專(zhuān)利名稱(chēng)：磁阻存儲(chǔ)器的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種磁阻存儲(chǔ)器的形成方法。
背景技術(shù)：
(MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory)
揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM，Non-volatile Memory)，磁阻存儲(chǔ)器具有高集成密度、高響應(yīng)速度以及可多次擦寫(xiě)(write endurance)等特點(diǎn)，由于閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)的特征尺寸并不能無(wú)限制減小，因此隨著工藝水平的提高，磁阻存儲(chǔ)器可能成為存儲(chǔ)器領(lǐng)域的主流產(chǎn)品。磁阻存儲(chǔ)器中的核心部件是磁隧道結(jié)(MTJ，Magnetic Tunnel Junction)，該部件是一個(gè)三層的疊層結(jié)構(gòu)，中間為絕緣層，上下兩層為磁性材料層，其中，下層的磁性材料層的磁矩方向一般是固定的，上層的磁性材料層的磁矩方向是可變的，受電信號(hào)的控制，當(dāng)上下兩層磁性材料層的磁矩方向一致時(shí)，表現(xiàn)為低阻態(tài)，當(dāng)上下兩層磁性材料層的磁矩方向相反時(shí)，表現(xiàn)為高阻態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài)。圖1至圖4示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種MRAM的形成方法。參考圖1，提供基底100，所述基底100上依次形成有底電極101、磁隧道結(jié)層102 和硬掩膜層103。其中，所述磁隧道結(jié)層102為三層的疊層結(jié)構(gòu)，所述硬掩膜層103的材料為氧化硅或氮化硅。參考圖2，在所述硬掩膜層103上形成光刻膠層并圖形化，形成光刻膠圖形104，所述光刻膠圖形104定義出磁隧道結(jié)的圖形。另外，在形成光刻膠層時(shí)，還可以預(yù)先在所述硬掩膜層103上形成抗反射層。參考圖3，以所述光刻膠圖形104為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層103，形成硬掩膜層圖形 103a。參考圖4，去除所述光刻膠層，以所述硬掩膜圖形103a為掩膜刻蝕所述磁隧道結(jié)層，形成磁隧道結(jié)10加。圖5示出了所述磁隧道結(jié)10 的俯視示意圖，為了便于控制所述磁隧道結(jié)10 中上層和下層的磁性材料層的磁矩方向，現(xiàn)有的磁隧道結(jié)10 的圖形為橢圓形，其中上層和下層的磁性材料層的磁矩方向可以相同，即低阻態(tài)，例如都沿橢圓的長(zhǎng)軸bb’方向；上層和下層的磁性材料層的磁矩方向也可以相反，即高阻態(tài)，例如下層的磁性材料層的磁矩方向沿所述橢圓的長(zhǎng)軸bb’方向，而上層的磁性材料層的磁矩方向沿所述橢圓的長(zhǎng)軸ΙΛ’的反方向。磁隧道結(jié)10 的形貌不好會(huì)使得磁性材料層的磁矩方向產(chǎn)生偏差，由此影響整個(gè)磁阻存儲(chǔ)器的性能。但是實(shí)際上，隨著器件特征尺寸(CD，critical dimension)的不斷減小，特別是進(jìn)入65nm工藝節(jié)點(diǎn)之后，使用光刻膠圖形刻蝕的過(guò)程中存在多種問(wèn)題，如圖6所示，使用光刻膠圖形刻蝕形成的硬掩膜圖形103a’并非圖3中所示的柱體的形狀，其側(cè)壁傾斜呈圓臺(tái)狀 (taper)。使用該硬掩膜圖形103a’去刻蝕所述磁隧道結(jié)層102，會(huì)導(dǎo)致形成的磁隧道結(jié)的形貌變差，影響磁阻存儲(chǔ)器的性能。
專(zhuān)利號(hào)為57四410的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了一種磁阻存儲(chǔ)器，但同樣沒(méi)有解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，改善磁隧道結(jié)的形貌，提高器件性能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，包括提供基底，所述基底上依次形成有底電極和磁隧道結(jié)層；形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述磁隧道結(jié)層；在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口，所述開(kāi)口定義出磁隧道結(jié)的圖形，所述開(kāi)口底部暴露出所述磁隧道結(jié)層；在所述開(kāi)口中形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平，所述第二介質(zhì)層的材料不同于所述第一介質(zhì)層；刻蝕去除所述第一介質(zhì)層；以所述第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)所述磁隧道結(jié)層進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié)?？蛇x的，所述磁阻存儲(chǔ)器的形成方法還包括，去除所述第二介質(zhì)層；形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述底電極和磁隧道結(jié)；在所述第三介質(zhì)層中形成開(kāi)口，在所述開(kāi)口中形成頂電極，所述頂電極與所述磁隧道結(jié)電連接?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的厚度為300A至1500入?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料選自氮化硅和氧化硅中的一種，所述第二介質(zhì)層的材料選自氮化硅和氧化硅中的另一種?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料選自黑鉆石和摻氮碳化硅中的一種，所述第二介質(zhì)層的材料選自黑鉆石和摻氮碳化硅中的另一種?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料為氮化硅，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅，所述刻蝕去除所述第一介質(zhì)層包括使用磷酸選擇性刻蝕去除所述第一介質(zhì)層?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅，所述第二介質(zhì)層的材料為氮化硅，所述刻蝕去除所述第一介質(zhì)層包括使用氫氟酸選擇性刻蝕去除所述第一介質(zhì)層。可選的，所述在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口包括在所述第一介質(zhì)層上形成光刻膠層并圖形化；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜進(jìn)行刻蝕，形成所述開(kāi)口 ；去除所述光刻膠層。可選的，所述在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口還包括在所述第一介質(zhì)層的表面和所述開(kāi)口的側(cè)壁和底部形成第四介質(zhì)層；對(duì)所述第四介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻?？蛇x的，所述在所述開(kāi)口中形成第二介質(zhì)層包括形成介質(zhì)材料層，所述介質(zhì)材料層覆蓋所述第一介質(zhì)層并填滿(mǎn)所述開(kāi)口 ；對(duì)所述介質(zhì)材料層進(jìn)行平坦化，形成所述第二介質(zhì)層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案有如下優(yōu)點(diǎn)本技術(shù)方案首先在第一介質(zhì)層上形成開(kāi)口，之后使用填充在所述開(kāi)口中的第二介質(zhì)層作為掩膜進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié)，由于所述第二介質(zhì)層并非是刻蝕形成的，而是填充形成的，因此其形貌較好，從而改善了磁隧道結(jié)的形貌，提高了器件性能。進(jìn)一步的，本技術(shù)方案在所述開(kāi)口中形成側(cè)墻，之后再填充形成所述第二介質(zhì)層， 從而減小了所述第二介質(zhì)層的特征尺寸并相應(yīng)的減小了磁隧道結(jié)的特征尺寸。


圖1至圖4是現(xiàn)有技術(shù)的一種磁阻存儲(chǔ)器的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4中所示的磁隧道結(jié)的俯視示意圖；圖6是現(xiàn)有技術(shù)的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法的流程示意圖；圖8至圖17是本發(fā)明第一實(shí)施例的磁阻存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖18至圖19是本發(fā)明第二實(shí)施例的磁阻存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施方式
的限制?，F(xiàn)有技術(shù)通過(guò)光刻膠圖形來(lái)刻蝕形成硬掩膜圖形，當(dāng)器件的特征尺寸較小時(shí)，會(huì)導(dǎo)致硬掩膜圖形的側(cè)壁傾斜，影響刻蝕形成的磁隧道結(jié)的形貌，進(jìn)而影響器件性能。本發(fā)明的技術(shù)方案首先在磁隧道結(jié)層上形成第一介質(zhì)層并在第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口，之后在開(kāi)口中填充形成第二介質(zhì)層作為硬掩膜圖形對(duì)所述磁隧道結(jié)層進(jìn)行刻蝕，由于通過(guò)刻蝕可以形成形貌很好的開(kāi)口，因而所述第二介質(zhì)層的形貌也很好，使得刻蝕形成的磁隧道結(jié)也相應(yīng)的具有較好的形貌。進(jìn)一步的，本技術(shù)方案中還在所述第一介質(zhì)層的開(kāi)口中形成側(cè)墻，從而減小了所述第二介質(zhì)層的特征尺寸并相應(yīng)的減小了刻蝕形成的磁隧道結(jié)的特征尺寸。圖7示出了本發(fā)明實(shí)施方式的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法的流程示意圖，如圖7所示，包括執(zhí)行步驟S21，提供基底，所述基底上依次形成有底電極和磁隧道結(jié)層；執(zhí)行步驟 S22，形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述磁隧道結(jié)層；執(zhí)行步驟S23，在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口，所述開(kāi)口定義出磁隧道結(jié)的圖形；執(zhí)行步驟S24，在所述開(kāi)口中形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平，所述第二介質(zhì)層的材料不同于所述第一介質(zhì)層；執(zhí)行步驟S25，刻蝕去除所述第一介質(zhì)層；執(zhí)行步驟S26，以所述第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)所述磁隧道結(jié)層進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié)。下面結(jié)合圖7以及圖8至17對(duì)第一實(shí)施例的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。參考圖7和圖8，執(zhí)行步驟S21，提供基底，所述基底上依次形成有底電極和磁隧道結(jié)層。具體的，提供基底200，所述基底200上依次形成有底電極201和磁隧道結(jié)層202。所述基底200的材質(zhì)可以是單晶硅、多晶硅、非晶硅中的一種，所述基底200的材質(zhì)也可以是硅鍺化合物，所述基底200還可以是絕緣體上硅(SOI，Silicon On Insulator)結(jié)構(gòu)或硅上外延層結(jié)構(gòu)。在所述基底200中形成有半導(dǎo)體器件以及互連結(jié)構(gòu)(圖中未示出)。所述底電極201可以為多晶硅、銅、鋁等材料。所述磁隧道結(jié)層202為三層的疊層結(jié)構(gòu)，包括上層和下層的磁性材料層以及位于它們中間的絕緣材料層。參考圖7和圖9，執(zhí)行步驟S22，形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述磁隧道結(jié)層。具體的，在所述磁隧道結(jié)層202上形成第一介質(zhì)層203。所述第一介質(zhì)層203的材料可以為氮化硅、氧化硅、黑鉆石(BD，Black Diamond)或摻氮碳化硅(NDC)，所述第一介質(zhì)層 203的厚度為300A至1500A。參考圖7、圖10和圖11，執(zhí)行步驟S23，在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口，所述開(kāi)口定義出磁隧道結(jié)的圖形，所述開(kāi)口底部暴露出所述磁隧道結(jié)層。具體的，參考圖10，在所述第一介質(zhì)層203上形成光刻膠層204并圖形化。參考圖11，以所述圖形化后的光刻膠層204 為掩膜進(jìn)行刻蝕，在所述第一介質(zhì)層203上形成開(kāi)口，暴露出所述磁隧道結(jié)層202，所述開(kāi)口的圖形即為預(yù)計(jì)形成的磁隧道結(jié)的圖形。參考圖7、圖12和圖13，執(zhí)行步驟S24，在所述開(kāi)口中形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平，所述第二介質(zhì)層的材料不同于所述第一介質(zhì)層。具體的，參考圖12，去除所述第一介質(zhì)層203上的光刻膠層，形成介質(zhì)材料層205，所述介質(zhì)材料層205覆蓋所述第一介質(zhì)層203并填滿(mǎn)所述第一介質(zhì)層203中的開(kāi)口，所述介質(zhì)材料層205的材料不同于所述第一介質(zhì)層203的材料，若所述第一介質(zhì)層203的材料為氮化硅和氧化硅中的一種，如氮化硅，則所述介質(zhì)材料層205的材料為氮化硅和氧化硅中的另一種，如氧化硅；若所述第一介質(zhì)層203的材料為黑鉆石和摻氮碳化硅中的一種，如黑鉆石，則所述介質(zhì)材料層205的材料為黑鉆石和摻氮碳化硅中的另一種，如摻氮碳化硅。參考圖13，對(duì)所述介質(zhì)材料層進(jìn)行平坦化，形成第二介質(zhì)層205a，所述第二介質(zhì)層20 的表面與所述第一介質(zhì)層203的表面齊平。參考圖7和圖14，執(zhí)行步驟S25，刻蝕去除所述第一介質(zhì)層。具體的，本實(shí)施例中采用選擇性濕法刻蝕去除所述第一介質(zhì)層，使得所述磁隧道結(jié)層202表面僅保留所述第二介質(zhì)層20fe。在一具體實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)層的材料為氮化硅，所述第二介質(zhì)層20 的材料為氧化硅，使用磷酸溶液進(jìn)行選擇性刻蝕，將第一介質(zhì)層去除，同時(shí)保留所述第二介質(zhì)層20fe。在另一具體實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅，所述第二介質(zhì)層20 的材料為氮化硅，使用氫氟酸溶液進(jìn)行選擇性刻蝕去除所述第一介質(zhì)層，同時(shí)保留所述第二介質(zhì)層20fe。在刻蝕之后，還包括對(duì)所述基底200進(jìn)行清洗，去除殘留的刻蝕溶液。參考圖7和圖15，執(zhí)行步驟S26，以所述第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)所述磁隧道結(jié)層進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié)。具體的，以所述第二介質(zhì)層20 為掩膜進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié) 202a。需要說(shuō)明的是，本技術(shù)方案形成硬掩膜的過(guò)程不同于現(xiàn)有技術(shù)的方法，圖11中刻蝕形成的第一介質(zhì)層203中的開(kāi)口具有很好的形貌，從而使得圖14中形成的第二介質(zhì)層 205a的形貌很好，其側(cè)壁基本垂直于所述磁隧道結(jié)層202，進(jìn)而以所述第二介質(zhì)層20 為掩膜刻蝕形成的磁隧道結(jié)20 也具有較好的形貌。參考圖16，去除所述磁隧道結(jié)20 上方的第二介質(zhì)層，并形成第三介質(zhì)層206，所述第三介質(zhì)層206覆蓋所述底電極201和磁隧道結(jié)20 的表面。參考圖17，在所述第三介質(zhì)層206中形成開(kāi)口，之后在所述開(kāi)口中填充形成頂電極207，所述頂電極207與所述磁隧道結(jié)20 電連接。所述頂電極207的形成方法可以采用現(xiàn)有技術(shù)中常用的雙鑲嵌銅互連工藝，這里不再贅述。另外，圖7中的步驟S23中，在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口時(shí)，還可以在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻，以減小所述開(kāi)口的特征尺寸。作為第二實(shí)施例，圖18和圖19示出了磁阻存儲(chǔ)器的形成方法中側(cè)壁形成過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖18，基底300上依次形成有底電極301、磁隧道結(jié)層302和第一介質(zhì)層303， 所述第一介質(zhì)層303中形成有開(kāi)口，在所述第一介質(zhì)層303的表面上和所述開(kāi)口的側(cè)壁和底部形成第四介質(zhì)層304，優(yōu)選的，所述第四介質(zhì)層304的材料與所述第一介質(zhì)層303的材料相同。參考圖19，對(duì)所述第四介質(zhì)層304進(jìn)行刻蝕，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻3(Ma。 由于所述側(cè)墻30 的存在，使得所述開(kāi)口的特征尺寸變小，另外，通過(guò)控制圖18中所示的第四介質(zhì)層304的厚度，可以控制所述側(cè)墻30 的厚度，進(jìn)而可以調(diào)整所述開(kāi)口的特征尺寸。與第一實(shí)施例類(lèi)似的，之后，在所述側(cè)壁30 之間的開(kāi)口中填充形成第二介質(zhì)層，接著將所述第一介質(zhì)層303和側(cè)墻30 刻蝕去除，優(yōu)選的，所述側(cè)墻30 的材料與第一介質(zhì)層303相同，因此可以在一次刻蝕中同時(shí)去除，最后，以保留下的第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)所述磁隧道結(jié)層302進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié)。綜上，本技術(shù)方案在磁隧道結(jié)層上的第一介質(zhì)層中的開(kāi)口內(nèi)填充形成硬掩膜圖形，使得所述硬掩膜圖形具有較好的形貌，從而改善了形成的磁隧道結(jié)的形貌。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底上依次形成有底電極和磁隧道結(jié)層；形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述磁隧道結(jié)層；在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口，所述開(kāi)口定義出磁隧道結(jié)的圖形，所述開(kāi)口底部暴露出所述磁隧道結(jié)層；在所述開(kāi)口中形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平，所述第二介質(zhì)層的材料不同于所述第一介質(zhì)層；刻蝕去除所述第一介質(zhì)層；以所述第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)所述磁隧道結(jié)層進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，還包括，去除所述第二介質(zhì)層；形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述底電極和磁隧道結(jié)；在所述第三介質(zhì)層中形成開(kāi)口，在所述開(kāi)口中形成頂電極，所述頂電極與所述磁隧道結(jié)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度為300A 至1500A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料選自氮化硅和氧化硅中的一種，所述第二介質(zhì)層的材料選自氮化硅和氧化硅中的另一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料選自黑鉆石和摻氮碳化硅中的一種，所述第二介質(zhì)層的材料選自黑鉆石和摻氮碳化硅中的另一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為氮化硅，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅，所述刻蝕去除所述第一介質(zhì)層包括使用磷酸選擇性刻蝕去除所述第一介質(zhì)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅，所述第二介質(zhì)層的材料為氮化硅，所述刻蝕去除所述第一介質(zhì)層包括使用氫氟酸選擇性刻蝕去除所述第一介質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口包括在所述第一介質(zhì)層上形成光刻膠層并圖形化；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜進(jìn)行刻蝕，形成所述開(kāi)口；去除所述光刻膠層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口還包括在所述第一介質(zhì)層的表面和所述開(kāi)口的側(cè)壁和底部形成第四介質(zhì)層；對(duì)所述第四介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述在所述開(kāi)口中形成第二介質(zhì)層包括形成介質(zhì)材料層，所述介質(zhì)材料層覆蓋所述第一介質(zhì)層并填滿(mǎn)所述開(kāi)口 ；對(duì)所述介質(zhì)材料層進(jìn)行平坦化，形成所述第二介質(zhì)層。
全文摘要
一種磁阻存儲(chǔ)器的形成方法，包括提供基底，所述基底上依次形成有底電極和磁隧道結(jié)層；形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層覆蓋所述磁隧道結(jié)層；在所述第一介質(zhì)層中形成開(kāi)口，所述開(kāi)口定義出磁隧道結(jié)的圖形；在所述開(kāi)口中形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平，所述第二介質(zhì)層的材料不同于所述第一介質(zhì)層；刻蝕去除所述第一介質(zhì)層；以所述第二介質(zhì)層為掩膜對(duì)所述磁隧道結(jié)層進(jìn)行刻蝕，形成磁隧道結(jié)。本發(fā)明改善了磁隧道結(jié)的形貌，提高了器件性能。
文檔編號(hào)H01L43/12GK102347439SQ20101024530
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2010年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者倪景華, 李鳳蓮 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司