13排引線框架的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及電子晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種13排引線框架，所述13排引線框架從上至下間隔排列有13排芯片槽，所述13排芯片槽中每排的芯片槽個(gè)數(shù)為96個(gè)，所述每排上的96個(gè)芯片槽間隔位于引線框架的同一水平線上。本實(shí)用新型13排引線框架的密度和生產(chǎn)效率都得到了提高，也降低了生產(chǎn)成本。
【專利說(shuō)明】13排引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種引線框架，特別是一種13排引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的引線框架產(chǎn)品，如市場(chǎng)上的3排/144粒引線框架，每條該引線框架有3排，每排上有48粒晶體管,該引線框架長(zhǎng)度為176.8mm,寬度為21.9mm,如圖1所示。這種產(chǎn)品密度低，因此導(dǎo)致生產(chǎn)效率低，生產(chǎn)成本高。另外，該產(chǎn)品密度低也導(dǎo)致利用率低，耗用的資源浪費(fèi)大。隨著市場(chǎng)用量的增長(zhǎng)，目前的設(shè)備和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)生產(chǎn)力已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)需要，需要提高產(chǎn)品的有效利用率，隨著生產(chǎn)成本和勞力成本的提高，面臨著價(jià)格壓力，需要通過(guò)技術(shù)改良降低生產(chǎn)成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的引線框架密度低、成本高的問(wèn)題，提供一種高密度、低成本的13排引線框架。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種13排引線框架，所述13排引線框架從上至下間隔排列有13排芯片槽，所述13排芯片槽中每排芯片槽的芯片槽個(gè)數(shù)為96，每排的所述96個(gè)芯片槽間隔設(shè)置于13排引線框架的同一水平線上。
[0006]上述13排引線框架的長(zhǎng)度為252±0.1mm,寬度為73±0.04mm。
[0007]本實(shí)用新型13排引線框架適用于為S0D123封裝結(jié)構(gòu)的晶體管的生產(chǎn)所用。本實(shí)用新型13排引線框架由傳統(tǒng)的3排/144粒每一條提高到13排/1248粒每一條，但是引線框架的尺寸從176.8mmX21.9mm僅增加到252±0.ImmX73±0.04臟，引線框架的密度得到了大大提高，進(jìn)而提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
[0008]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0009]1、增加引線框架密度，提高產(chǎn)品生產(chǎn)效率，降低成本。
[0010]2、提高生產(chǎn)效率，前段提高40%的設(shè)備效率，Molding提高6倍的效率。
[0011]3、降低生產(chǎn)成本，引線框架成本降低40%，Compound成本降低30%。
[0012]4、提高資源利用率，引線框架利用率提高50%，Compound用量降低35%。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為傳統(tǒng)的3排引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2是實(shí)施例中13排引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說(shuō)明。
[0016]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0017]參考圖2，本實(shí)用新型提供了一種13排引線框架，所述13排引線框架從上至下間隔排列有13排芯片槽，所述13排芯片槽中每排芯片槽的芯片槽個(gè)數(shù)為96，每排的所述96個(gè)芯片槽間隔設(shè)置于13排引線框架的同一水平線上。13排引線框架的長(zhǎng)度為252±0.1mm,寬度為 73±0.04mm。
[0018]本實(shí)用新型13排引線框架的密度大大提高了，因此，在生產(chǎn)本實(shí)用新型的13排引線框架過(guò)程中，對(duì)模具制作、電鍍、焊接等工序以及生產(chǎn)設(shè)備提出更高的要求。前段工序中必須做好引線框架防氧化工作和保證焊接可靠性，并且在后工序中按要求去除多余的廢料。
[0019]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種13排引線框架，其特征在于，所述13排引線框架從上至下間隔排列有13排芯片槽，所述芯片槽用于安裝S0D123封裝結(jié)構(gòu)的晶體管，所述13排芯片槽中每排芯片槽的芯片槽個(gè)數(shù)為96，每排的所述96個(gè)芯片槽間隔設(shè)置于13排引線框架的同一水平線上；所述13排引線框架的長(zhǎng)度為252±0.1mm,寬度為73±0.04mm。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK203631535SQ201320427493
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月15日
【發(fā)明者】羅天秀, 樊增勇, 許兵, 代建武, 李寧 申請(qǐng)人:成都先進(jìn)功率半導(dǎo)體股份有限公司, 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司, 成都住礦精密制造有限公司