Tft陣列基板、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】一種TFT陣列基板，包括第一電極層；以及層疊于所述第一電極層下方的第二電極層；其中，所述第一電極層包括條形第一電極，第二電極層為片狀電極，所述條形第一電極包括彎曲部，所述第二電極層包括至少一個開孔，所述開孔位于所述彎曲部的下方。本發(fā)明的TFT陣列基板通過在第二電極層上設(shè)置開孔，并設(shè)置開孔位于第一電極的彎曲部的下方，可以達到以下至少一個效果：減少條形第一電極的彎曲部和第二電極層之間的交疊面積，從而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場對液晶配向的影響，而達到減少黑色籌線的效果，及提高基板制備的良率，提高了顯示品質(zhì)。
【專利說明】TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，平板顯示器，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)和有機發(fā)光顯示器(Organic Light Emit Display, OLED)等，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。在成像過程中，平板顯示器中每一像素點都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)來驅(qū)動，再配合外圍驅(qū)動電路，實現(xiàn)圖像顯示，TFT是控制發(fā)光的開關(guān)，是實現(xiàn)液晶顯示器LCD和有機發(fā)光顯示器OLED大尺寸化的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能平板顯示器的發(fā)展方向。在實際產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)，有些液晶顯示器在白畫面下，出現(xiàn)了黑色籌線這一顯示缺陷，而隨著對產(chǎn)品和顯示效果的要求越來越高，如何快速消除黑色籌線成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
[0004]—種TFT陣列基板,包括第一電極層；以及層疊于所述第一電極層下方的第二電極層；其中，所述第一電極層包括條形第一電極，第二電極層為片狀電極，所述條形第一電極包括彎曲部，所述第二電極層包括至少一個開孔，所述開孔位于所述彎曲部的下方。
[0005]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括如上所述的TFT陣列基板；彩膜基板，與所述TFT陣列基板相對設(shè)置，以及液晶層，位于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間。
[0006]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下突出的優(yōu)點之一:
[0008]本發(fā)明的TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過在第二電極層上設(shè)置開孔，并設(shè)置開孔位于第一電極的彎曲部的下方，可以達到以下至少一個效果:減少條形第一電極的彎曲部和第二電極層之間的的交疊面積，從而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場對液晶配向的影響，而達到減少黑色籌線的效果，及提高基板制備的良率，提聞了顯不品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明一實施例的TFT陣列基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是本發(fā)明一實施例第一電極層的一種俯視圖；
[0011]圖3是本發(fā)明一實施例第一電極層的另一種俯視圖；
[0012]圖4是本發(fā)明一實施例的TFT陣列基板的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖5是本發(fā)明一實施例的TFT陣列基板的條形第一電極與開孔的俯視示意圖；
[0014]圖6是本發(fā)明又一實施例的TFT陣列基板的一種結(jié)構(gòu)不意圖；[0015]圖7是本發(fā)明一實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖8本發(fā)明一實施例提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明。
[0018]需要說明的是:
[0019]在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實施方式】的限制。
[0020]本發(fā)明實施例的TFT陣列基板可以由非晶硅工藝、低溫多晶硅工藝或氧化物工藝制備，其相關(guān)的制程可以采用本領(lǐng)域的習知技術(shù)，在此不贅述。
[0021]如圖1所示，本發(fā)明實施例一提供一種TFT陣列基板I，包括第一電極層2 ;以及層疊于所述第一電極層2下方的第二電極層3，第二電極層3為片狀電極，即第二電極層3是整面平鋪于TFT陣列基板1，以及絕緣層11，位于第一電極層2和第二電極層3之間；其中，如圖2所示，所述第一電極層2包括條形第一電極21，每條條形第一電極21間有刻縫22，所述條形第一電極21包括彎曲部211，所述第二電極層3包括至少一個開孔31，所述開孔31位于所述彎曲部211的下方(例如為正下方)，本發(fā)明實施例不對每條條形第一電極的彎曲部211的數(shù)量做限制，比如，還可以如圖3所示，每條條形第一電極包括3個彎曲部211。
[0022]進一步的，如圖4所示，所述開孔31貫穿于所述第二電極層3。所述開孔31的數(shù)量小于等于所述彎曲部211的數(shù)量(需要說明的是，本實施例不對開孔31的數(shù)量做限制，圖4中的開孔311數(shù)量為2個僅為舉例而非限定，實際工作中，工作人員可以根據(jù)實際需求合理設(shè)定)。
[0023]如圖5所示，所述開孔31沿第一方向Y的最大長度yI小于等于所述彎曲部211沿第一方向Y的最大長度y2。如圖2和圖5所不,所述開孔31沿第二方向X的最大長度xl小于等于相鄰兩條所述條形第一電極21的間距pitch。所述開孔31沿第一方向Y的長度順著彎曲部211的開口朝向方向逐漸減小，如圖1和圖5所示，第一方向Y、第二方向X和第三方向Z在空間上兩兩互相垂直。
[0024]進一步的，所述第一電極層2為像素電極層，所述第二電極層3為公共電極層(即第二電極層3被施加公共電位);或者，所述第一電極層2為公共電極層(即第一電極層2被施加公共電位)，所述第二電極層3為像素電極層。
[0025]本發(fā)明實施例一的TFT陣列基板通過在第二電極層3上設(shè)置開孔31，并將開孔31設(shè)置于條形第一電極21的彎曲部211的正下方，可以達到以下至少一個效果:減少條形第一電極21的彎曲部211和第二電極層3之間的的交疊面積，從而減少條形第一電極21的彎曲部211與第二電極層3交疊處的電場，進而減少條形第一電極21的彎曲部211與第二電極層3交疊處的電場對液晶配向的影響，而達到減少黑色籌線的效果，及提高基板制備的良率，提聞了顯不品質(zhì)。
[0026]本發(fā)明進一步的提供實施例二，本實施例二與實施例一的TFT陣列基板I具有相同的部分不再重述。如圖6所示，本實施例中，開孔31不貫穿所述第二電極層3，開孔31朝向所述第一電極層2。
[0027]相應(yīng)的,如圖7所示,本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板4,包括TFT陣列基板I和彩膜基板5，彩膜基板5與TFT陣列基板I相對設(shè)置；以及液晶層6，位于所述TFT陣列基板I和彩膜基板5之間。其中，TFT陣列基板I采用上述實施例一、二中所述的TFT陣列基板，通常情況下，所述顯示面板可以為液晶顯示面板。
[0028]相應(yīng)的,如圖8所示,本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置7,包括顯示面板4,顯示面板4采用如上所示的顯示面板。顯示裝置不限于液晶顯示裝置，通常情況下，所述顯示裝置可以為液晶顯示裝置，但是顯示裝置還可以為有機發(fā)光顯示裝置等。
[0029]現(xiàn)有技術(shù)中，當手指或壓頭在顯示面板上劃動時，面板上出現(xiàn)劃痕(即黑色籌線，disclination)，隨著時間的推移劃痕逐漸消失，劃痕在微觀上表現(xiàn)為液晶分子出現(xiàn)紊亂配向，導致亮度與未劃過的區(qū)域不一致；黑色籌線產(chǎn)生的機理是由于當外力按壓顯示面板時，由于彎曲部與彎曲部下方的第二電極層形成第二方向電場和第三方向電場(如圖1和圖5所不，第二方向電場平行于第二方向X ;第三方向電場平行于第三方向Z,即第三方向電場垂直于整個顯不基板)，而第二方向電場和第三方向電場得同時存在導致條形第一電極的彎曲部下方的液晶出現(xiàn)紊亂配向，從而產(chǎn)生黑色籌線，進而擴散到整個像素區(qū)域，當外力消除時，液晶無法恢復到初始排列或者恢復緩慢。
[0030]而本發(fā)明實施例的顯示面板和顯示裝置，通過在第二電極層上設(shè)置開孔，并將開孔設(shè)置于條形第一電極的彎曲部的正下方，可以達到以下至少一個效果:減少條形第一電極的彎曲部和第二電極層之間的的交疊面積，從而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場，進而減少條形第一電極的彎曲部與第二電極層交疊處的電場對液晶配向的影響，而達到減少黑色籌線的效果，及提聞基板制備的良率，提聞了顯不品質(zhì)。
[0031]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板，包括 第一電極層；以及 層疊于所述第一電極層下方的第二電極層； 其中，所述第一電極層包括條形第一電極，第二電極層為片狀電極，所述條形第一電極包括彎曲部，所述第二電極層包括至少一個開孔，所述開孔位于所述彎曲部的下方。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開孔的數(shù)量小于等于所述彎曲部的數(shù)量。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開孔貫穿于所述第二電極層。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開孔不貫穿所述第二電極層。
5.如權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開孔朝向所述第一電極層。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開孔沿第一方向的最大長度小于等于所述彎曲部沿第一方向的最大長度。
7.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開孔沿第二方向的最大長度小于等于相鄰兩條所述條形第一電極的間距。
8.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述開孔沿第一方向的長度順著彎曲部的開口朝向方向逐漸減小。
9.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一電極層為像素電極層，所述第二電極層為公共電極層；或者，所述第一電極層為公共電極層，所述第二電極層為像素電極層。
10.一種顯不面板,包括: 如權(quán)利要求1-9任一項所述的TFT陣列基板； 彩膜基板，與所述TFT陣列基板相對設(shè)置；以及 液晶層，位于所述TFT陣列基板和彩膜基板之間。
11.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求10所述的顯示面板。
【文檔編號】H01L27/12GK103943629SQ201310712762
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】樂琴, 沈柏平, 葉巖溪 申請人:廈門天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司