半導(dǎo)體設(shè)備、制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法和照相的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備、制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法和照相機(jī)。該半導(dǎo)體設(shè)備包括具有芯片安裝區(qū)域和包圍芯片安裝區(qū)域的周邊區(qū)域的第一構(gòu)件、安裝在芯片安裝區(qū)域中的半導(dǎo)體芯片、以及固定到第一構(gòu)件以覆蓋半導(dǎo)體芯片的第二構(gòu)件，所述制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法包括：使用粘合劑將處于半導(dǎo)體芯片被安裝在芯片安裝區(qū)域中的狀態(tài)下的第一構(gòu)件的周邊區(qū)域粘合到第二構(gòu)件；以及在粘合劑開始固化后，在第一構(gòu)件和第二構(gòu)件之間產(chǎn)生應(yīng)力，以在第一構(gòu)件和粘合劑之間的部分以及第二構(gòu)件和粘合劑之間的部分中的至少一個部分中局部形成間隙。
【專利說明】半導(dǎo)體設(shè)備、制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法和照相機(jī)【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備、制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法和照相機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]在數(shù)字照相機(jī)或蜂窩電話機(jī)中使用的諸如電荷耦合器件(CCD)或互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)傳感器之類的固態(tài)圖像傳感器可以具有如下結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，固態(tài)圖像感測芯片被安裝在具有腔的封裝中，導(dǎo)線通過諸如導(dǎo)線接合之類的布線連接而連接到芯片，通過使用粘合劑固定透光蓋構(gòu)件來氣密地密封具有布線連接的芯片。
[0003]在固態(tài)圖像傳感器中，可能出現(xiàn)如下現(xiàn)象:根據(jù)使用環(huán)境或逝去的時間，水分通過粘合劑部分逐漸進(jìn)入封裝的內(nèi)部從而增加內(nèi)部的蒸汽量。因此，當(dāng)固態(tài)圖像傳感器在具有大的溫差的環(huán)境之間相互移動時，冷凝出現(xiàn)在透光蓋構(gòu)件內(nèi)部或圖像感測芯片上，所以不能獲得期望的圖像。
[0004]日本專利公開N0.2002-124589公開了一種在封裝體和玻璃板之間的粘合劑部分中局部提供不被粘合劑涂覆的部分以將此部分用作通風(fēng)部分來允許封裝的內(nèi)部和外部之間的空氣流通的方法。
[0005]如果用來粘合封裝體和玻璃板的粘合劑的厚度太小，則抗應(yīng)力性降低，并且當(dāng)環(huán)境溫度變化時粘合劑變得容易剝落；或如果該厚度太大，則抗水性降低。由于這個原因，粘合劑的厚度通常被調(diào)整為大約5到30ii m。因此，在日本專利公開N0.2002-124589中，當(dāng)不被粘合劑涂覆的部分被局部提供在封裝體和玻璃板之間的粘合劑部分中時，封裝體和玻璃板之間的間隙的尺寸變成5到 30 u m，所以尺寸等于或小于5到30 m的粒子可以進(jìn)入封裝的內(nèi)部空間。由于最近的固態(tài)圖像傳感器中的像素尺寸約為I到5 ym，因此尺寸大于像素尺寸的粒子可以粘合到像素上。
[0006]粒子進(jìn)入封裝的內(nèi)部空間在諸如LED之類的半導(dǎo)體設(shè)備中也可能是有問題的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供了一種在抑制粒子進(jìn)入其中布置半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部空間同時允許內(nèi)部和外部空間之間的通風(fēng)方面有利的技術(shù)。
[0008]本發(fā)明的第一方面提供一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，該半導(dǎo)體設(shè)備包括具有芯片安裝區(qū)域和包圍芯片安裝區(qū)域的周邊區(qū)域的第一構(gòu)件、安裝在芯片安裝區(qū)域中的半導(dǎo)體芯片、以及固定到第一構(gòu)件以覆蓋半導(dǎo)體芯片的第二構(gòu)件，該方法包括:使用粘合劑將處于半導(dǎo)體芯片被安裝在芯片安裝區(qū)域中的狀態(tài)下的第一構(gòu)件的周邊區(qū)域粘合到第二構(gòu)件的粘合步驟；以及在粘合步驟中粘合劑開始固化后，在第一構(gòu)件和第二構(gòu)件之間產(chǎn)生應(yīng)力，以在第一構(gòu)件和粘合劑之間的部分以及第二構(gòu)件和粘合劑之間的部分中的至少一個部分中局部形成間隙，從而允許周邊區(qū)域的內(nèi)部空間與周邊區(qū)域的外部空間相通的應(yīng)力施加步驟。
[0009]本發(fā)明的第二方面提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括具有芯片安裝區(qū)域和包圍芯片安裝區(qū)域的周邊區(qū)域的第一構(gòu)件、安裝在芯片安裝區(qū)域中的半導(dǎo)體芯片、和覆蓋半導(dǎo)體芯片的第二構(gòu)件，該半導(dǎo)體設(shè)備包括:在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間以框架形狀布置以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊從而使第一構(gòu)件和第二構(gòu)件彼此接合的粘合劑，其中在第一構(gòu)件和以框架形狀布置的粘合劑之間的部分以及第二構(gòu)件和以框架形狀布置的粘合劑之間的部分中的至少一個部分中局部形成間隙，以允許周邊區(qū)域的內(nèi)部空間與周邊區(qū)域的外部空間相通。
[0010]本發(fā)明的第三方面提供一種照相機(jī)，包括:根據(jù)本發(fā)明的第一方面定義的半導(dǎo)體設(shè)備；以及處理從半導(dǎo)體設(shè)備輸出的信號的處理單元。
[0011]本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將通過下面參考附圖對示范性實施例的描述而變得清晰。【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1A到IE是示出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0013]圖2A到2D是示出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0014]圖3A到3D是示出根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0015]圖4A到4D是示出根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0016]圖5A到是示出根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0017]圖6A到6D是示出根據(jù)第四實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0018]圖7A到7D是示出根據(jù)第五實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0019]圖8A到8D是示出根據(jù)第六實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；
[0020]圖9A到9B是示出根據(jù)第七實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖；以及
[0021]圖1OA到IOD是示出根據(jù)第七實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法的視圖。
【具體實施方式】
[0022]下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。
[0023][第一實施例]
[0024]將參考圖1A到IE描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法。將在此處示范固態(tài)圖像傳感器IS及其制造方法。將首先描述固態(tài)圖像傳感器IS的配置。固態(tài)圖像傳感器IS包括具有芯片安裝區(qū)域101和包圍它的周邊區(qū)域102的第一構(gòu)件1、被安裝在芯片安裝區(qū)域101中的固態(tài)圖像感測芯片(半導(dǎo)體芯片)2和固定到第一構(gòu)件I以覆蓋固態(tài)圖像感測芯片2的第二構(gòu)件5。第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5使用粘合劑4彼此粘合。間隙7局部形成在第一構(gòu)件I和粘合劑4之間的部分以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間的部分中的至少一個部分中，以允許周邊區(qū)域102內(nèi)的空間(在下文中被稱作內(nèi)部空間)6與周邊區(qū)域102外的空間(在下文中被稱作外部空間)相通。固態(tài)圖像感測芯片2被布置在內(nèi)部空間6中。內(nèi)部空間6例如是與周邊區(qū)域102在包含第一構(gòu)件I的芯片安裝區(qū)域101的表面的平面上的正交投影的內(nèi)部對應(yīng)的空間。
[0025]下面將描述制造固態(tài)圖像傳感器IS的方法。首先，在圖1A所示的步驟中，制備第一構(gòu)件(基底)I。第一構(gòu)件I包括用來安裝固態(tài)圖像感測芯片2的芯片安裝區(qū)域101和包圍芯片安裝區(qū)域101的周邊區(qū)域102。第一構(gòu)件I具有用于容納固態(tài)圖像感測芯片2的凹陷部分103，并且芯片安裝區(qū)域101可以被布置在凹陷部分103的底部表面上。第一構(gòu)件I可以由例如陶瓷、環(huán)氧樹脂玻璃、或諸如塑料樹脂之類的樹脂材料形成。盡管在圖1A到IE中示出的示例中，第一構(gòu)件I具有凹陷部分103，但是它不需要總是具有凹陷部分103。在后面的情況中，第二構(gòu)件5可以具有由凹陷部分限定的形狀。
[0026]在圖1B示出的步驟中，固態(tài)圖像感測芯片2被安裝在第一構(gòu)件I的芯片安裝區(qū)域101中。固態(tài)圖像感測芯片2包含具有多個光接收元件(光電轉(zhuǎn)換元件)的像素區(qū)域3。像素區(qū)域3可以進(jìn)一步包括例如濾色器、平坦化膜和微透鏡。固態(tài)圖像感測芯片2可以是例如CXD圖像傳感器或CMOS圖像傳感器。固態(tài)圖像感測芯片2的接合焊盤(未示出)和在第一構(gòu)件I上提供的引線(未示出)可以通過諸如金屬導(dǎo)線之類的導(dǎo)電構(gòu)件(未示出)彼此連接。此連接操作的媒介可以是例如饋通電極，并且不限于金屬導(dǎo)線。
[0027]執(zhí)行圖1C和ID中示出的粘合步驟。首先，在圖1C中示出的步驟中，粘合劑4被施加到第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102以包圍芯片安裝區(qū)域101的整個周邊。即，粘合劑4被涂覆以使其涂覆區(qū)域形成框架區(qū)域。粘合劑4具有框架形狀。該框架形狀只需要是閉環(huán)形狀，并可以是例如矩形形狀或除矩形形狀外的形狀。粘合劑4可以是在接收到紫外線后固化的紫外線固化樹脂，或在加熱后固化的熱固化樹脂，但可以是其它類型的粘合劑。可以使用例如打印法或點膠機(jī)法涂覆粘合劑4。代替第一構(gòu)件1，粘合劑4可以被涂覆到第二構(gòu)件5，或被涂覆到第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5兩者。
[0028]在圖1D示出的步驟中，第二構(gòu)件5被布置在第一構(gòu)件I上(該步驟可被稱為布置步驟)。通過此操作，可以獲得粘合劑4被布置在第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間以包圍芯片安裝區(qū)域101的整個周邊的結(jié)構(gòu)。再一次在圖1D示出的步驟中，粘合劑4被固化以使第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5彼此粘合(該步驟可被稱為固化步驟)。注意，如果粘合劑4是紫外線固化樹脂，則它可以通過利用紫外線射線照射來固化。如果粘合劑4是熱固化樹脂，則它可以通過加熱來固化。第二構(gòu)件5是透光構(gòu)件，并可以由例如玻璃或晶體形成。通過將第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5彼此粘合，內(nèi)部空間6和外部空間彼此分隔。
[0029]在圖1E示出的步驟中，在第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5之間產(chǎn)生應(yīng)力(該步驟可被稱為應(yīng)力施加步驟)。通過此操作，在第一構(gòu)件I與粘合劑4之間的部分和第二構(gòu)件5與粘合劑4之間的部分中的至少一個部分中局部形成間隙7，以允許周邊區(qū)域102的內(nèi)部空間6與周邊區(qū)域102的外部空間相通。可以通過加熱第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5中的至少一個來在第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5之間產(chǎn)生應(yīng)力。例如，可以通過在加熱爐31中加熱包含容納固態(tài)圖像感測芯片2的第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5的封裝來產(chǎn)生應(yīng)力。
[0030]通過加熱包含容納固態(tài)圖像感測芯片2的第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5的封裝，由于第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5的線性膨脹系數(shù)不同，因此在第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5之間產(chǎn)生應(yīng)力。該應(yīng)力也在第一構(gòu)件I和粘合劑4之間以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間起作用。通過此操作，剪切(shearing)應(yīng)力被施加在第一構(gòu)件I和粘合劑4之間以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間。由于此剪切應(yīng)力，第一構(gòu)件I和粘合劑4之間的部分以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間的部分中的至少一個部分局部剝落(粘合劑界面斷裂)，因此形成間隙7。
[0031]如果粘合劑4是熱固化樹脂，則間隙7可以通過向粘合劑4施加高于粘合劑4的熱固化溫度的溫度來形成。另一方面，必須設(shè)置濾色器、微透鏡及其它構(gòu)件不受例如變形或變色的損害的溫度。由于這個原因，產(chǎn)生應(yīng)力以形成間隙7的溫度優(yōu)選地落入100° C到300° C的范圍內(nèi)。如果粘合劑4是紫外線固化樹脂，則也可設(shè)置落入相同范圍內(nèi)的溫度。
[0032]應(yīng)力施加步驟可以在粘合步驟結(jié)束之后開始，但也可以在粘合步驟結(jié)束之前開始。然而，如果應(yīng)力施加步驟在粘合步驟結(jié)束之前開始，則此步驟必須在粘合劑4開始固化之后完成，以使在第一構(gòu)件I和粘合劑4之間的部分以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間的部分中的至少一個部分中引起部分剝落。
[0033]在應(yīng)力施加步驟中，可以通過向例如第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5施加力以使得第二構(gòu)件5相對于第一構(gòu)件I移動，來在第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5之間產(chǎn)生應(yīng)力。
[0034]下面將更詳細(xì)描述通過施加應(yīng)力來形成間隙的方法。圖2A是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖2B是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖2A中的線X-X’的剖面圖)。圖2C是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖2D是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖2C中的線X-X’的剖面圖)。
[0035]如圖2A和2B所示，在應(yīng)力施加步驟之前，第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5通過布置粘合劑4的區(qū)域中的粘合劑4而彼此粘合(接合)。粘合劑4被布置在第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間以包圍芯片安裝區(qū)域101的整個周邊。區(qū)域A是預(yù)期通過施加應(yīng)力(例如，通過加熱施加應(yīng)力)引起剝落的區(qū)域。界面Al是第二構(gòu)件5和粘合劑4之間的界面，以及界面A2是第一構(gòu)件I和粘合劑4之間的界面。
[0036]如圖2C和2D所示，在應(yīng)力施加步驟之后，間隙7已經(jīng)局部形成在第一構(gòu)件I和粘合劑4之間的部分以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間的部分中的至少一個部分中。內(nèi)部空間6和外部空間通過間隙7彼此相通。區(qū)域B是區(qū)域A中的粘合劑4從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落的區(qū)域，即，形成間隙7的區(qū)域。在圖2A到2D所示的示例中，在形成間隙7的區(qū)域B中，粘合劑4已經(jīng)從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落，但與第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5部分接觸。
[0037]在布置粘合劑4的粘合劑區(qū)域中的除了區(qū)域B外的區(qū)域中，第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5通過粘合劑4彼此粘合。甚至在應(yīng)力施加步驟之后，粘合劑4被布置在第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間以包圍芯片安裝區(qū)域101的整個周邊(即，保持框架區(qū)域)。注意，圖2D示意性地示出粘合劑4在界面BI和B2中的界面B2的一部分(虛線表示的部分)中剝落以形成間隙7的結(jié)構(gòu)。僅僅需要形成至少一個區(qū)域B。區(qū)域B容易地在例如角部分處形成。
[0038]即使水分進(jìn)入內(nèi)部空間6，水分也可以通過在區(qū)域B中形成的間隙7被排出到外部空間。盡管在第一實施例中，間隙7因粘合劑4從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落來形成，但是粘合劑4被布置以包圍固態(tài)圖像感測芯片2 (即，形成框架區(qū)域)。于是，與粘合劑被部分去除、或形成不被粘合劑涂覆的部分的情況相比，間隙的尺寸非常小。因此，抑制了粒子從外部空間進(jìn)入內(nèi)部空間6。
[0039]下面將參考圖3A到3D描述在施加應(yīng)力步驟中形成間隙的另一個示例。圖3A是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖3B是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖3A中的線X-X’的剖面圖)。圖3C是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖3D是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖3C中的線X-X’的剖面圖)。
[0040]如圖3C和3D所示，在應(yīng)力施加步驟之后，間隙7已經(jīng)局部形成在第一構(gòu)件I和粘合劑4之間的部分以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間的部分中的至少一個部分中。在區(qū)域B中，區(qū)域A中的粘合劑4已經(jīng)從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落，S卩，形成間隙7。在圖3A到3D所示的示例中，在形成間隙7的區(qū)域B中，粘合劑4已從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落，并且與第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5完全分離。
[0041]在圖3A到3D示出的示例中，間隙的尺寸大于在圖2A到2D中示出的示例,但是顯著小于粘合劑被部分去除或形成不被粘合劑涂覆的部分的情況。因此，抑制了粒子從外部空間進(jìn)入內(nèi)部空間6。
[0042][第二實施例]
[0043]將參考圖4A到4D描述本發(fā)明的第二實施例。注意，在第二實施例中沒有特別提到的細(xì)節(jié)可以與第一實施例中的相同。在第二實施例中，改進(jìn)布置粘合劑的粘合劑區(qū)域以便于在應(yīng)力施加步驟中間隙的形成。
[0044]圖4A是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖4B是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖4A中的線X-X’的剖面圖)。圖4C是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖4D是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖4C中的線X-X’的剖面圖)。
[0045]區(qū)域A是布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域。區(qū)域B是區(qū)域A中的粘合劑4從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落的區(qū)域，即，形成間隙7的區(qū)域。在第二實施例中，布置粘合劑4以使得布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域A中的粘合劑4的寬度小于框架區(qū)域中的其它區(qū)域(其余區(qū)域)中的粘合劑4的寬度。采用這種布置，間隙7可以容易地形成在區(qū)域B中。此外，變得容易限制形成間隙7的區(qū)域以落入?yún)^(qū)域A之內(nèi)。注意，區(qū)域A不必總是角部分，并且僅僅需要形成至少一個區(qū)域A。
[0046][第三實施例]
[0047]將參考圖5A到描述本發(fā)明的第三實施例。注意，在第三實施例中沒有特別提到的細(xì)節(jié)可以與第一實施例中的相同。在第三實施例中，確定第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間的間隔以便于在應(yīng)力施加步驟中間隙的形成。
[0048]圖5A是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖5B是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖5A中的線X-X’的剖面圖)。圖5C是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖5C中的線X-X’的剖面圖)。
[0049]區(qū)域A是布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域。區(qū)域B是區(qū)域A中的粘合劑4從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落的區(qū)域，即，形成間隙7的區(qū)域。在第三實施例中，布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域A中的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間的間隔小于框架區(qū)域中的其余區(qū)域中的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間的間隔。采用這種布置，將要形成間隙7的區(qū)域A中的粘合劑4的預(yù)期變形量小于其余區(qū)域中的預(yù)期變形量，所以間隙7可以容易地形成在區(qū)域B中。此外，變得容易限制形成間隙7的區(qū)域以落入?yún)^(qū)域A之內(nèi)。第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間的間隔可以通過調(diào)整周邊區(qū)域102的表面形狀和第二構(gòu)件5的表面形狀中的至少一個來調(diào)整。例如，該間隔可以通過(a)使周邊區(qū)域102在區(qū)域A中比在其余區(qū)域中投影更多，(b)使第二構(gòu)件5在區(qū)域A中比在其余區(qū)域中投影更多，或(c )執(zhí)行這兩個操作，來調(diào)整。
[0050][第四實施例][0051]將參考圖6A到6D描述本發(fā)明的第四實施例。注意，在第四實施例中沒有特別提到的細(xì)節(jié)可以與第一實施例中的相同。在第四實施例中，改進(jìn)第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102的表面粗糙度以便于在應(yīng)力施加步驟中間隙的形成。
[0052]圖6A是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖6B是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖6A中的線X-X’的剖面圖)。圖6C是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖6D是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖6C中的線X-X’的剖面圖)。
[0053]區(qū)域A是布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域。區(qū)域B是區(qū)域A中的粘合劑4從第一構(gòu)件I剝落的區(qū)域，即，形成間隙7的區(qū)域。在第四實施例中，布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域A中的周邊區(qū)域102的表面粗糙度低于框架區(qū)域中的其余區(qū)域中的周邊區(qū)域102的表面粗糙度。采用這種布置，區(qū)域A中界面A2處的周邊區(qū)域102和粘合劑4之間的接合強(qiáng)度可以被設(shè)置為低于其余部分中周邊區(qū)域102和粘合劑4之間的接合強(qiáng)度。因此，可以通過施加應(yīng)力容易地在區(qū)域B中形成間隙。
[0054]作為一種將區(qū)域A中周邊區(qū)域102的表面粗糙度設(shè)置為低于其余區(qū)域中周邊區(qū)域102的表面粗糙度的方法，例如使其余區(qū)域變粗糙的方法，或通過拋光使區(qū)域A平坦化的方法，是可用的。
[0055]在上述示例中，第一構(gòu)件I (周邊區(qū)域102)在區(qū)域A中的表面粗糙度被設(shè)置為低于第一構(gòu)件I (周邊區(qū)域102)在其余區(qū)域中的表面粗糙度。取而代之的是，第二構(gòu)件5在區(qū)域A中的表面粗糙度可以被設(shè)置為低于第二構(gòu)件5在其余區(qū)域中的表面粗糙度。
[0056]如上所述，盡管區(qū)域A中的表面粗糙度優(yōu)選地低于其余區(qū)域中的表面粗糙度，但是區(qū)域A中的表面粗糙度優(yōu)選地足以捕獲粒子。例如，區(qū)域A中的表面粗糙度優(yōu)選地等效于幾微米的算術(shù)平均粗糙度Ra。如果第一構(gòu)件I是由陶瓷形成的，則陶瓷通常具有幾微米的表面粗糙度，因此優(yōu)選地被原樣用作區(qū)域A。在此情況中，使其余區(qū)域變粗糙。
[0057][第五實施例]
[0058]將參考圖7A到7D描述本發(fā)明的第五實施例。注意，在第五實施例中沒有特別提到的細(xì)節(jié)可以與第一實施例中的相同。在第五實施例中，在粘合步驟(固化步驟)中，粘合劑被固化以使得布置粘合劑的框架區(qū)域中的將要形成間隙的區(qū)域中的粘合劑的固化級別低于框架區(qū)域中的其余區(qū)域中的粘合劑的固化級別。通過此操作，在應(yīng)力施加步驟中，可以容易地在將要形成間隙的區(qū)域中形成間隙。
[0059]圖7A是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖7B是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖7A中的線X-X’的剖面圖)。圖7C是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖7D是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖7C中的線X-X’的剖面圖)。
[0060]區(qū)域A是布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域。在粘合步驟(固化步驟)中，粘合劑4被固化以使得布置粘合劑4的框架區(qū)域中的區(qū)域A中的粘合劑4的固化級別低于框架區(qū)域中的其余區(qū)域中的粘合劑4的固化級別。區(qū)域B是區(qū)域A中的粘合劑4從第一構(gòu)件I剝落的區(qū)域，即，形成間隙7的區(qū)域。
[0061]在應(yīng)力施加步驟開始時，區(qū)域A中的粘合劑4的固化級別低于其余區(qū)域中的粘合劑4的固化級別，所以在區(qū)域A中粘合劑4與第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5之間的接合強(qiáng)度低于在其余區(qū)域中的接合強(qiáng)度。因此，在應(yīng)力施加步驟中，粘合劑4可以容易地在區(qū)域A中從第一構(gòu)件I和/或第二構(gòu)件5剝落以形成間隙7。
[0062]注意，可以采用各種方法作為設(shè)置區(qū)域A中的粘合劑4的固化級別低于其余區(qū)域中的粘合劑4的固化級別的方法。如果粘合劑4是紫外線固化樹脂，則可以在例如區(qū)域A被半透明膜覆蓋時利用紫外線射線照射粘合劑4。如果粘合劑4是熱固化樹脂，則可以在區(qū)域A被具有低熱傳導(dǎo)性的物質(zhì)覆蓋時加熱粘合劑4。可以使用諸如DSC (差示掃描量熱法)或TMA (熱機(jī)械分析)之類的熱分析法評估固化級別。在應(yīng)力施加步驟開始時，區(qū)域A中的粘合劑4的固化級別可以是例如80%或更少。
[0063]未被固化的粘合劑4可以在間隙7在應(yīng)力施加步驟中形成之后被固化。注意，粘合劑4是熱固化樹脂，并當(dāng)應(yīng)力施加步驟包含加熱步驟時，未被固化的粘合劑4在應(yīng)力施加步驟中被固化。
[0064][第六實施例]
[0065]將參考圖8A到8D描述本發(fā)明的第六實施例。注意，在第六實施例中沒有特別提到的細(xì)節(jié)可以與第一實施例中的相同。在第六實施例中，對布置粘合劑的區(qū)域中將要形成間隙的部分中的第二構(gòu)件5執(zhí)行抗液處理，以減弱已經(jīng)過抗液處理的該部分與粘合劑4之間的接合強(qiáng)度。通過此操作，在應(yīng)力施加步驟中，可以容易地在將要形成間隙的部分中形成間隙。
[0066]圖8A是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖8B是在應(yīng)力施加步驟之前的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖8A中的線X-X’的剖面圖)。圖SC是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的平面圖，以及圖8D是在應(yīng)力施加步驟之后的固態(tài)圖像傳感器IS的剖面圖(沿圖SC中的線X-X’的剖面圖)。
[0067]區(qū)域A是布置粘合劑4的框架區(qū)域中的將要形成間隙7的區(qū)域。在區(qū)域A中，對第二構(gòu)件5執(zhí)行抗液處理。在第二構(gòu)件5中形成具有抗液性的膜8。區(qū)域B是區(qū)域A中的粘合劑4從第二構(gòu)件5 (膜8)側(cè)的部分剝落的區(qū)域，即，形成間隙7的區(qū)域。
[0068]作為具有抗水性的膜8，可以使用區(qū)域A中的粘合劑4的接觸角大于其它區(qū)域中的粘合劑4的接觸角的膜。這樣的膜8的示例包括其上表面含氟的AR (抗反射)涂層、以及硅樹脂涂層。
[0069]盡管在上述示例中對第二構(gòu)件5執(zhí)行抗液處理，但是可以對第一構(gòu)件I執(zhí)行該處理。
[0070][第七實施例]
[0071]將參考圖9A、9B、以及IOA到IOD描述本發(fā)明的第七實施例。注意，在第七實施例中沒有特別提到的細(xì)節(jié)可以與第一實施例中的相同。在第七實施例中，周邊區(qū)域102的表面被彎曲，以使得在布置粘合劑的框架區(qū)域中的將要形成間隙的區(qū)域中，周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間的間隔小于在框架區(qū)域中的其余區(qū)域中周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間的間隔。采用這種布置，將要形成間隙7的區(qū)域A中的粘合劑4的預(yù)期變形量小于其余區(qū)域中的的預(yù)期變形量，所以可以容易地在區(qū)域B中形成間隙7。此外，變得容易限制形成間隙7的區(qū)域以落入?yún)^(qū)域A之內(nèi)。
[0072]下面將參考圖9A和9B描述形成具有含有彎曲的表面的周邊區(qū)域102的第一構(gòu)件I的示范性方法。首先，如圖9A所示，制備平板形狀構(gòu)件9和框架形狀構(gòu)件10。盡管平板形狀構(gòu)件9和框架形狀構(gòu)件10可以由例如陶瓷、環(huán)氧樹脂玻璃、諸如塑料樹脂之類的樹脂材料、或金屬形成，但是可以選擇它們的材料以使得框架形狀構(gòu)件10的線性膨脹系數(shù)大于平板形狀構(gòu)件9的線性膨脹系數(shù)。例如，平板形狀構(gòu)件9可以由線性膨脹系數(shù)約為7ppm并包含布線層的陶瓷基板形成，以及框架形狀構(gòu)件10可以由線性膨脹系數(shù)約為9到Ilppm的金屬形成。
[0073]如圖9B所示，平板形狀構(gòu)件9和框架形狀構(gòu)件10可以被彼此接合以形成第一構(gòu)件I。注意，平板形狀構(gòu)件9和框架形狀構(gòu)件10可以通過由熱固化樹脂制成的粘合劑彼此接合。在這種情況下，當(dāng)平板形狀構(gòu)件9和框架形狀構(gòu)件10在被加熱以粘合之后返回到正常溫度時，具有較大線性膨脹系數(shù)的框架形狀構(gòu)件10比平板形狀構(gòu)件9收縮更多。結(jié)果是，由平板形狀構(gòu)件9和框架形狀構(gòu)件10形成的第一構(gòu)件I會彎曲以使得框架形狀構(gòu)件10的四個角部分投射到與平板形狀構(gòu)件9相對的一側(cè)。
[0074]下面將參考圖1OA到IOD描述制造固態(tài)圖像傳感器IS的方法。圖1OA到IOD示出了沿圖9B中的線Y-Y’的橫截面，在此橫截面中左側(cè)是Y側(cè)，而右側(cè)是Y’側(cè)。右側(cè)(Y’偵D的表面水平(即角部分)高于左側(cè)(Y側(cè))的表面水平。
[0075]在圖1OA示出的步驟中，固態(tài)圖像感測芯片2被安裝在第一構(gòu)件I的芯片安裝區(qū)域101中。固態(tài)圖像感測芯片2包含具有多個光接收元件(光電轉(zhuǎn)換元件)的像素區(qū)域3。
[0076]執(zhí)行圖1OB和IOC中示出的粘合步驟。首先，在圖1OB中示出的步驟中，粘合劑4被涂覆到第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102以包圍芯片安裝區(qū)域101的整個周邊。該步驟的細(xì)節(jié)可與第一實施例中的相同。在圖1OC中示出的步驟中，第二構(gòu)件5被布置在第一構(gòu)件I上(布置步驟)。通過此操作，可以獲得粘合劑4被布置在第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102和第二構(gòu)件5之間以包圍芯片安裝區(qū)域101的整個周邊的結(jié)構(gòu)。再次在圖1OC示出的步驟中，粘合劑4被固化以將第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5彼此粘合(固化步驟)。
[0077]如前所述，在第一構(gòu)件I的周邊區(qū)域102中，右側(cè)(Y’側(cè))的表面水平，即角部分，高于其余區(qū)域的表面水平。注意，角部分是將要形成間隙7的部分。當(dāng)?shù)诙?gòu)件5被堆疊在第一構(gòu)件I上時，角部分處的粘合劑4的厚度小于其余區(qū)域中的粘合劑4的厚度。S卩，根據(jù)第七實施例，可以使用在圖9A和9B示出的步驟中形成的第一構(gòu)件I獲得如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中，角部分處(即，將要形成間隙7的區(qū)域中)的粘合劑4的厚度小于其余區(qū)域中的粘合劑4的厚度。在第七實施例中，可以根據(jù)與第三實施例中的原理相同的原理在角部分處形成間隙7。
[0078]在圖1OD示出的步驟中，在第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5之間產(chǎn)生應(yīng)力(應(yīng)力施加步驟)。通過此操作，在第一構(gòu)件I和粘合劑4之間的部分以及第二構(gòu)件5和粘合劑4之間的部分中的至少一個部分中局部形成間隙7，以允許周邊區(qū)域102的內(nèi)部空間6與周邊區(qū)域102的外部空間相通。第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5之間的應(yīng)力可以通過例如加熱第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5中的至少一個來產(chǎn)生。例如，應(yīng)力可以通過在加熱爐31中加熱包含容納固態(tài)圖像感測芯片2的第一構(gòu)件I和第二構(gòu)件5的封裝來產(chǎn)生。
[0079]上述第一到第七實施例可以通過將它們中的一些或全部彼此組合來實踐。例如，第二和第六實施例的組合、或第二和第四實施例的組合是優(yōu)選的。
[0080]第一構(gòu)件I可以由具有芯片安裝區(qū)域101的平板構(gòu)件、具有周邊區(qū)域102的框架形狀構(gòu)件、以及以框架形狀布置以包圍平板構(gòu)件的芯片安裝區(qū)域101的整個周邊以接合平板構(gòu)件和框架形狀構(gòu)件的第二粘合劑形成。在這種情況中，第二構(gòu)件5可以具有平板形狀，或在與芯片安裝區(qū)域101相對的部分中具有凹陷部分。第二構(gòu)件5可以由覆蓋半導(dǎo)體芯片的平板構(gòu)件、框架形狀構(gòu)件、以及以框架形狀連續(xù)布置在在平板構(gòu)件上以將外部平板構(gòu)件和框架形狀構(gòu)件彼此接合的第二粘合劑形成。在這種情況中，第一構(gòu)件I可以具有平板形狀或凹陷部分103。
[0081]可以在上述平板構(gòu)件和上述第二粘合劑之間的部分以及上述框架形狀構(gòu)件和上述第二粘合劑之間的部分中的至少一個部分中局部形成間隙，以允許周邊區(qū)域102的內(nèi)部空間6與周邊區(qū)域102的外部空間相通。
[0082][第八實施例]
[0083]盡管在第一到第七實施例中已經(jīng)給出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備和制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法被應(yīng)用于固態(tài)圖像傳感器和制造固態(tài)圖像傳感器的方法的示例，但是本發(fā)明也適用于另一種類型的半導(dǎo)體設(shè)備和制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體設(shè)備和制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法適用于例如其中例如LED芯片被布置在具有腔的封裝中的半導(dǎo)體設(shè)備(發(fā)光設(shè)備)。
[0084][第九實施例]
[0085]配備有根據(jù)上述第一到第七實施例的每一個的固態(tài)圖像傳感器的示例性照相機(jī)將被作為固態(tài)圖像傳感器的應(yīng)用示例進(jìn)行描述。照相機(jī)的概念不僅包括主要用于圖像捕獲的裝置，也包括附加提供有圖像捕獲功能的裝置(例如，個人計算機(jī)或便攜式終端)。照相機(jī)包括如上述實施例的每一個中示出的根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像傳感器、和處理從固態(tài)圖像傳感器輸出的信號的處理單元。該處理單元可以包括例如A/D轉(zhuǎn)換器和處理從A/D轉(zhuǎn)換器輸出的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的處理器。
[0086]雖然已經(jīng)參照示例性實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解該發(fā)明并不僅限于所公開的示例性實施例。下述權(quán)利要求書的范圍應(yīng)被賦予最寬泛的解釋以使其涵蓋所有此類修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
【權(quán)利要求】
1.一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，該半導(dǎo)體設(shè)備包括具有芯片安裝區(qū)域和包圍芯片安裝區(qū)域的周邊區(qū)域的第一構(gòu)件、安裝在芯片安裝區(qū)域中的半導(dǎo)體芯片、以及固定到第一構(gòu)件以覆蓋半導(dǎo)體芯片的第二構(gòu)件，該方法包括: 粘合步驟，用于使用粘合劑在半導(dǎo)體芯片被安裝在芯片安裝區(qū)域中的狀態(tài)下將第一構(gòu)件的周邊區(qū)域粘合到第二構(gòu)件；以及 應(yīng)力施加步驟，用于在粘合步驟中粘合劑開始固化后，在第一構(gòu)件和第二構(gòu)件之間產(chǎn)生應(yīng)力，以在第一構(gòu)件和粘合劑之間的部分以及第二構(gòu)件和粘合劑之間的部分中的至少一個部分中局部形成間隙，從而允許周邊區(qū)域的內(nèi)部空間與周邊區(qū)域的外部空間相通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 粘合步驟包括在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間布置粘合劑以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊的布置步驟， 在布置步驟中，布置粘合劑以使得布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中的粘合劑的寬度小于粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中的粘合劑的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 粘合步驟包括在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間布置粘合劑以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊的布置步驟， 在布置步驟中在布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間的間隔小于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間的間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中` 粘合步驟包括在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間布置粘合劑以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊的布置步驟，以及 以下至少一個被滿足: (a)在布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中第一構(gòu)件的表面粗糙度低于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中第一構(gòu)件的表面粗糙度，以及 (b)在粘合劑區(qū)域中的間隙形成區(qū)域中第二構(gòu)件的表面粗糙度低于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中第二構(gòu)件的表面粗糙度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 粘合步驟包括在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間布置粘合劑以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊的布置步驟、以及固化粘合劑的固化步驟， 在固化步驟中，固化粘合劑以使得布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中的粘合劑的固化級別低于粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中的粘合劑的固化級別。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 以下中的至少一個被滿足: (C)在布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中，第一構(gòu)件已經(jīng)經(jīng)過抗液處理，以及 (d)在粘合劑區(qū)域中的間隙形成區(qū)域中，第二構(gòu)件已經(jīng)經(jīng)過抗液處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 粘合步驟包括在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間布置粘合劑以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊的布置步驟， 使周邊區(qū)域的表面彎曲以使得在布置步驟中布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間的間隔小于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間的間隔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 粘合步驟包括在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間布置粘合劑以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊的布置步驟， 在布置步驟中，布置粘合劑以使得在布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中的粘合劑的寬度小于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中的粘合劑的寬度，以及 在所述方法中，以下中的至少一個被滿足: (a)在粘合劑區(qū)域中的間隙形成區(qū)域中第一構(gòu)件的表面粗糙度低于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中第一構(gòu)件的表面粗糙度，以及 (b)在粘合劑區(qū)域中的間隙形成區(qū)域中第二構(gòu)件的表面粗糙度低于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中第二構(gòu)件的表面粗糙度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中 粘合步驟包括在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間布置粘合劑以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊的布置步驟， 在布置步驟中，布置粘合劑以使得布置粘合劑的粘合劑區(qū)域中的將要形成間隙的間隙形成區(qū)域中的粘合劑的寬度小于在粘合劑區(qū)域中的其它區(qū)域中的粘合劑的寬度，以及 在所述方法中，以下中的至少一個被滿足 (C)在粘合劑區(qū)域中的間隙形成區(qū)域中，第一構(gòu)件已經(jīng)經(jīng)過抗液處理，以及 (d)在粘合劑區(qū)域中的間隙形成區(qū)域中，第二構(gòu)件已經(jīng)經(jīng)過抗液處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在粘合步驟結(jié)束后執(zhí)行應(yīng)力施加步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中應(yīng)力施加步驟包括加熱第一構(gòu)件和第二構(gòu)件中的至少一個的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中半導(dǎo)體芯片包括固態(tài)圖像感測芯片。
13.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括具有芯片安裝區(qū)域和包圍芯片安裝區(qū)域的周邊區(qū)域的第一構(gòu)件、安裝在芯片安裝區(qū)域中的半導(dǎo)體芯片、和覆蓋半導(dǎo)體芯片的第二構(gòu)件，該半導(dǎo)體設(shè)備包括: 在周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間以框架形狀布置以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊從而使第一構(gòu)件和第二構(gòu)件彼此接合的粘合劑， 其中間隙被局部形成在第一構(gòu)件和以框架形狀布置的粘合劑之間的部分以及第二構(gòu)件和以框架形狀布置的粘合劑之間的部分中的至少一個部分中，以允許周邊區(qū)域的內(nèi)部空間與周邊區(qū)域的外部空間相通。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中布置粘合劑的框架區(qū)域中的形成間隙的間隙形成區(qū)域中的粘合劑的寬度小于框架區(qū)域中的其它區(qū)域中的粘合劑的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中 以下中的至少一個被滿足: (e)在布置粘合劑的框架區(qū)域中的形成間隙的區(qū)域中第一構(gòu)件的表面粗糙度低于在框架區(qū)域中的其它區(qū)域中第一構(gòu)件的表面粗糙度，以及 (f)在布置粘合劑的框架區(qū)域中的形成間隙的間隙形成區(qū)域中第二構(gòu)件的表面粗糙度低于在框架區(qū)域中的其它區(qū)域中第二構(gòu)件的表面粗糙度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中 以下中的至少一個被滿足: (g)在布置粘合劑的框架區(qū)域中的形成間隙的間隙形成區(qū)域中，第一構(gòu)件已經(jīng)經(jīng)過抗液處理，以及 (h)在框架區(qū)域中的間隙形成區(qū)域中，第二構(gòu)件已經(jīng)經(jīng)過抗液處理。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中在布置粘合劑的框架區(qū)域中的形成間隙的間隙形成區(qū)域中周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間的間隔小于在框架區(qū)域中的其它區(qū)域中周邊區(qū)域和第二構(gòu)件之間的間隔。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中第一構(gòu)件包括具有芯片安裝區(qū)域的平板構(gòu)件、具有周邊區(qū)域的框架形狀構(gòu)件、以及以框架形狀布置以包圍芯片安裝區(qū)域的整個周邊從而使第一構(gòu)架與第二構(gòu)件彼此接合的第二粘合劑。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中第二構(gòu)件包括覆蓋半導(dǎo)體芯片的平板構(gòu)件、框架形狀構(gòu)件、以及以框架形狀連續(xù)布置在平板構(gòu)件上以使平板構(gòu)件和框架形狀構(gòu)件彼此接合的第二粘合劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中間隙被局部形成在平板構(gòu)件和第二粘合劑之間的部分以及框架形狀構(gòu)件和第二粘合劑之間的部分中的至少一個部分中，以允許周邊區(qū)域的內(nèi)部空間和周邊區(qū)域的外部空間相通。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中半導(dǎo)體芯片包括固態(tài)圖像感測芯片。
22.—種照相機(jī)，包括: 根據(jù)權(quán)利要求13至21中的任何一個所述的半導(dǎo)體設(shè)備；以及處理從半導(dǎo)體設(shè)備輸出的信號的處理單元。
【文檔編號】H01L21/50GK103531488SQ201310280236
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年7月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月6日
【發(fā)明者】都筑幸司, 栗原康 申請人:佳能株式會社