半導(dǎo)體器件及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2012年5月3日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2012-0047003號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地涉及具有空氣間隙的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件因?yàn)槠涑叽缧?、功能多?或制造成本低而被廣泛地用在電子工業(yè)中。半導(dǎo)體器件可以歸類為存儲(chǔ)邏輯數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件、處理邏輯數(shù)據(jù)的操作的半導(dǎo)體邏輯器件以及具有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的功能和半導(dǎo)體邏輯器件的功能的混合半導(dǎo)體器件中的任何一種。通常，半導(dǎo)體器件可以包括垂直堆疊的圖案以及用于使各圖案彼此電連接的接觸插塞。隨著半導(dǎo)體器件被高度地集成，各圖案之間的間隔和/或圖案與接觸插塞之間的間隔越來越小。因此，各圖案之間的寄生電容和/或圖案與接觸插塞之間的寄生電容增加。寄生電容可能引起半導(dǎo)體器件性能的退化，諸如操作速度的降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例可以提供能夠減小寄生電容的半導(dǎo)體器件及其制造方法。本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例還可以提供高度集成的半導(dǎo)體器件及其制造方法。在一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體器件可以包括：一對(duì)線路圖案，其布置在襯底上；接觸插塞，其布置在所述一對(duì)線路圖案之間；空氣間隙，其布置在所述接觸插塞與所述線路圖案之間；接合焊盤，其從所述接觸插塞的頂端延伸以覆蓋所述空氣間隙的第一部分；以及絕緣層，其布置在所述空氣間隙的未被所述接合焊盤覆蓋的第二部分上。在一些實(shí)施例中，所述空氣間隙被所述接合焊盤覆蓋的第一部分的高度可以大于所述空氣間隙未被所述接合焊盤覆蓋的第二部分的高度。在另一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還可以包括：第一保護(hù)隔離物，其布置在所述線路圖案與所述接觸插塞之間；以及第二保護(hù)隔離物，其布置在所述接觸插塞與所述第一保護(hù)隔離物之間。所述空氣間隙可以布置在所述第一保護(hù)隔離物與所述第二保護(hù)隔離物之間。在另一些實(shí)施例中，所述空氣間隙在平面圖中可以具有圍繞所述接觸插塞的閉環(huán)形狀。在另一些實(shí)施例中，布置在所述接觸插塞與每個(gè)所述線路圖案之間的空氣間隙可以沿著所述線路圖案的縱向方向延伸。在另一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件還可以包括：一對(duì)絕緣圍欄，其布置在所述一對(duì)線路圖案之間。所述接觸插塞可以布置在所述一對(duì)線路圖案之間以及布置在所述一對(duì)絕緣圍欄之間；并且所述接觸插塞的底部表面在平面圖中可具有四邊形。在另一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體器件可以包括：一對(duì)線路圖案，其布置在襯底上；接觸插塞，其布置在所述一對(duì)線路圖案之間；以及隔離物結(jié)構(gòu)，其布置在所述接觸插塞與每個(gè)所述線路圖案之間。這里，所述隔離物結(jié)構(gòu)可以包括：第一保護(hù)隔離物，其與每個(gè)所述線路圖案相鄰；第二保護(hù)隔離物，其與所述接觸插塞的側(cè)壁相鄰；以及空氣間隙，其布置在所述第一保護(hù)隔離物與所述第二保護(hù)隔離物之間。在又一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體器件可以包括：一對(duì)線路圖案，其布置在襯底上；接觸插塞，其布置在所述一對(duì)線路圖案之間；空氣間隙，其布置在所述接觸插塞的下部與每個(gè)所述線路圖案之間；以及封蓋隔離物，其布置在所述空氣間隙之上并且布置在所述接觸插塞的上部與每個(gè)所述線路圖案之間。這里，所述接觸插塞的下部可以包括第一導(dǎo)電材料；并且所述接觸插塞的上部可以包括與所述第一導(dǎo)電材料不同的第二導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，一對(duì)空氣間隙可以分別布置在所述一對(duì)線路圖案與所述接觸插塞的下部的兩側(cè)側(cè)壁之間，并且所述一對(duì)空氣間隙可以彼此隔離。所述空氣間隙在平面圖中可以具有在所述一對(duì)線路圖案的縱向方向上延伸的線形。所述接觸插塞可以在所述一對(duì)線路圖案之間設(shè)置多個(gè)，并且所述空氣間隙可以分別布置在每個(gè)所述接觸插塞與每個(gè)所述線路圖案之間。在此情況下，所述半導(dǎo)體器件還可以包括：絕緣圍欄，其分別布置在所述接觸插塞之間。在另一些實(shí)施例中，在所述一對(duì)線路圖案中的一個(gè)與彼此相鄰的所述接觸插塞之間分別布置的所述空氣間隙的至少上部可以彼此隔開。在另一些實(shí)施例中，在該一個(gè)線路圖案與彼此相鄰的所述接觸插塞之間分別布置的所述空氣間隙的下部可以在所述絕緣圍欄之下沿著該一個(gè)線路圖案的縱向方向延伸，以便彼此連接。在另一些實(shí)施例中，在所述絕緣圍欄的中心之下布置的空氣間隙的高度可以小于在所述絕緣圍欄的邊緣之下布置的空氣間隙的高度。在另一些實(shí)施例中，在該一個(gè)線路圖案與彼此相鄰的所述接觸插塞之間分別布置的所述空氣間隙可以通過所述絕緣圍欄彼此完全隔開。在另一些實(shí)施例中，所述封蓋隔離物可以包括具有第一密度的第一子隔離物以及具有比所述第一密度大的第二密度的第二子隔離物。在再一個(gè)方面，一種制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括步驟：在襯底上形成一對(duì)線路圖案；在所述一對(duì)線路圖案之間形成接觸孔并且在所述接觸孔與每個(gè)所述線路圖案之間分別形成犧牲隔離物；在所述接觸孔中形成接觸插塞；以及去除所述犧牲隔離物以形成空氣間隙。此時(shí)，形成所述接觸孔的步驟可以包括：在所述一對(duì)線路圖案之間形成填充線圖案；形成封蓋掩模圖案，其定義了與所述一對(duì)線路圖案和所述填充線圖案交叉的線型開口；去除所述填充線圖案通過所述線型開口暴露的部分，以在每個(gè)所述封蓋掩模圖案之下形成圍欄凹面區(qū)域和填充柱圖案；形成分別填充所述圍欄凹面區(qū)域的絕緣圍欄；以及去除所述封蓋掩模圖案和所述填充柱圖案。附圖說明考慮附圖和隨后的詳細(xì)描述將使本發(fā)明構(gòu)思更加清楚。圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖1B是沿著圖1A的線Ⅰ-Ⅰ'截取的剖面圖。圖1C是沿著圖1A的線Ⅱ-Ⅱ'截取的剖面圖。圖1D是沿著圖1A的線Ⅲ-Ⅲ'截取的剖面圖。圖1E是沿著圖1A的線Ⅳ-Ⅳ'截取的剖面圖。圖1F是圖1A示出的包括空氣間隙的隔離物結(jié)構(gòu)的放大圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的變型示例的剖面圖。圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部的一個(gè)示例的剖面圖。圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部的另一個(gè)示例的剖面圖。圖4A至圖13A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。圖4B至圖13B是分別沿著圖4A至圖13A的線Ⅰ-Ⅰ'截取的剖面圖。圖4C至圖9C是分別沿著圖4A至圖9A的線Ⅱ-Ⅱ'截取的剖面圖。圖10C至圖13C是分別沿著圖10A至圖13A的線Ⅲ-Ⅲ'截取的剖面圖。圖14至圖18是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的變型示例的剖面圖。圖19是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖20至圖24是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的剖面圖。圖25A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖25B是沿著圖25A的線Ⅴ-Ⅴ'截取的剖面圖。圖25C是沿著圖25A的線Ⅵ-Ⅵ'截取的剖面圖。圖25D是圖25A示出的包括空氣間隙的隔離物結(jié)構(gòu)的放大圖。圖26A至圖30A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。圖26B至圖30B是分別沿著圖26A至圖30A的線Ⅴ-Ⅴ'截取的剖面圖。圖26C至圖30C是分別沿著圖26A至圖30A的線Ⅵ-Ⅵ'截取的剖面圖。圖31A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖31B是沿著圖31A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖。圖31C是沿著圖31A的線C-C'和D-D'截取的剖面圖。圖31D是沿著圖31A的空氣間隙的縱向方向截取的剖面圖。圖32A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的變型示例的沿著圖31A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖。圖32B是用于示出圖32A的變型示例的空氣間隙的傳導(dǎo)線路層的平面圖。圖32C是用于示出圖32A的變型示例的空氣間隙的沿著該空氣間隙的縱向方向截取的剖面圖。圖33是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一個(gè)變型示例的沿著圖31A的線A-A'截取的剖面圖。圖34A至圖45A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。圖34B至圖45B是分別沿著圖34A至圖45A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖。圖34C至圖45C是分別沿著圖34A至圖45A的線C-C'和D-D'截取的剖面圖。圖38D是沿著圖38A的犧牲隔離物的縱向方向截取的剖面圖。圖39D是沿著圖39A的犧牲隔離物的縱向方向截取的剖面圖。圖46A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的變型示例的平面圖。圖46B是沿著圖46A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖。圖46C是沿著圖46A的犧牲隔離物的縱向方向截取的剖面圖。圖47A和圖47B是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的另一個(gè)變型示例的平面圖。圖48是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的示例的示意框圖。圖49是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)卡的示例的示意框圖。具體實(shí)施方式下文中將參考附圖來更全面地描述本發(fā)明構(gòu)思，其中示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例。通過參照附圖對(duì)下面實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述可以使本發(fā)明構(gòu)思的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)現(xiàn)方法更加明顯。然而需要注意的是，本發(fā)明構(gòu)思不限于下面的示例實(shí)施例，而是可以按照各種形式實(shí)現(xiàn)。于是，提供示例實(shí)施例只是為了公開本發(fā)明構(gòu)思并且為了讓本領(lǐng)域技術(shù)人員知道本發(fā)明構(gòu)思的類別。在附圖中，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于本文中提供的特定示例并且為了清楚而進(jìn)行了夸大。本文中使用的術(shù)語僅僅是為了描述各特定實(shí)施例的目的，而不是要限制本發(fā)明構(gòu)思。本文中使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”“所述”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地指示。本文中使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任意和所有組合。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“連接至”或“耦合至”另一個(gè)元件時(shí)，其可以直接連接或耦合至另一個(gè)元件或者可以存在中間元件。類似地，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、區(qū)域或襯底之類的元件被稱為在另一個(gè)元件“之上”時(shí)，其可以直接在另一個(gè)元件之上或者可以存在中間元件。相反，術(shù)語“直接地”是指不存在中間元件。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)本文中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時(shí)，指定了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除附加的一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合的存在。另外，將利用作為本發(fā)明構(gòu)思的理想示例示圖的局部示圖來詳細(xì)描述各實(shí)施例。于是，示例示圖的形狀可以根據(jù)制造技術(shù)和/或允許誤差而改變。因此，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于示例示圖中示出的特定形狀，而是可以包括根據(jù)制造工藝產(chǎn)生的其他形狀。在附圖中例示的區(qū)域具有一般特性，并且用來示出各元件的特定形狀。因此，其不應(yīng)被理解為限于本發(fā)明構(gòu)思的范圍。還應(yīng)當(dāng)理解，盡管本文中可能使用第一、第二、第三等術(shù)語來描述各種元件，但這些元件不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用來將一個(gè)元件區(qū)分于另一個(gè)元件。因此，在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，一些實(shí)施例中的第一元件可以被稱為另一實(shí)施例中的第二元件。本文中描述和示出的本發(fā)明構(gòu)思的各方面的示例實(shí)施例包括其互補(bǔ)對(duì)應(yīng)的事物。說明書中相同的參考標(biāo)號(hào)或相同的參考標(biāo)記自始自終指示相同的元件。此外，參考作為理想化的示圖的剖面圖和/或平面圖來描述示例實(shí)施例。由此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差造成的形狀變化。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)被理解為限于本文中示出的各區(qū)域的形狀，而包括由于例如制造而造成的形狀方面的偏離。例如，作為矩形示出的刻蝕區(qū)域通常具有圓形的或弧形的特征。因此，附圖中示出的各區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不旨在描述區(qū)域的實(shí)際形狀，而且也不旨在限制示例實(shí)施例的范圍。除非另外定義，否則本文中使用的所有術(shù)語（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語）具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如那些通常使用的字典里定義的術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)的上下文中的含義相一致的含義，并且不被解釋為理想化的或過于正式的意義，除非本文中明確定義。[第一實(shí)施例]圖1A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖1B、圖1C、圖1D、圖1E是分別沿著圖1A的線Ⅰ-Ⅰ'、Ⅱ-Ⅱ'、Ⅲ-Ⅲ'、Ⅳ-Ⅳ'截取的剖面圖。圖1F是圖1A所示的包括空氣間隙的隔離物結(jié)構(gòu)的放大圖。參照?qǐng)D1A至圖1E，器件隔離圖案102可以布置在半導(dǎo)體襯底100（下文中稱為“襯底”）上，以定義有源部分ACT。每一個(gè)有源部分ACT可以具有隔離的形狀。在平面圖中，有源部分ACT可以分別對(duì)應(yīng)于由器件隔離圖案102圍繞的襯底100的各部分。襯底100可以包括半導(dǎo)體材料。例如，襯底100可以是硅襯底、鍺襯底或者硅-鍺襯底。器件隔離圖案102可以包括氧化物（例如氧化硅）、氮化物（例如氮化硅）和/或氮氧化物（例如氮氧化硅）。將參照?qǐng)D4A更詳細(xì)描述平面圖中有源部分ACT和柵極電極GE的布置。圖4A是示出有源部分ACT和柵極電極GE的平面圖。參照?qǐng)D1A至圖1E以及圖4A，在平面圖中有源部分ACT可以沿著行和列排列。行可以平行于圖1A的x軸方向，列可以平行于圖1A的y軸方向。在一些實(shí)施例中，第一、第二、第三行可以彼此相鄰。構(gòu)成第一行的有源部分ACT的各部分可以分別布置在構(gòu)成第二行的有源部分ACT之間。構(gòu)成第三行的有源部分ACT的各部分也可以分別布置在構(gòu)成第二行的有源部分ACT之間。這里，構(gòu)成第一、第二、第三行的有源部分ACT彼此隔開。每一個(gè)有源部分ACT可以具有在平面圖中沿著一個(gè)方向延伸的矩形形狀。有源部分ACT的長軸可以不垂直于x軸方向也不平行于x軸方向。柵極電極GE與有源部分ACT交叉。柵極電極GE可以分別布置于凹陷區(qū)域105中，凹陷區(qū)域105形成在器件隔離圖案102和有源部分ACT中。一對(duì)凹陷區(qū)域105可以與每個(gè)有源部分ACT交叉。因此，一對(duì)柵極電極GE可以與每個(gè)有源部分ACT交叉。柵極電極GE可以沿著x軸方向延伸。因此，在平面圖中每個(gè)有源部分ACT的長軸可以不垂直于柵極電極GE也不平行于柵極電極GE。柵極電極GE由導(dǎo)電材料形成。例如，柵極電極GE可以包括摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）、金屬（例如鎢、鋁、鈦和/或鉭）、導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）以及金屬-半導(dǎo)體化合物（例如金屬硅化物）中的至少一個(gè)。柵極介質(zhì)層107可以布置在每個(gè)柵極電極GE與每個(gè)凹陷區(qū)域105的內(nèi)表面之間。柵極介質(zhì)層107可以包括熱氧化物、氮化硅、氮氧化硅以及高k介質(zhì)材料中的至少一個(gè)。如圖1E所示，凹陷區(qū)域105的底部表面可以包括由有源部分ACT的凹陷部分定義的第一底部部分以及由器件隔離圖案102的凹陷部分定義的第二底部部分。這里，第二底部部分可以低于第一底部部分。因此，柵極電極GE可以覆蓋有源部分ACT的凹陷部分的頂部表面和兩個(gè)側(cè)壁。也就是說，柵極電極GE之下的溝道區(qū)域可以定義在有源部分ACT的凹陷部分的頂部表面和兩個(gè)側(cè)壁處。因此，該溝道區(qū)域可以具有三維結(jié)構(gòu)，使得該溝道區(qū)域的溝道寬度可以在有限區(qū)域中增加。第一摻雜區(qū)域112a可以在一對(duì)柵極電極GE之間的每個(gè)有源部分ACT中布置，一對(duì)第二摻雜區(qū)域112b可以分別布置在每個(gè)有源部分ACT的兩個(gè)邊緣區(qū)域中。在平面圖中一對(duì)柵極電極GE可以布置在一對(duì)第二摻雜區(qū)域112b之間。選擇組件可以包括每個(gè)柵極電極GE、與其相鄰的第一摻雜區(qū)域112a和第二摻雜區(qū)域112b。也就是說，選擇組件可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。因此，在每個(gè)有源部分ACT中可以形成一對(duì)選擇組件。一對(duì)選擇組件可以共用第一摻雜區(qū)域112a。柵極電極GE布置在凹陷區(qū)域105中，使得柵極電極GE之下的溝道區(qū)域的溝道長度可以在有限區(qū)域中增加。因此，可以減小或最小化“短溝道效應(yīng)”。如圖1C、圖1D、圖1E所示，每個(gè)柵極電極GE的頂部表面可以低于有源部分ACT的頂部表面。柵極封蓋絕緣圖案110可以布置在每個(gè)柵極電極GE上。柵極封蓋絕緣圖案110可以具有沿著柵極電極GE的縱向方向延伸的線形形狀并且覆蓋柵極電極GE的整個(gè)頂部表面。柵極封蓋絕緣圖案110可以填充柵極電極GE上的凹陷區(qū)域105。另外，柵極封蓋絕緣圖案110可以突出高于有源部分ACT的頂部表面?；讓?dǎo)電焊盤120可以布置在每個(gè)第二摻雜區(qū)域112b上。基底導(dǎo)電焊盤120可以布置在彼此相鄰的一對(duì)柵極封蓋絕緣圖案110的突出部分之間?；讓?dǎo)電焊盤120可以分別連接到第二摻雜區(qū)域112b。基底導(dǎo)電焊盤120可以包括摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）、導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）、金屬（例如鎢、鈦和/或鉭）以及金屬-半導(dǎo)體化合物（例如金屬硅化物）中的至少一個(gè)。如果基底導(dǎo)電焊盤120包括摻雜半導(dǎo)體材料，則基底導(dǎo)電焊盤120的摻雜半導(dǎo)體材料可以摻雜有與第二摻雜區(qū)域112b具有相同導(dǎo)電類型的摻雜劑。下絕緣圍欄117可以布置在彼此相鄰的一對(duì)柵極封蓋絕緣圖案110的突出部分之間。一些基底導(dǎo)電焊盤120可以通過下絕緣圍欄117彼此隔開?；讓?dǎo)電焊盤120的頂部表面可以實(shí)質(zhì)性與下絕緣圍欄117的頂部表面共形。第一層間絕緣層123可以布置在具有基底導(dǎo)電焊盤120和下絕緣圍欄117的襯底110上。第一層間絕緣層123可以包括氧化物（例如氧化硅）。線插塞130可以分別布置在穿透第一層間絕緣層123的線接觸孔125中。線插塞130可以分別連接到第一摻雜區(qū)域112a。絕緣隔離物127可以布置在線插塞130與線接觸孔125的內(nèi)側(cè)壁之間。在一些實(shí)施例中，線接觸孔125的內(nèi)側(cè)壁部分可以由與線插塞130相鄰的基底導(dǎo)電焊盤120的側(cè)壁構(gòu)成。因此絕緣隔離物127可以布置在線插塞130和與其相鄰的基底導(dǎo)電焊盤120之間。線插塞130可以包括摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）、導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）、金屬（例如鎢、鈦和/或鉭）以及金屬-半導(dǎo)體化合物（例如金屬硅化物）中的至少一個(gè)。如果線插塞130包括摻雜半導(dǎo)體材料，則線插塞130的摻雜半導(dǎo)體材料可以摻雜有與第一摻雜區(qū)域112a具有相同導(dǎo)電類型的摻雜劑。將參照?qǐng)D8A更詳細(xì)描述平面圖中下絕緣圍欄117、基底導(dǎo)電焊盤120以及線插塞130的位置關(guān)系。圖8A是示出下絕緣圍欄117、基底導(dǎo)電焊盤120以及線插塞130的平面圖。參照?qǐng)D1A至圖1E以及圖8A，在平面圖中下絕緣圍欄117、基導(dǎo)電焊盤120以及線插塞130可以布置在彼此相鄰的一對(duì)柵極封蓋絕緣圖案110之間。下絕緣圍欄117可以沿著x軸方向布置。一對(duì)基底導(dǎo)電焊盤120可以布置在一對(duì)柵極封蓋絕緣圖案110之間以及布置在彼此相鄰的一對(duì)下絕緣圍欄117之間。每個(gè)線插塞130可以布置在一對(duì)基底導(dǎo)電焊盤120之間。絕緣隔離物127可以布置在線插塞130和與線插塞130相鄰的一對(duì)基底導(dǎo)電焊盤120之間。參照?qǐng)D1A至圖1F，線路圖案140可以布置在第一層間絕緣層123上。線路圖案140可以跨越柵極封蓋絕緣圖案110和柵極電極GE。如圖1A所示，線路圖案140可以沿著y軸方向延伸。每個(gè)線路圖案140可以包括順序?qū)盈B的導(dǎo)電線135和硬掩模圖案137。每個(gè)導(dǎo)電線135可以連接到沿著y軸方向布置的線插塞130。導(dǎo)電線135可以通過線插塞130電連接到第一摻雜區(qū)域112a。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電線135的寬度可以小于線插塞130在x軸方向上的寬度。導(dǎo)電線135可以包括金屬（例如鎢、鈦和/或鉭）以及導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）中的至少一個(gè)。硬掩模圖案137由絕緣材料形成。例如，硬掩模圖案137可以包括氮化物（例如氮化硅）和/或氮氧化物（例如氮氧化硅）。接觸插塞160布置在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間。接觸插塞160彼此隔離。包括空氣間隙AG的隔離物結(jié)構(gòu)170布置在每個(gè)接觸插塞160與彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間。在一些實(shí)施例中，接合焊盤LP可以從接觸插塞160的頂端延伸以覆蓋空氣間隙AG的第一部分。這里，空氣間隙AG的第二部分不被接合焊盤LP覆蓋。如圖1B所示，空氣間隙AG的第一部分的高度可以不同于空氣間隙AG的第二部分的高度。也就是說，空氣間隙AG的第一部分和第二部分可以相對(duì)于接觸插塞160非對(duì)稱?？諝忾g隙AG被接合焊盤LP覆蓋的第一部分的高度可以大于空氣間隙AG不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分的高度。在一些實(shí)施例中，空氣間隙AG的第一部分的頂端可以由接合焊盤LP閉合。也就是說，空氣間隙AG的第一部分的頂端可以由接合焊盤LP形成?？諝忾g隙AG的第二部分的頂端可以由第二層間絕緣層173閉合。也就是說，空氣間隙AG的第二部分的頂端由第二層間絕緣層173形成。隔離物結(jié)構(gòu)170可以還包括第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155。第一保護(hù)隔離物143a可以布置在接觸插塞160與線路圖案140的一個(gè)側(cè)壁之間，第二保護(hù)隔離物155可以布置在接觸插塞160與第一保護(hù)隔離物143a之間。這里，空氣間隙AG可以布置在第一保護(hù)隔離物143a與第二保護(hù)隔離物155之間。第一保護(hù)隔離物143a可以保護(hù)線路圖案140的側(cè)壁，具體地，可以保護(hù)導(dǎo)電線135的側(cè)壁。第二保護(hù)隔離物155可以保護(hù)接觸插塞160的側(cè)壁。在一些實(shí)施例中，第一保護(hù)隔離物143a可以具有L形截面。第二保護(hù)隔離物155的底端可以在豎直方向上與橫向突出的第一保護(hù)隔離物143a的底部隔開。因此，空氣間隙AG可以具有L形截面。如圖1A和圖1F所示，空氣間隙AG可以具有在平面圖中圍繞接觸插塞160的閉環(huán)形狀。第二保護(hù)隔離物155也可以具有圍繞接觸插塞160的閉環(huán)形狀。在一些實(shí)施例中，第一保護(hù)隔離物143a可以具有沿著線路圖案140的側(cè)壁延伸的線形。更具體地，沿著y軸方向布置的上絕緣圍欄147可以布置在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間。引導(dǎo)孔150可以限定在一對(duì)上絕緣圍欄147之間并且限定在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間。具有線形的第一保護(hù)隔離物143a可以布置在上絕緣圍欄147與線路圖案140之間。因此，引導(dǎo)孔150可以被一對(duì)上絕緣圍欄147以及布置在一對(duì)線路圖案140之間的一對(duì)第一保護(hù)隔離物143a所圍繞。在平面圖中，接觸插塞160可以布置在引導(dǎo)孔150中。第二保護(hù)隔離物155可以布置在接觸插塞160與引導(dǎo)孔150的內(nèi)側(cè)壁之間。空氣間隙AG可以布置在第二保護(hù)隔離物155與引導(dǎo)孔150的內(nèi)側(cè)壁之間。在平面圖中引導(dǎo)孔150可以具有四邊形。由于引導(dǎo)孔150的形狀，接觸插塞160的底部表面可以具有四邊形。如圖1D和圖1E所示，第一保護(hù)隔離物143a的延伸部分143r可以布置在上絕緣圍欄147與第一層間絕緣層123之間。在其他實(shí)施例中，第一保護(hù)隔離物143a可以具有圍繞接觸插塞160的側(cè)壁的形狀。在此情況下，第一保護(hù)隔離物143a可以布置在接觸插塞160與引導(dǎo)孔150的內(nèi)側(cè)壁之間。第一保護(hù)隔離物143a可以由防止導(dǎo)電線135被氧化的絕緣材料形成。另外，第一保護(hù)隔離物143a可以由防止導(dǎo)電線135中的金屬原子擴(kuò)散的絕緣材料形成。例如，第一保護(hù)隔離物143a可以包括氮化物（例如氮化硅）和/或氮氧化物（例如氮氧化硅）。第二保護(hù)隔離物155可以由防止接觸插塞160被氧化的絕緣材料形成。例如，第二保護(hù)隔離物155可以包括氮化物（例如氮化硅）和/或氮氧化物（例如氮氧化硅）。如圖1A、圖1B、圖1F所示，在平面圖中具有閉環(huán)形狀的第二保護(hù)隔離物155可以限定一個(gè)接觸孔157。接觸插塞160可以布置在接觸孔157中。接觸孔157可以向下穿透第一層間絕緣層123延伸。因此，接觸插塞160也可以向下延伸以連接到基底導(dǎo)電焊盤120。接觸插塞160可以布置在接觸孔157中，接合焊盤LP可以布置在接觸孔157外側(cè)。在一些實(shí)施例中，接合焊盤LP可以延伸以覆蓋與接觸插塞160的一側(cè)相鄰的線路圖案140的頂部表面（即，硬掩模圖案137的頂部表面）的一部分。硬掩模圖案137被接合焊盤LP覆蓋的頂部表面的部分可以高于硬掩模圖案137不被接合焊盤LP覆蓋的頂部表面的部分。接合焊盤LP可以無分界面地連接到接觸插塞160的頂部表面的部分。也就是說，接合焊盤LP和接觸插塞160可以構(gòu)成一體。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在其他實(shí)施例中，可以在接合焊盤LP與接觸插塞160之間形成分界面。接觸插塞160和接合焊盤LP可以由導(dǎo)電材料形成。例如，接觸插塞160和接合焊盤LP可以包括摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）、金屬（例如鎢、鈦和/或鉭）、導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）以及金屬-半導(dǎo)體化合物（例如金屬硅化物）中的至少一種。如上所述，第二層間絕緣層173可以布置在空氣間隙AG不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分上。如圖1B所示，第二層間絕緣層173可填充接合焊盤LP之間空隙并且覆蓋接合焊盤LP的頂部表面?？商鎿Q地，第二層間絕緣層173可以填充接合焊盤LP之間的空隙并且具有與接合焊盤LP的頂部表面實(shí)質(zhì)上共形的頂部表面。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以布置在第二層間絕緣層173上。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以分別電連接到接合焊盤LP。每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以通過穿透第二層間絕緣層173的通孔插塞175電連接到接合焊盤LP。因此，每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以通過接合焊盤LP、接觸插塞160以及基底導(dǎo)電焊盤120電連接到每個(gè)第二摻雜區(qū)域112b。也就是說，導(dǎo)電線135和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以分別電連接到每個(gè)選擇組件的第一摻雜區(qū)域112a和第二摻雜區(qū)域112b。每個(gè)選擇組件和與其連接的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元。因此，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以實(shí)現(xiàn)為存儲(chǔ)邏輯數(shù)據(jù)的各種形式中的一個(gè)。根據(jù)上述半導(dǎo)體器件，接觸插塞160布置在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間，包括空氣間隙AG的隔離物結(jié)構(gòu)170布置在接觸插塞160與線路圖案140之間?？諝忾g隙AG的介電常數(shù)低于氧化硅的介電常數(shù)。因此接觸插塞160與線路圖案140之間的寄生電容減小。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)具有改進(jìn)的可靠性的半導(dǎo)體器件。另外，由于寄生電容減小，可以實(shí)現(xiàn)高度集成的半導(dǎo)體器件。此外，空氣間隙AG的第一部分被接合焊盤LP覆蓋，但空氣間隙AG的第二部分不被接合焊盤LP覆蓋。因此，可以容易形成空氣間隙AG。此外，空氣間隙AG可以布置在第一保護(hù)隔離物143a與第二保護(hù)隔離物155之間。也就是說，第一保護(hù)隔離物143a保護(hù)線路圖案140的側(cè)壁（即，導(dǎo)電線135的側(cè)壁），第二保護(hù)隔離物155保護(hù)接觸插塞160。因此，可以容易形成空氣間隙AG，而不破壞導(dǎo)電線135和接觸插塞160。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的變型示例的剖面圖。參照?qǐng)D2，根據(jù)變型示例，布置在接合焊盤LP之下的第一保護(hù)隔離物143a'和第二保護(hù)隔離物155'可以彼此接觸。因此，空氣間隙AG位于接合焊盤LP之下的第一部分的頂端可以由彼此接觸的第一保護(hù)隔離物143a'和第二保護(hù)隔離物155'的頂端閉合。在此情況下，第二保護(hù)隔離物155'的下部可以與第一保護(hù)隔離物143a'的底端接觸。因此，空氣間隙AG的底端可以由第一保護(hù)隔離物143a'和第二保護(hù)隔離物155'閉合。第二保護(hù)隔離物155'可以向下延伸以布置在接觸插塞160與穿透第一層間絕緣層123的接觸孔157'的一部分的側(cè)壁之間。第一保護(hù)隔離物143a'和第二保護(hù)隔離物155'以及空氣間隙AG可以構(gòu)成隔離物結(jié)構(gòu)170'。如上所述，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以實(shí)現(xiàn)為各種形式的一種。將參照附圖對(duì)其進(jìn)行描述。圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部的示例的剖面圖。參照?qǐng)D3A，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以包括下電極180、上電極184以及布置在下電極180與上電極184之間的電容器介質(zhì)層182。也就是說，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以實(shí)現(xiàn)為電容器。下電極180可以通過每個(gè)通孔插塞175電連接到每個(gè)接合焊盤LP。下電極180可以具有圓柱形或者中空?qǐng)A柱形。上電極184可以覆蓋多個(gè)下電極180的表面。電容器介質(zhì)層182可以布置在上電極184與下電極180之間。每個(gè)下電極180和上電極184可以包括摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）、導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）、金屬（例如釕、銥、鈦和/或鉭）以及導(dǎo)電金屬氧化物（例如氧化銥）中的至少一個(gè)。上電極184可以由與下電極180的材料相同的材料形成?？商鎿Q地，上電極184可以包括與下電極180的導(dǎo)電材料不同的導(dǎo)電材料。電容器介質(zhì)層182可以包括氧化物（例如氧化硅）、氮化物（例如氮化硅）、氮氧化物（例如氮氧化硅）、高k介質(zhì)材料和/或鐵電材料中的至少一個(gè)。如上所述，如果數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP為電容器，則導(dǎo)電線135可以是位線。圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部的另一個(gè)示例的剖面圖。參照?qǐng)D3B，根據(jù)本示例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'可以包括下電極190、可變電阻器192以及上電極194?？勺冸娮杵?92可以通過程序操作轉(zhuǎn)換成分別具有彼此不同的電阻值的多個(gè)狀態(tài)中的一個(gè)。下電極190和上電極194可以包括導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）。在一些實(shí)施例中，可變電阻器192可以包括磁性隧道結(jié)圖案。磁性隧道結(jié)圖案可以包括參考磁性層、自由磁性層以及布置在參考磁性層與自由磁性層之間的隧道勢(shì)壘。參考磁性層可以具有固定在一個(gè)方向的磁化方向。自由磁性層的磁化方向可以配置成可變?yōu)榕c參考磁性層的固定磁化方向平行或不平行的方向。參考磁性層和自由磁性層的每一個(gè)可以包括鐵磁材料。隧道勢(shì)壘可以包括氧化鋁和/或氧化鎂。在其他實(shí)施例中，可變電阻器192可以包括相變材料。相變材料可以通過程序操作所提供的溫度和/或持續(xù)加熱的提供而轉(zhuǎn)換成非晶態(tài)或晶態(tài)。處于非晶態(tài)的相變材料可以呈現(xiàn)的電阻率大于處于晶態(tài)的相變材料呈現(xiàn)的電阻率。例如，相變材料可以由包括硫族元素（例如，碲（Te）和硒（Se））中的至少一個(gè)的化合物形成。例如，相變材料可以包括Ge-Sb-Te、As-Sb-Te、As-Ge-Sb-Te、Sn-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、In-Sb-Te、5A族元素-Sb-Te、6A族元素-Sb-Te、5A族元素-Sb-Se以及6A族元素-Sb-Se。如果可變電阻器192包括相變材料，則下電極190可以省略，并且可變電阻器192可以連接到通孔插塞175。在此情況下，通孔插塞175可以用作加熱器電極，并且通孔插塞175可以包括導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢）。在又一些實(shí)施例中，可變電阻器192可以包括過渡金屬氧化物?？梢酝ㄟ^程序操作在過渡金屬氧化物中創(chuàng)建或丟失電通路。創(chuàng)建的電通路的兩端可以分別連接到下電極190和上電極194。與不存在電通路相比，具有電通路的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'可以呈現(xiàn)低電阻。例如，過渡金屬氧化物可以包括氧化鈮、氧化鈦、氧化鎳、氧化鋯、氧化釩、PCMO((Pr,Ca)MnO3)、鍶-鈦氧化物、鋇-鍶-鈦氧化物、鍶-鋯氧化物、鋇-鋯氧化物以及鋇-鍶-鋯氧化物中的至少一種。如果可變電阻器192包括過渡金屬氧化物，則下電極190和上電極194可以包括導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦和/或氮化鉭）、過渡金屬（例如鈦和/或鉭）以及稀土金屬（例如釕和/或鉑）中的至少一個(gè)。參照?qǐng)D3B，第三層間絕緣層196可以覆蓋數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'，并且上通孔插塞197可以穿透第三層間絕緣層196以便分別連接到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'。上部線198可以布置在第三層間絕緣層196上。上部線198可以平行于導(dǎo)電線135而延伸。上部線198可以通過上通孔插塞197電連接到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'。如上所述，如果數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'包括可變電阻器192，則上部線198可以對(duì)應(yīng)于位線，且導(dǎo)電線135可以對(duì)應(yīng)于源極線。圖4A至圖13A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。圖4B至圖13B是分別沿著圖4A至圖13A的線Ⅰ-Ⅰ'截取的剖面圖。圖4C至圖9C是分別沿著圖4A至圖9A的線Ⅱ-Ⅱ'截取的剖面圖。圖10C至圖13C是分別沿著圖10A至圖13A的線Ⅲ-Ⅲ'截取的剖面圖。參照?qǐng)D4A至圖4C，器件隔離圖案102可以形成在襯底100上以定義有源部分ACT。器件隔離槽可以形成在襯底100中然后器件隔離圖案102可以填充器件隔離槽。在平面圖中，有源部分ACT可以如上布置。可以對(duì)有源部分ACT和器件隔離圖案102進(jìn)行圖案化來形成凹陷區(qū)域105。凹陷區(qū)域105與有源部分ACT交叉。一對(duì)凹陷區(qū)域105可以與每個(gè)有源部分ACT交叉。如圖4A所示，每個(gè)有源部分ACT可以被一對(duì)凹陷區(qū)域105分成第一源極/漏極區(qū)域SDR1和一對(duì)第二源極/漏極區(qū)域SDR2。第一源極/漏極區(qū)域SDR1可以限定在一對(duì)凹陷區(qū)域105之間。一對(duì)第二源極/漏極區(qū)域SDR2可以分別限定在每個(gè)有源部分ACT的兩個(gè)邊緣區(qū)域處。柵極介質(zhì)層107可以形成在每個(gè)凹陷區(qū)域105的內(nèi)表面上。柵極介質(zhì)層107可以通過熱氧化工藝、化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝和/或原子層沉積（ALD）工藝來形成。柵極介質(zhì)層107也可以形成在有源部分ACT的頂部表面上。隨后，可以形成柵極導(dǎo)電層以填充凹陷區(qū)域105。柵極導(dǎo)電層可以被刻蝕以在凹陷區(qū)域105中分別形成柵極電極GE。柵極電極GE的頂部表面可以凹陷而低于有源部分ACT的頂部表面。在一些實(shí)施例中，如圖1E所示，凹陷區(qū)域105在器件隔離圖案102中的一部分的底部表面可以低于凹陷區(qū)域105在有源部分ACT中的另一部分的底部表面。因此柵極電極GE可以覆蓋有源部分ACT的凹陷部分的頂部表面和兩個(gè)側(cè)壁。參照?qǐng)D5A至圖5C，封蓋絕緣層可以形成在襯底100上。封蓋絕緣層可以填充柵極電極GE上的凹陷區(qū)域105?？梢詫?duì)封蓋絕緣層進(jìn)行圖案化以分別在柵極電極GE上形成柵極封蓋絕緣圖案110。柵極封蓋絕緣圖案110可以填充柵極電極GE上的凹陷區(qū)域105并且具有比有源部分ACT的頂部表面更高的突出。柵極封蓋絕緣圖案110平行于柵極電極GE而延伸。在一些實(shí)施例中，柵極封蓋絕緣圖案110的突出可以具有與凹陷區(qū)域105的寬度實(shí)質(zhì)上相等的寬度。在其他一些實(shí)施例中，柵極封蓋絕緣圖案110的突出的寬度小于凹陷區(qū)域105的寬度。在又一些實(shí)施例中，柵極封蓋絕緣圖案110的突出的寬度大于凹陷區(qū)域105的寬度?？梢允褂脰艠O封蓋絕緣圖案110作為掩模來將摻雜劑注入有源部分ACT，以形成第一摻雜區(qū)域112a和第二摻雜區(qū)域112b。第一摻雜區(qū)域112a和第二摻雜區(qū)域112b可以分別形成圖4A的第一源極/漏極區(qū)域SDR1和第二源極/漏極區(qū)域SDR2。第一填充層可以形成在襯底100的整個(gè)表面。然后對(duì)第一填充層進(jìn)行平坦化直到露出柵極封蓋絕緣圖案110。因此，可以形成第一填充線圖案。每個(gè)第一填充線圖案可以布置在彼此相鄰的柵極封蓋絕緣圖案110的突出之間。隨后，可以對(duì)第一填充線圖案進(jìn)行圖案化以形成第一凹面區(qū)域和第一填充圖案115。第一填充圖案115可以通過第一凹面區(qū)域彼此隔開。第一凹面區(qū)域可以形成在柵極封蓋絕緣圖案110的突出之間。填充第一凹面區(qū)域的第一圍欄絕緣層可以形成在襯底100上?？梢詫?duì)第一圍欄絕緣層進(jìn)行平坦化直到露出第一填充圖案115，以此形成了下絕緣圍欄117。下絕緣圍欄117可以分別填充第一凹面區(qū)域。如圖5A所示，在平面圖中的下絕緣圍欄117可以沿著行和列二維地布置。每個(gè)第一填充圖案115可以布置在彼此相鄰的一對(duì)柵極封蓋絕緣圖案110的突出之間以及布置在彼此在x軸方向上相鄰的一對(duì)下絕緣圍欄117之間。每個(gè)第一填充圖案115可以布置在每個(gè)第二摻雜區(qū)域112b的至少一部分上。一些下絕緣圍欄117可以分別布置在第一摻雜區(qū)域112a上，且其他下絕緣圍欄117可以布置在器件隔離圖案102上。第一填充圖案115可以由相對(duì)于下絕緣圍欄117和柵極封蓋絕緣圖案110具有刻蝕選擇性的材料來形成。例如，第一填充圖案115可以由氧化硅形成，而下絕緣圍欄117和柵極封蓋絕緣圖案110可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成。參照?qǐng)D6A至圖6C，第一填充圖案115可以被去除以形成分別暴露出各第二摻雜區(qū)域112b的開口118。在一些實(shí)施例中，每個(gè)開口118也可以暴露出與所暴露的第二摻雜區(qū)域112b相鄰的有源部分ACT的第一摻雜區(qū)域112a的一部分。第一導(dǎo)電層可以形成在襯底100上以填充開口118?？梢詫?duì)第一導(dǎo)電層進(jìn)行平坦化直到露出下絕緣圍欄117和柵極封蓋絕緣圖案110，以此形成基底導(dǎo)電焊盤120。各基底導(dǎo)電焊盤120可以分別連接到第二摻雜區(qū)域112b。在一些實(shí)施例中，基底導(dǎo)電焊盤120可以接觸與該基底導(dǎo)電焊盤120所連接的第二摻雜區(qū)域112b相鄰的第一摻雜區(qū)域112a的邊緣。參照?qǐng)D7A至圖7C，第一層間絕緣層123可以形成在襯底100的整個(gè)表面上。可以對(duì)第一層間絕緣層123進(jìn)行圖案化以形成暴露出每個(gè)第一摻雜區(qū)域112a的線接觸孔125。更具體地，可以將掩模圖案（未示出）形成在第一層間絕緣層123上。掩模圖案可以包括分別定義線接觸孔125的掩模開口。掩模開口在x軸方向的寬度可以大于布置在第一摻雜區(qū)域112a上的下絕緣圍欄117的x軸方向?qū)挾取Ｑ谀ｉ_口在y軸方向的寬度可以大于彼此相鄰的一對(duì)柵極封蓋絕緣圖案110之間的距離。可以使用掩模圖案作為刻蝕掩模來對(duì)第一層間絕緣層123、第一摻雜區(qū)域112a上的下絕緣圍欄117、第一摻雜區(qū)域112a上的基底導(dǎo)電焊盤120以及柵極封蓋絕緣圖案110的一部分進(jìn)行刻蝕。因此，可以形成線接觸孔125。在一些實(shí)施例中，基底導(dǎo)電焊盤120的一個(gè)側(cè)壁可以通過線接觸孔125的內(nèi)側(cè)壁暴露。由于形成了線接觸孔125，所以第一摻雜區(qū)域112a可以與基底導(dǎo)電焊盤120隔開。隨后，絕緣隔離物層可以被共形地形成在襯底100上，然后可以對(duì)絕緣隔離物層進(jìn)行各向異性內(nèi)刻蝕。因此，絕緣隔離物127可以被形成在每個(gè)線接觸孔125的內(nèi)側(cè)壁上。參照?qǐng)D8A至圖8C，隨后，第二導(dǎo)電層可以形成在襯底上以填充線接觸孔125?？梢詫?duì)第二導(dǎo)電層進(jìn)行平坦化直到露出第一層間絕緣層123，從而形成填充每個(gè)線接觸孔125的線插塞130。線插塞130連接到第一摻雜區(qū)域112a。線插塞130可以通過絕緣隔離物127與基底導(dǎo)電焊盤120電隔離。參照?qǐng)D9A至圖9C，第三導(dǎo)電層和硬掩模層可以被順序形成在襯底100上，然后可以相繼對(duì)硬掩模層和第三導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成線路圖案140。每個(gè)線路圖案140可以包括順序?qū)盈B的導(dǎo)電線135和硬掩模圖案137。每個(gè)導(dǎo)電線135可以連接到在y軸方向布置的線插塞130。與沿著圖9A的線Ⅱ-Ⅱ'截取的剖面圖相對(duì)應(yīng)的圖10A至圖13A的剖面圖可以與圖9C的剖面圖相同。因此，為了避免相同附圖的重復(fù)，圖10C至圖13C示出了分別沿著圖10A至圖13A的線Ⅲ-Ⅲ'截取的剖面圖。參照?qǐng)D10A至圖10C，在形成了線路圖案140之后，第一保護(hù)隔離物層143可以被共形地形成在襯底100上，然后第二填充層可以形成在第一保護(hù)隔離物層143上。第二填充層可以填充線路圖案140之間的空隙?？梢詫?duì)第二填充層進(jìn)行平坦化以形成第二填充線圖案。第二填充線圖案可以分別填充線路圖案140之間的空隙。當(dāng)對(duì)第二填充層進(jìn)行平坦化時(shí)，可以去除線路圖案140的頂部表面上的第一保護(hù)隔離物層143。但是，保留了第二填充線圖案之下的第一保護(hù)隔離物層143。第一保護(hù)隔離物層143可以在線路圖案140的兩個(gè)側(cè)壁和位于線路圖案140之間的第一層間絕緣層123上具有實(shí)質(zhì)上均勻的厚度。第一保護(hù)隔離物層143保護(hù)線路圖案140的側(cè)壁（即，導(dǎo)電線135的側(cè)壁）。第一保護(hù)隔離物層143由絕緣材料形成。第二填充層可以由相對(duì)于硬掩模圖案137和第一保護(hù)隔離物層143具有刻蝕選擇性的材料而形成。例如，第二填充層可以由氧化硅形成，第一保護(hù)隔離物層143和硬掩模圖案137可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成。可以對(duì)第二填充線圖案進(jìn)行圖案化以在線路圖案140之間形成第二凹面區(qū)域和第二填充圖案145。第二填充圖案145通過第二凹面區(qū)域彼此隔開。第二凹面區(qū)域可以暴露出第一保護(hù)隔離物層143。第二填充圖案145可以分別布置在基底導(dǎo)電焊盤120上方。第二圍欄絕緣層可以形成在襯底100上以填充第二凹面區(qū)域。然后，可以對(duì)第二圍欄絕緣層進(jìn)行平坦化直到露出第二填充圖案145，從而形成上絕緣圍欄147。每個(gè)第二填充圖案145布置在彼此在y軸方向上相鄰的一對(duì)上絕緣圍欄147之間。上絕緣圍欄147可以由相對(duì)于第二填充圖案145具有刻蝕選擇性的絕緣材料形成。例如，上絕緣圍欄147可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成。參照?qǐng)D11A至圖11C，第二填充圖案145可以被去除以形成引導(dǎo)孔150。引導(dǎo)孔可以分別布置在基底導(dǎo)電焊盤120上方。在平面圖中每個(gè)引導(dǎo)孔150可以具有四邊形。犧牲隔離物層可以被共形地形成在包括引導(dǎo)孔150的襯底100上，然后第二保護(hù)隔離物層可以被共形地形成在犧牲隔離物層上。隨后，可以相繼對(duì)第二保護(hù)隔離物層、犧牲隔離物層以及第一保護(hù)隔離物層進(jìn)行各向異性刻蝕，以形成接觸孔157、第一保護(hù)隔離物143a、犧牲隔離物152以及第二保護(hù)隔離物155。第一保護(hù)隔離物143a可以具有沿著線路圖案140的側(cè)壁延伸的線形。犧牲隔離物152和第二保護(hù)隔離物155可以順序?qū)盈B在引導(dǎo)孔150的內(nèi)側(cè)壁上。接觸孔157可以被第二保護(hù)隔離物155和犧牲隔離物152圍繞?？梢詫?duì)接觸孔157底部之下的第一層間絕緣層123進(jìn)行各向異性刻蝕以暴露出基底導(dǎo)電焊盤120。在一些實(shí)施例中，在形成第一保護(hù)隔離物143a、犧牲隔離物152以及第二保護(hù)隔離物155之后可以暴露犧牲隔離物152的頂端。第二保護(hù)隔離物155、第一保護(hù)隔離物143a、硬掩模圖案137以及上絕緣圍欄147可以由相對(duì)于犧牲隔離物152具有刻蝕選擇性的絕緣材料形成。例如，第二保護(hù)隔離物155、第一保護(hù)隔離物143a、硬掩模圖案137以及上絕緣圍欄147可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成，而犧牲隔離物152可以由氧化硅形成。參照?qǐng)D12A至圖12C，可以將第三導(dǎo)電層形成在襯底100上以填充接觸孔157?？梢詫?duì)第三導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成接觸插塞160和接合焊盤LP。每個(gè)接觸插塞160分別填充每個(gè)接觸孔157。每個(gè)接合焊盤LP可以從每個(gè)接觸插塞160的頂端延伸以布置在接觸孔157外側(cè)。接合焊盤LP可以覆蓋圍繞接觸插塞160的犧牲隔離物152的第一部分。這里犧牲隔離物152具有不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分。犧牲隔離物152的第二部分被暴露。接合焊盤LP還可以覆蓋分別布置在犧牲隔離物152的第一部分兩側(cè)的第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155的部分。在一些實(shí)施例中，接合焊盤LP還可以覆蓋與犧牲隔離物152的第一部分相鄰的線路圖案140的頂部表面的一部分。在接合焊盤LP之間的刻蝕區(qū)域ER的底部表面可以低于犧牲隔離物152被接合焊盤LP覆蓋的第一部分的頂端。也就是說，犧牲隔離物152不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分的頂端可以低于犧牲隔離物152被接合焊盤LP覆蓋的第一部分的頂端。同樣，第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155不被接合焊盤LP覆蓋的一個(gè)部分的頂端可以低于第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155被接合焊盤LP覆蓋的另一個(gè)部分的頂端。犧牲隔離物152的第一部分和第二部分彼此相連。參照?qǐng)D13A至圖13C，利用各向同性刻蝕工藝通過犧牲隔離物152的暴露的第二部分來去除犧牲隔離物152。此時(shí)，犧牲隔離物152的第一部分也被去除。因此，空氣間隙AG形成在接觸插塞160和與接觸插塞160相鄰的線路圖案140之間。也就是說，包括空氣間隙AG的隔離物結(jié)構(gòu)170可以形成在接觸插塞160和與接觸插塞160相鄰的線路圖案140之間?？諝忾g隙AG在接觸插塞160與線路圖案140之間的一部分布置在第一保護(hù)隔離物143a與第二保護(hù)隔離物155之間?？諝忾g隙AG在接觸插塞160與上絕緣圍欄147之間的另一部分布置在第二保護(hù)隔離物155與上絕緣圍欄147之間。可以通過濕法刻蝕工藝去除犧牲隔離物152?？諝忾g隙AG的被接合焊盤LP覆蓋的第一部分的頂端可以由接合焊盤LP閉合。接著，可以形成圖1A至圖1E所示的第二層間絕緣層173?？諝忾g隙AG不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分的頂端可以由第二層間絕緣層173閉合。第二層間絕緣層173可以具有較差的階梯覆蓋特性。因此，空氣間隙AG的第二部分的頂端可以被閉合。由于犧牲隔離物152的第一部分的頂端高于犧牲隔離物152的第二部分的頂端，所以空氣間隙AG被接合焊盤LP覆蓋的第一部分的高度大于空氣間隙AG不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分的高度。隨后，可以形成圖1A和圖1B所示的通孔插塞175和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以實(shí)現(xiàn)為圖3A所示的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP或者圖3B所示的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'。因此，可以實(shí)現(xiàn)圖1A至圖1F所示的半導(dǎo)體器件。根據(jù)上述的制造半導(dǎo)體器件的方法，在形成接合焊盤LP以部分覆蓋犧牲隔離物152之后，可以利用各向同性刻蝕工藝通過犧牲隔離物152的暴露部分來去除犧牲隔離物152。因此，可以在接觸插塞160與線路圖案140之間容易地形成空氣間隙AG。從而，可以減小寄生電容以實(shí)現(xiàn)具有極佳可靠性的半導(dǎo)體器件。另外，由于容易地形成空氣間隙AG，所以可以提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。另外，在去除犧牲隔離物152期間，第一保護(hù)隔離物143a保護(hù)導(dǎo)電線135的側(cè)壁，第二保護(hù)隔離物155保護(hù)接觸插塞160。因此，可以防止或減小由去除犧牲隔離物152的工藝所引起的對(duì)導(dǎo)電線135和接觸插塞160的破壞。從而，可以實(shí)現(xiàn)具有改進(jìn)可靠性的半導(dǎo)體器件。接下來，將參照?qǐng)D14至圖18來描述制造圖2的半導(dǎo)體器件的方法。圖14至圖18是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的半導(dǎo)體器件的方法的變型示例的剖面圖。該制造方法可以包括上述的形成引導(dǎo)孔150的方法。參照?qǐng)D14，犧牲隔離物層151可以被共形地形成在具有引導(dǎo)孔150的襯底100上。如上所述，第一保護(hù)隔離物層143和硬掩模圖案137由相對(duì)于犧牲隔離物層151具有刻蝕選擇性的絕緣材料形成。參照?qǐng)D15，可以對(duì)犧牲隔離物層151、第一保護(hù)隔離物層143以及第一層間絕緣層123進(jìn)行各向異性刻蝕，以形成第一保護(hù)隔離物143a'、犧牲隔離物152'以及接觸孔157'。第一保護(hù)隔離物143a'可以具有沿著線路圖案140的側(cè)壁延伸的線形。犧牲隔離物152'可以形成在引導(dǎo)孔150的內(nèi)側(cè)壁上。接觸孔157'可以暴露基底導(dǎo)電焊盤120。在刻蝕第一層間絕緣層123的同時(shí)可以刻蝕犧牲隔離物152'的頂端。因此，犧牲隔離物152'的頂端可以低于第一保護(hù)隔離物143a'的頂端。參照?qǐng)D16，第二保護(hù)隔離物層可以被共形地形成在具有接觸孔157'的襯底100上，然后可以對(duì)第二保護(hù)隔離物層進(jìn)行各向異性刻蝕直到暴露出基底導(dǎo)電焊盤120。因此，第二保護(hù)隔離物155'可以形成在接觸孔157'的內(nèi)側(cè)壁上。此時(shí)，第二保護(hù)隔離物155'的頂端可以與第一保護(hù)隔離物143a'的頂端接觸。因此，犧牲隔離物152'的頂端不被暴露。也就是說，犧牲隔離物152'可以被第一保護(hù)隔離物143a'和第二保護(hù)隔離物155'圍繞，使得犧牲隔離物152'不被暴露。如上所述，第二保護(hù)隔離物155'由相對(duì)于犧牲隔離物152'具有刻蝕選擇性的絕緣材料形成。參照?qǐng)D17，接著，導(dǎo)電層可以形成在襯底100上。導(dǎo)電層填充具有第二保護(hù)隔離物155'的接觸孔157'?？梢詫?duì)導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成填充接觸孔157'的接觸插塞160以及從接觸插塞160的頂端延伸的接合焊盤LP。接合焊盤LP可以覆蓋犧牲隔離物152'的第一部分，犧牲隔離物152'可以包括不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分。犧牲隔離物152'的第一部分的頂端可以被布置在接合焊盤LP之下的彼此接觸的第一保護(hù)隔離物143a'和第二保護(hù)隔離物155'的頂端圍繞。覆蓋犧牲隔離物152'的第二部分的頂端的第一保護(hù)隔離物143a'和第二保護(hù)隔離物155'可以在用于形成接合焊盤LP的工藝期間被去除。另外，犧牲隔離物152'的第二部分的頂端可以部分被刻蝕。因此，可以暴露犧牲隔離物152'的第二部分。犧牲隔離物152'的暴露的第二部分的頂端可以低于犧牲隔離物152'的第一部分的頂端。參照?qǐng)D18，可以利用各向同性刻蝕工藝通過犧牲隔離物152'的暴露的第二部分來去除犧牲隔離物152'。因此，可以形成包括空氣間隙AG的隔離物結(jié)構(gòu)170'。接著，可以形成圖2的第二層間絕緣層173、通孔插塞175以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP來實(shí)現(xiàn)圖2的半導(dǎo)體器件。[第二實(shí)施例]在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例中描述的元件相同的元件將由相同的參考標(biāo)號(hào)或參考標(biāo)記來指示。為了解釋的簡單和方便的目的，對(duì)與第一實(shí)施例中的元件相同的元件的描述將被省略或簡單提及。即，此后將主要描述本實(shí)施例與第一實(shí)施例之間的差異。圖19是示出根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖面圖。參照?qǐng)D19，彼此相鄰的線路圖案140之間的接觸插塞250可以包括順序?qū)盈B的下插塞210a和上插塞240c。下插塞210a可以由第一導(dǎo)電材料形成，上插塞240c可以包括不同于第一導(dǎo)電材料的第二導(dǎo)電材料。包括空氣間隙AG的隔離物結(jié)構(gòu)220布置在接觸插塞250的下部（即下插塞210a）與線路圖案140之間。封蓋隔離物230可以布置在接觸插塞250的上部（即上插塞240c）與線路圖案140之間。封蓋隔離物230可以布置在空氣間隙AG上。封蓋隔離物230可以閉合空氣間隙AG的頂端。封蓋隔離物230由絕緣材料形成。例如，封蓋隔離物230可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成。線路圖案140可以包括順序?qū)盈B的導(dǎo)電線135和硬掩模圖案137。包括空氣間隙AG的隔離物結(jié)構(gòu)220可以布置在下插塞210a與導(dǎo)電線135之間。封蓋隔離物230可以布置在上插塞240c與硬掩模圖案137之間。也就是說，空氣間隙AG可以被限制地布置在下插塞210a與導(dǎo)電線135之間。隔離物結(jié)構(gòu)220還可以包括第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155a。第一保護(hù)隔離物143a與線路圖案140的側(cè)壁相鄰，第二保護(hù)隔離物155a與接觸插塞250相鄰。此時(shí)，空氣間隙AG可以布置在第一保護(hù)隔離物143a與第二保護(hù)隔離物155a之間。在一些實(shí)施例中，第二保護(hù)隔離物155a的頂端低于線路圖案140的頂部表面。因此，封蓋隔離物230可以覆蓋空氣間隙AG和第二隔離物155a的頂端。第一保護(hù)隔離物143a可以在線路圖案140與封蓋隔離物230之間向上延伸。第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155a可以包括氮化硅和/或氮氧化硅?？諝忾g隙AG和第二保護(hù)隔離物155a的平面形狀可以與第一實(shí)施例中描述的形狀實(shí)質(zhì)上相同。也就是說，在平面圖中第二保護(hù)隔離物155a和空氣間隙AG的每一個(gè)可以具有圍繞下插塞210a的閉環(huán)形狀。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此?？諝忾g隙AG可以具有其他各種形狀的一種。在另外的實(shí)施例中，可以去除第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155a。在又一些實(shí)施例中，可以保留第一保護(hù)隔離物143a的至少一部分，并且可以去除第二保護(hù)隔離物155a。因此，空氣間隙AG的尺寸可以增加。接觸插塞250的下插塞210a可以向下延伸以連接到基底導(dǎo)電焊盤120。在一些實(shí)施例中，下插塞210a可以由摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）形成，而上插塞240c可以包括金屬。更具體地，上插塞240c可以包括順序?qū)盈B的阻擋圖案235c和金屬圖案237c。例如，阻擋圖案235c可以包括過渡金屬（例如鈦、鉭）和/或?qū)щ娊饘俚铮ɡ绲?、氮化鉭、氮化鎢）。金屬圖案237c可以包括鎢或鋁。在此情況下，接觸插塞250還可以包括歐姆層242。例如，歐姆層242可以由金屬-半導(dǎo)體化合物（例如，諸如硅化鈦之類的金屬硅化物）形成。接合焊盤240L可以從接觸插塞250的頂端延伸以覆蓋空氣間隙AG的一部分和封蓋隔離物230的一部分。接合焊盤240L可以由與上插塞240c的材料相同的材料形成。例如，接合焊盤240L可以包括順序?qū)盈B的阻擋圖案235L和金屬圖案237L。接合焊盤240L的阻擋圖案235L和金屬圖案237L可以分別連接到上插塞240c的阻擋圖案235c和金屬圖案237c。接合焊盤240L的阻擋圖案235L和金屬圖案237L可以分別由與上插塞240c的阻擋圖案235c和金屬圖案237c的材料相同的材料形成。在本實(shí)施例中，空氣間隙AG可以布置在接觸插塞250的下插塞210a與線路圖案140的導(dǎo)電線135之間。因此，可以減小或最小化寄生電容從而實(shí)現(xiàn)具有改進(jìn)的可靠性的半導(dǎo)體器件。另外，空氣間隙AG布置在第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155a之間。因此，線路圖案140和接觸插塞250可以通過第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155a而得到保護(hù)。圖19的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以實(shí)現(xiàn)為圖3A的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP或者圖3B的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'。圖20至圖24是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的剖面圖。制造根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括在上述第一實(shí)施例中參照?qǐng)D4A至圖11A、圖4B至圖11B、圖4C至圖11C描述的各工藝。參照?qǐng)D20，填充接觸孔157的導(dǎo)電層可以形成在襯底100上，然后對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行平坦化以形成填充每個(gè)接觸孔157的初步接觸插塞210。初步接觸插塞210可以由第一導(dǎo)電材料形成。例如，初步接觸插塞210可以由摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）形成。參照?qǐng)D21，使初步接觸插塞210凹陷以形成填充接觸孔157的下部的下插塞210a。參照?qǐng)D22，隨后，通過各向同性刻蝕工藝去除犧牲隔離物152。因此，空氣間隙AG可以形成在下插塞210a與線路圖案140之間。當(dāng)去除犧牲隔離物152時(shí)，可以去除第二保護(hù)隔離物155的上部。因此，如圖22所示，去除了上部的第二保護(hù)隔離物155a的頂端可以低于線路圖案140的頂部表面。此外，接觸孔157a的上部的寬度可以變寬。在另一些實(shí)施例中，當(dāng)去除犧牲隔離物152時(shí)，可以去除與下插塞210a接觸的第二保護(hù)隔離物155a，并且可以保留第一保護(hù)隔離物143a的至少一部分。在又一些實(shí)施例中，當(dāng)去除犧牲隔離物152時(shí)可以去除第一保護(hù)隔離物143a和第二保護(hù)隔離物155a。參照?qǐng)D23，接著，可以將封蓋隔離物層形成在襯底100上，然后可以對(duì)封蓋隔離物層進(jìn)行各向異性刻蝕直到露出下插塞210a的頂部表面。因此，封蓋隔離物230可以被形成在接觸孔157a的上部的內(nèi)側(cè)壁上。封蓋隔離物層的階梯覆蓋特性可以較差。因此，封蓋隔離物230可以不填充空氣間隙AG而是閉合空氣間隙AG的頂端。封蓋隔離物230可以覆蓋第二保護(hù)隔離物155a。隔離物結(jié)構(gòu)220可以包括第一保護(hù)隔離物143a、空氣間隙AG以及第二保護(hù)隔離物155a，它們都布置在下插塞210a與線路圖案140之間。被封蓋隔離物230圍繞的接觸孔157b可以暴露出下插塞210a。參照?qǐng)D24，可以將導(dǎo)電層240形成在具有接觸孔157b和封蓋隔離物230的襯底100上。導(dǎo)電層240可以填充接觸孔157b。導(dǎo)電層240可以包括順序?qū)盈B的阻擋導(dǎo)電層235和金屬層237。例如，阻擋導(dǎo)電層235可以包括過渡金屬。阻擋導(dǎo)電層235的過渡金屬可以與下插塞210a的半導(dǎo)體材料反應(yīng)，從而形成歐姆層242。歐姆層242可以通過熱能量形成。用于形成歐姆層242的熱能量可以通過阻擋導(dǎo)電層235的沉積工藝的工藝溫度或者額外的熱處理來提供。接著，可以對(duì)導(dǎo)電層240進(jìn)行圖案化以形成圖19的上插塞240c和接合焊盤240L。因此，可以形成圖19的接觸插塞250。隨后，可以形成圖19的第二層間絕緣層173、通孔插塞175以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP來實(shí)現(xiàn)圖19的半導(dǎo)體器件。[第三實(shí)施例]在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例中描述的元件相同的元件將由相同的參考標(biāo)號(hào)或參考標(biāo)記來指示。為了解釋的簡單和方便的目的，對(duì)與第一實(shí)施例中的元件相同的元件的描述將被省略或簡單提及。即，此后將主要描述本實(shí)施例與第一實(shí)施例之間的差異。圖25A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖25B和圖25C是沿著圖25A的線Ⅴ-Ⅴ'和Ⅵ-Ⅵ'截取的剖面圖。圖25D是圖25A示出的包括空氣間隙的隔離物結(jié)構(gòu)的放大圖。參照?qǐng)D25A至圖25D，接觸插塞330可以布置在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間。接觸插塞330彼此隔開。每個(gè)接觸插塞330可以連接到每個(gè)基底導(dǎo)電焊盤120。包括空氣間隙AGL隔離物結(jié)構(gòu)350可以布置在接觸插塞330與每個(gè)線路圖案140之間。在平面圖中，隔離物結(jié)構(gòu)350可以具有沿著線路圖案140的側(cè)壁延伸的線形。因此，在平面圖中空氣間隙AGL也可以沿著線路圖案140的側(cè)壁延伸。隔離物結(jié)構(gòu)350還可以包括覆蓋線路圖案140的側(cè)壁的第一保護(hù)隔離物300a和與接觸插塞330相鄰的第二保護(hù)隔離物310a。第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a也可以具有沿著線路圖案140的側(cè)壁延伸的線形。第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a可以由絕緣材料形成。例如，第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a可以包括氮化硅和/或氮氧化硅。接觸插塞330可以布置于在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間限定的接觸孔325中。在一些實(shí)施例中，上絕緣圍欄320可以布置在一對(duì)隔離物結(jié)構(gòu)350之間，該一對(duì)隔離物結(jié)構(gòu)350布置在彼此相鄰的線路圖案140之間。接觸孔325可以由一對(duì)上絕緣圍欄320和一對(duì)隔離物結(jié)構(gòu)350來定義，該一對(duì)上絕緣圍欄320和該一對(duì)隔離物結(jié)構(gòu)350布置在彼此相鄰的線路圖案140之間。因此，接觸孔325和接觸插塞330的每個(gè)底部表面可以具有四邊形。在一些實(shí)施例中，如圖25C所示，上絕緣圍欄320與接觸插塞330之間不存在空氣間隙。上絕緣圍欄320可以包括氮化硅和/或氮氧化硅。在一些實(shí)施例中，如圖25C所示，第一保護(hù)隔離物300a的延伸部分300r可以布置在上絕緣圍欄320的底部表面與第一層間絕緣層123之間。此外，第二保護(hù)隔離物310a的延伸部分310r可以布置在上絕緣圍欄320的底部表面與第一保護(hù)隔離物300a的延伸部分300r之間。如圖25A和圖25D所示，接合焊盤LP可以從接觸插塞330的頂端延伸以覆蓋空氣間隙AGL的第一部分?？諝忾g隙AGL可以包括不被接合焊盤LP覆蓋的第二部分。如圖25B所示，空氣間隙AGL的第一部分的高度可以大于空氣間隙AGL的第二部分的高度。在接合焊盤LP之下的第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a的頂端可以彼此接觸。因此，空氣間隙AGL的第一部分的頂端可以被在接合焊盤LP之下的彼此接觸的第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a的頂端覆蓋。本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在另一些實(shí)施例中，如參照?qǐng)D1B的描述，在接合焊盤LP之下的第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a的頂端可以彼此隔開，且空氣間隙AGL的第一部分的頂端可以被接合焊盤LP閉合?？諝忾g隙AGL的第二部分的頂端可以被第二層間絕緣層173閉合。與空氣間隙AGL的第二部分相鄰的第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a的頂端可以低于在接合焊盤LP之下的第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a的頂端。接觸插塞330和接合焊盤LP可以分別由與上述第一實(shí)施例中的接觸插塞160和接合焊盤LP的材料相同的材料形成?？商鎿Q地，接觸插塞330和接合焊盤LP可以由圖19的接觸插塞250和接合焊盤240L取代。在一些實(shí)施例中，圖19的空氣間隙AG也可以像空氣間隙AGL那樣沿著線路圖案140的側(cè)壁延伸。圖25B所示的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以實(shí)現(xiàn)為圖3A的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP或者圖3B所示的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'。圖26A至圖30A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。圖26B至圖30B是分別沿著圖26A至圖30A的線Ⅴ-Ⅴ'截取的剖面圖。圖26C至圖30C是分別沿著圖26A至圖30A的線Ⅵ-Ⅵ'截取的剖面圖。制造根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法可以包括參照?qǐng)D4A至圖9A、圖4B至圖9B、圖4C至圖9C描述的各工藝。參照?qǐng)D26A至圖26C，第一保護(hù)隔離物層300可以被共形地形成在具有線路圖案140的襯底100上。犧牲隔離物層可以被共形地形成在第一保護(hù)隔離物層300上，然后對(duì)犧牲隔離物層進(jìn)行各向異性刻蝕以形成犧牲隔離物305。犧牲隔離物305可以具有沿著線路圖案140的一個(gè)側(cè)壁延伸的線形。由于過刻蝕可以使?fàn)奚綦x物305的頂端低于線路圖案140的頂部表面。第二保護(hù)隔離物層310可以被共形地形成在具有犧牲隔離物305的襯底100上。第二保護(hù)隔離物層310覆蓋犧牲隔離物305。第一保護(hù)隔離物層300和第二保護(hù)隔離物層310可以由相對(duì)于犧牲隔離物305具有刻蝕選擇性的絕緣材料形成。例如，犧牲隔離物305可以由氧化硅形成，第一保護(hù)隔離物層300和第二保護(hù)隔離物層310可以包括氮化硅和/或氮氧化硅。填充層可以形成在具有第二保護(hù)隔離物層310的襯底100上，然后對(duì)填充層進(jìn)行平坦化以形成填充線圖案315。每個(gè)填充線圖案315可以形成在一對(duì)彼此相鄰的線路圖案140之間。填充線圖案315可以由相對(duì)于第二保護(hù)隔離物層310具有刻蝕選擇性的材料形成。例如，填充線圖案315可以由氧化硅形成。參照?qǐng)D27A至圖27C，可以對(duì)填充線圖案315進(jìn)行圖案化以形成凹面區(qū)域和填充圖案315a?？梢詫鷻诮^緣層形成在襯底100上以填充凹面區(qū)域，然后可以對(duì)圍欄絕緣層進(jìn)行平坦化以形成上絕緣圍欄320。上絕緣圍欄320的底部表面和兩個(gè)側(cè)壁可以被布置在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案140之間的第二保護(hù)隔離物層310覆蓋。上絕緣圍欄320可以由相對(duì)于填充圖案315a具有刻蝕選擇性的絕緣材料形成。例如，上絕緣圍欄320可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成。各填充圖案315a可以分別形成在基底導(dǎo)電焊盤120之上。參照?qǐng)D28A至圖28C，填充圖案315a可以被去除以形成初步接觸孔。每個(gè)初步接觸孔可以暴露出布置在線路圖案140之間的第二保護(hù)隔離物層310。隨后，可以相繼地對(duì)第二保護(hù)隔離物層310、第一保護(hù)隔離物層300以及第一層間絕緣層123進(jìn)行各向異性刻蝕，以形成接觸孔325、第一保護(hù)隔離物300a以及第二保護(hù)隔離物310a。每個(gè)接觸孔325可以暴露出基底導(dǎo)電焊盤120。布置在線路圖案140的一個(gè)側(cè)壁上的第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a可以圍繞犧牲隔離物305?？梢员Ａ羯辖^緣圍欄320之下的第二保護(hù)隔離物層的部分310r和第一保護(hù)隔離物層的部分300r。參照?qǐng)D29A至圖29C，導(dǎo)電層可以形成在襯底100上以填充接觸孔325，然后對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成填充每個(gè)接觸孔325的接觸插塞330以及從接觸插塞330的頂端延伸的接合焊盤LP。犧牲隔離物305可以包括第一部分和第二部分。犧牲隔離物305的第一部分被接合焊盤LP覆蓋，犧牲隔離物305的第二部分不被接合焊盤LP覆蓋。第一保護(hù)隔離物300a和第二保護(hù)隔離物310a與犧牲隔離物305的第二部分相鄰的頂端可以在對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化時(shí)被刻蝕。因此，可以暴露出犧牲隔離物305的第二部分。參照?qǐng)D30A至圖30C，利用各向同性刻蝕工藝通過犧牲隔離物305的暴露的第二部分來去除犧牲隔離物305。此時(shí)，犧牲隔離物305的第一部分也與犧牲隔離物305的第二部分一起被去除。從而，可以形成包括空氣間隙AGL的隔離物結(jié)構(gòu)350?？諝忾g隙AGL可以形成在第一保護(hù)隔離物300a與第二保護(hù)隔離物310a之間。接著，可以形成圖25B和圖25C的第二層間絕緣層173。因此，空氣間隙AGL不被接合焊盤LP覆蓋的部分可以由第二層間絕緣層173閉合。隨后，可以形成圖25A至圖25C的通孔插塞175和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP來實(shí)現(xiàn)圖25A至圖25C所示的半導(dǎo)體器件。[第四實(shí)施例]在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例中描述的元件相同的元件將由相同的參考標(biāo)號(hào)或參考標(biāo)記來指示。為了解釋的簡單和方便的目的，對(duì)與第一實(shí)施例中的元件相同的元件的描述將被省略或簡單提及。即，此后將主要描述本實(shí)施例與第一實(shí)施例之間的差異。圖31A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖31B是沿著圖31A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖，圖31C是沿著圖31A的線C-C'和D-D'截取的剖面圖。圖31D是沿著圖31A的空氣間隙的縱向方向截取的剖面圖。參照?qǐng)D31A至圖31D，在本實(shí)施例中可以省略掉上述第一至第三實(shí)施例中的下絕緣圍欄117和基底導(dǎo)電焊盤120。在此情況下，在每個(gè)柵極電極GE上的柵極封蓋絕緣圖案110a的頂部表面可以布置在與襯底100的頂部表面實(shí)質(zhì)相同的水平。柵極電極GE和柵極封蓋絕緣圖案110a可以沿圖31A的x軸方向延伸。線路圖案430可以與柵極電極GE交叉。例如，線路圖案430可以沿著圖31A的y軸方向延伸。每個(gè)線路圖案430可以布置在沿著線路圖案430的縱向方向布置的多個(gè)第一摻雜區(qū)域112a之上。每個(gè)線路圖案430可以包括順序?qū)盈B的導(dǎo)電線420和硬掩模圖案425。如圖31C所示，導(dǎo)電線420可以包括基底導(dǎo)電圖案405a以及線接觸部410a。線接觸部410a的頂部表面可以與基底導(dǎo)電圖案405a的頂部表面實(shí)質(zhì)上共面。線接觸部410a可以與基底導(dǎo)電圖案405a接觸。線接觸部410a的兩個(gè)側(cè)壁可以與基底導(dǎo)電圖案405a沿著線路圖案430的縱向方向延伸的兩個(gè)側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)。線接觸部410a可以連接到第一摻雜區(qū)域112a。絕緣圖案402a可以布置在基底導(dǎo)電圖案405a與襯底100之間。特別地，絕緣圖案402a可以布置在基底導(dǎo)電圖案405a與第二摻雜區(qū)域112b之間。導(dǎo)電線420還可以包括順序?qū)盈B在基底導(dǎo)電圖案405a和線接觸部410a之上的阻擋導(dǎo)電圖案412a和金屬圖案415a。阻擋導(dǎo)電圖案412a和金屬圖案415a每個(gè)的兩個(gè)側(cè)壁可以與基底導(dǎo)電圖案405a的兩個(gè)側(cè)壁和線接觸部410a的兩個(gè)側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)。基底導(dǎo)電圖案405a和線接觸部410a可以由摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）形成。阻擋導(dǎo)電圖案412a可以包括過渡金屬（例如鈦、鉭）和/或?qū)щ娊饘俚铮ɡ绲?、氮化鉭）。金屬圖案415a可以包括鎢或鋁。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電線420還可以包括歐姆層，歐姆層布置在阻擋導(dǎo)電圖案412a與基底導(dǎo)電圖案405a之間以及布置在阻擋導(dǎo)電圖案412a與線接觸部410a之間。導(dǎo)電線420的歐姆層可以包括金屬-半導(dǎo)體化合物（例如金屬硅化物）。線路圖案430的硬掩模圖案425可以由與上述第一實(shí)施例的硬掩模圖案137的材料實(shí)質(zhì)相同的材料形成。絕緣圍欄465可以與線路圖案430交叉。絕緣圍欄465可以彼此平行。例如，絕緣圍欄465可以沿著x軸方向延伸。絕緣圍欄可以向下延伸以填充其下的線路圖案430之間的空隙。絕緣圍欄465可以在y軸方向上彼此隔開。硬掩模圖案425在絕緣圍欄465之下的頂部表面可以凹陷而低于硬掩模圖案425在絕緣圍欄465旁邊的頂部表面。因此，絕緣圍欄465的頂部表面可以與硬掩模圖案425在絕緣圍欄465旁邊的頂部表面實(shí)質(zhì)上共面。接觸插塞可以被布置于在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案430之間以及在彼此相鄰的一對(duì)絕緣圍欄465之間限定的接觸孔470a中。如圖31A所示，多個(gè)接觸插塞可以被布置在一對(duì)線路圖案430之間，絕緣圍欄465可以分別布置在該多個(gè)接觸插塞之間。接觸插塞可以包括順序?qū)盈B的下插塞475和上插塞490c。下插塞475可以連接到第二摻雜區(qū)域112b。下插塞475可以包括第一導(dǎo)電材料，上插塞490c可以包括與第一導(dǎo)電材料不同的第二導(dǎo)電材料。具體地，上插塞490c的第二導(dǎo)電材料的電阻率可以低于下插塞475的第一導(dǎo)電材料的電阻率。例如，下插塞475可以包括摻雜半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅），上插塞490c可以包括順序?qū)盈B的阻擋圖案485c和金屬圖案487c。上插塞490c的阻擋圖案485c可以包括導(dǎo)電金屬氮化物（例如氮化鈦和/或氮化鉭）和/或過渡金屬（例如鈦和/或鉭）。上插塞490c的金屬圖案487c可以包括鎢和/或鋁。此外，接觸插塞可以還包括布置在下插塞475與上插塞490c之間的歐姆層483。歐姆層483可以包括金屬-半導(dǎo)體化合物（例如金屬硅化物）?？諝忾g隙AGa可以布置在下插塞475與每個(gè)線路圖案430之間。在平面圖中，空氣間隙AGa可以具有沿著每個(gè)線路圖案430的側(cè)壁延伸的線形。也就是說，一對(duì)空氣間隙AGa可以分別在下插塞475的一側(cè)處布置于下插塞475與線路圖案430之間以及在下插塞475的另一側(cè)處布置于下插塞475與線路圖案430之間。不同于上述第二實(shí)施例，一對(duì)空氣間隙AGa可以彼此隔開。也就是說，空氣間隙AGa可以不存在于下插塞475和絕緣圍欄465之間。例如，下插塞475可以與絕緣圍欄465接觸。封蓋隔離物480可以布置于上插塞490c與在上插塞490c的兩側(cè)處布置的一對(duì)線路圖案430之間。封蓋隔離物480可以閉合一對(duì)空氣間隙AGa的頂端。封蓋隔離物480可以圍繞上插塞490c的側(cè)壁。也就是說，在平面圖中封蓋隔離物480可以具有閉環(huán)形狀。封蓋隔離物480可以布置在接觸孔470a的內(nèi)側(cè)壁的上部與上插塞490c之間。在一些實(shí)施例中，封蓋隔離物480可以覆蓋下插塞475的頂部表面的邊緣部分。在此情況下，上插塞490c可以通過下插塞475的頂部表面的中心部分連接到下插塞475。封蓋隔離物480由絕緣材料形成。例如，封蓋隔離物480可以包括氮化硅和/或氮氧化硅。如上所述，在本實(shí)施例中可以省略掉第一至第三實(shí)施例的基底導(dǎo)電焊盤120。在此情況下，如圖31B所示，空氣間隙AGa的底端可以向下延伸而也布置于導(dǎo)電線420的線接觸部410a的一側(cè)處。在一些實(shí)施例中，如圖31A、圖31B、圖31C所示，空氣間隙AGa可以沿著在線路圖案430的縱向方向上的線路圖案430的側(cè)壁延伸，使得空氣間隙AGa也可以布置在絕緣圍欄465之下。因此，分別在一對(duì)線路圖案430中的一個(gè)與線路圖案430的縱向方向（即，y軸方向）上的相鄰下插塞475之間布置的空氣間隙AGa可以通過空氣間隙AGa在絕緣圍欄465之下的一個(gè)延伸部分而彼此連接。同樣地，分別在一對(duì)線路圖案430中的另一個(gè)與線路圖案430的縱向方向（即，y軸方向）上的相鄰下插塞475之間布置的空氣間隙AGa可以通過空氣間隙AGa在絕緣圍欄465之下的另一個(gè)延伸部分而彼此連接。在一些實(shí)施例中，如圖31A和圖31D所示，在下插塞475與線路圖案430之間的空氣間隙AGa可以具有第一高度H1，在絕緣圍欄465之下的空氣間隙AGa可以具有第二高度H2。這里，第一高度H1可以不同于第二高度H2。在一些實(shí)施例中，第一高度H1可以大于第二高度H2。因此，在線路圖案430與y軸方向上的相鄰下插塞475之間的空氣間隙AGa的上部區(qū)域可以通過絕緣圍欄465彼此隔開，而空氣間隙AGa的下部區(qū)域可以彼此連接。如圖31D所示，在絕緣圍欄465之下的空氣間隙AGa的高度可以取決于空氣間隙AGa的位置而發(fā)生變化。例如，在絕緣圍欄465的邊緣之下的空氣間隙AGa的高度可以大于在絕緣圍欄465的中心之下的空氣間隙AGa的高度。在絕緣圍欄465的中心之下的空氣間隙AGa可以具有實(shí)質(zhì)上最小的高度。參照?qǐng)D31A至圖31D，第一保護(hù)隔離物435a可以布置在接觸插塞與每個(gè)線路圖案430之間，第二保護(hù)隔離物445a可以布置在第一保護(hù)隔離物435a與接觸插塞之間。在一些實(shí)施例中，第二保護(hù)隔離物445a可以布置在第一保護(hù)隔離物435a與下插塞475之間。也就是說，第二保護(hù)隔離物445a的頂端可以低于線路圖案430的頂部表面?？諝忾g隙AGa可以布置在第一保護(hù)隔離物435a與第二保護(hù)隔離物445a之間。第一保護(hù)隔離物435a的底端可以橫向延伸以閉合空氣間隙AGa的底端。在另一些實(shí)施例中，空氣間隙AGa可以被第一保護(hù)隔離物435a、第二保護(hù)隔離物445a、封蓋隔離物480圍繞。類似于空氣間隙AGa，第一保護(hù)隔離物435a和第二保護(hù)隔離物445a可以沿著線路圖案430的縱向方向延伸，以便也布置在絕緣圍欄465之下。在一些實(shí)施例中，絕緣圍欄465之下的第二保護(hù)隔離物445a的高度可以小于在接觸插塞475的一側(cè)處布置的第二保護(hù)隔離物的445a的高度。第一保護(hù)隔離物435a和第二保護(hù)隔離物445a由絕緣材料形成。例如，第一保護(hù)隔離物435a和第二保護(hù)隔離物445a可以包括氮化硅和/或氮氧化硅。接合焊盤490L可以從上插塞490c的頂端朝向接觸孔470a的外側(cè)延伸。在本實(shí)施例中，接合焊盤490L可以具有關(guān)于接觸插塞對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在其他實(shí)施例中，接合焊盤490L可以具有如第一實(shí)施例中描述的關(guān)于接觸插塞非對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。接合焊盤490L可以包括順序?qū)盈B的阻擋圖案485L和金屬圖案487L。接合焊盤490L的阻擋圖案485L和金屬圖案487L可以分別由與上插塞490c的阻擋圖案485c和金屬圖案487c的材料相同的材料而形成。此外，接合焊盤490L的阻擋圖案485L和金屬圖案487L可以分別從上插塞490c的阻擋圖案485c和金屬圖案487c延伸?？梢詫娱g絕緣層173布置在包括接合焊盤490L的襯底100上，通孔插塞175可以穿透層間絕緣層173以便分別連接到接合焊盤490L。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以布置在層間絕緣層173上并且分別連接到通孔插塞175。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP可以是參照?qǐng)D3A描述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP和參照?qǐng)D3B描述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP'中的一個(gè)。在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，空氣間隙AGa布置在下插塞475與線路圖案430（例如，導(dǎo)電線420）之間。因此，可以減小下插塞475與導(dǎo)電線420之間的寄生電容，以實(shí)現(xiàn)具有改進(jìn)可靠性的半導(dǎo)體器件。此外，由于減小了寄生電容，可以減小接觸插塞與線路圖案430之間的距離。因此，可以實(shí)現(xiàn)高度集成的半導(dǎo)體器件。另一方面，根據(jù)本實(shí)施例的絕緣圍欄465的技術(shù)特征可以應(yīng)用于上述第一至第三實(shí)施例的上絕緣圍欄147和320。例如，第一至第三實(shí)施例的上絕緣圍欄147和320可以由根據(jù)本實(shí)施例的絕緣圍欄465而替代。圖32A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的變型示例的沿著圖31A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖。圖32B是示出圖32A的變型示例的空氣間隙的傳導(dǎo)線路層的平面圖。圖32C是示出圖32A的變型示例的空氣間隙的沿著該空氣間隙的縱向方向截取的剖面圖。參照?qǐng)D32A至圖32C，多個(gè)接觸插塞布置在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案430之間。一對(duì)空氣間隙AGb可以分別布置在每個(gè)接觸插塞與一對(duì)線路圖案430之間。每個(gè)空氣間隙AGb可以布置在接觸插塞的下插塞475與線路圖案430之間。分別布置在每個(gè)接觸插塞與一對(duì)線路圖案430之間的一對(duì)空氣間隙AGb被彼此隔開。此外，在本變型實(shí)施例中，一個(gè)下插塞475和一對(duì)線路圖案中的一個(gè)線路圖案430之間的空氣間隙AGb可以與相鄰于該下插塞475的另一下插塞475和該對(duì)線路圖案中的該個(gè)線路圖案430之間的空氣間隙AGb完全隔開。更具體地，分別布置在一個(gè)線路圖案430與兩個(gè)下插塞475之間的空氣間隙AGb可以沿著該線路圖案430的縱向方向布置并且彼此完全隔開。如圖32B和圖32C所示，分別布置在一個(gè)線路圖案430與兩個(gè)下插塞475之間的空氣間隙AGb可以通過絕緣圍欄465'彼此完全隔開。也就是說，空氣間隙AGb可以有限地布置在下插塞475與一個(gè)線路圖案430之間以及彼此相鄰的絕緣圍欄465'之間。同樣地，如圖32A和圖32B所示，分別布置在一個(gè)線路圖案430與兩個(gè)下插塞475之間的第二保護(hù)隔離物445b也可以通過絕緣圍欄465'彼此完全隔開。第二保護(hù)隔離物445b可以與下插塞475的一個(gè)側(cè)壁相鄰?？諝忾g隙AGb可以布置在第二保護(hù)隔離物445b與相鄰于線路圖案430的第一保護(hù)隔離物435a之間。圖33是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一個(gè)變型示例的沿著圖31A的線A-A'截取的剖面圖。參照?qǐng)D33，在本變型實(shí)施例中，封蓋隔離物480a可以包括順序?qū)盈B的第一子隔離物478a和第二子隔離物479a。第一子隔離物478a和第二子隔離物479a的每一個(gè)由絕緣材料形成。此處的第一子隔離物478a的密度可以不同于第二子隔離物479a的密度。在一些實(shí)施例中，第一子隔離物478a的密度可以小于第二子隔離物479a的密度。因此，第一子隔離物478a的階梯覆蓋特性可以劣于第二子隔離物479a的階梯覆蓋特性。例如，第一子隔離物478a可以由多孔氮化硅形成，第二子隔離物479a可以由密度比第一子隔離物478a（例如多孔氮化硅）的密度大的氮化硅形成。接下來，將參照附圖描述制造根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法。圖34A至圖45A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。圖34B至圖45B是分別沿著圖34A至圖45A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖。圖34C至圖45C是分別沿著圖34A至圖45A的線C-C'和D-D'截取的剖面圖。圖38D是沿著圖38A的犧牲隔離物的縱向方向截取的剖面圖。圖39D是沿著圖39A的犧牲隔離物的縱向方向截取的剖面圖。參照?qǐng)D34A至圖34C，可以將絕緣層402形成在包括有源部分ACT、柵極電極GE、柵極封蓋絕緣圖案110a以及摻雜區(qū)域112a和112b的襯底100上。柵極封蓋絕緣圖案110a的頂部表面可以與襯底100的頂部表面實(shí)質(zhì)上共面。絕緣層402可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在一些實(shí)施例中，絕緣層402可以對(duì)應(yīng)于外圍電路區(qū)域（未示出）中的晶體管的柵極絕緣層。然而，本發(fā)明不限于此?；讓?dǎo)電層405可以形成在絕緣層402上。例如，基導(dǎo)電層405可以由摻雜有摻雜劑的半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）形成。在一些實(shí)施例中，刻蝕停止層（未示出）可以形成在基底導(dǎo)電層405上?？涛g停止層可以包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物?？梢韵嗬^地對(duì)刻蝕停止層、基底導(dǎo)電層405以及絕緣層402進(jìn)行圖案化，以分別形成暴露各第一摻雜區(qū)域112a的孔407。每個(gè)孔407的底部表面可以凹陷而低于襯底100的頂部表面（例如，未被孔407暴露的有源部分ACT的頂部表面）。隨后，可以將接觸導(dǎo)電層形成在襯底100上以填充孔407，可以對(duì)接觸導(dǎo)電層進(jìn)行平坦化直到露出刻蝕停止層。因此，可以形成接觸導(dǎo)電圖案410以分別填充孔407。接著，去除刻蝕停止層以暴露基底導(dǎo)電層405。每個(gè)接觸導(dǎo)電圖案410可以連接到通過每個(gè)孔407暴露出的第一摻雜區(qū)域112a。如圖34B和圖34C所示，接觸導(dǎo)電圖案410的頂部表面可以布置在與基底導(dǎo)電層405的頂部表面相同的水平處。接觸導(dǎo)電圖案410的側(cè)壁可以與形成孔407的內(nèi)側(cè)壁的基底導(dǎo)電層405接觸。接觸導(dǎo)電圖案410可以由摻雜有摻雜劑的半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）形成。參照?qǐng)D35A至圖35C，阻擋導(dǎo)電層和金屬層可以被順序形成在具有基底導(dǎo)電層405和接觸導(dǎo)電圖案410的襯底100上。阻擋導(dǎo)電層可以與基底導(dǎo)電層405和接觸導(dǎo)電圖案410接觸。硬掩模層可以形成在金屬層上?？梢韵嗬^地對(duì)硬掩模圖案、金屬層、阻擋導(dǎo)電層、基底導(dǎo)電層405、接觸導(dǎo)電圖案410以及絕緣層402進(jìn)行圖案化，以形成沿著y軸方向彼此平行延伸的線路圖案430。絕緣圖案402可以形成在每個(gè)線路圖案430之下。每個(gè)線路圖案430可以包括順序?qū)盈B的導(dǎo)電線420和硬掩模圖案425。導(dǎo)電線420可以包括基底導(dǎo)電圖案405a和線接觸部410a?；讓?dǎo)電圖案405a是基底導(dǎo)電層405的一部分，線接觸部410a是接觸導(dǎo)電圖案410的一部分。基底導(dǎo)電圖案405a布置在絕緣圖案402上，線接觸部410a連接到第一摻雜區(qū)域112a?；讓?dǎo)電圖案405a可以與線接觸部410a橫向接觸。線接觸部410a的兩個(gè)側(cè)壁可以與沿著y軸方向的基底導(dǎo)電圖案405a的兩個(gè)側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)。導(dǎo)電線420還可以包括順序?qū)盈B在基底導(dǎo)電圖案405a和線接觸部410a上的阻擋導(dǎo)電圖案412a和金屬圖案415a。參照?qǐng)D36A至圖36C，第一保護(hù)隔離物層435可以被共形地形成在具有線路圖案430的襯底100上。因此，第一保護(hù)隔離物層435可以覆蓋每個(gè)線路圖案430的兩個(gè)側(cè)壁和頂部表面。犧牲隔離物層可以被共形地形成在具有第一保護(hù)隔離物層435的襯底100上，然后對(duì)犧牲隔離物層執(zhí)行內(nèi)刻蝕工藝以分別在每個(gè)線路圖案430的兩個(gè)側(cè)壁處形成犧牲隔離物440。隨后，第二保護(hù)隔離物層445可以被共形地形成在具有犧牲隔離物440的襯底100上。犧牲隔離物440可以由相對(duì)于第一保護(hù)隔離物層435和第二保護(hù)隔離物層445具有刻蝕選擇性的材料而形成。例如，第一保護(hù)隔離物層435和第二保護(hù)隔離物層445可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成，犧牲隔離物440可以由氧化硅形成。參照?qǐng)D37A至圖37C，接著可以將填充層形成在襯底100的整個(gè)表面上，以填充線路圖案430之間的空隙。可以對(duì)填充層進(jìn)行平坦化以形成填充線圖案450。每個(gè)填充線圖案450填充彼此相鄰的一對(duì)線路圖案430之間的空隙。各填充線圖案450可被彼此隔開。因此，填充線圖案450可以平行于線路圖案430而延伸。填充線圖案450由氧化硅形成。隨后，封蓋掩模層可以被形成在具有填充線圖案450的襯底100上，然后可以對(duì)封蓋掩模層進(jìn)行圖案化以形成封蓋掩模圖案455。封蓋掩模圖案455可以與填充線圖案450和線路圖案430交叉。例如，封蓋掩模圖案455可以沿著x軸方向延伸。封蓋掩模圖案455可以在y軸方向彼此隔開。因此，線型開口457可以被限定在封蓋掩模圖案455之間。每個(gè)線型開口457可以被限定在彼此相鄰的一對(duì)封蓋掩模圖案455之間并且可以暴露出填充線圖案450的部分和布置在線路圖案430的頂部表面上的第二保護(hù)隔離物層445的部分。每個(gè)封蓋掩模圖案455可以與每個(gè)柵極電極GE和每個(gè)柵極封蓋絕緣圖案110a重疊。封蓋掩模圖案455可以由相對(duì)于第一保護(hù)隔離物435和第二保護(hù)隔離物445、線路圖案430的硬掩模圖案425以及填充線圖案450具有刻蝕選擇性的材料而形成。在一些實(shí)施例中，封蓋掩模層的一部分可以保留在外圍電路區(qū)域（未示出）中。外圍電路區(qū)域中的封蓋掩模層可以保護(hù)布置在外圍電路區(qū)域中的由與填充線圖案450的材料相同的材料形成的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D38A至圖38D，使用封蓋掩模圖案455作為刻蝕掩模來刻蝕暴露的填充線圖案450，直到露出填充線圖案450之下的第二保護(hù)隔離物層445。因此，可以形成圍欄凹面區(qū)域460和填充柱圖案450a。填充柱圖案450a布置在封蓋掩模圖案455之下并且彼此隔開。每個(gè)填充柱圖案450a可以與每個(gè)第二摻雜區(qū)域112b的至少一部分重疊。當(dāng)形成圍欄凹面區(qū)域460時(shí)，第二保護(hù)隔離物層445、第一保護(hù)隔離物層435、硬掩模圖案425以及犧牲隔離物440在每個(gè)線型開口457之下的部分可以被凹陷。此時(shí)，硬掩模圖案425之下的導(dǎo)電線420不被暴露。因此，形成在每個(gè)線型開口457之下的圍欄凹面區(qū)域460可以包括槽區(qū)域和孔區(qū)域。圍欄凹面區(qū)域460的槽區(qū)域可以布置在凹陷的硬掩模圖案425上，并且平行于封蓋掩模圖案455延伸從而與線路圖案430交叉。圍欄凹面區(qū)域460的孔區(qū)域可以被限定在每個(gè)線型開口457之下的線路圖案430之間。圍欄凹面區(qū)域460的每個(gè)孔區(qū)域可以被限定在彼此相鄰的一對(duì)線路圖案430之間以及彼此相鄰的且布置在該對(duì)線路圖案430之間的一對(duì)填充柱圖案450a之間。用于形成圍欄凹面區(qū)域460和填充柱圖案450a的刻蝕工藝可以具有實(shí)質(zhì)上垂直于襯底100的主要的各向異性刻蝕特性。此外，該刻蝕工藝也可以具有橫向刻蝕特性。覆蓋犧牲隔離物440的側(cè)壁的第二保護(hù)隔離物層445可以進(jìn)一步被橫向刻蝕特性而凹陷。因此，線路圖案430的側(cè)壁上的犧牲隔離物440和第二保護(hù)隔離物層445可以凹陷而低于硬掩模圖案425的凹陷部分的頂部表面。圖38D示出了沿著犧牲隔離物440的縱向方向截取的犧牲隔離物440的剖面圖。如圖38D所示，犧牲隔離物440在線型開口457的中心區(qū)域之下的部分可以凹陷得低于犧牲隔離物440在線型開口457的邊緣區(qū)域之下的另一部分。在一些實(shí)施例中，如圖38B所示，圍欄凹面區(qū)域460之下的犧牲隔離物440可以凹陷得低于線路圖案430中的導(dǎo)電線420的頂部表面。參照?qǐng)D39A至圖39D，圍欄絕緣層可以形成在襯底100上以覆蓋圍欄凹面區(qū)域460?？梢詫?duì)圍欄絕緣層進(jìn)行平坦化直到露出封蓋掩模圖案455，從而分別形成填充各圍欄凹面區(qū)域460的絕緣圍欄465。封蓋掩模圖案455可以由相對(duì)于絕緣圍欄465具有刻蝕選擇性的材料而形成。絕緣圍欄465可以由相對(duì)于填充柱圖案450a具有刻蝕選擇性的材料形成。例如，封蓋掩模圖案455可以由半導(dǎo)體材料（例如多晶硅）形成，絕緣圍欄465可以由氮化硅和/或氮氧化硅形成。在一些實(shí)施例中，絕緣圍欄465的頂部表面可以低于封蓋掩模圖案455的頂部表面。此時(shí)絕緣圍欄465的頂部表面可以高于填充柱圖案450a的頂部表面。絕緣圍欄465可以覆蓋犧牲隔離物440被圍欄凹面區(qū)域460暴露的凹陷部分。同時(shí)，使用封蓋掩模圖案455來形成圍欄凹面區(qū)域460和絕緣圍欄465的方法可以應(yīng)用于上述第一至第三實(shí)施例。也就是說，形成第一至第三實(shí)施例的上絕緣圍欄147和320的方法可以由使用封蓋掩模圖案455形成圍欄凹面區(qū)域460和絕緣圍欄465的方法來代替。參照?qǐng)D40A至圖40C，去除封蓋掩模圖案455以暴露填充柱圖案450a。在此情況下，在一些實(shí)施例中可以保留覆蓋外圍電路區(qū)域（未示出）的封蓋掩模層。參照?qǐng)D41A至圖41C，可以去除暴露的填充柱圖案450a以形成初步接觸孔470?？梢酝ㄟ^各向同性刻蝕工藝（例如濕法刻蝕工藝）去除填充柱圖案450a。初步接觸孔470可以被彼此相鄰的一對(duì)線路圖案430和彼此相鄰的一對(duì)絕緣圍欄圍繞。初步接觸孔470的底部表面可以由第二保護(hù)隔離物層445形成。在一些實(shí)施例中，在形成初步接觸孔470之后，可以去除保留在外圍電路區(qū)域（未示出）中的封蓋掩模層。在形成初步接觸孔470期間，保留的封蓋掩模層可以保護(hù)外圍電路區(qū)域中的由與填充柱圖案450a的材料相同的材料形成的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D42A至圖42C，在形成初步接觸孔470之后，相繼地對(duì)第二保護(hù)隔離物層445和第一保護(hù)隔離物層435進(jìn)行各向異性刻蝕。因此，在初步接觸孔470的底部表面之下的第二保護(hù)隔離物層445和第一保護(hù)隔離物層435可以被刻蝕，以分別形成暴露第二摻雜區(qū)域112b的接觸孔470a。此外，第一保護(hù)隔離物435a和第二保護(hù)隔離物445a可以被形成在線路圖案430的兩個(gè)側(cè)壁中的每一個(gè)上。也就是說，第一保護(hù)隔離物435a、犧牲隔離物440以及第二保護(hù)隔離物445a可以順序?qū)盈B在線路圖案430的每個(gè)側(cè)壁上。此時(shí)，犧牲隔離物440在絕緣圍欄465之間的頂端被暴露。參照?qǐng)D43A至圖43C，隨后可以形成第一導(dǎo)電層以填充接觸孔470a，然后對(duì)第一導(dǎo)電層執(zhí)行內(nèi)刻蝕工藝，以形成填充每個(gè)接觸孔470a的下區(qū)域的下插塞475。下插塞475可以與接觸孔470a之下的第二摻雜區(qū)域112b接觸。下插塞475可以包括第一導(dǎo)電材料。例如，下插塞475可以由摻雜有摻雜劑的半導(dǎo)體材料（例如摻雜硅）形成。在用于形成下插塞475的內(nèi)刻蝕工藝期間，第二保護(hù)隔離物445a布置在接觸孔470a的上區(qū)域的兩側(cè)處的上部分可以凹陷。也就是說，內(nèi)刻蝕工藝不僅可以包括主要的各向異性刻蝕特性，還可以包括橫向刻蝕特性。由于通過內(nèi)刻蝕工藝刻蝕第二保護(hù)隔離物445a的上部，所以接觸孔470a的上區(qū)域的寬度可以變寬。在一些實(shí)施例中，如圖43B所示，下插塞475的頂部表面可以高于在絕緣圍欄465之下的凹陷的犧牲隔離物440的頂端。此外，凹陷的第二保護(hù)隔離物445a的頂端也可以高于絕緣圍欄465之下的凹陷的犧牲隔離物440的頂端。參照?qǐng)D44A至圖44C，可以去除暴露的犧牲隔離物440以形成空氣間隙AGa?？梢酝ㄟ^各向同性刻蝕工藝（例如濕法刻蝕工藝）去除暴露的犧牲隔離物440。因此可以去除絕緣圍欄465之下凹陷的犧牲隔離物440。從而，可以形成參照?qǐng)D31A至圖31D描述的空氣間隙AGa。下插塞475與絕緣圍欄465接觸。因此，在去除犧牲隔離物440的工藝期間，下插塞475可以被絕緣圍欄465支持。參照?qǐng)D45A至圖45C，封蓋隔離物層可以被形成在具有空氣間隙AGa的襯底100上。封蓋隔離物層可以具有差的階梯覆蓋特性。因此，封蓋隔離物層可以不填充空氣間隙AGa。封蓋隔離物層可以閉合空氣間隙AGa的頂端。封蓋隔離物層可以由絕緣材料（例如氮化硅和/或氮氧化硅）形成。隨后，可以對(duì)封蓋隔離物層執(zhí)行內(nèi)刻蝕工藝，以在接觸孔470a的上區(qū)域的側(cè)壁上形成封蓋隔離物480。封蓋隔離物480可以覆蓋下插塞475的頂部表面的邊緣部分。也就是說，下插塞475的頂部表面的中心區(qū)域可以被暴露。再參照?qǐng)D31A至圖31D，可以形成第二導(dǎo)電層以填充接觸孔470a的上區(qū)域。第二導(dǎo)電層可以包括與下插塞475的第一導(dǎo)電材料不同的第二導(dǎo)電材料。例如，第二導(dǎo)電材料可以包括順序?qū)盈B的阻擋層（例如過渡金屬（例如鈦、鉭）和/或?qū)щ娊饘俚铮ɡ绲?、氮化鉭））以及金屬層（例如鎢和/或鋁）。在一些實(shí)施例中，阻擋層中的過渡金屬可以與下插塞475反應(yīng)以形成歐姆層483。可以對(duì)第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化以形成上插塞490c和接合焊盤490L。隨后，可以形成層間絕緣層173、通孔插塞175以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP來實(shí)現(xiàn)圖31A至圖31D所示的半導(dǎo)體器件。接下來，將圍繞顯著特征對(duì)制造圖32A至圖32C所示的半導(dǎo)體器件的方法進(jìn)行描述。圖46A是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的變型示例的平面圖。圖46B是沿著圖46A的線A-A'和B-B'截取的剖面圖。圖46C是沿著圖46A的犧牲隔離物的縱向方向截取的剖面圖。根據(jù)本變型示例的方法可以包括參照?qǐng)D34A至圖37A、圖34B至圖37B、圖34C至圖37C描述的各工藝。參照?qǐng)D37A至圖37C以及圖46A至圖46C，可以使用封蓋掩模圖案455作為刻蝕掩模來對(duì)填充線圖案450進(jìn)行刻蝕，以形成圍欄凹面區(qū)域460'。此時(shí)，可以去除線型開口457之下的犧牲隔離物440，使得犧牲隔離物分別布置在封蓋掩模圖案455之下的各部分440c彼此完全隔開。此外，可以去除線型開口457之下的第二保護(hù)隔離物層445，使得第二保護(hù)隔離物層445分別布置在封蓋掩模圖案455之下的部分可以彼此隔開。隨后，可以在各圍欄凹面區(qū)域460'中分別形成圖32A至圖32C所示的絕緣圍欄465'。此后，可以執(zhí)行參照?qǐng)D40A至圖45A、圖40B至圖45B、圖40C至圖45C描述的隨后工藝。接著，可以形成圖32A至圖32C的上插塞490c、接合焊盤490L、層間絕緣層173、通孔插塞175以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP來實(shí)現(xiàn)圖32A至圖32C所示的半導(dǎo)體器件。接下來，將描述制造圖33的半導(dǎo)體器件的方法。圖47A和圖47B是示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的再一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方法的另一個(gè)變型示例的平面圖。參照?qǐng)D47A，在形成了參照?qǐng)D44A至圖44C描述的空氣間隙AGa之后，可以將第一子隔離物層478布置在襯底100上。然后第二子隔離物層479可以被形成在第一子隔離物層478上。第一子隔離物層478的階梯覆蓋特性可以劣于第二子隔離物層479的階梯覆蓋特性。因此，空氣間隙AGa的頂端可以實(shí)質(zhì)上被具有差的階梯覆蓋特性的第一子隔離物層478閉合。然后可以通過具有相對(duì)較好的階梯覆蓋特性的第二子隔離物層479來提高空氣間隙AGa的頂端的覆蓋效果。例如，第一子隔離物層478可以由多孔氮化硅形成，第二子隔離物層479可以由密度比多孔氮化硅的密度更大的氮化硅而形成。參照?qǐng)D47B，對(duì)第二子隔離物層479和第一子隔離物層478執(zhí)行內(nèi)刻蝕工藝，以在接觸孔470a的側(cè)壁的上部形成封蓋隔離物480a。封蓋隔離物480a可以包括順序?qū)盈B的第一子隔離物478a和第二子隔離物479a。如圖47B所示，第一子隔離物478a可以具有L形截面。隨后，可以形成圖33的上插塞490c、接合焊盤490L、層間絕緣層173、通孔插塞175以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部DSP來實(shí)現(xiàn)圖33所示的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。與上述實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的線路圖案、接觸插塞以及空氣間隙相關(guān)的技術(shù)特征可以應(yīng)用于諸如邏輯器件之類的非存儲(chǔ)器件?？梢允褂酶鞣N封裝技術(shù)來對(duì)上述實(shí)施例中示出的半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝。例如，可以使用下面任一種技術(shù)對(duì)根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝：疊層封裝（PoP）技術(shù)、球柵陣列（BGAs）技術(shù)、芯片級(jí)封裝（CSPs）技術(shù)、塑料引線芯片載體（PLCC）技術(shù)、塑料雙列直插式封裝（PDIP）技術(shù)、晶圓中芯片封裝（DieinWafflePack）技術(shù)、晶圓中芯片形式（DieinWaferForm）技術(shù)、板上芯片（COB）技術(shù)、陶瓷雙列直插式封裝（CERDIP）技術(shù)、塑料度量方型扁平式封裝（PMQFP）技術(shù)、塑料方型扁平封裝（PQFP）技術(shù)、小外形封裝（SOIC）技術(shù)、收縮型小外形封裝（SSOP）技術(shù)、薄型小外形封裝（TSOP）技術(shù)、薄型方型扁平封裝（TQFP）技術(shù)、系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）技術(shù)、多芯片封裝（MCP）技術(shù)、晶圓級(jí)制造封裝（WFP，Wafer-levelFabricatedPackage）技術(shù)、晶圓級(jí)處理堆疊封裝（WSP，Wafer-LevelProcessedStackPackage）技術(shù)等。圖48是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的示例的示意框圖。參照?qǐng)D48，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的電子系統(tǒng)1100可以包括控制器1110、輸入/輸出（I/O）單元1120、存儲(chǔ)裝置1130、接口單元1140以及數(shù)據(jù)總線1150。控制器1110、I/O單元1120、存儲(chǔ)裝置1130以及接口單元1140中的至少兩個(gè)可以通過數(shù)據(jù)總線1150彼此通信。數(shù)據(jù)總線1150可以對(duì)應(yīng)于傳輸電信號(hào)的路徑。控制器1110可以包括微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器或其他邏輯裝置中的至少一個(gè)。其他邏輯裝置可以具有與微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器的任何一個(gè)的功能類似的功能。I/O單元1120可以包括鍵區(qū)、鍵盤和/或顯示單元。存儲(chǔ)裝置1130可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和/或命令。存儲(chǔ)裝置1130可以包括根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中的至少一個(gè)。接口單元1140可以無線地或有線地進(jìn)行操作。例如，接口單元1140可以包括用于無線通信的天線或者用于有線通信的收發(fā)器。盡管附圖中并未示出，但電子系統(tǒng)1100還可以包括高速DRAM裝置和/或高速SRAM裝置，其用作用于提高控制器1110的操作的緩存存儲(chǔ)器。電子系統(tǒng)1100可以應(yīng)用于個(gè)人數(shù)字助理（PDA）、便攜式計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無線手機(jī)、移動(dòng)電話、數(shù)字音樂播放器、存儲(chǔ)卡或其他電子產(chǎn)品。其他電子產(chǎn)品可以通過無線通信接收或發(fā)送信息數(shù)據(jù)。圖49是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)卡的示例的示意框圖。參照?qǐng)D49，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的存儲(chǔ)卡1200可以包括存儲(chǔ)裝置1210。存儲(chǔ)裝置1210可以包括根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)。存儲(chǔ)卡1200可以包括存儲(chǔ)控制器1220，其對(duì)在主機(jī)與存儲(chǔ)裝置1210之間的數(shù)據(jù)通信進(jìn)行控制。存儲(chǔ)控制器1220可以包括控制存儲(chǔ)卡1200的總體操作的中央處理單元（CPU）1222。另外，存儲(chǔ)控制器1220可以包括用作CPU1222的操作存儲(chǔ)器的SRAM裝置1221。此外，存儲(chǔ)控制器1220還可以包括主機(jī)接口單元1223和存儲(chǔ)器接口單元1225。主機(jī)接口單元1223可以配置成包括存儲(chǔ)卡1200與主機(jī)之間的數(shù)據(jù)通信協(xié)議。存儲(chǔ)器接口單元1225可以將存儲(chǔ)控制器1220連接到存儲(chǔ)裝置1210。存儲(chǔ)控制器1220還可以包括錯(cuò)誤檢查和校正（ECC）塊1224。ECC塊1224可以檢測(cè)并校正從存儲(chǔ)裝置1210讀出的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。盡管在附圖中未示出，存儲(chǔ)卡1200可以還包括存儲(chǔ)代碼數(shù)據(jù)以與主機(jī)交互的只讀存儲(chǔ)器（ROM）裝置。存儲(chǔ)卡1200可以用作便攜式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)卡?？商鎿Q地，存儲(chǔ)卡1200可以實(shí)現(xiàn)為用作計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的硬盤的固態(tài)盤（SSD）。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的上述實(shí)施例，空氣間隙布置在接觸插塞與線路圖案之間。因此，可以減小寄生電容從而實(shí)現(xiàn)具有改進(jìn)可靠性的高度集成的半導(dǎo)體器件。另外，接合焊盤可以覆蓋空氣間隙的第一部分，而空氣間隙的第二部分不被接合焊盤覆蓋。因此，可以容易地形成空氣間隙從而提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。此外，第一保護(hù)隔離物和第二保護(hù)隔離物可以布置在接觸插塞與線路圖案之間，并且空氣間隙可以布置在第一保護(hù)隔離物與第二保護(hù)隔離之間。由于存在第一保護(hù)隔離物和第二保護(hù)隔離物，能夠防止或減小對(duì)接觸插塞和線路圖案造成的破壞。因此，可以實(shí)現(xiàn)具有改進(jìn)可靠性的半導(dǎo)體器件。盡管參照示例實(shí)施例已對(duì)本發(fā)明構(gòu)思進(jìn)行了描述，但在不背離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下各種改變和變型對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，應(yīng)該理解上述實(shí)施例并非是限制性的，而是示例性的。因此，本發(fā)明構(gòu)思的范圍要通過所附權(quán)利要求及其等同物的廣泛允許的解釋來確定，而不應(yīng)受上述描述限制。