磁阻結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】一種磁阻結(jié)構(gòu)，包含基板及圖案化的迭層結(jié)構(gòu)?；寰哂幸槐潮砻婕鞍惶菁壊康囊磺氨砻?。圖案化的迭層結(jié)構(gòu)系位于前表面的梯級部上，并且包含磁阻層、導(dǎo)電覆層及介電硬屏蔽。梯級部具有與該背表面平行的一上表面、與該背表面平行的一下表面、連接該上表面與該下表面的不平行于該背表面的一段差。本發(fā)明的有益效果是磁阻結(jié)構(gòu)的迭層結(jié)構(gòu)中具有介電硬屏蔽層，以確保結(jié)構(gòu)的完整性與無缺陷。
【專利說明】磁阻結(jié)構(gòu)及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種磁阻結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種梯級部上的磁阻結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] -般而言，微影與蝕刻技術(shù)為形成微細(xì)圖案時的優(yōu)先選擇，微影所用的感光屏蔽 材料亦為良好的蝕刻屏蔽，能保護(hù)欲留下的圖案不受蝕刻劑的侵蝕。然而，在某些情況下由 于待蝕刻物過厚、和感光屏蔽間無良好的蝕刻選擇比、或其他因素，使得在蝕刻時產(chǎn)生意想 不到的缺陷或蝕刻后無法得到期望的圖案。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種磁阻結(jié)構(gòu)，此磁阻結(jié)構(gòu)的迭層結(jié)構(gòu)中具有介電硬屏蔽 層，以確保結(jié)構(gòu)的完整性與無缺陷。
[0004] 本發(fā)明提出一種磁阻結(jié)構(gòu)，包含：基板，具有一背表面及包含一梯級部的一前表 面；及圖案化的迭層結(jié)構(gòu)，位于該前表面的該梯級部上并包含磁阻層、導(dǎo)電覆層及介電硬屏 蔽，其中該梯級部具有與該背表面平行的一上表面、與該背表面平行的一下表面、連接該上 表面與該下表面的不平行于該背表面的一段差。
[0005] 本發(fā)明提出一種磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法，包含下列步驟：提供一基板，此基板具有一 背表面及包含一梯級部的一前表面；毯覆一迭層結(jié)構(gòu)于該基板的該前表面上，此迭層結(jié)構(gòu) 包含磁阻層、導(dǎo)電覆層及介電硬屏蔽層；圖案化該介電硬屏蔽層以形成圖案化的介電硬屏 蔽層；以該圖案化的介電硬屏蔽層作為屏蔽來圖案化該磁阻層與該導(dǎo)電覆層。
[0006] 為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點更能明顯易懂，下文將以實施例并配合所附 圖式，作詳細(xì)說明如下。需注意的是，所附圖式中的各組件僅是示意，并未按照各組件的實 際比例進(jìn)行繪示。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1與圖2A-2B顯示磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法的第一實例。
[0008] 圖1與圖3A-3C顯示磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法的第二實例。
[0009] 圖4A-4C顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的磁阻結(jié)構(gòu)的一形成方法。

【具體實施方式】
[0010] 本發(fā)明在此所探討的是一種磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法，特別是一種具有一梯級部磁阻 層的磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法。此磁阻結(jié)構(gòu)可以是磁阻感測組件、磁性內(nèi)存....等的一部分， 但此類感測組件、磁性內(nèi)存亦可以包含其他結(jié)構(gòu)如：內(nèi)建自我測試電路；設(shè)定/重設(shè)定電 路；補(bǔ)償電路；各式用以放大信號、過濾信號、轉(zhuǎn)換信號用的電路；內(nèi)聯(lián)機(jī)....等。為了能 徹底且清楚地說明本發(fā)明及不模糊本發(fā)明的焦點，便不針對此些常用的結(jié)構(gòu)多做介紹。
[0011] 下面將詳細(xì)地說明本發(fā)明的較佳實施例，舉凡本中所述的組件、組件子部、結(jié)構(gòu)、 材料、配置等皆可不依說明的順序或所屬的實施例而任意搭配成新的實施例，此些實施例 當(dāng)屬本發(fā)明的范疇。在閱讀了本發(fā)明后，熟知此項技藝者當(dāng)能在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍內(nèi)，對上述的組件、組件子部、結(jié)構(gòu)、材料、配置等作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的專 利保護(hù)范圍須視本說明書所附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)，且這些更動與潤飾當(dāng)落在本 發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。
[0012] 本發(fā)明的圖示眾多，為了避免混淆，類似的組件以相同或相似的標(biāo)號表示。圖示意 在傳達(dá)本發(fā)明的概念及精神，故圖中的所顯示的距離、大小、比例、形狀、連接關(guān)系....等 皆為示意而非實況，所有能以相同方式達(dá)到相同功能或結(jié)果的距離、大小、比例、形狀、連接 關(guān)系....等皆可視為等效物而采用的。
[0013] 請參考圖1與2A-2B，其顯示了磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法的第一實例。在圖1中提供 基板100,基板100具有背表面1001及包含一梯級部的前表面。前表面上的梯級部由下列 者所構(gòu)成：與背表面1001平行且較遠(yuǎn)離背表面的上表面1002、與背表面1001平行但較靠 近背表面的下表面1003以及連接上表面1002與下表面1003且不平行背表面1001的段差 H。換言之，上表面1002與背表面1001間的距離大于下表面1003與背表面1001間的距離， 上表面1002與下表面1003間有一高度差。雖然在所有的圖示中繪示段差Η垂直于背表面 1001，但段差Η有可能垂直于背表面1001或與背表面1001間夾一不等于直角的角度，較佳 的情況是，段差Η與上表面1002及下表面1003間的夾角皆為鈍角。
[0014] 仍參考圖1，然后在前表面上依序毯覆一磁阻層110與導(dǎo)電覆層120。磁阻層110 包含了分別對應(yīng)至梯級部的上表面1002、段差Η與下表面1003的第一水平部112、非水 平部111與第二水平部113。導(dǎo)電覆層120亦包含了分別對應(yīng)至梯級部的上表面1002、 段差Η與下表面1003的第一水平部122、非水平部121與第二水平部123。磁阻層110 包含電阻值會隨外在磁場變化而改變的材料，例如鐵磁材料（ferromagnet)、反鐵磁材料 (antiferromagnet)、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料（tunneling oxide)的一或其組 合。磁阻層110較佳地包含坡莫合金（permalloy)。導(dǎo)電覆層120包含導(dǎo)電材料，例如鉭、 鈦、鈷、釕、鎳、鋁或上述者的合金。導(dǎo)電覆層120較佳地包含鈦或鉭。
[0015] 仍參考圖1，然后在導(dǎo)電覆層120上形成一圖案化的感光屏蔽140(后續(xù)將簡稱為 感光屏蔽140)。感光屏蔽140的形成方法例如是涂布上一層感光材料，利用一具有期望圖 案的光罩對此感光材料進(jìn)行曝光、顯影等微影步驟。由于微影技術(shù)為熟知此項技藝者所熟 知，在此便不贅述。此處應(yīng)注意的是，由于導(dǎo)電覆層120可能包含具有金屬光澤且容易反光 的材料而易影響微影步驟的效能，因此在形成感光材料的前，可在導(dǎo)電覆層120上形成選 擇性的底抗反射層、頂抗反射層及/或介電抗反射層，增進(jìn)微影效能。感光材料可以是正光 阻、負(fù)光阻、各種光源（例如g-line、I-line或DUV等）用的光阻、感光樹脂等，較佳地為正 光阻。
[0016] 再來請參考圖2A，利用感光屏蔽140作為蝕刻屏蔽對下方的導(dǎo)電覆層120與磁阻 層110進(jìn)行一或多道蝕刻，以形成圖案化的迭層結(jié)構(gòu)700。迭層結(jié)構(gòu)700包含圖案化的導(dǎo) 電覆層120'與圖案化的磁阻層110'。圖案化的導(dǎo)電覆層120'包含經(jīng)蝕刻的第一水平部 122'、未經(jīng)蝕刻的非水平部121與經(jīng)蝕刻的第二水平部123'。圖案化的磁阻層110'包含經(jīng) 蝕刻的第一水平部112'、未經(jīng)蝕刻的非水平部111與經(jīng)蝕刻的第二水平部113'。此處應(yīng)注 意的是，由于被蝕刻的磁阻層與導(dǎo)電覆層具有不易揮發(fā)的蝕刻副產(chǎn)物且在蝕刻過程中容易 回濺沈積在側(cè)壁，因此可能會形成籬笆缺陷（fence defect) 301、302,而造成后續(xù)的表面不 平整及電性問題。
[0017] 最后請參考圖2B，將用過的感光屏蔽140移除，并形成護(hù)層800于迭層圖案700 上。護(hù)層800包含硬度夠且能阻擋水氣的材料，例如氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺、石英、玻璃 或上述者的任意組合。在圖1與圖2A-2B的實例中，由于待蝕刻材料在蝕刻過程中的回濺 沈積，造成籬笆缺陷，因此需要一較佳的方法來形成磁阻結(jié)構(gòu)。
[0018] 請參考圖1與3A-3C，其顯示了磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法的第二實例。由于圖1的步驟 與第一實例相同，便不再重復(fù)贅述。
[0019] 再來請參考圖3A，利用感光屏蔽140作為蝕刻屏蔽對下方的導(dǎo)電覆層120進(jìn)行蝕 亥IJ，以形成圖案化的導(dǎo)電覆層120'。此處應(yīng)說明的是，在此道蝕刻中所用的蝕刻劑主要是用 來蝕刻導(dǎo)電覆層120,因此其對導(dǎo)電覆層120的蝕刻率會遠(yuǎn)大于其對磁阻層110的蝕刻率， 然而，在蝕刻的后期或多或少還是會消耗一些磁阻層110。又，導(dǎo)電覆層120是用來作為電 流的分流（shunt)路徑，因此厚度應(yīng)盡可能地薄以降低阻值，故導(dǎo)電覆層120的厚度會遠(yuǎn)小 于磁阻層110的厚度。又，由于導(dǎo)電覆層120的厚度遠(yuǎn)小于磁阻層110的厚度，故在完成導(dǎo) 電覆層120的蝕刻后，感光屏蔽140的側(cè)壁較不易形成籬笆缺陷。
[0020] 再來請參考圖3B，以干式及/或濕式剝除制程去除感光屏蔽140而裸露出圖案化 的導(dǎo)電覆層120'。干式剝除制程可能會用到氧電漿、一氧化碳電漿等，濕式剝除制程可能會 用到氨水、硫酸、雙氧水、氫氟酸等。
[0021] 最后參考圖3C，利用圖案化的導(dǎo)電覆層120'作為蝕刻屏蔽對下方的磁阻層110進(jìn) 行蝕刻。此處應(yīng)注意，一般磁阻層110與導(dǎo)電覆層120均使用物理氣相沉積法（如蒸鍍、濺 鍍）形成于基板1〇〇之上，由于側(cè)壁階梯覆蓋率（Step coverage)小于平面階梯覆蓋率的 緣故，使得在段差Η上的非水平部導(dǎo)電覆層121厚度太薄而無法阻擋蝕刻過程中對于段差Η 周圍的較猛烈蝕刻作用，因此，段差Η上的導(dǎo)電覆層121與磁阻層111被完全移除，上轉(zhuǎn)角 部分的導(dǎo)電覆層122'與磁阻層112以及下轉(zhuǎn)角部分的導(dǎo)電覆層123'與磁阻層113亦會受 到移除，導(dǎo)致原本借由非水平部連接在一起的第一水平部、第二水平部完全斷開分離。導(dǎo)電 覆層120剩下經(jīng)蝕刻的第一水平部122〃與經(jīng)蝕刻的第二水平部123"，磁阻層110剩下經(jīng)蝕 刻的第一水平部112〃與經(jīng)蝕刻的第二水平部113"。即便最后形成護(hù)層800,得到的也不是 當(dāng)初規(guī)劃的圖案，為了避免圖3C的情況發(fā)生，可以增加導(dǎo)電覆層120厚度使得段差Η上的 磁阻層111獲得足夠的保護(hù)，但此舉會增加電流的分流效應(yīng)而使得磁阻結(jié)構(gòu)效能降低，因 此需要一較佳的方法來形成磁阻結(jié)構(gòu)。
[0022] 請參考圖4A-4C，其顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的磁阻結(jié)構(gòu)的一形成方法。圖4Α系 類似于圖1，差異在于，感光屏蔽140下方除了毯覆的磁阻層110、導(dǎo)電覆層120外，尚有介 電硬屏蔽層130。介電硬屏蔽層130包含了分別對應(yīng)至梯級部的上表面1002、段差Η與下 表面1003的第一水平部132、非水平部131與第二水平部133。介電硬屏蔽層130包含氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶碳或上述者的任意組合，其材料與厚度的選擇俾使介 電硬屏蔽層130與下方的導(dǎo)電覆層120的問有高蝕刻選擇比且能抵擋導(dǎo)電覆層120與磁阻 層110的蝕刻。一般而言介電硬屏蔽層多使用化學(xué)氣相沉積法形成，相較于物理氣相沉積 法具有較佳的階梯覆蓋率，因此較適合作為段差Η側(cè)壁上的硬屏蔽材料。由于介電硬屏蔽 層130的出現(xiàn)，導(dǎo)電覆層120不再當(dāng)蝕刻屏蔽使用，因此厚度可以大幅降低，有助于減少電 流的分流效應(yīng)。另一方面，導(dǎo)電覆層120在此亦可作為磁阻層110的保護(hù)層，避免在沉積或 蝕刻介電硬屏蔽層130的過程中化學(xué)物質(zhì)對磁阻層110的傷害。
[0023] 再來請參考圖4B，利用感光屏蔽140作為蝕刻屏蔽對下方的介電硬屏蔽層130進(jìn) 行蝕刻，以形成圖案化的介電硬屏蔽層130'。圖案化的介電硬屏蔽層130'包含經(jīng)蝕刻的第 一水平部132'、非水平部131與經(jīng)蝕刻的第二水平部133'。較佳地使用干蝕刻來蝕刻介電 硬屏蔽層130,蝕刻劑包含含氟氣體如CF4、氧氣02、SF6、NH3或上述者的任何組合。此處應(yīng) 說明的是，在此道蝕刻中所用的蝕刻劑主要是用來蝕刻介電硬屏蔽層130,因此其對介電硬 屏蔽層130的蝕刻率會遠(yuǎn)大于其對導(dǎo)電覆層120的蝕刻率，然而，在蝕刻的后期或多或少還 是會消耗一些導(dǎo)電覆層120。
[0024] 仍參考圖4B，以干式及/或濕式剝除制程去除感光屏蔽140而裸露出圖案化的介 電硬屏蔽層130'。干式剝除制程可能會用到氧電漿、一氧化碳電漿等，濕式剝除制程可能會 用到氨水、硫酸、雙氧水、氫氟酸等。
[0025] 最后參考圖4C，利用圖案化的介電硬屏蔽層130'作為蝕刻屏蔽對下方的導(dǎo)電覆 層120與磁阻層110進(jìn)行蝕刻，以形成圖案化的迭層圖案700'，然后形成護(hù)層800。迭層 圖案700'包含圖案化的介電硬屏蔽層130"、圖案化的導(dǎo)電覆層120'與圖案化的磁阻層 110'。介電硬屏蔽層130〃包含經(jīng)蝕刻的第一水平部132"、經(jīng)蝕刻的非水平部13Γ與經(jīng)蝕刻 的第二水平部133"。圖案化的導(dǎo)電覆層120'包含經(jīng)蝕刻的第一水平部122'、非水平部121 與經(jīng)蝕刻的第二水平部123'。圖案化的磁阻層110'包含經(jīng)蝕刻的第一水平部112'、非水 平部111與經(jīng)蝕刻的第二水平部113'。相較于圖3C只使用導(dǎo)電覆層120'作為蝕刻屏蔽， 圖4C當(dāng)中的圖案化介電硬屏蔽層130'解決了段差Η上的導(dǎo)電覆層121與磁阻層111被完 全移除的問題。應(yīng)注意，由于導(dǎo)電覆層120與磁阻層110可具有不同的材料，因此可能需要 用兩道不同的蝕刻處理來分別蝕刻這兩層。若利用第一蝕刻處理來圖案化導(dǎo)電覆層120而 利用第二蝕刻處理來圖案化磁阻層110,則第一蝕刻處理可以是反應(yīng)性離子蝕刻（Reactive ion etching)而第二蝕刻處理可以是離子束蝕刻（Ion beam etching),或者，第一蝕刻處 理與第二蝕刻處理皆為反應(yīng)性離子蝕刻或離子束蝕刻。當(dāng)?shù)谝晃g刻處理與第二蝕刻處理皆 為反應(yīng)性離子蝕刻或離子束蝕刻時，該第一蝕刻處理與該第二蝕刻處理系原位（in-situ) 進(jìn)行。這里所謂的「原位（in-situ)進(jìn)行」系指在相同的處理室中進(jìn)行第一蝕刻處理與第二 蝕刻處理，或者，在相同的叢集設(shè)備（cluster tool)的不同處理室中以不破真空的方式來 進(jìn)行第一蝕刻處理與第二蝕刻處理。一般而言，導(dǎo)電覆層120較佳地以包含鹵素原子的蝕 刻劑進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻，例如使用CF4與Ar的混合氣體，或以Ar離子進(jìn)行離子束蝕刻。 磁阻層110可以C0與NH3的混合氣體進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻，或以Ar離子進(jìn)行離子束蝕刻。 無論是以相同的蝕刻處理或不同的蝕刻處理、反應(yīng)性離子蝕刻或離子束蝕刻來蝕刻導(dǎo)電覆 層120與磁阻層，應(yīng)考慮是否能達(dá)到期望的側(cè)壁輪廓、表面質(zhì)地。
[0026] 又，雖然在圖標(biāo)中皆顯示了第一水平部、非水平部與第二水平部，但可視布局與組 件功能的需要，設(shè)計圖案化感光屏蔽140的遮覆區(qū)域，以選擇性地省略第二水平部及/或第 一水平部。在本發(fā)明的實施例中借由介電硬屏蔽層130來協(xié)助導(dǎo)電覆層120與磁阻層110 的圖案化，以達(dá)到符合預(yù)期的迭層結(jié)構(gòu)，然而，雖然在本發(fā)明的實施例中將圖案化的介電硬 屏蔽層130"留在最終結(jié)構(gòu)中，但亦可在護(hù)層800形成前移除介電硬屏蔽層130"。又，雖然 在本發(fā)明的實施例中迭層結(jié)構(gòu)只包含磁阻層、導(dǎo)電覆層與介電硬屏蔽層，但應(yīng)了解，為了因 應(yīng)不同的組件功能或制程考慮，可在此三層之間、之下或之上加入其他膜層。
[0027] 上述實施例僅是為了方便說明而舉例，雖遭所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員任意進(jìn)行修 改，均不會脫離如權(quán)利要求書中所欲保護(hù)的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含： 一基板，具有一背表面及包含一梯級部的一前表面；及 一圖案化的迭層結(jié)構(gòu)，位于該前表面的該梯級部上并包含磁阻層、導(dǎo)電覆層及介電硬 屏蔽， 其中該梯級部具有與該背表面平行的一上表面、與該背表面平行的一下表面、連接該 上表面與該下表面的不平行于該背表面的一段差。
2. 如權(quán)利要求1的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化的迭層結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)至該上表面 與該段差的第一水平部與非水平部，該第一水平部與該非水平部彼此相連。
3. 如權(quán)利要求2的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化的迭層結(jié)構(gòu)的該第一水平部位于 該上表面上而該非水平部位于該段差的側(cè)壁上。
4. 如權(quán)利要求2的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化的迭層結(jié)構(gòu)更具有對應(yīng)至該下表 面的第二水平部，該非水平部與該第二水平部彼此相連。
5. 如權(quán)利要求1的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該磁阻層的電阻值會隨外在磁場變化而改 變，其包含鐵磁材料（ferromagnet)、反鐵磁材料（antiferromagnet)、非鐵磁性金屬材料、 穿隧氧化物材料（tunneling oxide)的一或其組合。
6. 如權(quán)利要求5的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該磁阻層包含坡莫合金。
7. 如權(quán)利要求1的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電覆層包含鉭、鈦、鈷、釕、鎳、鋁或上 述者的合金。
8. 如權(quán)利要求1的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該介電硬屏蔽包含氧化硅、氮化硅、氮氧化 娃、碳化娃、非晶碳或上述者的任意組合。
9. 如權(quán)利要求1的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含： 一護(hù)層，完全覆蓋整個該迭層結(jié)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求9的磁阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，該護(hù)層包含氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺、石 英、玻璃或上述者的任意組合。
11. 一種磁阻結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包含下列步驟： 提供一基板，此基板具有一背表面及包含一梯級部的一前表面； 毯覆一迭層結(jié)構(gòu)于該基板的該前表面上，此迭層結(jié)構(gòu)包含磁阻層、導(dǎo)電覆層及介電硬 屏蔽層； 圖案化該介電硬屏蔽層以形成圖案化的介電硬屏蔽層； 以該圖案化的介電硬屏蔽層作為屏蔽來圖案化該磁阻層與該導(dǎo)電覆層。
12. 如權(quán)利要求11的形成方法，其特征在于，還包含： 形成一圖案化的感光屏蔽于該迭層結(jié)構(gòu)上；及 以該圖案化的感光屏蔽作為屏蔽來圖案化該介電硬屏蔽層。
13. 如權(quán)利要求12的形成方法，其特征在于，還包含： 在形成該圖案化的介電硬屏蔽層后，去除該圖案化的感光屏蔽。
14. 如權(quán)利要求11的形成方法，其特征在于，還包含： 形成一護(hù)層覆蓋該圖案化的介電硬屏蔽、該圖案化的磁阻層與該圖案化的導(dǎo)電覆層。
15. 如權(quán)利要求11的形成方法，其特征在于，還包含： 利用第一蝕刻處理來圖案化該導(dǎo)電覆層；及 利用第二蝕刻處理來圖案化該磁阻層。
16. 如權(quán)利要求15的形成方法，其特征在于，該第一蝕刻處理為反應(yīng)性離子蝕刻而該 第二蝕刻處理為離子束蝕刻。
17. 如權(quán)利要求15的形成方法，其特征在于，該第一蝕刻處理與該第二蝕刻處理皆為 反應(yīng)性離子蝕刻。
18. 如權(quán)利要求15的形成方法，其特征在于，該第一蝕刻處理與該第二蝕刻處理皆為 離子束蝕刻。
19. 如權(quán)利要求15的形成方法，其特征在于，該第一蝕刻處理與該第二蝕刻處理原位 (in-situ)進(jìn)行。
20. 如權(quán)利要求15的形成方法，其特征在于，該第一蝕刻處理使用含鹵素原子的蝕刻 劑。
【文檔編號】H01L43/02GK104143604SQ201310291378
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月10日
【發(fā)明者】劉富臺, 李干銘, 傅乃中 申請人:宇能電科技股份有限公司