一種to-220hf防水密封引線框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種TO-220HF防水密封引線框架，包括芯片載片臺、內(nèi)引線焊接部以及引線管腳，芯片設(shè)置在所述芯片載片臺上，芯片載片臺的上部、左側(cè)、右側(cè)以及下部分別設(shè)置有第一V型防水槽、第二V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽，并形成一閉合空間，所述第一V型防水槽外部設(shè)置有寬度為0.30mm的第五V型防水槽，所述芯片載片臺中間內(nèi)引線管腳的根部設(shè)置有寬度為0.04～0.16mm的第六V型防水槽，所述芯片載片臺兩側(cè)的兩個引線管腳的根部均設(shè)置有寬度為0.03～0.15mm的第七V型防水槽。本發(fā)明的有益效果在于，提供一種抗沖擊性強以及防水效果好的TO-220HF防水密封引線框架。
【專利說明】一種T0-220HF防水密封引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件封裝的【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種T0-220HF防水密封引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有的T0-220HF引線框架，芯片與引線框架的芯片部基片裝配到位后進(jìn)行塑封，由于芯片載片臺的四周是平面，故引線框架與塑封料的結(jié)合強度低從而造成抗沖擊強度弱以及防水性比較差的缺陷，另外，有的T0-220HF引線框架上的芯片載片臺上雖然設(shè)置有防水槽，但防水槽下部未封閉形成閉環(huán)，且中間引腳根部無防水槽，防水效果不盡理想，經(jīng)常會發(fā)現(xiàn)水汽或應(yīng)力的沖擊會從中間引腳和載片臺下部無防水槽的部位突破，直接作用到載片臺上的芯片上，導(dǎo)致產(chǎn)品測試時失效或上機時功能不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種抗沖擊性強以及防水效果好的T0-220HF防水密封引線框架。
[0004]本發(fā)明提供了 一種T0-220HF防水密封弓丨線框架，包括芯片載片臺、內(nèi)引線焊接部以及引線管腳，所述芯片設(shè)置在所述芯片載片臺上，所述芯片載片臺的上部設(shè)置有第一 V型防水槽，所述芯片載片臺的左側(cè)設(shè)置有第二 V型防水槽，所述芯片載片臺的右側(cè)設(shè)置有第三V型防水槽，所述芯片載片臺的下部設(shè)置有第四V型防水槽，所述第一 V型防水槽、第
二V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽形成一閉合空間，所述第一 V型防水槽外側(cè)設(shè)置有寬度為0.30mm的第五V型防水槽，所述芯片載片臺中間引線管腳的根部設(shè)置有寬度為0.04?0.16mm的第六V型防水槽，所述芯片載片臺外側(cè)兩個引線管腳的根部均設(shè)置有寬度為0.03?0.15mm的第七V型防水槽。
[0005]進(jìn)一步，所述第一 V型防水槽、第二 V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽的寬度均為0.20?0.40mm。
[0006]進(jìn)一步，所述第一 V型防水槽與所述第五V型防水槽之間的中心距為0.40?
0.60mmo
[0007]進(jìn)一步，所述第六V型防水槽的寬度為0.08?0.12mm。
[0008]進(jìn)一步，所述第七V型防水槽的寬度為0.07?0.11mm。
[0009]進(jìn)一步，所述第一 V型防水槽、第二 V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽的寬度均為0.30mm。
[0010]進(jìn)一步，所述第一 V型防水槽與所述第五V型防水槽之間的中心距為0.50mm。
[0011]本發(fā)明具有的優(yōu)點和有益效果為:本實施的T0-220HF防水密封引線框架的芯片載片臺的上部、左側(cè)、右側(cè)以及下部分別設(shè)置有第一 V型防水槽、第二 V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽，并構(gòu)成一個閉合的防水空間，提高了芯片載片臺的密封防水性能以及抗沖擊性；另外，所述第一 V型防水槽的外側(cè)設(shè)置有寬度為0.30mm的第五V型防水槽，使芯片載片臺的防水氣密性能再次得到提升；同時，所述芯片載片臺中間引線管腳的根部設(shè)置有寬度為0.04?0.16mm的第六V型防水槽，所述芯片載片臺外側(cè)兩個引線管腳的根部均設(shè)置有寬度為0.03?0.15mm的第七V型防水槽，在封裝過程中，這些防水槽將被塑封料填充，從而形成具有一定深度和寬度的槽體結(jié)構(gòu)，形成鎖扣功能，將塑封料緊緊地和框架結(jié)合，使得鎖緊力進(jìn)一步增強；這樣的設(shè)計使芯片載片臺上的V型防水槽的外部多增加了一道阻隔，所以實際框架和塑封料結(jié)合的面積大大增加，由此形成的鎖扣鎖緊力是原設(shè)計無法比擬的，所以在封裝時塑封料與框架的結(jié)合力更好，氣密性更佳，有更好的抗沖擊力，可有效保證產(chǎn)品的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實施例的T0-220HF防水密封引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為圖1中A-A剖結(jié)構(gòu)示意放大圖。
【具體實施方式】
[0014]下面將參照附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
[0015]如圖1以及圖2所示:本發(fā)明實施例的一種T0-220HF防水密封引線框架，所述T0-220HF防水密封引線框架包括多個獨立單元1，每個獨立單元I包括芯片載片臺2、內(nèi)引線焊接部3以及引線管腳4，所述芯片設(shè)置在所述芯片載片臺2上，所述芯片載片臺2的上部設(shè)置有第一 V型防水槽201，所述芯片載片臺2的左側(cè)設(shè)置有第二 V型防水槽202，所述芯片載片臺2的右側(cè)設(shè)置有第三V型防水槽203，所述芯片載片臺2的下部設(shè)置有第四V型防水槽204，所述第一 V型防水槽201、第二 V型防水槽202、第三V型防水槽203以及第四V型防水槽204形成一閉合空間，提高了芯片載片臺I的密封防水性能以及抗沖擊性；所述第一 V型防水槽201外側(cè)設(shè)置有寬度為0.30mm的第五V型防水槽205，所述芯片載片臺2中間引線管腳4的根部設(shè)置有寬度為0.04?0.16mm的第六V型防水槽207，所述芯片載片臺外側(cè)兩個引線管腳4的根部均設(shè)置有寬度為0.03?0.15mm的第七V型防水槽206，以上所述V型防水槽的設(shè)置可使引線框架的防水能力進(jìn)一步提高，同時在封裝過程中，使封裝料緊緊地和框架結(jié)合，使得鎖緊力進(jìn)一步增強，抗沖擊力性能得到進(jìn)一步提升。
[0016]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述第一 V型防水槽201、第二 V型防水槽202、第三V型防水槽203以及第四V型防水槽204的寬度均為0.20?0.40mm。
[0017]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述第一 V型防水槽201與所述第五V型防水槽205之間的中心距為0.40?0.60mm。
[0018]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述第六V型防水槽207的寬度為0.08?0.12mm0
[0019]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述第七V型防水槽206的寬度為0.07?0.1lmm0
[0020]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述第一 V型防水槽201、第二 V型防水槽202、第三V型防水槽203以及第四V型防水槽204的寬度均設(shè)置為0.30mm。
[0021]作為上述實施例的優(yōu)選實施方式，所述第一 V型防水槽201與所述第五V型防水槽205之間的中心距可選為0.50mm。[0022]最后應(yīng)說明的是:以上所述的各實施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種T0-220HF防水密封引線框架，包括芯片載片臺、內(nèi)引線焊接部以及引線管腳，所述芯片設(shè)置在所述芯片載片臺上，其特征在于:所述芯片載片臺的上部設(shè)置有第一 V型防水槽，所述芯片載片臺的左側(cè)設(shè)置有第二 V型防水槽，所述芯片載片臺的右側(cè)設(shè)置有第三V型防水槽，所述芯片載片臺的下部設(shè)置有第四V型防水槽，所述第一 V型防水槽、第二V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽形成一閉合空間，所述第一 V型防水槽外側(cè)設(shè)置有寬度為0.30mm的第五V型防水槽，所述芯片載片臺中間引線管腳的根部設(shè)置有寬度為0.04?0.16mm的第六V型防水槽，所述芯片載片臺外側(cè)兩個引線管腳的根部均設(shè)置有寬度為0.03?0.15mm的第七V型防水槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220HF防水密封引線框架，其特征在于，所述第一V型防水槽、第二 V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽的寬度均為0.20?0.40mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220HF防水密封引線框架，其特征在于，所述第一V型防水槽與所述第五V型防水槽之間的中心距為0.40?0.60mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220HF防水密封引線框架，其特征在于，所述第六V型防水槽的寬度為0.08?0.12mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220HF防水密封引線框架，其特征在于，所述第七V型防水槽的寬度為0.07?0.11mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的T0-220HF防水密封引線框架，其特征在于，所述第一V型防水槽、第二 V型防水槽、第三V型防水槽以及第四V型防水槽的寬度均為0.30mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的T0-220HF防水密封引線框架，其特征在于，所述第一V型防水槽與所述第五V型防水槽之間的中心距為0.50mm。
【文檔編號】H01L23/495GK103633057SQ201310671984
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月12日
【發(fā)明者】吳斌 申請人:南通華隆微電子有限公司