十一變形例)。這使得可以防止EL元件1W由于顯示區(qū)域IlOA的開口限定絕緣膜24中包含的水而劣化。此外,如圖21B所示的顯示裝置1H2那樣,防濕膜26也可以設置在平坦化膜218和開口限定絕緣膜24之間(第十二變形例)。需要指出的是,為了形成各顯示裝置IHl和1H2,在形成開口限定絕緣膜24后,可以通過CVD法、光刻法和蝕刻形成具有防濕性和絕緣性的預定材料(例如,SiN),以覆蓋開口限定絕緣膜24。接著,可以通過例如氣相沉積形成有機層14,然后,形成第二電極層16,以獲得各顯示裝置IHl和1H2。
[0140]此外,在本技術中,如圖22A和圖22B所示的顯示裝置IJ那樣(第十三變形例),例如,可以設置由具有高耐濕性的絕緣性樹脂制成的防濕膜35代替防濕膜17。在顯示裝置IJ中,防濕膜35從基板111的端面連續(xù)地延伸到密封基板19的端面,并密封夾在基板111和密封基板19之間的包括EL元件1W的區(qū)域。例如,如圖23所示,沿著密封基板19的外緣涂布預定的樹脂,然后硬化形成防濕膜35,從而獲得顯示裝置1J。此外,如圖24和圖24B所示的顯示裝置IK那樣(第十四變形例),例如,通過形成樹脂層351,然后通過利用濺射法等在樹脂層351上沉積無機材料形成無機層352,可以設置兩層結構的防濕膜35。需要指出的是,防濕膜35可以通過直接沉積無機材料或金屬材料而不形成樹脂層來形成。對于這種無機材料,諸如氧化娃(S1x)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(SiNxOy)、碳化娃(SiCx)、氧化鈦(T1x)和氧化鋁(AlxOy)等具有低吸濕性的無機材料可以適用。另一方面,對于金屬材料,諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鋁(Al)、釹(Nd)和鉬(Mo)等金屬元素的單質或合金可以適用。具體地,例如,Ag-Pd-Cu合金、Al-Nd合金和杜美絲(覆蓋有銅的镲鐵合金絲)可以適用。Ag-Pd-Cu合金可以含有銀作為主要成分以及約0.3界1:%?約Iwt %的鈕(Pd)和約0.3界1:%?約Iwt %的銅。此外,如圖25所示的顯示裝置IL那樣(第十五變形例),例如,包括在基板111和密封基板19之間的EL元件1W的區(qū)域可以由玻璃層37密封。顯示裝置IL可以如下得到。在沿著基板111的外緣涂布燒結玻璃后,例如,如圖26所示,通過用激光照射燒結玻璃形成由玻璃層制成的防濕膜37來焊接基板111和密封基板19。此外,例如,如圖27所示的顯示裝置IM那樣(第十六變形例),可以在將基板111和密封基板19的端面加工成凹部形狀后形成防濕膜35和37。
[0141]此外,在本技術中,分離槽27可以設置在對應于密封部23的區(qū)域中代替防濕膜17,并且分離槽27的內表面可以用金屬層28和三層結構的防濕膜覆蓋。三層結構的防濕膜可以是其中例如由氧化娃(S1x)等制成的氧化物膜夾在一對由氮化娃(SiNx)制成的氮化物膜之間或者夾在一對由碳化硅(SiCx)等制成的碳化物膜之間的膜。可選擇地,三層結構的防濕膜可以是其中由氮化娃(SiNx)等制成的氮化物膜或由碳化娃(SiCx)等制成的碳化物膜可以夾在一對由氧化硅(S1x)等制成的氧化物膜之間的膜。可選擇地,三層結構的防濕膜可以是其中例如由氧化娃(S1x)等制成的氧化物膜可以夾在一對由氮化娃(SiNx)等制成的氮化物膜之間的膜。需要指出的是,三層結構的防濕膜延伸到周邊區(qū)域IlOB以及用防濕膜34覆蓋平坦化膜218提高了耐濕性,所以是優(yōu)選的。
[0142]此外,在上述實施方案中,其中所有的有機發(fā)光元件發(fā)射白光并且各色光通過單獨設置的濾色片提取的情況被作為例子,但是本技術不限于此。例如,分別發(fā)射紅色光、綠色光和藍色光的有機發(fā)光元件可以通過使用預定材料為有機層14涂布不同顏色而設置。
[0143]可選擇地,顯示裝置可以具有其中紅色光、綠色光、藍色光和黃色光通過使用分別發(fā)出黃色光和藍色光的有機發(fā)光元件1Y和1B以及紅色、綠色、藍色和黃色的濾色片而被提取的構成。可選擇地,顯示裝置可以具有其中紅色光、綠色光和藍色光通過使用分別發(fā)出黃色光和藍色光的有機發(fā)光元件1Y和1B以及紅色、綠色和藍色的濾色片而被提取的構成。
[0144]此外,本技術不限于上述示例性實施方案、變形例和應用例中說明的各層的材料、層疊順序、成膜方法等。例如,雖然其中第一電極層13被設置為陽極和第二電極層16被設置為陰極的情況已經在實施方案中說明了,但是第一電極層13可以被設置為陰極和第二電極層16可以被設置為陽極。需要指出的是,當第一電極層13用作陰極時,優(yōu)選地,第一電極層13可以使用具有高的空穴注入性的材料構成。然而,由于表面上存在氧化物膜或功函數小而阻礙空穴注入的諸如鋁合金等材料可以通過設置適當的空穴注入層而用于第一電極層13。此外,盡管參照發(fā)光部20的具體構成對示例性實施方案、變形例和應用例進行了說明,但是可以進一步設置其他層。例如,由氧化鉻(III) (Cr2O3)、ITO(氧化銦錫:銦(In)和錫(Sn)的氧化物混合膜)制成的空穴注入用薄膜層等也可以設置在第一電極層13和有機層14之間。
[0145]此外,本技術包括本文所描述的并結合于此的各實施方案的一些或全部的任何可能的組合。
[0146]從本公開的示例性實施方案可以實現至少以下構成。
[0147](I) 一種顯示裝置,包括:
[0148]彼此對向配置的第一基板和第二基板;
[0149]設置在第一基板上的第一有機絕緣層;
[0150]在顯示區(qū)域中排列的多個發(fā)光元件,所述顯示區(qū)域設置在第一有機絕緣層上并面對第二基板;和
[0151]在周邊區(qū)域中覆蓋第一有機絕緣層的第一防濕膜,所述周邊區(qū)域設置在第一基板上并包圍所述顯示區(qū)域。
[0152](2)如(I)所述的顯示裝置,還包括設置在第一有機絕緣層上的第二有機絕緣層,第二有機絕緣層使所述各發(fā)光元件彼此分離并限定所述各發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域,
[0153]其中第一防濕膜在所述周邊區(qū)域中覆蓋第二有機絕緣層。
[0154](3)如(2)所述的顯示裝置,其中第一防濕膜在所述顯示區(qū)域中覆蓋第二有機絕緣層。
[0155](4)如(I)?(3)中任一項所述的顯示裝置,其中第一防濕膜從所述顯示區(qū)域到所述周邊區(qū)域連續(xù)地覆蓋第一有機絕緣層。
[0156](5)如⑴?(4)中任一項所述的顯示裝置,還包括設置在第一有機絕緣層和第二有機絕緣層之間的第二防濕膜。
[0157](6)如(I)?(5)中任一項所述的顯示裝置,還包括:
[0158]設置在第一基板和第一有機絕緣層之間的無機絕緣層;和
[0159]設置在所述無機絕緣層和第一有機絕緣層之間的第三防濕膜。
[0160](7)如⑴?(6)中任一項所述的顯示裝置,其中第一防濕膜含有SiNx代表的氮化娃和金屬材料中的任一種。
[0161](8)如(I)?(7)中任一項所述的顯示裝置,還包括使設置在所述顯示區(qū)域中的第一有機絕緣層與設置在所述周邊區(qū)域中的第一有機絕緣層分離的分離槽。
[0162](9)如(8)所述的顯示裝置,其中第一防濕膜覆蓋所述分離槽的內表面。
[0163](10)如(8)所述的顯示裝置,還包括覆蓋所述分離槽的內表面的金屬材料層。
[0164](11)如(I)?(10)中任一項所述的顯示裝置,還包括沿著第二基板的對向面上的周緣部設置并分離所述顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域的密封部,所述對向面面對第一基板。
[0165](12)如(11)所述的顯示裝置,其中所述密封部包括導電性材料。
[0166](13)如⑴?(12)中任一項所述的顯示裝置,其中第一防濕膜從第一基板的端面設置到第二基板的端面,并且密封夾在第一基板和第二基板之間的區(qū)域。
[0167](14)如(13)所述的顯示裝置,其中第一防濕膜含有金屬材料和無機絕緣材料中的一種。
[0168](15) 一種配備有顯不裝置的電子設備,所述顯不裝置包括:
[0169]彼此對向配置的第一基板和第二基板;
[0170]設置在第一基板上的第一有機絕緣層;
[0171]在顯示區(qū)域中排列的多個發(fā)光元件,所述顯示區(qū)域設置在第一有機絕緣層上并面對第二基板;和
[0172]在周邊區(qū)域中覆蓋第一有機絕緣層的第一防濕膜,所述周邊區(qū)域設置在第一基板上并包圍所述顯示區(qū)域。
[0173](16) —種顯示區(qū)域,包括:
[0174]第一基板;
[0175]在第一基板上的發(fā)光元件;
[0176]在所述發(fā)光元件中的電致發(fā)光元件;
[0177]在所述電致發(fā)光元件上的平坦化膜,和
[0178]至少位于所述電致發(fā)光元件周圍的第一防濕膜。
[0179](17)根據(16)所述的顯示區(qū)域,還包括位于保護膜和所述平坦化膜之間的第二防濕膜。
[0180](18)根據(17)所述的顯示區(qū)域,還包括位于所述平坦化膜和保護膜之間的第三防濕膜。
[0181](19)根據(16)所述的顯示區(qū)域,還包括在密封部中的分離槽。
[0182](20)根據(19)所述的顯示區(qū)域,其中所述分離槽用第一防濕膜填充。
[0183](21)根據(19)所述的顯示區(qū)域,其中所述分離槽的內表面用金屬膜覆蓋。
[0184](22) —種顯示區(qū)域,包括:
[0185]基板;
[0186]在所述基板上的發(fā)光元件;
[0187]在所述發(fā)光元件中的電致發(fā)光層;
[0188]在所述發(fā)光層上方的密封基板;
[0189]在所述密封基板和所述基板之間的密封部;和
[0190]在所述密封部中的第一分離槽。
[0191](23)根據(22)所述的顯示區(qū)域,其中第一分離槽用所述密封部的至少一部分填充。
[0192](24)根據(22)所述的顯示區(qū)域,其中第一分離槽的內表面用金屬膜覆蓋。
[0193](25)根據(23)所述的顯示區(qū)域,還包括在所述密封部中的第二分離槽。
[0194](26)根據(25)所述的顯示區(qū)域,其中第二分離槽的內表面用金屬膜覆蓋。
[0195](27)根據(22)所述的顯示區(qū)域,其中防濕膜從所述密封基板的一個端面延伸到所述密封基板的另一個端面。
[0196](28)根據(27)所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜含有防濕性高的絕緣性樹脂。
[0197](29)根據(27)所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜包含樹脂層和無機層。
[0198](30)根據(27)所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜是玻璃層。
[0199](31) —種顯示區(qū)域,包括:
[0200]第一基板;
[0201]在第一基板上方的第二基板;
[0202]在第一基板和第二基板之間的發(fā)光元件;
[0203]在所述發(fā)光元件中的電致發(fā)光元件;
[0204]在所述電致發(fā)光元件上的平坦化膜,和
[0205]從第二基板的端部延伸到第一基板的端部的防濕膜。
[0206](32)根據(31)所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜包含樹脂層和無機層。
[0207](33)根據(31)所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜是玻璃層。
[0208](34) —種顯示裝置,包括:
[0209]顯示區(qū)域;
[0210]在所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域;和
[0211]至少位于所述周邊區(qū)域周圍的第一防濕膜,
[0212]其中,
[0213]所述顯示區(qū)域包括(i)像素電路層,(ii)在所述像素電路層上的第一絕緣層,和(iii)在第一絕緣層上的發(fā)光元件,和
[0214]第一防濕膜的至少一部分覆蓋第一絕緣層的至少一部分。
[0215](35)如(34)所述的顯示裝置,還包括在第一絕緣層上的第二絕緣層,第二絕緣層繪出發(fā)光區(qū)域的輪廓。
[0216](36)如(34)所述的顯示裝置,其中第一防濕膜從所述顯示區(qū)域到所述周邊區(qū)域覆蓋第一絕緣層。
[0217](37)如(34)所述的顯示裝置,還包括在第一絕緣層和第二絕緣層之間的第二防濕膜。
[0218]本公開包含與在2012年7月31日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2012-170618和2012年8月8日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP 2012-176507中公開的內容相關的主題,其全部內容以引用的方式并入本文。
[0219]本領域技術人員應當理解,依據設計要求和其他因素,可以在本發(fā)明所附的權利要求書或其等同物的范圍內進行各種修改、組合、次組合以及改變。
[0220][附圖標記列表]
[0221]1ff 白色有機EL元件
[0222]11 基體
[0223]111 基板
[0224]112 像素驅動電路形成層
[0225]12 發(fā)光元件形成層
[0226]13 第一電極層
[0227]14有機層
[0228]14A 空穴注入層
[0229]14B 空穴傳輸層
[0230]14C 發(fā)光層
[0231]14D 電子傳輸層
[0232]16第二電極層
[0233]17,25,26,29,34,35 防濕膜
[0234]18填充層
[0235]19密封基板
[0236]20發(fā)光部
[0237]23密封部
[0238]24 開口限定絕緣膜
[0239]124 接觸部
[0240]27分離槽
[0241]28金屬膜
[0242]IlOA 顯示區(qū)域
[0243]IlOB 周邊區(qū)域
[0244]120 信號線驅動電路
[0245]120A 信號線
[0246]130 掃描線驅動電路
[0247]130A 掃描線
[0248]140 像素驅動電路
[0249]217 保護膜
[0250]218 平坦化膜
[0251]Cs電容器(保持電容)
[0252]Trl 驅動晶體管
[0253]Tr2 寫入晶體管
【權利要求】
1.一種顯示區(qū)域,包括: 第一基板; 在第一基板上的發(fā)光元件; 在所述發(fā)光元件中的電致發(fā)光元件; 在所述電致發(fā)光元件上的平坦化膜,和 至少位于所述電致發(fā)光元件周圍的第一防濕膜。
2.如權利要求1所述的顯示區(qū)域,還包括位于保護膜和所述平坦化膜之間的第二防濕膜。
3.如權利要求2所述的顯示區(qū)域,還包括位于所述平坦化膜和保護膜之間的第三防濕膜。
4.如權利要求1所述的顯示區(qū)域,還包括在密封部中的分離槽。
5.如權利要求4所述的顯示區(qū)域,其中所述分離槽用第一防濕膜填充。
6.如權利要求4所述的顯示區(qū)域,其中所述分離槽的內表面用金屬膜覆蓋。
7.一種顯示區(qū)域,包括: 基板; 在所述基板上的發(fā)光元件; 在所述發(fā)光元件中的電致發(fā)光層; 在所述發(fā)光層上方的密封基板; 在所述密封基板和所述基板之間的密封部;和 在所述密封部中的第一分離槽。
8.如權利要求7所述的顯示區(qū)域,其中第一分離槽用所述密封部的至少一部分填充。
9.如權利要求7所述的顯示區(qū)域,其中第一分離槽的內表面用金屬膜覆蓋。
10.如權利要求8所述的顯示區(qū)域,還包括在所述密封部中的第二分離槽。
11.如權利要求10所述的顯示區(qū)域,其中第二分離槽的內表面用金屬膜覆蓋。
12.如權利要求7所述的顯示區(qū)域,其中防濕膜從所述密封基板的一個端面延伸到所述密封基板的另一個端面。
13.如權利要求12所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜含有防濕性高的絕緣性樹脂。
14.如權利要求12所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜包含樹脂層和無機層。
15.如權利要求12所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜是玻璃層。
16.一種顯示區(qū)域,包括: 第一基板; 在第一基板上方的第二基板; 在第一基板和第二基板之間的發(fā)光元件; 在所述發(fā)光元件中的電致發(fā)光元件; 在所述電致發(fā)光元件上的平坦化膜,和 從第二基板的端部延伸到第一基板的端部的防濕膜。
17.如權利要求16所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜包含樹脂層和無機層。
18.如權利要求16所述的顯示區(qū)域,其中所述防濕膜是玻璃層。
19.一種顯示裝置,包括: 顯示區(qū)域; 在所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域;和 至少位于所述周邊區(qū)域周圍的第一防濕膜, 其中, 所述顯示區(qū)域包括(i)像素電路層,(ii)在所述像素電路層上的第一絕緣層,和(iii)在第一絕緣層上的發(fā)光元件,和 第一防濕膜的至少一部分覆蓋第一絕緣層的至少一部分。
20.如權利要求19所述的顯示裝置,還包括在第一絕緣層上的第二絕緣層,第二絕緣層繪出發(fā)光區(qū)域的輪廓。
21.如權利要求19所述的顯示裝置,其中第一防濕膜從所述顯示區(qū)域到所述周邊區(qū)域覆蓋第一絕緣層。
22.如權利要求19所述的顯示裝置,還包括在第一絕緣層和第二絕緣層之間的第二防濕膜。
【文檔編號】H01L51/52GK104471736SQ201380028033
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年7月30日 優(yōu)先權日:2012年7月31日
【發(fā)明者】齊藤高壽, 和泉健一, 寺口晉一, 中平忠克, 橫關彌樹博, 西正太, 古立學 申請人:索尼公司
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