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凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:7021783閱讀:246來源:國知局
凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),其特征在于:包括一按鍵凹槽(1),所述按鍵凹槽(1)內(nèi)設(shè)置一中部向下凹陷的焊料掩膜層(2),所述焊料掩膜層(2)下方設(shè)置一信號追蹤層(3),所述信號追蹤層(3)下方設(shè)置一PCB板(4),所述PCB板(4)下方設(shè)置一信號追蹤層(5),所述信號追蹤層(5)下方設(shè)置一焊料掩膜層(6)。本實(shí)用新型的按鍵設(shè)計為凹入槽,可以節(jié)省材質(zhì),并且按鍵材質(zhì)選擇廣泛。
【專利說明】四陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子支付領(lǐng)域,尤其是一種凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),也適用于所有帶按鍵輸入的應(yīng)用領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中,按鍵的模式分為機(jī)械按鍵和感應(yīng)按鍵;其中,機(jī)械按鍵比所在平面高,以便使用時有較大的行程;感應(yīng)按鍵(電容、電感、電磁按鍵)和機(jī)器所在平面平齊?’另外,傳統(tǒng)機(jī)械按鍵還有一種是按鍵低于機(jī)器所在平面的。
[0003]但是,該些方案都存在或多或少的缺陷,比如,傳統(tǒng)機(jī)械按鍵為了使按鍵手感好,行程應(yīng)盡量長,故設(shè)計一般將按鍵硅膠高于機(jī)器平面,這樣導(dǎo)致耗材多,同時按鍵表面磨損后,按鍵用久后手感差;凹下去的機(jī)械按鍵行程短,但是會導(dǎo)致鍋?zhàn)衅仨氉龅暮艽?,而且手感差;使用觸摸按鍵,按鍵表面和機(jī)器平面平齊,導(dǎo)致按鍵觸摸時中間材質(zhì)厚,更不易感觸到(觸摸按鍵使用時,手指越靠近按鍵容抗變化越大,越容易感觸到)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此,本實(shí)用新型的目的是提供一種凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu)。
[0005]本實(shí)用新型采用以下方案實(shí)現(xiàn):一種凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),其特征在于:包括一按鍵凹槽(1),所述按鍵凹槽(1)內(nèi)設(shè)置一中部向下凹陷的焊料掩膜層(2),所述焊料掩膜層(2)下方設(shè)置一上信號追蹤層(3),所述上信號追蹤層(3)下方設(shè)置一 PCB板
(4),所述PCB板(4)下方設(shè)置一下信號追蹤層(5),所述下信號追蹤層(5)下方設(shè)置一焊料掩膜層(6 )。
[0006]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述上信號追蹤層(3)和下信號追蹤層(5)連接一中央處理器。
[0007]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述中央處理器為單片機(jī)MSP430。
[0008]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中,所述上信號追蹤層(3)和下信號追蹤層(5)將電容式觸摸按鍵當(dāng)前的電容值傳送到所述中央處理器中。
[0009]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比有如下優(yōu)點(diǎn):
[0010]1、按鍵設(shè)計為凹入槽,可以節(jié)省材質(zhì),并且按鍵材質(zhì)選擇廣泛;
[0011]2、觸摸按鍵使用時,手指越靠近按鍵容抗變化越大,并且越容易感觸到;
[0012]3、板卡設(shè)計可以簡單化,無需擔(dān)心板子做太薄,機(jī)械按鍵使用引起的主板形變問題。
[0013]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下將通過具體實(shí)施例和相關(guān)附圖,對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是本實(shí)用新型凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu)示意圖。[0015]圖2是本實(shí)用新型電容式觸摸按鍵原理框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]如圖1所示,本實(shí)用新型提供一種凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),包括一按鍵凹槽(1),所述按鍵凹槽(I)內(nèi)設(shè)置一中部向下凹陷的焊料掩膜層(2),所述焊料掩膜層(2)下方設(shè)置一上信號追蹤層(3),所述上信號追蹤層(3)下方設(shè)置一 PCB板(4),所述PCB板(4 )下方設(shè)置一下信號追蹤層(5 ),所述下信號追蹤層(5 )下方設(shè)置一焊料掩膜層(6 )。
[0017]優(yōu)選的,所述上信號追蹤層(3)和下信號追蹤層(5)連接一中央處理器,所述中央處理器可以是單片機(jī)MSP430 ;所述上信號追蹤層(3)和下信號追蹤層(5)將電容式觸摸按鍵當(dāng)前的電容值傳送到所述中央處理器中。如圖2所示,圖中Ct為本實(shí)用新型的電容式觸摸按鍵,通過上信號追蹤層(3)和下信號追蹤層(5)檢測電容值的變化并將其傳送到中央處理器中進(jìn)行識別和處理。電容式觸摸按鍵Ct還可以串聯(lián)一個固定電容值的電容Cx以保證電容式觸摸按鍵正常工作。
[0018]上列較佳實(shí)施例,對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),其特征在于:包括一按鍵凹槽(I),所述按鍵凹槽(I)內(nèi)設(shè)置一中部向下凹陷的焊料掩膜層(2),所述焊料掩膜層(2)下方設(shè)置一上信號追蹤層(3),所述上信號追蹤層(3)下方設(shè)置一 PCB板(4),所述PCB板(4)下方設(shè)置一下信號追蹤層(5 ),所述下信號追蹤層(5 )下方設(shè)置一焊料掩膜層(6 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),其特征在于:所述上信號追蹤層(3 )和下信號追蹤層(5 )連接一中央處理器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),其特征在于:所述中央處理器為單片機(jī)MSP430。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的凹陷設(shè)計的電容式觸摸按鍵結(jié)構(gòu),其特征在于:所述上信號追蹤層(3)和下信號追蹤層(5)將電容式觸摸按鍵當(dāng)前的電容值傳送到所述中央處理器中。
【文檔編號】H01H13/14GK203445857SQ201320513433
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】曾德炎, 蔣錦揚(yáng) 申請人:福建聯(lián)迪商用設(shè)備有限公司
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