一種有機(jī)發(fā)光二極管陽(yáng)電極的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的陽(yáng)電極的制備方法。所述方法依次包括如下步驟：（1）在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第一ITO層；（2）對(duì)第一ITO層進(jìn)行第一次處理；（3）在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第二ITO層；（4）對(duì)第二ITO層進(jìn)行第二次處理。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)發(fā)光二極管陽(yáng)電極的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種發(fā)光均勻的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)電極的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED顯示技術(shù)具有自發(fā)光的特性，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光，而且OLED顯示屏幕可視角度大，并且能夠顯著節(jié)省電能，從2003年開(kāi)始這種顯示設(shè)備在MP3播放器上得到了廣泛應(yīng)用，OLED屏幕卻具備了許多LCD不可比擬的優(yōu)勢(shì)，如制造方法簡(jiǎn)單、功耗低、顏色豐富、適用于柔性襯底與大面積顯示等，備受業(yè)界關(guān)注，因此它也一直被業(yè)內(nèi)人士所看好。
[0003]由于氧化銦錫(Indium TinOxide, ΙΤ0)具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，因此業(yè)內(nèi)通常采用ITO來(lái)制作OLED的陽(yáng)電極，因?yàn)殛?yáng)電極的空穴注入該有機(jī)發(fā)光層需克服該陽(yáng)電極與該有機(jī)發(fā)光層間的能障，通常該陽(yáng)電極的功函數(shù)(WorkFunction)越高，其空穴注入該有機(jī)發(fā)光層的能障越低，則該有機(jī)發(fā)光二極管開(kāi)始發(fā)光的啟動(dòng)電壓越低。
[0004]目前，為了提高該ITO陽(yáng)電極的功函數(shù)，業(yè)界通常對(duì)ITO陽(yáng)電極的表面進(jìn)行氧等離子或紫外線/臭氧處理，以提高氧化銦錫層的含氧量，進(jìn)而提高該陽(yáng)電極12的功函數(shù)?；蛘?，如中國(guó)專利文獻(xiàn)CN101295771A公開(kāi)的一種有機(jī)發(fā)光二極管陽(yáng)電極的制備方法，其在該陽(yáng)電極沉積過(guò)程中通入氧氣或水蒸氣或二者的混合氣，使該陽(yáng)電極內(nèi)部與表面的含氧量皆增加，進(jìn)而使提高陽(yáng)電極的功函數(shù)。
[0005]然而，上述兩種方法雖然都能在一定程度上提高陽(yáng)電極的功函數(shù)，但是仍然存在著問(wèn)題。氧等離子體處理能清潔ITO表面有機(jī)雜質(zhì)，使ITO表面終端氧成份增加，進(jìn)而表面極化增強(qiáng)，從而提高ITO表面功函數(shù)，但是氧等離子體對(duì)ITO表面的轟擊會(huì)造成表面光滑度下降，這一定程度上抵消了功函數(shù)的增加效應(yīng)。紫外光/臭氧處理實(shí)際上并不能增加ITO表面的功函數(shù)，其實(shí)際上僅能清潔ITO表面的有機(jī)雜質(zhì)，去除了有機(jī)雜質(zhì)對(duì)功函數(shù)的提高作用非常有限。而在陽(yáng)電極沉積過(guò)程中通入氧氣或水蒸氣的混合氣，其工藝周期較長(zhǎng)，不利于提聞生廣效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題，為了解決有機(jī)發(fā)光二極管陽(yáng)電極功函數(shù)較低而導(dǎo)致發(fā)光不均勻的缺點(diǎn)，提供一種發(fā)光均勻的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)電極的制備方法。所述方法依次包括如下步驟:
[0007](I)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第一 ITO層；
[0008](2)對(duì)第一 ITO層進(jìn)行第一次處理；
[0009](3)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第二 ITO層；
[0010](4)對(duì)第二 ITO層進(jìn)行第二次處理；
[0011]其中，步驟(I)的具體過(guò)程為:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發(fā)光二極管的功能層上，從而形成第一 ITO層；步驟(2)的具體過(guò)程為:對(duì)第一ITO層的表面進(jìn)行處理。在等離子體腔中通過(guò)氧氣，使得氧氣等離子體化后對(duì)第一 ITO層進(jìn)行處理；步驟(3)的具體過(guò)程為:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至第一 ITO層上，從而形成第二 ITO層；步驟(4)的具體過(guò)程為:將完成步驟(3)的第二 ITO層以雙氧水浸沒(méi)，對(duì)ITO層表面進(jìn)行第一次紫外光照射后，對(duì)第二 ITO層表面進(jìn)行干燥，然后在臭氧的氛圍中對(duì)該第二 ITO層表面進(jìn)行第二次紫外光照射，最后得到ITO陽(yáng)電極。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備方法的工藝流程圖。
[0013]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的陽(yáng)電極結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3是本發(fā)明實(shí)施例2制備方法的工藝流程圖。
[0015]圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的陽(yáng)電極結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]實(shí)施例1
[0017]下面具體介紹本發(fā)明提出的發(fā)光均勻的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)電極的制備方法。參見(jiàn)圖1和2，所述方法依次包括如下步驟:
[0018](I)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第一 ITO層I ;
[0019](2)對(duì)第一 ITO層I進(jìn)行第一次處理；
[0020](3)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第二 ITO層2 ;
[0021](4)對(duì)第二 ITO層2進(jìn)行第二次處理；
[0022]其中，步驟(I)的具體過(guò)程為:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發(fā)光二極管的功能層上(圖2中未示出)，從而形成第一 ITO層I ;其中發(fā)光二極管的功能層是指需要在其上形成ITO陽(yáng)電極的半導(dǎo)體層，例如P型半導(dǎo)體層，并且第一 ITO層I所形成的厚度為ITO陽(yáng)電極厚度的1/3-1/2，優(yōu)選為1/3，在該步驟中，由于在水蒸氣的氛圍下進(jìn)行第一 ITO層I的沉積，所以在第一 ITO層I的表面和內(nèi)部都能形成富氧的ITO層，因此其功函數(shù)得以提高；
[0023]在步驟(I)后緊接著進(jìn)行步驟(2):對(duì)第一 ITO層I的表面進(jìn)行處理。該表面處理是:在等離子體腔中通過(guò)氧氣，使得氧氣等離子體化后對(duì)第一 ITO層I進(jìn)行處理；在該步驟中，可以在第一 ITO層I的表面進(jìn)一步提聞含氧量，進(jìn)一步提聞第一 ITO層I的功函數(shù)；
[0024]此后，進(jìn)行步驟(3)，在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料第一 ITO層I上，從而形成第二 ITO層2 ;這種方式形成的第二 ITO層2的內(nèi)部也是富氧的ΙΤ0，所以第二 ITO層2的功函數(shù)得以提高；而且，由于步驟(2)中的第一 ITO層I表面經(jīng)過(guò)等離子體處理，因此其表面的平滑度降低，導(dǎo)致增加的功函數(shù)有所折損，所以在步驟(3)中采用水蒸氣氛圍下的第二 ITO層2沉積，在沉積過(guò)程中，ITO材料可以將第一 ITO層2表面不平滑的部分填滿，相當(dāng)于使得第一 ITO層I表面平滑化，這樣就克服了等離子體處理第一ITO層I表面所帶來(lái)的功函數(shù)折損；在該步驟(3)中，所形成的第二 ITO層2的厚度占ITO陽(yáng)電極厚度的1/2-2/3，優(yōu)選為2/3 ；
[0025]此后緊接著進(jìn)行步驟(4)，將完成步驟(3)的第二 ITO層2以雙氧水浸沒(méi)，對(duì)ITO層表面進(jìn)行第一次紫外光照射；為了使得紫外光能夠照射到第二 ITO層2的表面，第二 ITO層2不能被雙氧水浸沒(méi)得太多，在本發(fā)明中，以雙氧水液面正好將第二 ITO層2的表面完全覆蓋即可。在雙氧水中進(jìn)行第二 ITO層2表面的第一次紫外光照射之后，對(duì)第二 ITO層2表面進(jìn)行干燥，然后在臭氧的氛圍中對(duì)該第二 ITO層2表面進(jìn)行第二次紫外光照射，最后得到ITO陽(yáng)電極。其中，雙氧水的濃度不得太高，否則將會(huì)造成ITO層的腐蝕，在本發(fā)明中，雙氧水的濃度控制在25%-28%之間。第一次紫外光照射和第二次紫外光照射的時(shí)間可以相同，例如介于8-10分鐘之間；也可以不同，例如第一次紫外光照射的時(shí)間為10分鐘，第二次紫外光照射的時(shí)間為9分鐘。
[0026]實(shí)施例2
[0027]參見(jiàn)圖3和4，如果需要進(jìn)一步提高ITO陽(yáng)電極的功函數(shù)，還可以增加對(duì)ITO層的處理步驟；所述步驟依次為:
[0028](A)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第一 ITO層I ;
[0029](B)對(duì)第一 ITO層I進(jìn)行第一次處理；
[0030](C)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第二 ITO層2 ;
[0031](D)對(duì)第二 ITO層2進(jìn)行第二次處理；
[0032](E)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第三ITO層3 ;
[0033](F)對(duì)第三ITO層3進(jìn)行第三次處理；
[0034]其中，實(shí)施例2中的步驟(A) - (C)與實(shí)施例1中步驟(I) - (3)的相同。在本實(shí)施例2中，步驟(D)的具體過(guò)程為:對(duì)第二 ITO層2的表面進(jìn)行處理。該表面處理是:在等離子體腔中通過(guò)氧氣，使得氧氣等離子體化后對(duì)第二 ITO層2進(jìn)行處理；在該步驟中，可以在第二 ITO層2的表面進(jìn)一步提高含氧量，進(jìn)一步提高第二 ITO層2的功函數(shù)；
[0035]步驟(E)中，在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料第二 ITO層
2上，從而形成第三ITO層3 ;這種方式形成的第三ITO層3的內(nèi)部也是富氧的ΙΤ0，所以第三ITO層3的功函數(shù)得以提高；而且，由于步驟(D)中的第二 ITO層2表面經(jīng)過(guò)等離子體處理，因此其表面的平滑度降低，導(dǎo)致增加的功函數(shù)有所折損，所以在步驟(E)中采用水蒸氣氛圍下的第三ITO層3沉積，在沉積過(guò)程中，ITO材料可以將第二 ITO層2表面不平滑的部分填滿，相當(dāng)于使得第二 ITO層2表面平滑化，這樣就克服了等離子體處理第二 ITO層2表面所帶來(lái)的功函數(shù)折損；
[0036]步驟(F)中，將完成步驟(E)的第三ITO層3以雙氧水浸沒(méi)，對(duì)ITO層表面進(jìn)行第一次紫外光照射；為了使得紫外光能夠照射到第三ITO層3的表面，第三ITO層3不能被雙氧水浸沒(méi)得太多，在本發(fā)明中，以雙氧水液面正好將第三ITO層3的表面完全覆蓋即可。在雙氧水中進(jìn)行第三ITO層3表面的第一次紫外光照射之后，對(duì)第三ITO層3表面進(jìn)行干燥，然后在臭氧的氛圍中對(duì)該第三ITO層3表面進(jìn)行第二次紫外光照射，最后得到ITO陽(yáng)電極。
[0037]其中，在實(shí)施例2中，第一 ITO層1、第二 ITO層2和第三ITO層3的厚度分別占ITO陽(yáng)電極厚度的1/4、1/4和1/2。其中，在該實(shí)施例2中，雙氧水的濃度控制在25%_28%之間。第一次紫外光照射和第二次紫外光照射的時(shí)間可以相同，例如介于8-10分鐘之間；也可以不同，例如第一次紫外光照射的時(shí)間為10分鐘，第二次紫外光照射的時(shí)間為9分鐘。
[0038]至此已對(duì)本發(fā)明做了詳細(xì)的說(shuō)明，但前文的描述的實(shí)施例僅僅只是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其并非用于限定本發(fā)明。本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的陽(yáng)電極的制備方法。所述方法依次包括如下步驟: (1)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第一ITO層； (2)對(duì)第一ITO層進(jìn)行第一次處理； (3)在水蒸氣氛圍中沉積ITO材料，形成第二ITO層； (4)對(duì)第二ITO層進(jìn)行第二次處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 其中，步驟(I)的具體過(guò)程為:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至發(fā)光二極管的功能層上，從而形成第一 ITO層；步驟(2)的具體過(guò)程為:對(duì)第一 ITO層的表面進(jìn)行處理。在等離子體腔中通過(guò)氧氣，使得氧氣等離子體化后對(duì)第一 ITO層進(jìn)行處理；步驟(3)的具體過(guò)程為:在沉積腔內(nèi)通入水蒸氣，在水蒸氣的氛圍下沉積ITO材料至第一 ITO層上，從而形成第二 ITO層；步驟(4)的具體過(guò)程為:將完成步驟(3)的第二 ITO層以雙氧水浸沒(méi)，對(duì)ITO層表面進(jìn)行第一次紫外光照射后，對(duì)第二 ITO層表面進(jìn)行干燥，然后在臭氧的氛圍中對(duì)該第二 ITO層表面進(jìn)行第二次紫外光照射，最后得到ITO陽(yáng)電極。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于: 第一 ITO層I所形成的厚度為所述ITO陽(yáng)電極厚度的1/3-1/2，優(yōu)選1/3 ;第二 ITO層2的厚度為所述ITO陽(yáng)電極厚度的1/2-2/3，優(yōu)選2/3。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103594661SQ201310501216
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月22日
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