一種ic封裝裝片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種IC封裝裝片，包括芯片、引線框架，所述芯片安裝在引線框架上，所述芯片通過(guò)合金焊料焊接在引線框架上，所述芯片與引線框架間有一層合金焊料層。本實(shí)用新型采用可靠性比較高的一種合金焊料來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)IC封裝中的用導(dǎo)電膠，以及絕緣膠粘結(jié)芯片和引線框架。采用這種方法生產(chǎn)出的IC封裝裝片可靠性，使用壽命延長(zhǎng)。也突破了IC小功率封裝的局限性，使小功率IC發(fā)展到大功率IC,還降低了封裝成本。
【專利說(shuō)明】一種IC封裝裝片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子元器件封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種IC封裝裝片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前IC封裝裝片工藝普遍采用導(dǎo)電膠、絕緣膠進(jìn)行IC封裝裝片的封裝，用導(dǎo)電膠、絕緣膠將芯片與引線框架之間進(jìn)行粘合，這種方法制作的IC封裝裝片存在以下缺點(diǎn):
[0003](I)可靠性較低，導(dǎo)致封裝后使用時(shí)間短，容易損壞；
[0004](2)耐電流較小，超過(guò)極限容易導(dǎo)致炸管的風(fēng)險(xiǎn)；
[0005](3)耐電壓低，超過(guò)極限容易導(dǎo)致炸管的風(fēng)險(xiǎn)
[0006](4)導(dǎo)熱性差，發(fā)熱后不能及時(shí)釋放，導(dǎo)致電路燒壞而失效；
[0007](5)浸潤(rùn)性差；
[0008](6)成本高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0009]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的存在的問(wèn)題而設(shè)計(jì)的一種IC封裝裝片，這種封裝裝片采用合金焊料焊接芯片和引線框架，從而實(shí)現(xiàn)芯片和引線框架間的連接固定。本實(shí)用新型連接可靠性高，封裝后使用時(shí)間長(zhǎng)。耐電流較大，耐電壓高，導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能好。
[0010]本實(shí)用新型所要求解決的技術(shù)問(wèn)題可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0011]一種IC封裝裝片，包括芯片、引線框架，所述芯片安裝在引線框架上，所述芯片通過(guò)合金焊料焊接在引線框架上，所述芯片與引線框架間有一層合金焊料層。
[0012]所述合金焊料包括鉛、錫、銀三種成分。
[0013]由于采用了如上技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有如下特點(diǎn):
[0014]提高了 IC封裝裝片產(chǎn)品的可靠性，使IC封裝后的產(chǎn)品使用壽命延長(zhǎng)；同時(shí)也突破了 IC小功率封裝的局限性，使小功率IC發(fā)展到大功率1C，還降低了封裝成本。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0017]如圖1所示，本實(shí)用新型有引線框架1、芯片2，芯片2與引線框架I間是合金焊料層3。
[0018]本實(shí)用新型的制作方式如下:將直徑大約為0.5毫米的合金焊條加熱后，融化并點(diǎn)在引線框架I的基中心，通過(guò)壓模將融化的合金焊料層3鋪平；然后將芯片2安裝在合金焊料層3上。
[0019]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種IC封裝裝片，包括芯片、引線框架，所述芯片安裝在引線框架上，其特征在于，所述芯片通過(guò)合金焊料焊接在引線框架上，所述芯片與引線框架間有一層合金焊料層。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK203406278SQ201320249398
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月9日
【發(fā)明者】朱輝兵 申請(qǐng)人:池州睿成微電子有限公司