發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光顯示裝置及其制造方法。發(fā)光顯示裝置，包括：基板；第一電極，布置在基板上；第一絕緣薄膜，布置在基板上且包括暴露第一電極的一部分的第一開口；第二絕緣薄膜，布置在第一絕緣薄膜上且包括暴露第一開口的第二開口；發(fā)光層，包括發(fā)光材料，發(fā)光層布置在第一電極的暴露部分上，且還與第一絕緣薄膜接觸；及第二電極，布置在發(fā)光層上，其中第一電極相對于發(fā)光材料的潤濕和第一絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異低于第一電極相對于發(fā)光材料的潤濕和第二絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異。
【專利說明】發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術】
[0002]典型地，平板顯示裝置可分為光發(fā)射型和光接收型。光發(fā)射型顯示裝置可以是扁平陰極射線管、等離子體顯示面板、電致發(fā)光裝置或發(fā)光二極管。光接收型顯示裝置可以是液晶顯示器。其中，電致發(fā)光裝置具有寬視角、出眾的對比度和高響應速度的優(yōu)點，從而被視為下一代顯示裝置。依據(jù)形成發(fā)光層的材料，這種電致發(fā)光裝置分為無機發(fā)光裝置和有機發(fā)光裝置。
[0003]有機發(fā)光裝置具有由在陽極和陰極之間配置的有機材料制成的發(fā)光層。如果陽極電壓和陰極電壓分別施加到這些電極上，從陽極注入的空穴穿過空穴注入層和空穴傳輸層移動到發(fā)光層，而電子穿過電子注入層和電子傳輸層移動到發(fā)光層。在發(fā)光層內，電子和空穴復合。通過這種復合，產(chǎn)生激子，且由于激子從激發(fā)狀態(tài)轉化為基態(tài)，發(fā)光層發(fā)光得以顯示圖像。
[0004]這樣的有機發(fā)光裝置包括具有暴露陽極的開口的像素限定膜，并且發(fā)光層形成在通過像素限定膜的開口而暴露的陽極上。
[0005]另一方面，發(fā)光層可借由噴墨印刷技術在通過像素限定膜開口暴露的陽極上印刷發(fā)光材料形成。
[0006]然而，由于陽極和像素限定膜之間材料的差異，在像素限定膜開口內的陽極相對于發(fā)光材料的潤濕與像素限定膜的潤濕是不同的。因此，發(fā)光層會以不均勻的厚度形成在像素限定膜開口內的陽極區(qū)域和像素限定膜區(qū)域。
[0007]進一步地，當發(fā)光材料借由噴墨印刷技術印刷在通過像素限定膜的開口暴露的陽極上時，發(fā)光材料可逃脫像素限定膜的開口。
[0008]因此，在借由噴墨印刷技術在通過像素限定膜的開口暴露的陽極上印刷發(fā)光材料的情況下，難以以均勻厚度在像素限定膜的開口內部形成發(fā)光層，并在開口內部精確定位發(fā)光層。

【發(fā)明內容】

[0009]因此，本發(fā)明要解決的一個問題是提供一種發(fā)光顯示裝置，所述發(fā)光顯示裝置通過在期望空間內以均勻厚度精確定位發(fā)光層能夠實現(xiàn)均勻發(fā)光。
[0010]本發(fā)明要解決的另一個問題是提供一種用于制造發(fā)光顯示裝置的方法，所述發(fā)光顯示裝置通過在期望空間內以均勻厚度精確定位發(fā)光層能夠實現(xiàn)均勻發(fā)光。
[0011]本發(fā)明的另外的優(yōu)點、主題和特征的一部分將在下面的描述中說明，其他部分對于本領域的技術人員將經(jīng)下面的檢驗或從本發(fā)明的實踐中學習。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種發(fā)光顯示裝置，包括:基板；第一電極，布置在基板上；第一絕緣薄膜，布置在基板上且包括暴露第一電極的一部分的第一開口;第二絕緣薄膜，布置在第一絕緣薄膜上且包括暴露第一開口的第二開口 ；發(fā)光層，包括發(fā)光材料，發(fā)光層布置在第一電極被第一開口暴露的部分上，且還與第一絕緣薄膜接觸；及第二電極，布置在發(fā)光層上，其中第一電極相對于發(fā)光材料的潤濕和第一絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異可低于第一電極相對于發(fā)光材料的潤濕和第二絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異。
[0013]第一絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的潤濕可基本上與第一電極相對于發(fā)光材料的潤濕相同。第一電極和第一絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的接觸角可等于或低于10°，且第二絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的接觸角可等于或高于50°。第一電極可包括ITO (氧化銦錫)，且第一絕緣薄膜可包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一種或多種。第一絕緣薄膜可包括選自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅組成的組中的材料，且第二絕緣薄膜可包括選自由雙對氯甲基苯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸樹脂和酚醛樹脂組成的組中的材料。發(fā)光層可包括包含Se的無機材料、包含Zn的無機材料、低分子有機材料和高分子有機材料中的一種或多種材料。第二絕緣薄膜可包括感光材料。
[0014]基板可包括多個像素，且第一絕緣薄膜可以是限定多個像素中每個像素的像素限定膜。多個像素可包括紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍色像素區(qū)域，發(fā)光層可包括:紅色有機發(fā)光層，布置在紅色像素區(qū)域內；綠色有機發(fā)光層，布置在綠色像素區(qū)域內；及藍色有機發(fā)光層，布置在藍色像素區(qū)域內。發(fā)光層可包括白色有機層。白色有機層可包括紅色有機層、綠色有機層和藍色有機層。白色有機層可替代包括黃色有機層和藍色有機層。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種制造發(fā)光顯示裝置的方法，包括:在基板上形成第一電極；在基板上形成第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜，第一絕緣薄膜可具有暴露第一電極的一部分的第一開口且第二絕緣薄膜可具有對應于第一開口的第二開口 ；在第一電極的暴露部分形成發(fā)光層，發(fā)光層包括發(fā)光材料且接觸第一絕緣薄膜；及在發(fā)光層上形成第二電極，第一電極相對于發(fā)光材料的潤濕和第一絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異可低于第一電極相對于發(fā)光材料的潤濕和第二絕緣薄膜相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異。
[0016]形成第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜可包括:在基板的整個表面上沉積第一絕緣材料以覆蓋第一電極；在第一絕緣材料的整個表面上沉積第二絕緣材料；在第二絕緣材料的上部分上布置掩膜，掩膜可具有對應于第一電極的一部分的開口 ；用光曝光第二絕緣材料；通過使用顯影劑顯影第二絕緣材料形成具有第二開口的第二絕緣薄膜；及通過使用第二絕緣薄膜作為蝕刻掩膜蝕刻第一絕緣材料形成具有第一開口的第一絕緣薄膜。
[0017]形成第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜可替代包括:在基板的整個表面上沉積第一絕緣材料以覆蓋第一電極；在所述第一絕緣材料的整個表面上沉積光刻膠膜；在所述光刻膠膜的上部分上布置第一掩膜，所述第一掩膜具有對應于第一電極的一部分的第一開口 ；通過使用光曝光光刻膠膜；通過使用顯影劑顯影光刻膠膜形成光刻膠圖案；通過使用光刻膠圖案作為蝕刻掩膜蝕刻第一絕緣材料形成具有第一開口的第一絕緣薄膜；移除光刻膠圖案；沉積第二絕緣材料，第二絕緣材料包括在第一絕緣薄膜上和在通過第一絕緣材料的蝕刻暴露的第一電極的部分上的感光材料；在第二絕緣材料的上部分上布置第二掩膜，第二掩膜具有對應于第一開口的第二開口 ；用光曝光第二絕緣材料；及通過使用顯影劑顯影第二絕緣材料形成具有第二開口的第二絕緣薄膜。[0018]形成發(fā)光層可包括借由噴墨印刷技術在第一電極的暴露部分上印刷發(fā)光材料。形成第一電極可包括在基板上的每個紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍色像素區(qū)域布置第一電極。形成發(fā)光層可包括:在紅色像素區(qū)域形成紅色有機發(fā)光層；在綠色像素區(qū)域形成綠色有機發(fā)光層；及在藍色像素區(qū)域形成藍色有機發(fā)光層。發(fā)光層的形成可包括在每個紅色、綠色和藍色像素區(qū)域內形成白色有機發(fā)光層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]當結合附圖考慮時，通過參考下面的詳細描述，本發(fā)明的更完整的理解及其許多隨之產(chǎn)生的優(yōu)點將會顯而易見，并變得更好理解，在附圖中相似的附圖標記表示相同或相似的部件，其中:
[0020]圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0021]圖2是說明圖1中例示的在發(fā)光層的發(fā)光材料和第一電極之間的接觸角、和在發(fā)光層的發(fā)光材料和第一絕緣薄膜之間的接觸角的剖視圖；
[0022]圖3是說明在發(fā)光層的發(fā)光材料和第二絕緣薄膜之間的接觸角的剖視圖；
[0023]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖；
[0024]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的形成在基板上的第一電極；
[0025]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的形成在圖5所示的結構上的第一絕緣材料；
[0026]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的形成在圖6所示的結構上的包含感光材料的第二絕緣材料；
[0027]圖8例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的曝光工藝，其中掩膜被用于圖案化第二絕緣材料；
[0028]圖9例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的通過顯影工藝圖案化后的第二絕緣薄膜；
[0029]圖10例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的圖案化的第一絕緣薄膜，其中第二絕緣薄膜充當蝕刻掩膜；
[0030]圖11例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的借由噴墨印刷技術在第一電極的暴露部分之上的發(fā)光材料的應用；
[0031]圖12例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的完全形成的發(fā)光層；
[0032]圖13例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例在發(fā)光層頂部第二電極的形成；
[0033]圖14例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的在第一絕緣薄膜之上光刻膠膜的應用；
[0034]圖15例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的曝光工藝，其中掩膜用于對布置在第一絕緣材料上的光刻膠膜進行圖案化；
[0035]圖16例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的顯影后的光刻膠圖案；
[0036]圖17例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的蝕刻工藝和剝離工藝后的布置在完成的
第一絕緣薄膜上的第一開口；
[0037]圖18例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的在圖17的結構之上的包含感光材料的第二絕緣材料的應用；
[0038]圖19例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的用于圖案化第二絕緣材料的曝光工藝，其中使用第二曝光掩膜；[0039]圖20例示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的顯影后具有開口的完成的第二絕緣薄膜；
[0040]圖21是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0041]圖22是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0042]圖23是例示了在圖22所示的發(fā)光顯示裝置內白色有機發(fā)光層的一個結構的剖視圖；及
[0043]圖24是例示了在圖22所示的發(fā)光顯示裝置內白色有機發(fā)光層的另一個結構的剖視圖。
【具體實施方式】
[0044]通過參照優(yōu)選實施例和附圖的以下詳細描述，可以更容易地理解本發(fā)明及實現(xiàn)本發(fā)明的方法的優(yōu)點和特征。然而，本發(fā)明可以實施為很多不同的形式，不應該被解釋為限于在此提出的各實施例。相反，這些實施例被提供為以使本公開全面和完整，并將本發(fā)明的思想充分傳達給本領域技術人員，并且本發(fā)明僅由隨附的權利要求書限定。
[0045]還應理解，當層被提及為在另一層或基板“上”，其可直接在其他層或基板上，或者可存在中間層。在整個說明書中，相同的參考標記表示相同的部件。
[0046]將理解，盡管術語第一、第二、第三等在此可被用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應被這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導。
[0047]以下，參考附圖描述本發(fā)明的實施例。
[0048]現(xiàn)在轉向圖1-3，圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖2是說明圖1中例示的在發(fā)光層的發(fā)光材料和第一電極之間的接觸角、和在發(fā)光層的發(fā)光材料和第一絕緣薄膜之間的接觸角的剖視圖；且圖3是說明在發(fā)光層的發(fā)光材料和第二絕緣薄膜之間的接觸角的剖視圖。
[0049]現(xiàn)在參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的發(fā)光顯示裝置100包括基板110、第一電極120、第一絕緣薄膜130、第二絕緣薄膜140、發(fā)光層150和第二電極160。
[0050]基板110可包括絕緣基板。絕緣基板可由將SiOJt為主要成分的透明玻璃材料制成。在一些實施例中，絕緣基板可由不透明材料或塑料材料制成。進一步地，絕緣基板可以是柔性基板。
[0051]盡管未被例示，基板110可進一步包括形成在絕緣基板上的其他結構。其他結構的實例可以是電線、電極、絕緣薄膜等等。在一些實施例中，基板Iio可包括多個形成在絕緣基板上的薄膜晶體管。多個薄膜晶體管的至少一部分的漏電極可被電連接到第一電極120。薄膜晶體管可包括有源區(qū)，有源區(qū)由非晶硅、多晶硅或單晶硅組成。在其他實施例中，薄膜晶體管可包括由氧化物半導體制成的有源區(qū)。
[0052]第一電極120形成在基板110上。第一電極120可以是接收施加到薄膜晶體管漏電極的信號并向發(fā)光層150提供空穴的陽極，或接收信號并向發(fā)光層150提供電子的陰極。第一電極120可用作透明電極或反射電極。在第一電極120用作透明電極的情況下，其可由ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、ZnO (氧化鋅)或In2O3制成。在第一電極120用作反射電極的情況下，其可通過用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr或它們的化合物形成反射薄膜后在反射薄膜上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3形成。
[0053]第一絕緣薄膜130形成在第一電極120上以限定暴露第一電極120的空間。即，第一絕緣薄膜130形成在第一電極120上以提供暴露第一電極120的第一開口 131。因此，第一絕緣薄膜130允許發(fā)光層150通過第一開口 131形成在第一電極120上。
[0054]第二絕緣薄膜140形成在第一絕緣薄膜130上以提供暴露第一開口 131的第二開口 141。第二絕緣薄膜140允許發(fā)光層150通過暴露第一開口 131的第二開口 141形成在第一電極120上。
[0055]第一絕緣薄膜130和第二絕緣薄膜140由絕緣材料制成。第一絕緣薄膜130和第二絕緣薄膜140分別由不同的絕緣材料制成，因此當發(fā)光層150的發(fā)光材料150a借由噴墨印刷技術印刷在第一電極120上時,第一電極120相對于發(fā)光材料150a的潤濕和第一絕緣薄膜130相對于發(fā)光材料150a的潤濕之間的差異變得低于第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料150a的潤濕和第一電極120相對于發(fā)光材料150a的潤濕之間的差異。S卩，第一絕緣薄膜130由具有潤濕的絕緣材料制成，所述潤濕基本上相同或相似于第一電極120相對于發(fā)光材料150a的潤濕，但基本上不同于第二絕緣薄膜140的潤濕。
[0056]這是因為，如果第一絕緣薄膜的潤濕基本上相同或相似于第一電極120相對于發(fā)光材料150a的潤濕，則當發(fā)光層150借由噴墨印刷技術在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極120上印刷發(fā)光材料150a形成時，發(fā)光層150不僅能夠以均勻厚度形成在第一電極120上，而且能夠形成在第一絕緣薄膜130上。如果發(fā)光層150以均勻厚度形成在第一絕緣薄膜130的第一開口 131內部，則能夠實現(xiàn)通過發(fā)光層150的均勻發(fā)光，并因此能夠改善發(fā)光顯示裝置100的顯示質量。進一步地，如果第一絕緣薄膜130的潤濕不同于第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料150a的潤濕，則當發(fā)光材料150a借由噴墨印刷技術印刷在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極120上時,發(fā)光材料150a被阻止從第一絕緣薄膜130的第一開口 131逃脫。這里，第二絕緣薄膜140可充當屏障以在期望空間內容納發(fā)光層150的發(fā)光材料150a并阻止發(fā)光層150的發(fā)光材料150a逃脫到不期望的區(qū)域。
[0057]第一電極120、第一絕緣薄膜130和第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料150a的潤濕可由針對發(fā)光材料150a的接觸角表示。接觸角是當液體在固體表面熱力學平衡時的角度。
[0058]如圖2例不的，第一電極120和第一絕緣薄膜130相對于發(fā)光材料150a的接觸角Θ1可等于或低于10°。例如，在第一電極120由ITO制成的情況下，第一絕緣薄膜130可由二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅制成。這里，由于第一電極120和第一絕緣薄膜130相對于發(fā)光材料150a的接觸角Θ I等于或小于10° ,第一電極120和第一絕緣薄膜130相對于發(fā)光材料150a的潤濕是出眾的。出眾的潤濕意味著小接觸角，以使液體廣泛地涂在固體表面，以使液體接觸固體表面的程度高。
[0059]如圖3例示的，第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料150a的接觸角Θ 2可等于或高于50°。例如，在第一絕緣薄膜130由二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅制成的情況下，第二絕緣薄膜140可由雙對氯甲基苯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸樹脂和酚醛樹脂中的至少一種制成。這里，由于第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料150a的接觸角Θ2等于或高于50°，第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料150a的潤濕是低的。具有低潤濕的結構能夠充當屏障。
[0060]在一些實施例中，第二絕緣薄膜140可形成為包括感光材料。在這種情況下，當具有第一開口 131的第一絕緣薄膜130通過光刻工藝形成時，第二絕緣薄膜140可充當掩膜薄膜。因此，第二絕緣薄膜140不單獨要求光刻膠膜，并因此制造發(fā)光顯示裝置100的工藝能夠被簡化。另一方面，在第二絕緣薄膜140不包括感光材料的情況下，具有第一開口 131的第一絕緣薄膜130使用單獨的掩膜形成。
[0061]發(fā)光層150形成在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極120上，且在第一絕緣薄膜130的第一開口 131內與第一絕緣薄膜130接觸。發(fā)光層150通過第一電極120提供的空穴與第二電極160提供的電子的復合發(fā)光。更具體地，如果空穴和電子被提供到發(fā)光層150，則它們復合形成激子，而發(fā)光層150隨著激子從激活狀態(tài)遷移到基態(tài)發(fā)光。發(fā)光層150可由包含Se或Zn的無機材料、低分子有機材料或高分子有機材料制成。
[0062]第二電極160形成在發(fā)光層150上，且可以是提供電子到發(fā)光層150的陰極或提供空穴到發(fā)光層150的陽極。以與第一電極120相同的方式，第二電極160可用作透明電極或反射電極。
[0063]盡管未被例示，發(fā)光顯示裝置100可進一步包括布置在第二電極160上部分上的密封基板。密封基板可以是絕緣基板。隔離物可配置在第二絕緣薄膜140上的第二電極160和密封基板之間。在本發(fā)明的一些實施例中，可省略密封基板。在這種情況下，由絕緣材料制成的密封薄膜可覆蓋整個結構以保護結構。
[0064]如上所述，發(fā)光顯示裝置100包括分別由不同的絕緣材料制成的第一絕緣薄膜130和第二絕緣薄膜140,因此第一電極120相對于發(fā)光材料150a的潤濕和第一絕緣薄膜130相對于發(fā)光材料150a的潤濕之間的差異變得低于第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料150a的潤濕和第二電極120相對于發(fā)光材料150a的潤濕之間的差異。
[0065]根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的發(fā)光顯示裝置100，當發(fā)光層150借由噴墨印刷技術在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極120上印刷發(fā)光材料150a形成時，發(fā)光材料150a被阻止從第一絕緣薄膜130的第一開口 131逃脫,從而發(fā)光層150以均勻厚度不僅形成在第一電極120上而且形成在第一絕緣薄膜130上。
[0066]因此，由于發(fā)光層150能夠精確定位在期望空間內并能夠以均勻厚度形成，能夠實現(xiàn)通過發(fā)光層150的均勻發(fā)光，并因此能夠改善發(fā)光顯示裝置100的顯示質量。
[0067]下一步，對根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的制造發(fā)光顯示裝置100的方法進行描述。
[0068]現(xiàn)在轉向圖4至圖13，圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖，且圖5至圖13是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造發(fā)光顯示裝置的第一方法的首1J視圖。
[0069]參考圖4，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造發(fā)光顯示裝置100的方法包括第一電極形成步驟S10、第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20、發(fā)光層形成步驟S30及第二電極形成步驟S40。
[0070]參考圖5，第一電極形成步驟SlO是在基板110上形成第一電極120的步驟。具體地，在第一電極形成步驟SlO中，透明電極材料或反射材料沉積在基板110上，在該基板110上形成有薄膜晶體管，且第一電極120通過圖案化形成在基板110上。
[0071]參考圖6至圖10，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，具有第一開口 131的第一絕緣薄膜130形成在基板110上以限定暴露第一電極120的空間，而具有暴露第一開口 131的第二開口 141的第二絕緣薄膜140形成在第一絕緣薄膜130上。
[0072]首先，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖6例示的，第一絕緣材料130a通過沉積技術沉積在基板110的整個表面以覆蓋第一電極120。第一絕緣材料130a是形成第一絕緣薄膜130的材料，且與上述第一絕緣薄膜130的絕緣材料是相同的。
[0073]進一步地，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖7例示的，第二絕緣材料140a通過沉積技術沉積在第一絕緣材料130a的整個表面上。第二絕緣材料140a是形成第二絕緣薄膜140的材料，且與第二絕緣薄膜140的絕緣材料是相同的，且可包括感光材料。
[0074]進一步地，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖8例示的，具有開口 11的掩膜10以開口 11對應于第一電極120的位置的狀態(tài)布置在第二絕緣材料140a的上部分上，且用光曝光并用顯影劑顯影第二絕緣材料140a。因此，如圖9例示的，形成具有布置在對應于第一電極120的位置的第二開口 141的第二絕緣薄膜140。
[0075]進一步地,在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖10例示的,第一絕緣材料130a用第二絕緣薄膜140作為蝕刻掩膜蝕刻，并因此，形成具有布置在對應于第一電極120的位置的第一開口 131的第一絕緣薄膜130。
[0076]現(xiàn)在參考圖11和圖12，發(fā)光層形成步驟S30是在通過第一開口 131暴露的第一電極120上形成發(fā)光層150的步驟。具體地，在發(fā)光層形成步驟S30中，如圖11例示的，發(fā)光材料150a借由噴墨印刷技術排出到通過第一開口 131暴露的第一電極120上。因此，如圖12例不的,形成發(fā)光層150。
[0077]現(xiàn)在參考圖13，第二電極形成步驟S40是通過沉積技術沉積透明電極材料或反射材料到發(fā)光層150上形成第二電極160的步驟。
[0078]盡管未被例示，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的制造發(fā)光顯示裝置100的方法可進一步包括在第二電極160的上部分上布置密封基板的步驟。進一步地，根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造發(fā)光顯示裝置100的方法可進一步包括在第二電極160和密封基板之間的布置隔離物的步驟。
[0079]下一步，對根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造發(fā)光顯示裝置100的第二方法進行描述。根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造發(fā)光顯示裝置100的第二方法包括圖4的流程圖所示的步驟。然而，根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造發(fā)光顯示裝置100的第二方法，僅第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20不同于根據(jù)本發(fā)明的第一實施例。因此，在下文中僅對用于制造根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光顯示裝置100的根據(jù)第二方法的第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20進行描述，但省略對第一電極形成步驟S10、發(fā)光層形成步驟S30及第二電極形成步驟S40的重復描述。
[0080]現(xiàn)在參考圖14-20，根據(jù)第二方法，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，在沉積第二絕緣材料140a之前圖案化第一絕緣材料130a以產(chǎn)生第一開口 131，因此需要兩張掩膜來完成工藝。因此，一在第二絕緣材料140a內形成第二開口 141，第一開口 131與第一電極120的部分就會暴露。[0081]首先，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖14例示的，第一絕緣材料130a通過沉積技術沉積在基板110的整個表面上以覆蓋第一電極120。第一絕緣材料130a是形成第一絕緣薄膜130的材料，且與上述第一絕緣薄膜130的絕緣材料是相同的。進一步地，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，光刻膠膜20a通過沉積技術沉積在第一絕緣材料130a的整個表面上。
[0082]進一步地，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖15例示的，具有第一開口 31的第一掩膜30布置在光刻膠膜20a的上部分，第一開口 31布置在對應于第一電極120的位置，且用光曝光并用顯影劑顯影光刻膠膜20a。因此，如圖16例示的，形成具有布置到對應于第一電極120的開口 21的光刻膠圖案20。
[0083]進一步地,在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，第一絕緣材料130a使用光刻膠圖案20作為蝕刻掩膜蝕刻，并且如圖17例示的，第一絕緣薄膜130產(chǎn)生并具有布置在對應于第一電極120的位置的第一開口 131。其后,移除光刻膠圖案20。
[0084]進一步地，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖18例示的，第二絕緣材料140a通過沉積技術沉積在第一絕緣薄膜130和第一電極120上。第二絕緣材料140a是形成第二絕緣薄膜140的材料，且與上述第二絕緣薄膜140的絕緣材料是相同的，且可包括感光材料。
[0085]進一步地，在第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜形成步驟S20中，如圖19例示的，具有第二開口 41的第二掩膜40布置在第二絕緣材料140a的上部分上以使第二開口 41布置在對應于第一電極120的位置，且用光曝光并用顯影劑顯影第二絕緣材料140a。因此，如圖20例示的，具有第二開口 141的第二絕緣薄膜140布置在對應于第一電極120的位置。
[0086]下一步，現(xiàn)在對根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光顯示裝置進行描述?，F(xiàn)在轉向圖21，圖21是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光顯示裝置的剖視圖。參考圖21，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光顯示裝置200包括基板110，第一電極220，第一絕緣薄膜130，第二絕緣薄膜140，發(fā)光層250R、250G和250B，及第二電極160。發(fā)光顯示裝置200實現(xiàn)了分別通過發(fā)光層250R、250G和250B發(fā)射紅光、綠光和藍光的有機發(fā)光顯示裝置。
[0087]第一電極220類似于圖1所不的第一電極120。然而,第一電極220為基板110上的每個像素形成。這里，基板110包括多個像素，而多個像素包括紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III。在每個紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III內形成第一電極220。
[0088]發(fā)光層250R、250G和250B類似于圖1例示的發(fā)光層150。然而，發(fā)光層250R、250G和250B具體包括紅色有機發(fā)光層250R、綠色有機發(fā)光層250G和藍色有機發(fā)光層250B。
[0089]紅色有機發(fā)光層250R形成在通過在紅色像素區(qū)域I的第一絕緣薄膜130的開口暴露的第一電極220上。在第一電極220是陽極且第二電極160是陰極的情況下，紅色有機發(fā)光層250R通過第一電極220提供的空穴與第二電極160提供的電子的復合發(fā)射紅光。
[0090]紅色有機發(fā)光層250R可具體包括依次層壓在第一電極220上的空穴注入層251、紅色有機層252R和電子注入層253。空穴注入層251有助于使第一電極220提供的空穴容易地注入紅色有機層252R內。空穴注入層251可由有機化合物構成，例如，MTDATA (4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、CuPc (酞菁銅)或PED0T/PSS (聚3，4-乙撐二氧噻吩，聚磺苯乙烯)，但并不限于此。[0091]紅色有機層252R基本上通過第一電極220提供的空穴與第二電極160提供的電子的復合發(fā)射紅光。紅色有機層252R可包括一種有機發(fā)光材料，或可形成為包括主體和呈紅色的摻雜物。主體的實例可以是Alq3、CBP (4，4’-N，N’-二咔唑基聯(lián)苯)、PVK (聚(N-乙烯基咔唑))、ADN (9，10-二(2-萘基)蒽)、TCTA (4，4’，4’’ -三(N-咔唑基)三苯胺)、TPBI(1，3，5_ 三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN (3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽)、E3 (三芴)和DSA (雙芪類)，但不限于此。另一方面，作為紅色摻雜物，可使用PtOEP、Ir (piq) 3 或 Btp2Ir (acac),但不限于此。
[0092]電子注入層253有助于使第二電極160提供的電子容易地注入紅色有機層252R內。電子注入層253的實例可以是LiF和CsF，但不限于此。
[0093]盡管未被例不，紅色有機發(fā)光層250R可進一步包括空穴傳輸層和電子傳輸層，空穴傳輸層插入在空穴注入層251和紅色有機層252R之間以達到空穴的流暢傳輸，電子傳輸層插入在電子注入層253和紅色有機層252R之間以達到電子的流暢傳輸。
[0094]另一方面，在第一電極220是陰極且第二電極160是陽極的情況下，紅色有機發(fā)光層250R可包括依次層壓在第一電極220上的電子注入層、紅色有機層和空穴注入層。即使在這種情況下，紅色有機發(fā)光層250R可進一步包括形成在電子注入層和紅色有機層之間的電子傳輸層、和形成在空穴注入層和紅色有機層之間的空穴傳輸層。
[0095]綠色有機發(fā)光層250G形成在通過在綠色像素區(qū)域II內的第一絕緣薄膜130的開口暴露的第一電極220上。在第一電極220是陽極且第二電極160是陰極的情況下，綠色有機發(fā)光層250G通過第一電極220提供的空穴和第二電極160提供的電子的復合發(fā)射綠光。
[0096]綠色有機層250G可具體包括依次層壓在第一電極220上的空穴注入層251、綠色有機層252G和電子注入層253。綠色有機發(fā)光層250G與紅色有機發(fā)光層250R僅在其具有綠色有機層252G這點上是不同的。因此，對于綠色有機發(fā)光層250G，僅對綠色有機層252G進行描述。
`[0097]綠色有機層252G基本上通過第一電極220提供的空穴和第二電極160提供的電子的復合發(fā)射綠光。綠色有機層252G可包括一種有機發(fā)光材料，或可形成為包括主體和呈綠色的摻雜物。主體的實例可以是Alq3、CBP (4，4’-N，N’-二咔唑基聯(lián)苯)、PVK (聚(N-乙烯基咔唑))、ADN (9，10-二(2-萘基)蒽)、TCTA (4，4’，4’’ -三(N-咔唑基)三苯胺)、TPBI(1，3，5_ 三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN (3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽)、E3 (三芴^PDSA (雙芪類)，但不限于此。另一方面，作為綠色摻雜物，可使用Ir (ppy)3、Ir (ppy) 2 (acac)或 Ir (mpyp) 3，但不限于此。
[0098]藍色有機發(fā)光層250B形成在通過在藍色像素區(qū)域III內的第一絕緣薄膜130的開口暴露的第一電極220上。在第一電極220是陽極且第二電極160是陰極的情況下，藍色有機發(fā)光層250B通過第一電極220提供的空穴和第二電極160提供的電子的復合發(fā)射藍光。
[0099]藍色有機發(fā)光層250B可具體包括依次層壓在第一電極220上的空穴注入層251、藍色有機層252B和電子注入層253。藍色有機發(fā)光層250B與紅色有機發(fā)光層250R僅在其具有藍色有機層252B這點上是不同的。因此，對于藍色有機發(fā)光層250B，僅對藍色有機層252B進行描述。[0100]藍色有機層252B基本上通過第一電極220提供的空穴和第二電極160提供的電子的復合發(fā)射藍光。藍色有機層252B可包括一種有機發(fā)光材料，或可形成為包括主體和呈藍色的摻雜物。主體的實例可以是Alq3、CBP (4，4’-N，N’-二咔唑基聯(lián)苯)、PVK (聚(N-乙烯基咔唑))、ADN (9，10-二(2-萘基)蒽)、TCTA (4，4’，4’’ -三(N-咔唑基)三苯胺)、TPBI(1，3，5_ 三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN (3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽)、E3 (三芴^PDSA (雙芪類)，但不限于此。另一方面，作為藍色摻雜物，可使用&1印化、(F2ppy) 2Ir (tmd)、Ir (dfppz)3、S^、DPAVBi (4,4’-雙(4-二苯胺基苯乙烯基)聯(lián)苯)或TBPe (2，5，8，11-四叔丁基茈)，但不限于此。
[0101]另一方面，在圖21中，當發(fā)光層250R、250G和250B借由噴墨印刷技術在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極220上印刷發(fā)光層250R、250G和250B的發(fā)光材料形成時，第一絕緣薄膜130可充當限定像素的像素限定膜，并且也有助于以均勻厚度在第一電極220和第一絕緣薄膜130的區(qū)域都形成發(fā)光層250R、250G和250B。
[0102]進一步地，在圖21中，當發(fā)光層250R、250G和250B的發(fā)光材料借由噴墨印刷技術印刷在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極220上時，第二絕緣薄膜140可充當阻止發(fā)光材料從第一絕緣薄膜130的第一開口 131逃脫的屏障。進一步地，當具有第一開口 131的第一絕緣薄膜130通過光刻工藝形成時，在第二絕緣薄膜140包括感光材料的情況下，第二絕緣薄膜140可充當掩膜薄膜。[0103]盡管未被例示，發(fā)光顯示裝置200可進一步包括布置在第二電極160的上部分上的密封基板。密封基板可以是絕緣基板。隔離物可配置在第二絕緣薄膜140上的第二電極160和密封基板之間。在本發(fā)明的一些實施例中，可省略密封基板。在這種情況下，由絕緣材料制成的密封薄膜可覆蓋整個結構以保護結構。
[0104]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的發(fā)光顯示裝置200包括發(fā)光層250R、250G和250B以實現(xiàn)有機發(fā)光顯示裝置，并且包括分別由不同的絕緣材料制成的第一絕緣薄膜130和第二絕緣薄膜140，因此第一電極220相對于發(fā)光材料的潤濕和第一絕緣薄膜130相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異變得低于第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料的潤濕和第二電極220相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異。
[0105]根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的發(fā)光顯示裝置200，當發(fā)光層250R、250G和250B借由噴墨印刷技術在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極220上印刷發(fā)光層250R、250G和250B的發(fā)光材料形成時，發(fā)光層250R、250G和250B的發(fā)光材料被阻止從第一絕緣薄膜130的第一開口 131逃脫，從而發(fā)光層250R、250G和250B以均勻厚度形成在第一電極220和第一絕緣薄膜130兩者上。
[0106]因此，由于發(fā)光層250R、250G和250B精確定位在期望空間內且以均勻厚度形成，能夠實現(xiàn)通過發(fā)光層250R、250G和250B的均勻發(fā)光，并因此能夠改善發(fā)光顯示裝置200的
顯示質量。
[0107]另一方面，與根據(jù)本發(fā)明的圖5至圖20的制造發(fā)光顯示裝置100的方法相同的步驟被應用于根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的制造發(fā)光顯示裝置200的方法。然而，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的制造發(fā)光顯示裝置200的方法，在第一電極形成步驟SlO中，第一電極220在基板110上按像素布置在紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III內。
[0108]進一步地，發(fā)光層形成步驟S30包括在通過紅色像素區(qū)域I內的第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極220上形成紅色有機發(fā)光層250R，在通過綠色像素區(qū)域II內的第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極220上形成綠色有機發(fā)光層250G，和在通過藍色像素區(qū)域III內的第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極220上形成藍色有機發(fā)光層250B。
[0109]下一步，對根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光顯示裝置進行描述?，F(xiàn)在轉向圖22至圖24，圖22是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光顯示裝置的剖視圖，圖23是例示了在圖22所示的發(fā)光顯示裝置內的白色有機發(fā)光層的一個結構的剖視圖，且圖24是例示了在圖22所示的發(fā)光顯示裝置內的白色有機發(fā)光層的另一個結構的剖視圖。
[0110]現(xiàn)在參考圖22，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光顯示裝置300包括基板110、第一電極320、第一絕緣薄膜130、第二絕緣薄膜140、發(fā)光層350、第二電極160及彩色濾光片370。發(fā)光顯示裝置300實現(xiàn)了通過發(fā)光層350發(fā)射白光的有機發(fā)光顯示裝置。
[0111]第一電極320類似于圖1所不的第一電極120,然而第一電極320具體為在基板110上的每個像素形成。這里，基板110包括多個像素，且多個像素包括紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III。第一電極320形成在紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III內。發(fā)光層350類似于圖1例示的發(fā)光層150，然而發(fā)光層350具體發(fā)射白光。
[0112]發(fā)光層350形成在通過在紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III內的第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極320上。在第一電極320是陽極且第二電極160是陰極的情況下，發(fā)光層350通過第一電極320提供的空穴和第二電極160提供的電子的復合發(fā)射白光。
[0113]具體地，發(fā)光層350可包括依次層壓在第一電極320上的空穴注入層351、白色有機層352和電子注入層353。由于空穴注入層351和電子注入層353與圖21的空穴注入層251和電子注入層252是相同的，在此省略重復的描述。
[0114]白色有機層352具體通過第一電極320提供的空穴與第二電極160提供的電子的
復合發(fā)射白光。
[0115]如圖23例示的，通過層壓發(fā)射紅光的紅色有機層352R、發(fā)射綠色的綠色有機層352G和發(fā)射藍光的藍色有機層352B可具體配置白色有機層352。白色有機層352發(fā)射混合紅光、綠光和藍光的白光。另一方面，在圖23中，以舉例說明了綠色有機層352G層壓在紅色有機層352R上，且藍色有機層352B層壓在綠色有機層352G上。然而，本發(fā)明并不限于任何這樣的層壓順序。由于紅色有機層352R、綠色有機層352G和藍色有機層352B的構造可與紅色有機層252R、綠色有機層252G和藍色有機層252B的構造相同，省略重復的描述。
[0116]進一步地，如圖24例示的，通過層壓發(fā)射黃光的黃色有機層352Y和發(fā)射藍光的藍色有機層352B可具體配置白色有機層352。該白色有機層352發(fā)射混合黃光和藍光的的白光。
[0117]彩色濾光片370布置在第二電極160的上部分上，且包括布置在紅色像素區(qū)域I內的紅色濾光片370R、布置在綠色像素區(qū)域II內的綠色濾光片370G和布置在藍色像素區(qū)域III內的藍色濾光片370B。彩色濾光片370通過過濾發(fā)光層350發(fā)射的白光可發(fā)射紅光、綠光和藍光。[0118]在圖22中，舉例說明了頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置，然而在底部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的情況下，彩色濾光片可被安裝在基板的底部表面上。作為另一個實例，可在裝置內以有機薄膜如COA (陣列上彩色濾光片)結構的形式提供彩色濾光片。
[0119]另一方面，在圖22中，當發(fā)光層350借由噴墨印刷技術印刷發(fā)光材料形成時,第一絕緣薄膜130可充當限定像素的像素限定膜，并且也有助于以均勻厚度在第一電極320和第一絕緣薄膜130的區(qū)域上形成發(fā)光層350。
[0120]進一步地，在圖22中，當發(fā)光層350的發(fā)光材料借由噴墨印刷技術印刷時，第二絕緣薄膜140可充當阻止發(fā)光材料從第一絕緣薄膜130的第一開口 131逃脫的屏障。進一步地，在第二絕緣薄膜140包括感光材料的情況下，第二絕緣薄膜140可充當圖案化第一絕緣薄膜130以產(chǎn)生第一開口 131的蝕刻掩膜。
[0121]盡管未被例示，發(fā)光顯示裝置300可進一步包括布置在第二電極160的上部分上的密封基板。密封基板可以是絕緣基板。隔離物可配置在第二絕緣薄膜140上的第二電極160和密封基板之間。在本發(fā)明的一些實施例中，可省略密封基板。在這種情況下，由絕緣材料制成的密封薄膜可覆蓋整個結構以保護結構。
[0122]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光顯示裝置300包括產(chǎn)生白光的發(fā)光層350，且包括分別由不同的絕緣材料制成的第一絕緣薄膜130和第二絕緣薄膜140，因此第一電極320相對于發(fā)光材料的潤濕和第一絕緣薄膜130相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異變得低于第二絕緣薄膜140相對于發(fā)光材料的潤濕和第一電極320相對于發(fā)光材料的潤濕之間的差異。
[0123]根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的發(fā)光顯示裝置300，當發(fā)光層350借由噴墨印刷技術在通過第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極320上印刷發(fā)光層350的發(fā)光材料產(chǎn)生時，發(fā)光層350的發(fā)光材料被阻止從第一絕緣薄膜130的第一開口 131逃脫,從而發(fā)光層350在第一電極320和第一絕緣薄膜130上都以均勻厚度形成。因此，由于發(fā)光層350定位在期望空間內且以均勻厚度形成，能夠實現(xiàn)通過發(fā)光層350的均勻發(fā)光，并因此能夠改善發(fā)光顯示裝置300的顯示質量。
[0124]另一方面，與根據(jù)圖5至圖20的制造發(fā)光顯示裝置100的方法相同的步驟也能夠應用于根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的制造發(fā)光顯示裝置300的方法。然而，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的制造發(fā)光顯示裝置300的方法，在第一電極形成步驟SlO中，第一電極320在基板110上按像素布置在紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III上。進一步地，在發(fā)光層形成步驟S30中，發(fā)光層350包括發(fā)射白光的白色有機層352，且形成在通過在每個紅色像素區(qū)域1、綠色像素區(qū)域II和藍色像素區(qū)域III內的第一絕緣薄膜130的第一開口 131暴露的第一電極320上。
[0125]在詳細描述的結語部分中，本領域的技術人員將會理解在基本上不背離本發(fā)明的原理的前提下可對優(yōu)選實施例進行很多變形和修改。因此，所公開的本發(fā)明的優(yōu)選實施例只用于一般性的和描述性的理解而非限制性目的。
【權利要求】
1.一種發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 第一電極，布置在所述基板上； 第一絕緣薄膜，布置在所述基板上且包括暴露所述第一電極的一部分的第一開口 ；第二絕緣薄膜，布置在所述第一絕緣薄膜上且包括暴露所述第一開口的第二開口 ；發(fā)光層，包括發(fā)光材料，所述發(fā)光層布置在所述第一電極被所述第一開口暴露的部分上，且還與所述第一絕緣薄膜接觸 '及 第二電極，布置在所述發(fā)光層上，其中所述第一電極相對于所述發(fā)光材料的潤濕和所述第一絕緣薄膜相對于所述發(fā)光材料的潤濕之間的差異低于所述第一電極相對于所述發(fā)光材料的潤濕和所述第二絕緣薄膜相對于所述發(fā)光材料的潤濕之間的差異。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述第一絕緣薄膜相對于所述發(fā)光材料的潤濕與所述第一電極相對于所述發(fā)光材料的潤濕相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電極和所述第一絕緣薄膜相對于所述發(fā)光材料的接觸角等于或低于10°，且所述第二絕緣薄膜相對于所述發(fā)光材料的接觸角等于或高于50°。
4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電極包括ITO，且所述第一絕緣薄膜包括選自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅組成的組中的材料。
5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述第一絕緣薄膜包括選自由二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅組成的組中的材料，且所述第二絕緣薄膜包括選自由雙對氯甲基苯、聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂和酚醛樹脂組成的組中的材料。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述發(fā)光層包括選自由包含Se的無機材料、包含Zn的無機材料、低分子有`機材料和高分子有機材料組成的組中的材料。
7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述第二絕緣薄膜包括感光材料。
8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述基板包括多個像素，且所述第一絕緣薄膜是限定多個像素中每個像素的像素限定膜。
9.根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光顯示裝置，其中多個像素包括紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍色像素區(qū)域，所述發(fā)光層包括: 紅色有機發(fā)光層，布置在所述紅色像素區(qū)域內； 綠色有機發(fā)光層，布置在所述綠色像素區(qū)域內 '及 藍色有機發(fā)光層，布置在所述藍色像素區(qū)域內。
10.根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述發(fā)光層包括白色有機層。
11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述白色有機層包括紅色有機層、綠色有機層和藍色有機層。
12.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光顯示裝置，其中所述白色有機層包括黃色有機層和藍色有機層。
13.一種制造發(fā)光顯示裝置的方法，包括: 在基板上形成第一電極； 在所述基板上形成第一絕緣薄膜和第二絕緣薄膜，所述第一絕緣薄膜具有暴露所述第一電極的一部分的第一開口且所述第二絕緣薄膜具有對應于所述第一開口的第二開口 ；在所述第一電極的暴露部分形成發(fā)光層，所述發(fā)光層包括發(fā)光材料且接觸所述第一絕緣薄膜；及 在所述發(fā)光層上形成第二電極，其中所述第一電極相對于所述發(fā)光材料的潤濕和所述第一絕緣薄膜相對于所述發(fā)光材料的潤濕差異低于所述第一電極相對于所述發(fā)光材料的潤濕和所述第二絕緣薄膜相對于所述發(fā)光材料的潤濕之間的差異。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中形成所述第一絕緣薄膜和所述第二絕緣薄膜包括: 在所述基板的整個表面上沉積第一絕緣材料以覆蓋所述第一電極； 在所述第一絕緣材料的整個表面上沉積第二絕緣材料； 在所述第二絕緣材料的上部分上布置掩膜，所述掩膜具有對應所述第一電極的一部分的開口 ； 用光曝光第二絕緣材料； 通過使用顯影劑顯影所述第二絕緣材料形成具有所述第二開口的所述第二絕緣薄膜；及 通過使用所述第二絕緣薄膜作為蝕刻掩膜蝕刻所述第一絕緣材料形成具有所述第一開口的所述第一絕緣薄膜。
15.根據(jù)權利要求13 所述的方法，其中形成所述第一絕緣薄膜和所述第二絕緣薄膜包括: 在所述基板的整個表面上沉積第一絕緣材料以覆蓋所述第一電極； 在所述第一絕緣材料的整個表面上沉積光刻膠膜； 在所述光刻膠膜的上部分上布置第一掩膜，所述第一掩膜具有對應于第一電極的一部分的第一開口； 通過使用光曝光光刻膠膜； 通過使用顯影劑顯影所述光刻膠膜形成光刻膠圖案； 通過使用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩膜蝕刻所述第一絕緣材料形成具有所述第一開口的所述第一絕緣薄膜； 移除所述光刻膠圖案； 沉積第二絕緣材料，所述第二絕緣材料包括在所述第一絕緣薄膜上和在通過所述第一絕緣材料的蝕刻暴露的所述第一電極的部分上的感光材料； 在所述第二絕緣材料的上部分上布置第二掩膜，所述第二掩膜具有對應于所述第一開口的第二開口； 用光曝光第二絕緣材料 '及 通過使用顯影劑顯影所述第二絕緣材料形成具有所述第二開口的所述第二絕緣薄膜。
16.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中形成所述發(fā)光層包括借由噴墨印刷技術在所述第一電極的暴露部分上印刷所述發(fā)光材料。
17.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中形成所述第一電極包括在所述基板上的每個紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍色像素區(qū)域內布置所述第一電極。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中形成所述發(fā)光層包括: 在所述紅色像素區(qū)域內形成紅色有機發(fā)光層；在所述綠色像素區(qū)域內形成綠色有機發(fā)光層；及 在所述藍色像素區(qū)域內形成藍色有機發(fā)光層。
19.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中形成所述發(fā)光層包括在每個紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍色像素區(qū)域內形成白`色有機發(fā)光層。
【文檔編號】H01L27/32GK103887321SQ201310418200
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年9月13日 優(yōu)先權日:2012年12月21日
【發(fā)明者】朱星中, 車裕敏 申請人:三星顯示有限公司