一種太陽能旁路二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種太陽能旁路二極管的封裝結(jié)構(gòu)。包括框架、散熱片、塑封體、中間引線、連接片、左側(cè)引線和右側(cè)引線，所述框架上焊接有晶粒，所述框架反面連接所述散熱片，所述中間引線設(shè)置在框架正面且中間引線的引腳伸出所述塑封體；所述左側(cè)引線、右側(cè)引線均設(shè)置塑封體內(nèi)，且所述左側(cè)引線、右側(cè)引線的一端分別通過所述連接片與所述晶粒相連接，所述左側(cè)引線、右側(cè)引線的引腳均伸出所述塑封體外；所述散熱片延伸出框架頂端的距離為5～6mm。本實用新型通過對框架上散熱片區(qū)域向外延伸5～6mm，使材料封裝后散熱面積增大了約30mm2，同時成型時切刀位置離內(nèi)部功能區(qū)較遠，晶粒受到的機械應力變小從而使晶粒不易受損，提高了生產(chǎn)良率及產(chǎn)品可靠性。
【專利說明】一種太陽能旁路二極管的封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體制作領(lǐng)域，特別涉及一種太陽能旁路二極管的封裝結(jié)構(gòu)?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)的太陽能旁路二極管封裝在太陽能接線盒內(nèi)使用時，因散熱片的面積較小，散熱效果較差，極大的影響了二極管的使用性能；同時，現(xiàn)行結(jié)構(gòu)材料在分解成型時，因沖切點距離芯片太近，沖切機械應力容易導致芯片損傷，使生產(chǎn)良率降低，且影響可靠性。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種太陽能旁路二極管的封裝結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有技術(shù)旁路二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱面積小且現(xiàn)行結(jié)構(gòu)在分解成型時，沖切機械應力會導致芯片損傷的問題。
[0004]本實用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種太陽能旁路二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括框架、散熱片、塑封體、中間引線、連接片、左側(cè)引線和右側(cè)引線，所述框架上焊接有晶粒，所述框架反面連接所述散熱片，所述中間引線設(shè)置在框架正面，所述中間引線一端連接所述晶粒，且所述中間引線的引腳伸出所述塑封體外；所述左側(cè)引線、右側(cè)引線均設(shè)置塑封體內(nèi)，且所述左側(cè)引線、右側(cè)引線的一端分別通過所述連接片與所述晶粒相連接，所述左側(cè)引線、右側(cè)引線的引腳均伸出所述塑封體外；所述散熱片延伸出框架頂端的距離為5?6mm ο
[0005]進一步，所述散熱片延伸出框架頂端的距離為5.09mm。
[0006]本實用新型的有益效果是:本實用新型的技術(shù)方案通過對框架上部分散熱片區(qū)域向外延伸5.09mm來改變現(xiàn)有框架設(shè)計尺寸,使材料封裝后散熱面積增大了 27.7mm2,同時成型時切刀位置離內(nèi)部功能區(qū)較遠，晶粒受到的機械應力變小從而使晶粒不易受損，提高了
生產(chǎn)良率及產(chǎn)品可靠性。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實用新型還可以做如下改進。
[0008]進一步，所述散熱片的頂部位置設(shè)有貫穿孔。
[0009]進一步，所述散熱片與框架連接處的兩端開有豁口。
[0010]采用上述進一步方案的有益效果是:采用貫穿孔的設(shè)計可以方便使用螺絲安裝。【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]附圖中，各標號所代表的部件如下:
[0013]1、散熱片，2、晶粒，3、框架，4、塑封體，5、連接片，6、中間引線，7、左側(cè)引線，8、右側(cè)引線，9、貫穿孔，10、豁口
【具體實施方式】[0014]以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0015]如圖1所示，為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，包括散熱片1、框架3、塑封體
4、連接片5、中間引線6、左側(cè)引線7和右側(cè)引線8，所述框架3上焊接有晶粒2，所述框架3反面連接所述散熱片1，所述中間引線6設(shè)置在框架3正面且中間引線6的引腳伸出所述塑封體4 ;所述左側(cè)引線7、右側(cè)引線8均設(shè)置塑封體4內(nèi)，且所述左側(cè)引線7、右側(cè)引線8的一端分別通過所述連接片5與所述晶粒2相連接，所述左側(cè)引線7、右側(cè)引線8的引腳均伸出所述塑封體4外；所述散熱片I延伸出所述框架3頂端的距離為5?6mm，優(yōu)選的，所述散熱片I延伸出所述框架3頂端的距離為5.09mm。優(yōu)選的,本實施例封裝結(jié)構(gòu)散熱片I與框架3連接處的兩端開有豁口 10，所述散熱片I的頂部位置設(shè)有貫穿孔9，可以方便使用螺絲安裝。
[0016]本實用新型的技術(shù)方案通過對框架上部分散熱片區(qū)域向外延伸5.09mm來改變現(xiàn)有框架設(shè)計尺寸，使材料封裝后散熱面積增大了 27.7mm2,同時成型時切刀位置離內(nèi)部功能區(qū)較遠，晶粒受到的機械應力變小從而使晶粒不易受損，提高了生產(chǎn)良率及產(chǎn)品可靠性。
[0017]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽能旁路二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括框架、散熱片、塑封體、中間引線、連接片、左側(cè)引線和右側(cè)引線，所述框架上焊接有晶粒，所述框架反面連接所述散熱片，所述中間引線設(shè)置在框架正面，所述中間引線一端連接所述晶粒，且所述中間引線的引腳伸出所述塑封體外；所述左側(cè)引線、右側(cè)引線均設(shè)置塑封體內(nèi)，且所述左側(cè)引線、右側(cè)引線的一端分別通過所述連接片與所述晶粒相連接，所述左側(cè)引線、右側(cè)引線的引腳均伸出所述塑封體外；所述散熱片延伸出框架頂端的距離為5?6mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱片延伸出框架頂端的距離為 5.09mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱片的頂部位置設(shè)有貫穿孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述散熱片與框架連接處的兩端開有豁口。
【文檔編號】H01L29/861GK203617291SQ201320708906
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年11月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月11日
【發(fā)明者】方丁玉, 林敬杰, 王敏, 唐紅梅 申請人:揚州虹揚科技發(fā)展有限公司