一種陣列基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法，該方法包括：在襯底基板上形成第一透明導電圖形和柵極圖形，所述柵極圖形位于所述第一透明導電圖形的上方；在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形，所述刻蝕阻擋層圖形位于所述有源層圖形的上方，所述源漏極圖形位于所述刻蝕阻擋層圖形的上方；在所述源漏極圖形上方形成過孔和第二透明導電圖形，所述第二透明導電圖形通過所述過孔與所述源漏極圖形電連接。本發(fā)明的技術方案可以減少掩模板的使用次數(shù)，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術領域】，特別涉及一種陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(英文:ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱:TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器時長占了主導地位。
[0003]高超維場轉(zhuǎn)換技術(AdvancedSuper Dimension Switch,簡稱:ADS),通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光率。因此ADS技術可以提高產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角等優(yōu)點。
[0004]銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，簡稱，IGZ0)是新一代用于TFT有源層的材料，其載流子遷移率是非晶硅的5?10倍，可以大大提高對像素電極的充放電速度，提高像素的響應速度，實現(xiàn)更快刷新率。
[0005]目前一般采用構圖工藝制作ADS銦鎵鋅氧化物TFT-1XD的陣列基板，一次構圖工藝形成一層薄膜圖形，每次構圖工藝都需要把掩模板圖形轉(zhuǎn)移到薄膜圖形上，而每一層薄膜圖形都需要精確的覆蓋在另一層薄膜圖形上，因此，構圖工藝的次數(shù)可以衡量制作銦鎵鋅氧化物TFT-LCD陣列基板的繁簡程度。現(xiàn)有技術一般采用七次或者八次的構圖工藝來制作銦鎵鋅氧化物TFT-LCD陣列基板，這樣用到的掩模板數(shù)量較多，生產(chǎn)效率較低，生產(chǎn)成本較聞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法，可以減少掩模板的使用次數(shù)，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上形成第一透明導電圖形和柵極圖形，所述柵極圖形位于所述第一透明導電圖形的上方；
[0008]在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形，所述刻蝕阻擋層圖形位于所述有源層圖形的上方，所述源漏極圖形位于所述刻蝕阻擋層圖形的上方；
[0009]在所述源漏極圖形上方形成過孔和第二透明導電圖形，所述第二透明導電圖形通過所述過孔與所述源漏極圖形電連接。
[0010]可選地，所述在襯底基板上形成第一透明導電圖形和柵極圖形包括:
[0011]在襯底基板上連續(xù)沉積第一透明導電材料層和柵極材料層，通過一次構圖工藝，在所述襯底基板上形成所述第一透明導電圖形和所述柵極圖形。
[0012]可選地，在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形包括:[0013]在所述柵極圖形上方連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層，通過一次構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形和所述刻蝕阻擋層圖形；
[0014]在所述刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成源漏極圖形。
[0015]可選地，在所述柵極圖形上方連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層，通過一次構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形和所述刻蝕阻擋層圖形具體包括:
[0016]在所述柵極圖形上沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層，通過采用包括透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)的掩模板對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、第一次干法刻蝕、濕法刻蝕、灰化工藝、第二次干法刻蝕和剝離剩余光刻膠，形成有源層和刻蝕阻擋層；
[0017]在所述刻蝕阻擋層圖形上沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成源漏極圖形具體包括:
[0018]在所述刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過采用普通掩模板對源漏金屬材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、濕法刻蝕和剝離形成源極和漏極。
[0019]可選地，在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形包括:
[0020]在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，形成所述有源層圖形；在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過剝離工藝形成所述刻蝕阻擋層圖形。
[0021]在所述刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成源漏極圖形。
[0022]可選地，在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形；在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過剝離工藝形成所述刻蝕阻擋層圖形具體包括:
[0023]在所述柵極圖形上沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上沉積有源材料層，通過采用包括透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)的掩模板對有源材料層進行掩模，然后進行曝光、顯影、濕法刻蝕和灰化工藝形成有源層，接著在有源層上沉積刻蝕阻擋材料層，通過剝離工藝形成刻蝕阻擋層；
[0024]在所述刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成所述源漏極圖形具體包括:
[0025]在所述刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過采用普通掩模板對源漏金屬材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、濕法刻蝕和濕法剝離形成源極和漏極。
[0026]可選地，在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形包括:
[0027]在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形；
[0028]在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過構圖工藝，形成所述刻蝕阻擋層圖形，在所述的刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過剝離工藝形成所述源漏極圖形。
[0029]可選地，在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形具體包括:
[0030]在所述柵極圖形上沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上沉積有源材料層，通過采用普通掩模板對有源材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、濕法刻蝕和剝離形成有源層；
[0031]在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過構圖工藝，在所述有源層圖形上方形成所述刻蝕阻擋層圖形，在所述的刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過剝離工藝形成所述源漏極圖形具體包括:
[0032]在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過采用包括透光區(qū)和不透光區(qū)的掩模板對刻蝕阻擋材料層進行掩模，接著進行曝光和顯影，采用干法刻蝕形成刻蝕阻擋層，在刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過剝離工藝形成源極和漏極。
[0033]可選地，在所述源漏極圖形上方形成過孔和第二透明導電圖形包括:
[0034]在所述源漏極圖形上方沉積鈍化材料層，通過構圖工藝，形成過孔圖形，在所述過孔圖形上方沉積第二透明導電材料層，通過剝離工藝形成第二透明導電圖形。
[0035]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括上述陣列基板的制作方法制得的陣列基板。
[0036]本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法，通過構圖工藝，可以使得第一透明導電圖形和柵極圖形在一次構圖工藝中形成、有源層圖形和刻蝕阻擋層圖形在一次構圖工藝中形成或刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形在一次構圖工藝中形成，過孔和第二透明導電圖形在一次構圖工藝中形成，從而減少掩模板的使用次數(shù)，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0038]圖2為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0039]圖3a為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0040]圖3b為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行顯影的示意圖；
[0041]圖3c為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行第一次刻蝕的示意圖；
[0042]圖3d為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行灰化和第二次刻蝕的示意圖；
[0043]圖3e為對光刻膠進行剝離的示意圖；
[0044]圖3f為對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0045]圖3g為對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行顯影的示意圖；
[0046]圖3h為對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行第一次刻蝕的示意圖；
[0047]圖3i為對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行灰化和第二次刻蝕的示意圖；
[0048]圖3j為對光刻膠進行剝離的示意圖；
[0049]圖3k為對源漏金屬材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0050]圖31為對源漏金屬材料層進行顯影的示意圖；
[0051]圖3m為對源漏金屬材料層進行刻蝕的示意圖；
[0052]圖3n為對光刻膠進行剝離的示意圖；
[0053]圖3ο為對鈍化層進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0054]圖3ρ為對鈍化材料層進行顯影的示意圖；
[0055]圖3q為對鈍化層進行刻蝕的示意圖；[0056]圖3r為對鈍化層進行灰化的示意圖；
[0057]圖3s為在過孔上方沉積第二透明導電材料層的示意圖；
[0058]圖3t為對第二透明導電材料層進行剝離的示意圖；
[0059]圖4為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0060]圖5a為對有源材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0061]圖5b為進行顯影的示意圖；
[0062]圖5c為對有源材料層進行刻蝕的示意圖；
[0063]圖5d為對有源層圖形進行灰化的示意圖；
[0064]圖5e為在有源層圖形上沉積刻蝕阻擋材料層的示意圖；
[0065]圖5f為剝離剩余光刻膠圖形示意圖；
[0066]圖5g為對源漏金屬材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0067]圖5h為對源漏金屬材料層進行顯影的示意圖；
[0068]圖5i為對源漏金屬材料層刻蝕的示意圖；
[0069]圖5j為對光刻膠進行剝離的示意圖；
[0070]圖6為本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0071]圖7a為對有源材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0072]圖7b為進行顯影的示意圖；
[0073]圖7c為對有源材料層進行刻蝕的示意圖；
[0074]圖7d為剝離剩余未曝光光刻膠圖形的示意圖；
[0075]圖7e為對刻蝕阻擋材料進行掩模板掩模和曝光的示意圖；
[0076]圖7f為進行顯影的示意圖；
[0077]圖7g為對刻蝕阻擋材料層進行刻蝕的示意圖；
[0078]圖7h為在刻蝕阻擋層圖形上沉積源漏金屬材料層的示意圖；
[0079]圖7i為剝離剩余未曝光光刻膠圖形的示意圖。
【具體實施方式】
[0080]為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖對本發(fā)明提供的一種陣列基板及其制作方法作進一步詳細描述。
[0081]圖1為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖，如圖1所示，該方法包括:
[0082]步驟S11、在襯底基板上形成第一透明導電圖形和柵極圖形，柵極圖形位于第一透明導電圖形的上方；
[0083]步驟S12、在柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形；刻蝕阻擋層圖形位于有源層圖形的上方，源漏極圖形位于刻蝕阻擋層圖形的上方；
[0084]步驟S13、在源漏極圖形上方形成過孔和第二透明導電圖形，第二透明導電圖形通過過孔與源漏極圖形電連接。
[0085]通過構圖工藝形成上述各個步驟中的圖形，構圖工藝至少可包括:光刻膠涂覆、掩模板掩模、曝光、顯影、刻蝕等工藝。
[0086]本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法，通過構圖工藝，可以使得第一透明導電圖形和柵極圖形在一次構圖工藝中形成、有源層圖形和刻蝕阻擋層圖形在一次構圖工藝中形成或刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形在一次構圖工藝中形成，過孔和第二透明導電圖形在一次構圖工藝中形成，從而減少掩模板的使用次數(shù)，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
[0087]圖2為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖，如圖2所示，該方法包括:
[0088]步驟S21、在襯底基板上連續(xù)沉積第一透明導電材料層和柵極材料層，通過一次構圖工藝，在所述襯底基板上形成所述第一透明導電圖形和所述柵極圖形。
[0089]本實施例中，作為一種優(yōu)選實施例，第一透明導電圖形可包括:公共電極和公共電極線，柵極圖形可包括:柵極?？蛇x地，在形成柵極圖形的同時還可形成柵線。
[0090]步驟S21具體可包括:
[0091]步驟S211、在襯底基板上連續(xù)沉積第一透明導電材料層和柵極材料層。
[0092]步驟S212、在第一透明導電材料層和柵極材料層上涂覆光刻膠。
[0093]步驟S213、對完成步驟S212的襯底基板依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0094]具體地，圖3a為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖3a所示，提供一襯底基板1，在襯底基板I上連續(xù)沉積第一透明導電材料層2和柵極材料層3，在柵極材料層3上涂覆光刻膠，通過掩模板60對光刻膠進行掩模板掩模和曝光處理，形成已曝光光刻膠圖形40和未曝光光刻膠圖形50。其中，掩模板60可包括透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)，透光區(qū)用于形成已曝光光刻膠圖形40，不透光區(qū)用于形成未曝光光刻膠圖形50，半透光區(qū)用于形成部分已曝光光刻膠圖形。
[0095]步驟S214、對完成步驟S213的襯底基板進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0096]圖3b為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行顯影的示意圖，如圖3b所示，對完成步驟S213的襯底基板I上的光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形50。
[0097]步驟S215、對第一透明導電材料層和柵極材料層進行第一次刻蝕，形成公共電極和柵極。
[0098]圖3c為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行第一次刻蝕的示意圖，如圖3c所示，通過第一次刻蝕工藝去除暴露出的第一透明導電材料層2和柵極材料層3，形成柵極圖形8。
[0099]步驟S216、對第一透明導電材料層和柵極材料層進行灰化和第二次刻蝕，形成公共電極線和公共電極。
[0100]圖3d為對第一透明導電材料層和柵極材料層進行灰化和第二次刻蝕的示意圖，如圖3d所示，通過灰化和第二次刻蝕工藝，去除部分已曝光變薄的光刻膠圖形，形成公共電極10和公共電極線9。
[0101]步驟S217、進行光刻膠剝離工藝。
[0102]圖3e為對光刻膠進行剝離的示意圖，如圖3e所示，剝離剩余的未曝光光刻膠圖形，保留柵極8、公共電極10和公共電極線9。
[0103]步驟S22、在所述柵極圖形上方連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層，通過一次構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形和所述刻蝕阻擋層圖形。[0104]本實施例中，步驟S22具體可包括:
[0105]步驟S221、在柵極圖形上方沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層。
[0106]步驟S222、在有源材料層和刻蝕阻擋材料層上涂覆光刻膠。
[0107]步驟S223、對完成步驟S222的襯底基板依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0108]具體地，圖3f為對有源材料層和刻蝕阻擋層材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖3f所示，在柵極圖形上方沉積柵絕緣層11，在柵絕緣層11上連續(xù)沉積有源材料層12和刻蝕阻擋材料層13，在刻蝕阻擋材料層13上涂覆一層光刻膠，通過掩模板61對光刻膠進行掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形41和未曝光光刻膠圖形51。其中,掩模板61可包括透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)。
[0109]步驟S224、對完成步驟S223的襯底基板進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0110]圖3g為對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行顯影的示意圖，如圖3g所示，對完成步驟S213的襯底基板I的光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形51。
[0111]步驟S225、對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行第一次刻蝕，形成有源層。
[0112]圖3h為對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行第一次刻蝕的示意圖，如圖3h所示，通過濕法刻蝕工藝去除暴露出的有源材料層，通過干法刻蝕去除暴露出的刻蝕阻擋材料層，形成有源層圖形16。
[0113]步驟S226、對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行灰化和第二次刻蝕，形成刻蝕阻擋層圖形。
[0114]圖3i為對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行灰化和第二次刻蝕的示意圖，如圖3i所示，通過灰化工藝，去除部分已曝光變薄的光刻膠圖形51，通過第二次刻蝕工藝，去除暴露出的刻蝕阻擋材料層，形成刻蝕阻擋層圖形17。
[0115]步驟S227、進行光刻膠剝離工藝。
[0116]圖3j為對光刻膠進行剝離的示意圖，如圖3j所示，剝離剩余未曝光光刻膠圖形，保留有源層圖形16、刻蝕阻擋層圖形17。
[0117]步驟S23、在所述刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成源漏極圖形。
[0118]本實施例中，作為一個優(yōu)選實施例，源漏極圖形可包括:源極、漏極。可選地，在形成源漏極圖形的同時還可形成數(shù)據(jù)線。
[0119]步驟S23具體可包括:
[0120]步驟S231、在刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層。
[0121]步驟S232、在源漏金屬材料層上涂覆光刻膠。
[0122]步驟S233、對完成步驟S232的襯底基板依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0123]具體地，圖3k為對源漏金屬材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖3k所示，在刻蝕阻擋層圖形17上沉積源漏金屬材料層18，并涂覆一層光刻膠，通過掩模板62對光刻膠進行掩模板掩模和曝光處理，形成已曝光光刻膠圖形42和未曝光光刻膠圖形52。[0124]步驟S234、對完成步驟S233的襯底基板進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0125]圖31為對源漏金屬材料層進行顯影的示意圖，如圖31所示，對光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形52。
[0126]步驟S235、對源漏金屬材料層進行刻蝕，形成源極和漏極。
[0127]圖3m為對源漏金屬材料層刻蝕的示意圖，如圖3m所示，通過濕法刻蝕工藝去除暴露出的源漏金屬材料層，形成源極19、漏極20。
[0128]步驟S236、進行光刻膠剝離工藝。
[0129]圖3n為對光刻膠進行剝離的示意圖，如圖3n所示，剝離剩余未曝光光刻膠圖形，保留源極19、漏極20。
[0130]步驟S24、在所述源漏極圖形上方沉積鈍化材料層，通過構圖工藝，形成過孔圖形，在所述過孔圖形上方沉積第二透明導電材料層，通過剝離工藝形成第二透明導電圖形。
[0131]本實施例中，作為一個優(yōu)選實施例，第二透明導電圖形可包括:像素電極。
[0132]步驟S24具體可包括:
[0133]步驟S241、在源漏極圖形上方沉積鈍化層。
[0134]步驟S242、在鈍化層上涂覆光刻膠。
[0135]步驟S243、對完成步驟S242的襯底基板依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0136]具體地，圖3ο為對鈍化層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖3ο所示，在源漏極圖形上沉積鈍化層22，并涂覆一層光刻膠，通過掩模板63對光刻膠進行掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形43和未曝光光刻膠圖形53。
[0137]步驟S244、對完成步驟S243的襯底基板進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0138]圖3ρ為對鈍化材料層進行顯影的示意圖，如圖3ρ所示，對光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形53。
[0139]步驟S245、對鈍化層進行刻蝕，形成過孔。
[0140]圖3q為對鈍化層進行刻蝕的示意圖，如圖3q所示，通過刻蝕工藝，去除暴露出的鈍化材料層，形成過孔23。
[0141]步驟S246、對鈍化層進行灰化處理，去除部分已曝光光刻膠圖形。
[0142]圖3r為對鈍化層進行灰化的示意圖，如圖3r所示，通過灰化工藝去除部分曝光變薄的光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形53。
[0143]步驟S247、在過孔上方沉積第二透明導電材料層。
[0144]圖3s為在過孔上方沉積第二透明導電材料層的示意圖，如圖3s所示，在過孔上沉積第二透明導電材料層24。
[0145]步驟S248、剝離剩余部分未曝光光刻膠圖形，形成第二透明導電圖形。
[0146]圖3t為對第二透明導電材料層進行剝離的示意圖，如圖3t所示，采用剝離工藝剝離未曝光光刻膠圖形53和其上方的第二透明導電材料層，保留剩余的第二透明導電材料層，形成像素電極25。其中，漏極20通過過孔23與像素電極25電連接。
[0147]本實施例采用四次構圖工藝，通過在構圖工藝中采用具有透光區(qū)、不透光區(qū)和半透區(qū)的掩模板，可以使得第一透明導電圖形和柵極圖形在一次構圖工藝中形成，有源層圖形和刻蝕阻擋層圖形在一次構圖工藝中形成，過孔和第二透明導電圖形在一次構圖工藝中形成，因此，只需采用四次構圖工藝即可完成陣列基板的制作過程，從而減少掩模板的使用次數(shù)，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
[0148]圖4為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖，如圖4所示，該方法包括:
[0149]步驟S41、在襯底基板上連續(xù)沉積第一透明導電材料層和柵極材料層，通過一次構圖工藝，在所述襯底基板上形成所述第一透明導電圖形和所述柵極圖形。
[0150]本實施例中的步驟S41與上述實施例二中的步驟S21相同，具體描述可參見實施例二中步驟S21及其對應附圖中的描述，此處不再贅述。
[0151]步驟S42、在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，形成所述有源層圖形；在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過剝離工藝形成所述刻蝕阻擋層圖形。
[0152]本實施例中，步驟S42具體可包括:
[0153]步驟S421、在柵極圖形上方沉積有源材料層。
[0154]步驟S422、在有源材料層上涂覆光刻膠。
[0155]步驟S423、對完成步驟S422的襯底基板依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0156]具體地，圖5a為對有源材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖5a所示，在柵極圖形上方沉積柵絕緣層11，在柵絕緣層11上沉積有源材料層12，在有源材料層12上涂覆一層光刻膠，通過掩模板64對光刻膠進行掩模板掩模和曝光,形成已曝光光刻膠圖形44和未曝光光刻膠圖形54。其中，掩模板64可包括透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)。
[0157]步驟S424、對完成步驟S423的襯底基板進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0158]圖5b為進行顯影的示意圖，如圖5b所示，對完成步驟S423的襯底基板I的光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形54。
[0159]步驟S425、對有源材料層進行第一次刻蝕，形成有源層圖形。
[0160]圖5c為對有源材料層進行第一次刻蝕的示意圖，如圖5c所示，通過濕法刻蝕工藝去除暴露出的有源材料層，形成有源層圖形16。
[0161]步驟S426、對有源層圖形進行灰化工藝，去除部分已曝光變薄的光刻膠圖形。
[0162]圖5d為對有源層圖形進行灰化的示意圖，如圖5d所示，通過灰化工藝，去除有源層圖形16上的部分已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形54。
[0163]步驟S427、在有源層圖形上沉積刻蝕阻擋材料層。
[0164]圖5e為在有源層圖形上沉積刻蝕阻擋材料層的示意圖，如圖5e所示，在有源層圖形上沉積刻蝕阻擋材料層13。
[0165]步驟S428、剝離剩余光刻膠，形成刻蝕阻擋層圖形17。
[0166]圖5f為剝離剩余光刻膠圖形示意圖，如圖5f所示，剝離未曝光光刻膠圖形54和其上方的刻蝕阻擋材料層13，形成刻蝕阻擋層圖形17。
[0167]步驟S43、在所述刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成源漏極圖形。
[0168]本實施例中，作為一個優(yōu)選實施例，源漏極圖形可包括:源極、漏極。
[0169]步驟S43具體可包括:[0170]步驟S431、在刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層。
[0171]步驟S432、在源漏金屬材料層上涂覆光刻膠。
[0172]步驟S433、對完成步驟S432的襯底基板依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0173]具體地，圖5g為對源漏金屬材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖5g所示，在刻蝕阻擋層圖形17上沉積源漏金屬材料層18，并涂覆一層光刻膠，通過掩模板67對光刻膠進行掩模板掩模和曝光處理，形成已曝光光刻膠圖形47和未曝光光刻膠圖形57。
[0174]步驟S434、對完成步驟S433的襯底基板進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0175]圖5h為對源漏金屬材料層進行掩模板顯影的示意圖，如圖5h所示，對光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形57。
[0176]步驟S435、對源漏金屬材料層進行第一次刻蝕，形成源極和漏極。
[0177]圖5i為對源漏金屬材料層第一次刻蝕的示意圖，如圖5i所示，通過濕法刻蝕工藝去除暴露出的源漏金屬材料層,形成源極19、漏極20。
[0178]步驟S436、進行光刻膠剝離工藝。
[0179]圖5j為對光刻膠進行剝離的示意圖，如圖5j所示，剝離剩余未曝光光刻膠圖形，保留源極19、漏極20。
[0180]步驟S44、在所述源漏極圖形上方沉積鈍化材料層，通過構圖工藝，形成過孔圖形，在所述過孔圖形上方沉積第二透明導電材料層，通過剝離工藝形成第二透明導電圖形。
[0181]本實施例中的步驟S44與上述實施例二中的步驟S24相同，具體描述可參見實施例二中步驟S24及其對應附圖中的描述，此處不再贅述。
[0182]本實施例采用四次構圖工藝，通過在構圖工藝中采用具有透光區(qū)、不透光區(qū)和半透區(qū)的掩模板，可以使得第一透明導電圖形和柵極圖形在一次構圖工藝中形成，有源層圖形和刻蝕阻擋層圖形在一次構圖工藝中形成，過孔和第二透明導電圖形在一次構圖工藝中形成，因此，只需采用四次構圖工藝即可完成陣列基板的制作過程，從而減少掩模板的使用次數(shù)，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
[0183]圖6為本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖，如圖6所示，該方法包括:
[0184]步驟S61、在襯底基板上連續(xù)沉積第一透明導電材料層和柵極材料層，通過一次構圖工藝，在所述襯底基板上形成所述第一透明導電圖形和所述柵極圖形。
[0185]本實施例中的步驟S61與上述實施例二中的步驟S21相同，具體描述可參見實施例二中步驟S21及其對應附圖中的描述，此處不再贅述。
[0186]步驟S62、在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形。
[0187]本實施例中，步驟S62具體可包括:
[0188]步驟S621、在柵極圖形上方沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上沉積有源材料層。
[0189]步驟S622、在有源材料層上涂覆光刻膠。
[0190]步驟S623、對完成步驟S622的襯底基板依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0191]具體地，圖7a為對有源材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖7a所示，在柵極圖形上方沉積柵絕緣層11，在柵絕緣層11上沉積有源材料層12，在有源材料層12上涂覆一層光刻膠，通過掩模板65對光刻膠進行掩模板掩模和曝光,形成已曝光光刻膠圖形45和未曝光光刻膠圖形55。其中，掩模板65可包括透光區(qū)和不透光區(qū)。
[0192]步驟S624、對完成步驟S623的襯底基板進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0193]圖7b為進行顯影的不意圖，如圖7b所不,對完成步驟S623的襯底基板I的光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形55。
[0194]步驟S625、對有源材料層進行第一次刻蝕，形成有源層圖形。
[0195]圖7c為對有源材料層進行第一次刻蝕的示意圖，如圖7c所示，通過濕法刻蝕工藝去除暴露出的有源材料層12，形成有源層圖形16。
[0196]步驟S625、剝離剩余未曝光光刻膠圖形，形成有源層圖形16。
[0197]圖7d為剝離剩余未曝光光刻膠圖形的示意圖，如圖7d所示，剝離剩余未曝光光刻膠圖形，保留有源層圖形16。
[0198]步驟S63、在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過構圖工藝，形成所述刻蝕阻擋層圖形，在所述的刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過剝離工藝形成所述源漏極圖形。
[0199]本實施例中，步驟S63具體可包括:
[0200]步驟S631、在有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層。
[0201]步驟S632、在刻蝕阻擋材料層上涂覆光刻膠。
[0202]步驟S633、對完成步驟S632的襯底基板I上依次進行掩膜掩模板掩模和曝光，形成已曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形。
[0203]具體地，圖7e為對刻蝕阻擋材料層進行掩模板掩模和曝光的示意圖，如圖7e所示，在有源層圖形16上方沉積刻蝕阻擋材料層13，在刻蝕阻擋材料層13上涂覆一層光刻膠，通過掩模板66對光刻膠進行掩模板掩模和曝光,形成已曝光光刻膠圖形46和未曝光光刻膠圖形56。其中，掩模板66可包括透光區(qū)和不透光區(qū)。
[0204]步驟S634、對完成步驟S633的襯底基板I進行顯影，去除已曝光光刻膠圖形。
[0205]圖7f為進行顯影的示意圖，如圖7f所示，對完成步驟S633的襯底基板I的光刻膠進行顯影處理，去除已曝光光刻膠圖形，保留未曝光光刻膠圖形56。
[0206]步驟S635、對刻蝕阻擋材料層進行第一次刻蝕，形成刻蝕阻擋層圖形。
[0207]圖7g為對刻蝕阻擋材料層進行刻蝕的示意圖，如圖7g所示，通過干法刻蝕工藝去除暴露出的刻蝕阻擋材料層，形成刻蝕阻擋層圖形17。
[0208]步驟S636、在刻蝕阻擋層圖形上沉積源漏金屬材料層，形成源漏金屬圖形。
[0209]圖7h為在刻蝕阻擋層圖形上沉積源漏金屬材料層的示意圖，如圖7h所示，在刻蝕阻擋層圖形上沉積源漏金屬材料層18。
[0210]步驟S637、剝離剩余未曝光光刻膠圖形，形成源極19、漏極20。
[0211]圖7i為剝離剩余未曝光光刻膠圖形的示意圖，如圖7i所示，剝離剩余未曝光光刻膠圖形和其上方的源漏金屬材料層，保留源極19、漏極20。
[0212]步驟S64、在所述源漏極圖形上方沉積鈍化材料層，通過構圖工藝，形成過孔圖形，在所述過孔圖形上方沉積第二透明導電材料層，通過剝離工藝形成第二透明導電圖形。
[0213]本實施例中的步驟S64與上述實施例二中的步驟S24相同，具體描述可參見實施例二中步驟S24及其對應附圖中的描述，此處不再贅述。
[0214]本實施例采用四次構圖工藝，通過在構圖工藝中采用具有透光區(qū)、不透光區(qū)和半透區(qū)的掩模板，可以使得第一透明導電圖形和柵極圖形在一次構圖工藝中形成，刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形在一次構圖工藝中形成，過孔和第二透明導電圖形在一次構圖工藝中形成，因此，只需采用四次構圖工藝即可完成陣列基板的制作過程，從而減少掩模板的使用次數(shù)，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
[0215]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成第一透明導電圖形和柵極圖形，所述柵極圖形位于所述第一透明導電圖形的上方； 在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源、漏極圖形，所述刻蝕阻擋層圖形位于所述有源層圖形的上方，所述源漏極圖形位于所述刻蝕阻擋層圖形的上方； 在所述源漏極圖形上方形成過孔和第二透明導電圖形，所述第二透明導電圖形通過所述過孔與所述源漏極圖形電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成第一透明導電圖形和柵極圖形包括: 在襯底基板上連續(xù)沉積第一透明導電材料層和柵極材料層，通過一次構圖工藝，在所述襯底基板上形成所述第一透明導電圖形和所述柵極圖形。
3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形包括: 在所述柵極圖形上方連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層，通過一次構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形和所述刻蝕阻擋層圖形； 在所述刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成源漏極圖形。
4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述柵極圖形上方連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層，通過一次構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形和所述刻蝕阻擋層圖形具體包括: 在所述柵極圖形上沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上連續(xù)沉積有源材料層和刻蝕阻擋材料層，通過采用包括透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)的掩模板對有源材料層和刻蝕阻擋材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、第一次干法刻蝕、濕法刻蝕、灰化工藝、第二次干法刻蝕和剝離剩余光刻膠，形成有源層和刻蝕阻擋層； 在所述刻蝕阻擋層圖形上沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成源漏極圖形具體包括: 在所述刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過采用普通掩模板對源漏金屬材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、濕法刻蝕和剝離形成源極和漏極。
5.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形包括: 在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形； 在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過構圖工藝，在所述有源層圖形上方形成所述刻蝕阻擋層圖形，在所述的刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過剝離工藝形成所述源漏極圖形。
6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形具體包括: 在所述柵極圖形上沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上沉積有源材料層，通過采用普通掩模板對有源材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、濕法刻蝕和剝離形成有源層； 在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過構圖工藝，在所述有源層圖形上方形成所述刻蝕阻擋層圖形，在所述的刻蝕阻擋層圖形上方沉積源漏金屬材料層，通過剝離工藝形成所述源漏極圖形具體包括: 在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過采用包括透光區(qū)和不透光區(qū)的掩模板對刻蝕阻擋材料層進行掩模，接著進行曝光和顯影，采用干法刻蝕形成刻蝕阻擋層，在刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過剝離工藝形成源極和漏極。
7.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述柵極圖形上形成有源層圖形、刻蝕阻擋層圖形和源漏極圖形包括: 在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形；在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過剝離工藝形成所述刻蝕阻擋層圖形； 在所述刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過構圖工藝形成所述源漏極圖形。
8.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述柵極圖形上方沉積有源材料層，通過構圖工藝，在所述柵極圖形上方形成所述有源層圖形；在所述有源層圖形上方沉積刻蝕阻擋材料層，通過剝離工藝形成所述刻蝕阻擋層圖形具體包括: 在所述柵極圖形上沉積柵絕緣層，在柵絕緣層上沉積有源材料層，通過采用包括透光區(qū)、半透光區(qū)和不透光區(qū)的掩模板對有源材料層進行掩模，然后進行曝光、顯影、濕法刻蝕和灰化工藝形成有源層，接著在有源層上沉積刻蝕阻擋材料層，通過剝離工藝形成刻蝕阻擋層； 在所述刻蝕阻擋層上沉積源漏金`屬材料層，通過構圖工藝形成所述源漏極圖形具體包括: 在所述刻蝕阻擋層上沉積源漏金屬材料層，通過采用普通掩模板對源漏金屬材料層進行掩模，接著進行曝光、顯影、濕法刻蝕和濕法剝離形成源極和漏極。
9.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述源漏極圖形上方形成過孔和第二透明導電圖形包括: 在所述源漏極圖形上方沉積鈍化材料層，通過構圖工藝，在所述源漏極圖形上方形成過孔圖形，在所述過孔圖形上方沉積第二透明導電材料層，通過剝離工藝形成第二透明導電圖形。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括上述權利要求1-9中任一所述的陣列基板的制作方法制得的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK103456687SQ201310393337
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年9月2日 優(yōu)先權日:2013年9月2日
【發(fā)明者】馮偉 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司