一種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置，包括：襯底以及襯底上形成的基底絕緣層；柵電極、源電極和漏電極，其中，柵電極設(shè)在基底絕緣層上，在柵電極與源電極和漏電極之間形成柵電極絕緣層，氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)和漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)；鈍化層，其設(shè)在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上；遮光層，其設(shè)在所述鈍化層上用以遮擋外界光射到所述氧化物半導(dǎo)體層；包括第一電極和第二電極的有機(jī)發(fā)光體，其中所述第一電極的一部分穿過所述鈍化層與所述源電極或者漏電極電連接。采用本發(fā)明可提高元件的導(dǎo)電性能和穩(wěn)定性。
【專利說明】一種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種具有氧化物薄膜電晶體(Oxide TFT)的發(fā)光裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，氧化物薄膜電晶體(Oxide Thin Film Transistor,簡稱Oxide TFT)以其優(yōu)良的性能廣泛用于集成電路(Integrated Circuit,簡稱1C)、圖像顯示器件驅(qū)動電路中。作為實現(xiàn)TFT器件源漏電極之間電荷傳輸?shù)耐ǖ?，場效?yīng)管的溝道層是TFT器件的一個重要結(jié)構(gòu)，溝道層的結(jié)構(gòu)與性能直接影響器件成品的電學(xué)性能。溝道層可選用半導(dǎo)體薄膜材料，已知有基于硅的半導(dǎo)體材料，以及氧化物半導(dǎo)體材料。一種氧化物半導(dǎo)體材料的例子如氧化銦嫁鋒材料(Indium Gallium Zinc Oxide,簡稱 IGZO)。
[0003]通常情況下，氧化物半導(dǎo)體材料對于光尤其是紫外光非常敏感。當(dāng)氧化物半導(dǎo)體層溝道受光照射時，因光電效應(yīng)所產(chǎn)生的電子空洞，對元件的電性能和穩(wěn)定性的影響非常大。而對于例如由共平面結(jié)構(gòu)(Co-planar，簡稱CP)或者BCE結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體薄膜電晶體構(gòu)成的有機(jī)頂發(fā)光顯示器(Top-emission LED)中，外界光不可避免地會照射到氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上。
[0004]因此，為避免半導(dǎo)體氧化物層受到外界光的影響而降低其導(dǎo)電特性和穩(wěn)定性，需要一種可對半導(dǎo)體氧化物層提供保護(hù)的TFT器件或TFT器件制備工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種具有薄膜電晶體的發(fā)光裝置，其包括:
[0006]襯底以及襯底上形成的基底絕緣層；
[0007]柵電極、源電極和漏電極，其中，柵電極設(shè)在基底絕緣層上，在柵電極與源電極和漏電極之間形成柵電極絕緣層，
[0008]氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括分別與所述源電極和漏電極電接觸的源區(qū)和漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)；
[0009]鈍化層，其設(shè)在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上；
[0010]遮光層，其設(shè)在所述鈍化層上用以遮擋外界光射到所述氧化物半導(dǎo)體層；
[0011]包括第一電極和第二電極的有機(jī)發(fā)光體，其中所述第一電極的一部分穿過所述鈍化層與所述源電極或者漏電極電連接。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述遮光層與所述第一電極同時形成于所述鈍化層上，其中，所述遮光層為所述第一電極在鈍化層上表面延伸的部分。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述遮光層與所述第一電極同時形成于所述鈍化層上，其中，所述遮光層與所述第一電極間隔設(shè)置。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在所述鈍化層的部分上以及所述第一電極和遮光層上設(shè)置像素限定膜，所述像素限定膜上設(shè)有露出所述第一電極上表面的部分或全部的開口。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在所述開口中設(shè)置有機(jī)發(fā)光體的有機(jī)發(fā)光材料層和第二電極。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述氧化物半導(dǎo)體層設(shè)在部分柵電極絕緣層和所述源電極以及漏電極上。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述源電極以及所述漏電極設(shè)在所述氧化物半導(dǎo)體層上。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置的制造方法，其包括以下步驟:
[0019]在襯底上形成基底絕緣層；
[0020]在所述基底絕緣層上形成柵電極；
[0021]在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0022]在柵電極絕緣層上形成源電極和漏電極，然后再在柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，氧化物半導(dǎo)體層包括分別與源電極和漏電極接觸的源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，使得所述溝道區(qū)介于源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0023]在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層；
[0024]在所述鈍化層上形成有機(jī)發(fā)光體的第一電極，所述第一電極的一部分穿過所述鈍化層與源電極或漏電極接觸；
[0025]形成第一電極的同時，形成遮光層以覆蓋整個氧化物半導(dǎo)體層。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，將所述第一電極沿所述鈍化層上表面延伸以形成所述遮光層。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一電極與所述遮光層間隔一定距離。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在所述鈍化層的部分上以及所述第一電極和遮光層上形成像素限定膜，在所述像素限定膜上設(shè)有開口以露出所述第一電極上表面的部分或全部。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置的制造方法，其包括以下步驟:
[0030]在襯底上形成基底絕緣層；
[0031 ] 在所述基底絕緣層上形成柵電極；
[0032]在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0033]在柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0034]然后再在柵電極絕緣層上形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別與所述源區(qū)和所述漏區(qū)接觸；
[0035]在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層；
[0036]在所述鈍化層上形成有機(jī)發(fā)光體的第一電極，所述第一電極的一部分穿過所述鈍化層與源電極或漏電極接觸；
[0037]形成第一電極的同時，形成遮光層以覆蓋整個氧化物半導(dǎo)體層。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，將所述第一電極沿所述鈍化層上表面延伸以形成所述遮光層。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一電極與所述遮光層間隔一定距離。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在所述鈍化層的部分上以及所述第一電極和遮光層上形成像素限定膜，在所述像素限定膜上設(shè)有開口以露出所述第一電極上表面的部分或全部。
[0041]采用本發(fā)明的方法制造的發(fā)光裝置可避免半導(dǎo)體氧化物層受到外界光的影響，因此大大提高了元件的導(dǎo)電特性和穩(wěn)定性。
[0042]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0044]圖1顯示了現(xiàn)有技術(shù)中所采用的薄膜電晶體器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0045]圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的實施例針對共平面結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；
[0046]圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的實施例針對BCE結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0047]以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0048]本發(fā)明針對的是其中結(jié)合了氧化物電晶體Oxide TFT的OLED的結(jié)構(gòu)及其制作工藝。以下介紹與本發(fā)明有關(guān)的OLED技術(shù)情況。
[0049]目前，OLED以其良好的顯示性能已有逐漸取代IXD作為顯示元件的趨勢。針對0LED,其驅(qū)動方式分為主動式驅(qū)動或有源驅(qū)動(AMOLED)和被動式驅(qū)動或無源驅(qū)動(PMOLED)。
[0050]針對無源驅(qū)動PMOLED其分為靜態(tài)驅(qū)動電路和動態(tài)驅(qū)動電路。在靜態(tài)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光顯示器件上，一般各有機(jī)電致發(fā)光像素的陰極是連在一起引出的，各像素的陽極是分立引出的，這就是共陰的連接方式。若要一個像素發(fā)光只要讓恒流源的電壓與陰極的電壓之差大于像素發(fā)光值的前提下，像素將在恒流源的驅(qū)動下發(fā)光，若要一個像素不發(fā)光就將它的陽極接在一個負(fù)電壓上，就可將它反向截止。靜態(tài)驅(qū)動電路一般用于段式顯示屏的驅(qū)動上。
[0051]動態(tài)驅(qū)動方式，在動態(tài)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光顯示器件上把像素的兩個電極做成了矩陣型結(jié)構(gòu)，即水平一組顯示像素的同一性質(zhì)的電極是共用的，縱向一組顯示像素的相同性質(zhì)的另一電極是共用的。如果像素可分為N行和M列，就可有N個行電極和M個列電極。行和列分別對應(yīng)發(fā)光像素的兩個電極，即陰極(Cathode)和陽極(Anode)。在實際電路驅(qū)動的過程中，要逐行點亮或者要逐列點亮像素，通常采用逐行掃描的方式，列電極為數(shù)據(jù)電極。[0052]本發(fā)明要詳細(xì)介紹的一個應(yīng)用例子是有源驅(qū)動(AM OLED)的0LED。
[0053]有源驅(qū)動的每個像素配備具有開關(guān)功能的薄膜晶體管，例如低溫多晶硅薄膜晶體管(LowTemperature Poly-Si Thin Film Transistor, LTP-Si TFT)。此外，每個像素還配備一個電荷存儲電容，外圍驅(qū)動電路和顯示陣列整個系統(tǒng)集成在同一玻璃基板上。然而，由于與IXD相同的TFT結(jié)構(gòu)，無法用于OLED。這是因為IXD采用電壓驅(qū)動，而OLED卻依賴電流驅(qū)動，其亮度與電流量成正比。因此除了進(jìn)行0N/0FF切換動作的選址TFT之外，還需要能讓足夠電流通過的導(dǎo)通阻抗較低的小型驅(qū)動TFT。
[0054]有源驅(qū)動屬于靜態(tài)驅(qū)動方式，具有存儲效應(yīng)，可進(jìn)行100%負(fù)載驅(qū)動，這種驅(qū)動不受掃描電極數(shù)的限制，可以對各像素獨立進(jìn)行選擇性調(diào)節(jié)。有源驅(qū)動無占空比問題，驅(qū)動不受掃描電極數(shù)的限制，易于實現(xiàn)高亮度和高分辨率。因此有廣泛的應(yīng)用。此外，有源驅(qū)動由于可以對亮度的紅色和藍(lán)色像素獨立進(jìn)行灰度調(diào)節(jié)驅(qū)動，這更有利于OLED彩色化實現(xiàn)。有源矩陣的驅(qū)動電路藏于顯示屏內(nèi)，更易于實現(xiàn)集成度和小型化。另外由于解決了外圍驅(qū)動電路與屏的連接問題，這在一定程度上提高了成品率和可靠性。
[0055]但是，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中頂發(fā)光(Top Emitting) AMOLED的顯示元件中的氧化物半導(dǎo)體層IGZO在使用期間會受到外界光的影響，如箭頭標(biāo)記100所指示的，從而導(dǎo)致TFT元件電性能不穩(wěn)定的情況，例如閾值電壓Vth漂移等。
[0056]鑒于此問題，本發(fā)明提出在形成AMOLED的一個電極例如陽極210的時候，同時將其覆蓋在TFT的氧化物半導(dǎo)體層IGZO之上，從而起到遮擋外界光的作用。具體結(jié)構(gòu)參見圖2和圖3。
[0057]如圖2所示，其中顯示了集成有共平面結(jié)構(gòu)的TFT的OLED的一個示例，該OLED采用頂發(fā)光有源驅(qū)動方式。就組成結(jié)構(gòu)而言，其包括:陰極101，陽極102，夾在二者之間的有機(jī)發(fā)光層103。陽極102與TFT晶體管其中的一電極如漏電極電接觸。
[0058]在陽極材料的選擇上，材料本身必需是具高功函數(shù)與可透光性，所以具有
4.5eV-5.3eV的高功函數(shù)、性質(zhì)穩(wěn)定且透光的ITO透明導(dǎo)電膜，便被廣泛應(yīng)用于陽極。在陰極部分，為了增加元件的發(fā)光效率，電子與電洞的注入通常需要低功函數(shù)的Ag、Al、Ca、In、Li與Mg等金屬，或低功函數(shù)的復(fù)合金屬來制作陰極(例如:Mg-Ag鎂銀)。
[0059]在本發(fā)明的實施例中，由于OLED是頂發(fā)光結(jié)構(gòu)，因此，一個實施例的陽極采用的是上下ITO透明導(dǎo)電膜中間夾銀Ag的三明治結(jié)構(gòu)。
[0060]下面介紹與OLED集成的TFT結(jié)構(gòu)。
[0061]在圖2中，TFT晶體管采用的是共平面CO結(jié)構(gòu)即下柵極底接觸結(jié)構(gòu)，其包括:襯底201 ;襯底上形成的基底絕緣層；柵電極202、源電極203和漏電極204 ;以及氧化物半導(dǎo)體層205。其中，氧化物半導(dǎo)體層205包括分別與源電極203和漏電極204電接觸的源區(qū)、漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)。其中，在氧化物半導(dǎo)體層205與用于電接觸柵電極的柵區(qū)之間設(shè)置柵電極絕緣層GI (Gate Isolation) 206。
[0062]在共平面結(jié)構(gòu)中，與柵電極202電接觸的柵區(qū)相對于半導(dǎo)體氧化物層而言，設(shè)置在柵電極絕緣層206的下方。進(jìn)一步，為保護(hù)TFT器件，在半導(dǎo)體氧化物層上還設(shè)置有鈍化層PV (Passivation) 207。為防止半導(dǎo)體氧化物層受到光照影響，可在形成PV層之后，進(jìn)一步形成遮光層208。
[0063]為限定OLED的發(fā)光區(qū)以及擴(kuò)大OLED的陰極和陽極之間的間隔，本發(fā)明在陽極、遮光層208以及部分鈍化層207之上形成像素限定膜209 (Pixel Defined Layer,PDL)0形成的像素限定膜209具有漏出例如陽極的開口。
[0064]另一方面,本發(fā)明為了減少光刻工藝(Photo Engraving Process, PEP)的步驟數(shù)目，采用將OLED的電極例如Anode電極210與遮光層208 (Shielding Layer)同時形成的制作方法。即，在形成OLED的陽極Anode210時，同時圖案化形成遮光層208。
[0065]由于本發(fā)明的電極采用上下ITO透明導(dǎo)電膜夾導(dǎo)電金屬如Ag的結(jié)構(gòu)，因此遮光層208可以將外界光遮擋住。而本發(fā)明的實施例中采用的氧化物半導(dǎo)體層的材料是氧化銦鎵鋅IGZO材料，其主要對紫外光比較敏感。因此，選用例如陽極材料時，也可以考慮能夠透過可見光但不可以透過紫外光的材料。
[0066]根據(jù)OLED的電極與氧化物薄膜電晶體的源漏極接觸的情況，也可以是形成陰極Cathode的同時圖案化形成遮光層208。
[0067]如圖3所示，其中顯示了一種基于背溝道蝕刻(Back Channel Etch，BCE)工藝的氧化物薄膜電晶體的頂發(fā)光AOLED的橫截面圖。與圖2的區(qū)別是形成氧化物薄膜電晶體的溝道的工藝不同。
[0068]在如圖3所示的BCE結(jié)構(gòu)中，同樣也包括:襯底201 ;襯底201上形成的基底絕緣層(共同用201指示)；柵電極202氧化物半導(dǎo)體層205、以及源電極203和漏電極204。其中，氧化物半導(dǎo)體層205包括分別與源電極203和漏電極204電接觸的源區(qū)、漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)。其中，在氧化物半導(dǎo)體層205與用于電接觸柵電極的柵區(qū)之間設(shè)置柵電極絕緣層GI (Gate Isolation) 206。
[0069]在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，源電極和漏電極形成于氧化物半導(dǎo)體層205之上。而圖2所示的結(jié)構(gòu)是，氧化物半導(dǎo)體層205形成于源電極和漏電極之上。但是，無論哪種情況，氧化物半導(dǎo)體層IGZO均暴露在外界光可照射的范圍中。因此，在形成鈍化層207之后，需要在氧化物半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上方繼續(xù)形成遮光層208。為減少PEP蝕刻工藝步驟，可在形成與薄膜電晶體的源漏極之一接觸的OLED的電極210的同時形成該遮光層208。最后，以現(xiàn)有技術(shù)中公開的任何一種方式繼續(xù)形成像素限定膜TOL209。
[0070]對照圖2和3也可以看出，由于圖2不僅溝道區(qū)需要遮光，源區(qū)和漏區(qū)也需要遮光，因此形成的遮光層相對于圖3而言，面積要大一些。
[0071]以下詳細(xì)介紹圖2和圖3所示器件的結(jié)構(gòu)的工藝。
[0072]針對圖2的結(jié)構(gòu)，可以按照以下工藝步驟來形成。
[0073]首先，在襯底上形成基底絕緣層；
[0074]然后，在基底絕緣層上形成柵電極；
[0075]在柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0076]在柵電極絕緣層上形成源電極和漏電極，然后再在柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，氧化物半導(dǎo)體層包括分別與源電極和漏電極接觸的源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，使得所述溝道區(qū)介于源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0077]在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層；
[0078]在PV層上形成OLED的第一電極(例如陽極Anode)，該第一電極的一部分穿過PV層與TFT的源電極或漏電極接觸。如圖2顯示的為與源電極接觸，但本發(fā)明不限于此。
[0079]本發(fā)明在形成第一電極的同時，將其延伸形成遮光層，以覆蓋整個氧化物半導(dǎo)體層?？蛇x的是，圖案化遮光層時，也可以使其與第一電極之間具有一定間隔，只要能夠保證遮光層能夠覆蓋氧化物半導(dǎo)體層露出的部分即可。例如圖3的情況，可以僅覆蓋溝道區(qū)，這是因為源電極和漏電極導(dǎo)電的屬性決定了其本身就具有遮光的作用。
[0080]接下來，形成像素限定膜，形成的像素限定膜具有露出第一電極的開口。
[0081]進(jìn)一步地，按常規(guī)方式形成有機(jī)材料層OLED和第二電極。
[0082]圖3與圖2的不同之處在于，形成氧化物半導(dǎo)體層是在形成源電極和漏電極之前，在此不做贅述。
[0083]雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置，其特征在于，包括: 襯底以及襯底上形成的基底絕緣層； 柵電極、源電極和漏電極，其中，柵電極設(shè)在基底絕緣層上，在柵電極與源電極和漏電極之間形成柵電極絕緣層， 氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括分別與所述源電極和漏電極電接觸的源區(qū)和漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)； 鈍化層，其設(shè)在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上； 遮光層，其設(shè)在所述鈍化層上用以遮擋外界光射到所述氧化物半導(dǎo)體層； 包括第一電極和第二電極的有機(jī)發(fā)光體，其中所述第一電極的一部分穿過所述鈍化層與所述源電極或者漏電極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述遮光層與所述第一電極同時形成于所述鈍化層上，其中，所述遮光層為所述第一電極在鈍化層上表面延伸的部分。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述遮光層與所述第一電極同時形成于所述鈍化層上，其中，所述遮光層與所述第一電極間隔設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述鈍化層的部分上以及所述第一電極和遮光層上設(shè)置像素限定膜，所述像素限定膜上設(shè)有露出所述第一電極上表面的部分或全部的開口。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述開口中設(shè)置有機(jī)發(fā)光體的有機(jī)發(fā)光材料層和第二電極。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層設(shè)在部分柵電極絕緣層和所述源電極以及漏電極上。
7.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述源電極以及所述漏電極設(shè)在所述氧化物半導(dǎo)體層上。
8.一種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上形成基底絕緣層； 在所述基底絕緣層上形成柵電極； 在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層； 在柵電極絕緣層上形成源電極和漏電極，然后再在柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，氧化物半導(dǎo)體層包括分別與源電極和漏電極接觸的源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)，使得所述溝道區(qū)介于源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道； 在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成有機(jī)發(fā)光體的第一電極，所述第一電極的一部分穿過所述鈍化層與源電極或漏電極接觸； 形成第一電極的同時，形成遮光層以覆蓋整個氧化物半導(dǎo)體層。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，將所述第一電極沿所述鈍化層上表面延伸以形成所述 遮光層。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一電極與所述遮光層間隔一定距離。
11.如權(quán)利要求8-10中任一項所述的制造方法，其特征在于，在所述鈍化層的部分上以及所述第一電極和遮光層上形成像素限定膜，在所述像素限定膜上設(shè)有開口以露出所述第一電極上表面的部分或全部。
12.—種具有氧化物薄膜電晶體的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上形成基底絕緣層； 在所述基底絕緣層上形成柵電極； 在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層； 在柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)； 然后再在柵電極絕緣層上形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極分別與所述源區(qū)和所述漏區(qū)接觸； 在部分柵電極絕緣層、源電極、漏電極以及氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成有機(jī)發(fā)光體的第一電極，所述第一電極的一部分穿過所述鈍化層與源電極或漏電極接觸； 形成第一電極的同時，形成遮光層以覆蓋整個氧化物半導(dǎo)體層。
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，將所述第一電極沿所述鈍化層上表面延伸以形成所述遮光層。
14.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一電極與所述遮光層間隔一定距離。
15.如權(quán)利要求12-14中任一`項所述的制造方法，其特征在于，在所述鈍化層的部分上以及所述第一電極和遮光層上形成像素限定膜，在所述像素限定膜上設(shè)有開口以露出所述第一電極上表面的部分或全部。
【文檔編號】H01L27/32GK103762223SQ201310753193
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】劉思呈 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司