一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括顯示區(qū)和設(shè)在所述顯示區(qū)周圍的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路包含多個(gè)TFT，至少一個(gè)TFT包括第一子TFT和第二子TFT：所述第一子TFT和第二子TFT之間通過(guò)一第一跨橋電連接，其中，所述第一跨橋的材料為透明導(dǎo)電材料。采用本發(fā)明方案得到的陣列基板，可解決采用薄膜晶體管制造柵電極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，容易出現(xiàn)封框膠固化不良的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，為一現(xiàn)有顯示面板I的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:顯示區(qū)10,布置在顯示區(qū)10周圍的柵極驅(qū)動(dòng)電路20，顯示區(qū)10下方的IC電路30，位于柵極驅(qū)動(dòng)電路上的膠框區(qū)域(為使附圖清晰顯示，圖中為標(biāo)記)，其中，顯示區(qū)10包括多條柵極和多條數(shù)據(jù)線圍繞而成的像素單元，各像素單元包含像素電極，通過(guò)與一 TFT (Thin film transistor,薄膜晶體管)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，進(jìn)而顯示圖像。驅(qū)動(dòng)電路20也包括多個(gè)TFT，每個(gè)TFT與一條不同的柵極或數(shù)據(jù)線連接，通過(guò)TFT的控制，將驅(qū)動(dòng)電壓加載至對(duì)應(yīng)的柵極線或數(shù)據(jù)線，以實(shí)現(xiàn)對(duì)柵極或數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)。
[0003]現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路的TFT結(jié)構(gòu)由于柵極遮擋光通過(guò)的原因，存在顯示區(qū)周邊膠框硬化不良的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示器。
[0005]一種陣列基板，包括顯示區(qū)和設(shè)在所述顯示區(qū)周圍的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路包含多個(gè)TFT，至少一個(gè)TFT包括第一子TFT和第二子TFT:所述第一子TFT和第二子TFT之間通過(guò)一第一跨橋電連接，其中，所述第一跨橋的的材料為透明導(dǎo)電材料。
[0006]本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法:包括:
[0007]步驟A:提供一基板，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極和第二柵極，并在所述第一柵極和第二柵極上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層；
[0008]步驟B:在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極和第二柵極上方的第一有源層以及第二有源層；在所述第一有源層和第二有源層上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極和漏極，且沉積第一透明導(dǎo)電材料，圖案化形成第一跨橋；在所述刻蝕阻擋層、源極、漏極以及第一跨橋上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層，并通過(guò)刻蝕工藝形成第一過(guò)孔、第二過(guò)孔、第三過(guò)孔以及第四過(guò)孔。
[0009]步驟C:在鈍化層上沉積第二透明導(dǎo)電材料，并圖案化形成第一透明導(dǎo)電電極、第二透明導(dǎo)電電極、第三透明導(dǎo)電電極以及第四透明導(dǎo)電電極；其中，所述第一透明導(dǎo)電電極通過(guò)所述第一過(guò)孔能使源極和第一有源層電連接，所述第二透明導(dǎo)電電極通過(guò)所述第二過(guò)孔能使第一有源層和第一跨橋電連接，所述第三透明導(dǎo)電電極通過(guò)第三過(guò)孔能使第二有源層與第一跨橋電連接，所述第四透明導(dǎo)電電極通過(guò)第四過(guò)孔能使第二有源層與漏極電連接。
[0010]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示器，包括:上述任一項(xiàng)的TFT陣列基板。[0011]綜上:采用上述本發(fā)明技術(shù)方案得到的陣列基板，可解決采用薄膜晶體管制造柵電極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，容易出現(xiàn)封框膠固化不良的問(wèn)題。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)一顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3為圖2中AA’位置的橫截面示意圖；
[0015]圖4為圖3實(shí)施例光透過(guò)的效果示意圖；
[0016]圖5為制造圖2實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的工藝流程圖；
[0017]圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖8為制造圖7實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的工藝流程圖；
[0020]圖9為本發(fā)明另一實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖10為制造圖9實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板柵驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域TFT的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖2所示，圖3為圖2中AA’位置的橫截面示意圖，下面結(jié)合圖2和圖3對(duì)本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行說(shuō)明。
[0024]在本實(shí)施例中，陣列基板包括顯示區(qū)和設(shè)在顯示區(qū)周圍的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路包含多個(gè)TFT (Thin film transistor,薄膜晶體管),其中至少一個(gè)TFT包括第一子TFT20a和第二子TFT20b，第一子TFT20a和第二子TFT20b之間通過(guò)一第一跨橋110電連接。具體地，陣列基板包含一基板101，第一子TFT20a包含設(shè)置在基板101上的第一柵極102a，以及第一柵極102a上方的柵絕緣層103，形成在柵絕緣層103上的第一有源層102a，形成在第一有源層102a上的刻蝕阻擋層105，形成在刻蝕阻擋層105上方且分別與第一有源層102a電連接的第一電極以及第二電極，其中，在本實(shí)施例中，第一電極包含互相接觸的源極107a以及第一透明導(dǎo)電電極109a,源極107a與第一有源層104a通過(guò)第一透明導(dǎo)電電極109a電連接，第二電極包含與第一有源層102a電連接的第二透明導(dǎo)電電極10% ;以及形成在刻蝕阻擋層105上的鈍化層106。此外，第二子TFT20b包含設(shè)置在基板101上的第二柵極102b,以及第二柵極102b上方的柵絕緣層103，形成在柵絕緣層103上的第二有源層104b，形成在第二有源層104b上的刻蝕阻擋層105，形成在刻蝕阻擋層105上方且分別與第二有源層電連接的第三電極以及第四電極，其中，第四電極包含漏極107b以及第四透明導(dǎo)電電極109d，其中，漏極107b與第二有源層104b通過(guò)第四透明導(dǎo)電電極109d電連接，第三電極包含第三透明導(dǎo)電電極109c ;該第二子TFT20b還包括形成在刻蝕阻擋層105上方的鈍化層106。并且，第二透明導(dǎo)電電極10%與第三透明導(dǎo)電電極109c與第一跨橋110電連接。[0025]進(jìn)一步地，第一子TFT20a和第二子TFT20b的柵絕緣層、刻蝕阻擋層以及鈍化層均為同層設(shè)置，且第一透明導(dǎo)電電極109a、第二透明導(dǎo)電電極10%、第三透明導(dǎo)電電極109c和第四透明導(dǎo)電電極109d為同層結(jié)構(gòu)，另外，基板101上的第一柵極102a和第二柵極102b間隔設(shè)置，并形成間隔區(qū)域，第一跨橋110在垂直于基板平面的方向與該間隔區(qū)域重疊。
[0026]特別地，第一跨橋的的材料為透明導(dǎo)電材料，如選擇為ITO (氧化銦錫)或IZO (氧化鋅)。由此，如圖4所示，當(dāng)光(圖中箭頭方向?yàn)楣馔ㄟ^(guò)的方向)從基板一側(cè)射向本實(shí)施例的TFT結(jié)構(gòu)時(shí)，在第一柵極102a和第二柵極102b之間的間隔區(qū)域上方，由于柵絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層以及第一跨橋均為透明材料，在間隙區(qū)域的光能有效通過(guò)設(shè)想TFT上方的封膠框區(qū)域，以使封框膠的固化效果顯著增強(qiáng)。
[0027]此外，當(dāng)顯示區(qū)的像素結(jié)構(gòu)為FFS(Fringe Field Switching,邊緣場(chǎng)切換模式)時(shí)，由于在顯示區(qū)的像素單元中需要形成位于不同層的像素電極和公共電極，該柵極驅(qū)動(dòng)電路的第一、第二、第三、第四透明導(dǎo)電電極以及第一跨橋可分別與像素電極和公共電極位于同層，由此不需要增加額外的光罩工藝，能顯著降低成本。
[0028]其中，基板通常采用玻璃、石英等透明材料；基板也可以由采用玻璃、石英等透明材料及其上的其他結(jié)構(gòu)(如緩沖層等)構(gòu)成。柵極通常采用金屬材料，如Cr、Mo、Al、Ti和Cu中的一種或多種金屬的合金。
[0029]有源層的形狀通常為島狀，本實(shí)施例有源層的材料可以為氧化物半導(dǎo)體材料，具體地，可選銦鎵鋅氧化物、銦招鋅氧化物，銦鈦鋅氧化物和銦鋅氧化物中的一種或幾種,有源層的厚度一般為300?2000埃。由于氧化物半導(dǎo)體的遷移率可以達(dá)到20以上，能結(jié)合柵驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)高分辨率甚至極高分辨率(2560*1600)的智能手機(jī)以及平板電腦的窄邊框的要求。
[0030]刻蝕阻擋層通常覆蓋整個(gè)基板范圍，材料為有機(jī)感光材料?？涛g阻擋層覆蓋有源層，這樣在后續(xù)刻蝕制備薄膜晶體管的源極、漏極時(shí)能防止對(duì)有源層造成刻蝕，因此稱作刻蝕阻擋層。
[0031]鈍化層一般可采用SiNx層，或Si02和SiNx的復(fù)合層材料，也可選擇有機(jī)感光材料，一方面由于其本身具有感光特性，在其內(nèi)部形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔時(shí)，只需要曝光、顯影等步驟即可，不需要刻蝕步驟，工藝可以簡(jiǎn)化。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例還提供了上述實(shí)施例的TFT陣列基板的工藝流程圖，如圖5所示。從圖5中可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制備工藝步驟如下:
[0033]步驟A:提供一基板101，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極102a和第二柵極102b，并在第一柵極102a和第二柵極102b上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層103 ；
[0034]步驟B:在柵絕緣層103上沉積半導(dǎo)體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極102a和第二柵極102b上方的第一有源層104a以及第二有源層104b ;在第一有源層104a和第二有源層104b上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層105 ;在刻蝕阻擋層105上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極107a和漏極107b，且沉積第一透明導(dǎo)電材料，圖案化形成第一跨橋110 ;在刻蝕阻擋層105、源極107a、漏極107b以及第一跨橋110上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層106，并通過(guò)刻蝕工藝形成第一過(guò)孔108a、第二過(guò)孔108b、第三過(guò)孔108c以及第四過(guò)孔108d。[0035]步驟C:在鈍化層106上沉積第二透明導(dǎo)電材料，并圖案化形成第一透明導(dǎo)電電極109a、第二透明導(dǎo)電電極109b、第三透明導(dǎo)電電極109c以及第四透明導(dǎo)電電極109d ;其中，第一透明導(dǎo)電電極109a通過(guò)第一過(guò)孔能使源極107a和第一有源層104a電連接，第二透明導(dǎo)電電極10%通過(guò)第二過(guò)孔能使第一有源層104a和第一跨橋110電連接，第三透明導(dǎo)電電極109c通過(guò)第三過(guò)孔能使第二有源層104b與第一跨橋110電連接，第四透明導(dǎo)電電極109d通過(guò)第四過(guò)孔能使第二有源層104b與漏極107b電連接。
[0036]通過(guò)上述制備方法可得上述實(shí)施例的TFT結(jié)構(gòu)。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖6所示，下面結(jié)合圖6對(duì)本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行說(shuō)明。與上一實(shí)施例相同的部分不再重述，其區(qū)別之處闡述如下:
[0038]本實(shí)施例的陣列基板，第二透明導(dǎo)電電極209b、第三透明導(dǎo)電電極209c與第一跨橋210為同層結(jié)構(gòu)，且均設(shè)置在鈍化層206的下方，如此設(shè)置，相較上一實(shí)施例可節(jié)省一層透明導(dǎo)電層，且由于透明導(dǎo)電電極形成在鈍化層下方，可避免柵驅(qū)動(dòng)電路暴露在外，以降低ESD (Electro-Static discharge,靜電釋放)風(fēng)險(xiǎn)。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖7所示，下面結(jié)合圖7對(duì)本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行說(shuō)明。與上一實(shí)施例相同的部分不再重述，其區(qū)別之處闡述如下:
[0040]該實(shí)施例的陣列基板，第一電極為與第一有源層304a直接接觸的源極307a ;第二電極包含第二透明導(dǎo)電電極30%，以及位于第一有源層304a和源極307a之間的第二金屬層307c，其中，第二透明導(dǎo)電電極309b通過(guò)第二金屬層307c與第一有源層304a電連接；第三電極包含第三透明導(dǎo)電電極309c，以及位于第二有源層304b和地第三透明導(dǎo)電電極309c之間的第三金屬層307d，其中，第三透明導(dǎo)電電極309c通過(guò)第三金屬層307d與第二有源層304b電連接；第四電極包含與第二有源層304b直接接觸的漏極307b，并且，第二透明導(dǎo)電電極309b、第三透明導(dǎo)電電極309c與第一跨橋310為同層結(jié)構(gòu),在同一道工藝中制成。
[0041]本實(shí)施例將透明導(dǎo)電電極與第一跨橋采用同層結(jié)構(gòu)設(shè)置，可節(jié)省工藝，降低成本，除此以外，由于分別與第一子TFT、第二子TFT的第一、第二有源層電連接的電極均為金屬層材料，因此，該實(shí)施例的TFT結(jié)構(gòu)除了能適用氧化物半導(dǎo)體作有源層以外，還能適用于a-Si制作有源層的TFT器件。此外，當(dāng)有源層采用氧化物半導(dǎo)體材料時(shí)，也可將本實(shí)施例中的第三、第四金屬層去除，將第一、第二有源層分別直接與第二、第三透明導(dǎo)電電極直接接觸，實(shí)現(xiàn)第一有源層和第二有源層之間的電連接。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例還提供了上述實(shí)施例的TFT陣列基板的工藝流程圖，如圖8所示。從圖8中可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制備工藝步驟如下:
[0043]步驟A:提供一基板301，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極302a和第二柵極302b，并在第一柵極302a和第二柵極302b上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層303 ；
[0044]步驟B:在柵絕緣層303上沉積半導(dǎo)體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極302a和第二柵極302b上方的第一有源層304a以及第二有源層304b ;在第一有源層304a和第二有源層304b上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層305，且通過(guò)刻蝕工藝分別在形成位于第一有源層304a上的第一過(guò)孔308a和第二過(guò)孔308b,位于第二有源層304b上方的第三過(guò)孔308c和第四過(guò)孔308d ；
[0045]步驟C:在刻蝕阻擋層305上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極307a、第二金屬層307c、第三金屬層307d和漏極307b ;其中，源極307a和第二金屬層307c分別通過(guò)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與第一有源層304a電連接，第三金屬層307d和漏極307b分別通過(guò)第三過(guò)孔和第四過(guò)孔與第二有源層304b電連接；
[0046]步驟D:沉積第一透明導(dǎo)電材料，圖案化形成第一跨橋310，第一跨橋310與第二金屬層307c和第三金屬層307d電連接；在刻蝕阻擋層305、源極307a、漏極307b以及第一跨橋310上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層306。
[0047]通過(guò)上述制備方法可得上述實(shí)施例的TFT結(jié)構(gòu)。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖可以如圖9所示，下面結(jié)合圖9對(duì)本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行說(shuō)明。與上一實(shí)施例相同的部分不再重述，其區(qū)別之處闡述如下:
[0049]本實(shí)施例的陣列基板，將第二透明電極409b、第三透明電極409c以及第一跨橋410設(shè)置為同層結(jié)構(gòu)，且形成在鈍化層406上方，如此設(shè)置，該TFT結(jié)構(gòu)還可適用于TN-1XD(扭曲向列顯示)或OLED (Organic Electroluminesence Display,有機(jī)電致發(fā)光顯示)結(jié)構(gòu)，除此以外，由于與有源層直接接觸的是金屬電極，該結(jié)構(gòu)除適用氧化物半導(dǎo)體做有源層的結(jié)構(gòu)外，也同樣適用于a-Si制作有源層的結(jié)構(gòu)。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例還提供了上述實(shí)施例的TFT陣列基板的工藝流程圖，如圖10所示。從圖10中可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制備工藝步驟如下:
[0051]步驟A:提供一基板401，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極402a和第二柵極402b，并在第一柵極402a和第二柵極402b上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層403 ；
[0052]步驟B:在柵絕緣層403上沉積半導(dǎo)體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極402a和第二柵極402b上方的第一有源層404a以及第二有源層404b ;在第一有源層404a和第二有源層404b上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層405，且通過(guò)刻蝕工藝分別在形成位于第一有源層404a上的第一過(guò)孔408a和第二過(guò)孔408b，位于第二有源層404b上方的第三過(guò)孔408c和第四過(guò)孔408d ；
[0053]步驟C:在刻蝕阻擋層405上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極407a、第二金屬層407c、第三金屬層407d和漏極407b ;其中，源極407a和第二金屬層407c分別通過(guò)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與第一有源層404a電連接，第三金屬層407d和漏極407b分別通過(guò)第三過(guò)孔和第四過(guò)孔與第二有源層404b電連接；在刻蝕阻擋層405、源極407a以及漏極407b上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層406，并通過(guò)刻蝕工藝形成第五過(guò)孔408e和第六過(guò)孔408f ；
[0054]步驟D:沉積第一透明導(dǎo)電材料，圖案化形成第一跨橋410，第一跨橋410通過(guò)第五過(guò)孔和第六過(guò)孔與第二金屬層407c和第三金屬層407d電連接。
[0055]通過(guò)上述制備方法可得上述實(shí)施例的TFT結(jié)構(gòu)。
[0056]本發(fā)明還提供了一液晶顯示器的實(shí)施例，包括上述任一種的陣列基板。
[0057]如上根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管以及使用如上根據(jù)本發(fā)明的方法制造的薄膜晶體管可用于例如IXD或OLED等常規(guī)的平板顯示器中。
[0058]本發(fā)明中描述的“上方”，是指位于基板平面的上方，可以是指材料之間的直接接觸，也可以是間隔設(shè)置。
[0059]以上實(shí)施例是為更好的說(shuō)明本發(fā)明技術(shù)方案，本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，本發(fā)明也包括以上實(shí)施例技術(shù)方案實(shí)質(zhì)等效或等同的方案，并不應(yīng)以實(shí)施例具體情形作為對(duì)本發(fā)明權(quán)利要求的限制。此外，盡管已描述了本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本申請(qǐng)范圍的所有變更和修改。
[0060]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣，倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)和設(shè)在所述顯示區(qū)周圍的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路包含多個(gè)TFT，至少一個(gè)TFT包括第一子TFT和第二子TFT: 所述第一子TFT和第二子TFT之間通過(guò)一第一跨橋電連接，其中，所述第一跨橋的的材料為透明導(dǎo)電材料。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為ITO或IZO。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包含一基板，所述第一子TFT包含設(shè)置在所述基板上的第一柵極，以及第一柵極上方的柵絕緣層，形成在柵絕緣層上的第一有源層，形成在第一有源層上的刻蝕阻擋層，形成在刻蝕阻擋層上方且分別與所述第一有源層電連接的第一電極以及第二電極，形成在刻蝕阻擋層上方的鈍化層；所述第二子TFT包含設(shè)置在所述基板上的第二柵極，以及第二柵極上方的柵絕緣層，形成在柵絕緣層上的第二有源層，形成在第二有源層上的刻蝕阻擋層，形成在刻蝕阻擋層上方且分別與所述第二有源層電連接的第三電極以及第四電極，形成在刻蝕阻擋層上方的鈍化層，其中，所述基板上的第一柵極和第二柵極形成間隔區(qū)域，且所述第一跨橋在垂直方向上與所述間隔區(qū)域重疊。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極包含源極以及第一透明導(dǎo)電電極，其中，所述源極與第一有源層通過(guò)所述第一透明導(dǎo)電電極電連接；所述第二電極包含第二透明導(dǎo)電電極；所述第四電極包含漏極以及第四透明導(dǎo)電電極，其中，所述漏極與第二有源層通過(guò)所述第四透明導(dǎo)電電極電連接；所述第三電極包含第三透明導(dǎo)電電極；其中，所述第二透明導(dǎo)電電極與第三透明導(dǎo)電電極與所述第一跨橋電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電電極、第二透明導(dǎo)電電極、第三透明導(dǎo)電 電極和第四透明導(dǎo)電電極為同層結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二透明導(dǎo)電電極、第三透明導(dǎo)電電極與第一跨橋?yàn)橥瑢咏Y(jié)構(gòu)，且均位于所述鈍化層的下方。
7.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于:所述第一電極包含與所述第一有源層直接接觸的源極；所述第二電極包含第二透明導(dǎo)電電極；所述第三電極包含第三透明導(dǎo)電電極；所述第四電極包含與所述第二有源層直接接觸的漏極，其中，所述第二透明導(dǎo)電電極、第三透明導(dǎo)電電極與第一跨橋?yàn)橥瑢咏Y(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于:所述第二電極還包含位于第一有源層和源極之間的第二金屬層，其中，所述第二透明導(dǎo)電電極通過(guò)第二金屬層與所述第一有源層電連接；所述第三電極還包含位于第二有源層和地第三透明導(dǎo)電電極之間的第三金屬層，其中，所述第三透明導(dǎo)電電極通過(guò)第三金屬層與所述第二有源層電連接。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于:所述第二透明電極、第三透明電極以及第一跨橋形成在所述鈍化層上。
10.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子TFT和第二子TFT的柵絕緣層，刻蝕阻擋層以及鈍化層分別設(shè)置為同層結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體，或 a-Si0
12.—種陣列基板的制造方法:包括: 步驟A:提供一基板，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極和第二柵極，并在所述第一柵極和第二柵極上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層； 步驟B:在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極和第二柵極上方的第一有源層以及第二有源層；在所述第一有源層和第二有源層上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極和漏極，且沉積第一透明導(dǎo)電材料，圖案化形成第一跨橋；在所述刻蝕阻擋層、源極、漏極以及第一跨橋上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層，并通過(guò)刻蝕工藝形成第一過(guò)孔、第二過(guò)孔、第三過(guò)孔以及第四過(guò)孔。 步驟C:在鈍化層上沉積第二透明導(dǎo)電材料，并圖案化形成第一透明導(dǎo)電電極、第二透明導(dǎo)電電極、第三透明導(dǎo)電電極以及第四透明導(dǎo)電電極；其中，所述第一透明導(dǎo)電電極通過(guò)所述第一過(guò)孔能使源極和第一有源層電連接，所述第二透明導(dǎo)電電極通過(guò)所述第二過(guò)孔能使第一有源層和第一跨橋電連接，所述第三透明導(dǎo)電電極通過(guò)第三過(guò)孔能使第二有源層與第一跨橋電連接，所述第四透明導(dǎo)電電極通過(guò)第四過(guò)孔能使第二有源層與漏極電連接。
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于:所述第二透明導(dǎo)電電極、第三透明導(dǎo)電電極與第一跨橋?yàn)橥瑢釉O(shè)置，且在同一工藝中形成。
14.一種陣列基板的制造方法:包括: 步驟A:提供一基板，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極和第二柵極，并在所述第一柵極和第二柵極上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層； 步驟B:在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極和第二柵極上方的第一有源層以及第二有源層；在所述第一有源層和第二有源層上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層，且通過(guò)刻蝕工藝分別在形成位于第一有源層上的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，位于第二有源層上方的第三過(guò)孔和第四過(guò)孔； 步驟C:在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極、第二金屬層、第三金屬層和漏極；其中，所述源極和第二金屬層分別通過(guò)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與所述第一有源層電連接，所述第三金屬層和漏極分別通過(guò)第三過(guò)孔和第四過(guò)孔與所述第二有源層電連接； 步驟D:沉積第一透明導(dǎo)電材料，圖案化形成第一跨橋，所述第一跨橋與所述第二金屬層和第三金屬層電連接；在所述刻蝕阻擋層、源極、漏極以及第一跨橋上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層。
15.一種陣列基板的制造方法:包括: 步驟A:提供一基板，沉積第一金屬層，圖案化分別形成第一柵極和第二柵極，并在所述第一柵極和第二柵極上方沉積第一絕緣材料，形成柵絕緣層； 步驟B:在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料，并圖案化分別形成位于第一柵極和第二柵極上方的第一有源層以及第二有源層；在所述第一有源層和第二有源層上方沉積第二絕緣材料，形成刻蝕阻擋層，且通過(guò)刻蝕工藝分別在形成位于第一有源層上的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔，位于第二有源層上方的第三過(guò)孔和第四過(guò)孔； 步驟C:在所述刻蝕阻擋層上沉積第二金屬材料，分別圖案化形成源極、第二金屬層、第三金屬層和漏極；其中，所述源極和第二金屬層分別通過(guò)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與所述第一有源層電連接，所述第三金屬層和漏極分別通過(guò)第三過(guò)孔和第四過(guò)孔與所述第二有源層電連接；在所述刻蝕阻擋層、源極以及漏極上方沉積第三絕緣材料，形成鈍化層，并通過(guò)刻蝕工藝形成第五和第六過(guò)孔； 步驟D:沉積第一透明導(dǎo)電材料，圖案化形成第一跨橋，所述第一跨橋通過(guò)第五過(guò)孔和第六過(guò)孔與所述第二金屬層和第三金屬層電連接。
16.—種液晶顯不器,包括: 如權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103943632SQ201310751479
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】曹兆鏗, 樓均輝 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司