有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的透光基底、陰極、低功函數(shù)金屬層、第一發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元及陽(yáng)極，所述陰極的材料為透明導(dǎo)電氧化物，所述低功函數(shù)金屬層的材料的功函數(shù)為2.7eV～3.0eV，所述電荷產(chǎn)生層包括層疊于所述第一發(fā)光單元表面的金屬氧化物層及層疊于所述金屬氧化物層表面的n型摻雜層，所述金屬氧化物層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述n型摻雜層的材料包括有機(jī)材料及摻雜在所述有機(jī)材料中的碳酸鋰，所述碳酸鋰與所述有機(jī)材料的質(zhì)量比為15∶100，所述陽(yáng)極的材料為透明導(dǎo)電氧化物。上述有機(jī)電致發(fā)光器件雙面發(fā)光且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極 注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道 (HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給 發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光 能。
[0003] 現(xiàn)有的0LED大部分只能將光從陽(yáng)極或者陰極的一側(cè)取出，制得底發(fā)射或頂發(fā)射 0LED裝置。雙面發(fā)光顯示的0LED裝置，同時(shí)采用兩個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件背靠背貼合在一 起，這樣的結(jié)構(gòu)變得比較復(fù)雜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種雙面發(fā)光且結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備 方法。
[0005] -種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的透光基底、陰極、低功函數(shù)金屬層、第一 發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元及陽(yáng)極，所述陰極的材料為透明導(dǎo)電氧化物，所述低 功函數(shù)金屬層的材料的功函數(shù)為，所述電荷產(chǎn)生層包括層疊于所述第一發(fā)光單元表面的金 屬氧化物層及層疊于所述金屬氧化物層表面的η型摻雜層，所述金屬氧化物層的材料選 自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述η型摻雜層的材料包括有機(jī)材料 及摻雜在所述有機(jī)材料中的碳酸鋰，所述有機(jī)材料選自1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪 唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲及8-羥基喹啉鋁中的至少一種， 所述碳酸鋰與所述有機(jī)材料的質(zhì)量比為15:100,所述陽(yáng)極的材料為透明導(dǎo)電氧化物。
[0006] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極的材料選自銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧 化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陰極的厚度為70nm?200nm。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬層的材料選自鋰、鈣及鎂中的至少一種， 所述低功函數(shù)金屬層的厚度為5nm?15nm。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬氧化物層的厚度為5nm?10nm，所述η型摻雜層的 厚度為5nm?15nm。
[0009] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陽(yáng)極的材料選自銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧 化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陽(yáng)極的厚度為40nm?80nm。
[0010] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0011] 在透光基底表面真空濺鍍制備陰極，所述陰極的材料為透明導(dǎo)電氧化物；
[0012] 在所述陰極表面蒸鍍制備低功函數(shù)金屬層，所述低功函數(shù)金屬層的材料的功函數(shù) 為 2. 7eV ?3. OeV ;
[0013] 在所述低功函數(shù)金屬層的表面制備第一發(fā)光單元；
[0014] 在所述第一發(fā)光單元的表面蒸鍍制備金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料選 自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種；
[0015] 在所述金屬氧化物層表面蒸鍍制備η型摻雜層，所述η型摻雜層的材料包括有機(jī) 材料及摻雜在所述有機(jī)材料中的碳酸鋰，所述有機(jī)材料選自1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并 咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲及8-羥基喹啉鋁中的至少一 種，所述碳酸鋰與所述有機(jī)材料的質(zhì)量比為15:100 ;
[0016] 在所述η型摻雜層的表面制備第二發(fā)光單元；及
[0017] 在所述第二發(fā)光單元的表面真空濺鍍制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為透明導(dǎo)電氧化 物。
[0018] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰極的材料選自銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧 化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陰極的厚度為70nm?200nm。
[0019] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬層的材料選自鋰、鈣及鎂中的至少一種， 所述低功函數(shù)金屬層的厚度為5nm?15nm。
[0020] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬氧化物層的厚度為5nm?10nm，所述η型摻雜層的 厚度為5nm?15nm。
[0021] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陽(yáng)極的材料選自銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧 化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陽(yáng)極的厚度為40nm?80nm。
[0022] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，采用倒置的結(jié)構(gòu)，將第一發(fā)光單元及第二 發(fā)光單元通過電荷產(chǎn)生層連接起來，雙面發(fā)光且結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單；陰極和陽(yáng)極的材料均為透 明導(dǎo)電氧化物，從而使兩個(gè)方向的出光強(qiáng)度保持一致；低功函數(shù)金屬層可以提高電子的注 入能力，從而使電子能夠容易從陰極注入第一發(fā)光單元；第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元通 過電荷產(chǎn)生層連接起來，在電場(chǎng)作用下，電子和空穴在電荷產(chǎn)生層中發(fā)生分離，使空穴和電 子分別注入到兩個(gè)發(fā)光單元中，兩個(gè)發(fā)光單元因?yàn)楦髯詥为?dú)發(fā)光，不存在能量轉(zhuǎn)移以及載 流子傳輸不平衡的問題，從而有機(jī)電致發(fā)光器件更加高效、穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0026] 請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的透光基底10、陰 極20、低功函數(shù)金屬層30、第一發(fā)光單兀40、電荷產(chǎn)生層50、第二發(fā)光單兀60及陽(yáng)極70。
[0027] 透光基底10的材料為玻璃。
[0028] 陰極20形成于透光基底10的表面。陰極20的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的， 陰極20的材料選自銦錫氧化物薄膜（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)及鎵鋅氧 化物（GZ0)中的至少一種。陰極20的厚度為70nm?200nm。
[0029] 低功函數(shù)金屬層30形成于陰極20的表面。低功函數(shù)金屬層30的材料的功函數(shù) 為2. 7eV?3. OeV。優(yōu)選的，低功函數(shù)金屬層30的材料選自鋰（Li)、鈣（Ca)及鎂（Mg)中的 至少一種。低功函數(shù)金屬層30的厚度為5nm?15nm。
[0030] 第一發(fā)光單元40包括依次層疊的第一電子注入層41、第一電子傳輸層42、第一發(fā) 光層43、第一空穴傳輸層44及第一空穴注入層45。
[0031] 第一電子注入層41形成于低功函數(shù)金屬層30表面。第一電子注入層41的材料 選自氟化銫（CsF)及氟化鋰（LiF)中的至少一種。第一電子注入層41的厚度為0. 5nm? lnm〇
[0032] 第一電子傳輸層42形成于第一電子注入層41表面。第一電子傳輸層42的材 料選自-(4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、4, 7-二苯基-鄰菲咯 啉出口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^1)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)及1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)中的至少一種。第一電子傳輸層 42的厚度為20nm?60nm。
[0033] 第一發(fā)光層43形成于第一電子傳輸層42表面。
[0034] 第一空穴傳輸層44形成于第一發(fā)光層43的表面。第一空穴傳輸層44的材料選自 4,4'，4"_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-TNATA)、N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)、（4,4'，4"-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATAhKN'-二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4' -二 胺（TPD)及4, 4'，4 "-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)中的至少一種。第一空穴傳輸 層44的厚度為10nm?60nm。
[0035] 第一空穴注入層45形成于第一空穴傳輸層44表面。第一空穴注入層45的材料 選自酞菁銅（CuPc)、酞菁鋅（ZnPc)、三氧化鑰（M〇0 3)、五氧化二釩（V205)及三氧化鎢（W03) 中的至少一種。第一空穴注入層45的厚度為10nm?80nm。
[0036] 電荷產(chǎn)生層50形成于第一空穴注入層45的表面。電荷產(chǎn)生層50包括層疊于第 一空穴注入層45表面的金屬氧化物層52及層疊于金屬氧化物層52表面的η型摻雜層54。
[0037] 金屬氧化物層52的材料選自三氧化鑰（Μ〇03)、五氧化二釩（V20 5)及三氧化鎢 (W03)中的至少一種。金屬氧化物層52的厚度為5nm?10nm。
[0038] η型摻雜層54的材料包括有機(jī)材料及摻雜在有機(jī)材料中的碳酸鋰（Li2C03)。有 機(jī)材料選自1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）、2,9-二甲基-4,7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)及8-羥基喹啉鋁（Alq3)中的至少一種。η型摻雜層54中碳 酸鋰與有機(jī)材料的質(zhì)量比為15:100。η型摻雜層54的厚度為5nm?15nm。
[0039] 第二發(fā)光單兀60包括依次層疊的第二電子傳輸層62、第二發(fā)光層63、第二空穴傳 輸層64及第二空穴注入層65。
[0040] 第二電子傳輸層62形成于η型摻雜層54表面。第二電子傳輸層62的材料選 自-(4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉 (Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)及1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)中的至少一種。第二電子傳輸層 62的厚度為20nm?60nm。
[0041 ] 第二發(fā)光層63形成于第二電子傳輸層62表面。
[0042] 第二空穴傳輸層64形成于第二發(fā)光層63的表面。第二空穴傳輸層64的材料選自 4,4'，4"-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-TNATA)、N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)、（4,4'，4"-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATAhKN'-二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4' -二 胺（TPD)及4,4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)中的至少一種。第二空穴傳輸 層64的厚度為10nm?60nm。
[0043] 第二空穴注入層65形成于第二空穴傳輸層64表面。第二空穴注入層65的材料 選自酞菁銅（CuPc)、酞菁鋅（ZnPc)、三氧化鑰（M〇0 3)、五氧化二釩（V205)及三氧化鎢（W03) 中的至少一種。第二空穴注入層65的厚度為10nm?80nm。
[0044] 第一發(fā)光層43及第二發(fā)光層63中的一個(gè)為藍(lán)色發(fā)光層，另一個(gè)為紅色發(fā)光層。
[0045] 藍(lán)色發(fā)光層的材料為主體材料與磷光材料摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材 料選自1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯 (CBP)中的至少一種。磷光材料選自雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic) 及雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥（FIr6)中的一種。磷光材料與主體材 料的質(zhì)量比為2:100?10:100。熒光材料選自4,4'-二（2,2_二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián) 苯（DPVBi)及4,4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)。藍(lán)色發(fā)光層 的厚度為5nm?20nm。
[0046] 紅色發(fā)光層的材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H_吡喃（DCJTB)摻雜在8-羥基喹啉鋁（Alq3)中形成的混合物、雙（2-(苯 并[b]噻吩-2-基）批啶）（乙酰丙酮）合銥（Ir(btp)2(aca C))摻雜在4,4'-二（9-咔 唑）聯(lián)苯（CBP)中形成的混合物或客體材料摻雜在Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘 基）_1，Γ -聯(lián)苯_4,4'-二胺（ΝΡΒ)中形成的混合物?？腕w材料選自（乙酰丙酮）合銥 (Ir(MDQ)2(acac))及三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)中的至少一種。4-(二腈甲 基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB) 8-羥基喹啉 鋁（Alq3)的質(zhì)量比為1:100?10:100。雙（2-(苯并[b]噻吩-2-基）批啶）（乙酰丙酮） 合銥（Ir(btp)2(acac))與 4，f -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)的質(zhì)量比為 1:100 ?10:100。 客體材料與N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯_4,4'-二胺（NPB)的質(zhì) 量比為1:100?10:100。紅色發(fā)光層的厚度為5nm?20nm。
[0047] 需要說明的是，第一電子傳輸層42與第二電子傳輸層62、第一空穴傳輸層44與第 二空穴傳輸層64、第二空穴注入層45與第二空穴注入層65的材料可以相同也可以不同。
[0048] 陽(yáng)極70形成于第二空穴注入層65表面。陽(yáng)極70的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具 體的，陽(yáng)極70的材料選自銦錫氧化物薄膜（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)及鎵 鋅氧化物（GZ0)中的至少一種。陽(yáng)極70的厚度為40nm?80nm。
[0049] 可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0050] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件100,采用倒置的結(jié)構(gòu)，將第一發(fā)光單元40及第二發(fā)光單 元60通過電荷產(chǎn)生層50連接起來，雙面發(fā)光且結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單；陰極20和陽(yáng)極70的材料均 為透明導(dǎo)電氧化物，從而使兩個(gè)方向的出光強(qiáng)度保持一致；低功函數(shù)金屬層30可以提高電 子的注入能力，從而使電子能夠容易從陰極注入第一發(fā)光單元；第一發(fā)光單元40及第二發(fā) 光單元60通過電荷產(chǎn)生層50連接起來，在電場(chǎng)作用下，電子和空穴在電荷產(chǎn)生層中發(fā)生分 離，使空穴和電子分別注入到兩個(gè)發(fā)光單元中，第一發(fā)光單元40及第二發(fā)光單元60中的一 個(gè)為藍(lán)光發(fā)光單元，另一個(gè)為紅光發(fā)光單元，兩個(gè)發(fā)光單元共同發(fā)射，形成白光；兩個(gè)發(fā)光 單元因?yàn)楦髯詥为?dú)發(fā)光，不存在能量轉(zhuǎn)移以及載流子傳輸不平衡的問題，從而有機(jī)電致發(fā) 光器件100更加高效、穩(wěn)定；有機(jī)電致發(fā)光器件100中每一個(gè)組件均為透明材料，因此在不 通電的時(shí)候，呈現(xiàn)透明的狀態(tài)，還可以作為透明件使用。
[0051] 請(qǐng)同時(shí)參閱圖2,一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步 驟：
[0052] 步驟S110、在透光基底10表面真空濺鍍制備陰極20,陰極20的材料為透明導(dǎo)電 氧化物。
[0053] 真空濺鍍?cè)谡婵諌毫? X 10_3?1 X 10_5Pa下進(jìn)行。
[0054] 透光基底10的材料為玻璃。
[0055] 本實(shí)施方式中，在透光基底10表面形成陰極20之前先對(duì)透光基底10進(jìn)行前處 理，前處理包括：將透光基底10放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后 依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0056] 優(yōu)選的，陰極20的材料選自銦錫氧化物薄膜（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化 物（ΑΖ0)及鎵鋅氧化物（GZ0)中的至少一種。陰極20的厚度為70nm?200nm。
[0057] 步驟S120、在陰極20表面蒸鍍制備低功函數(shù)金屬層30,低功函數(shù)金屬層30的材 料的功函數(shù)為2. OeV?3. 7eV。
[0058] 本實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)谡婵諌毫镮X 1(Γ3?IX l(T5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· lnm/s ?lnm/s〇
[0059] 優(yōu)選的，低功函數(shù)金屬層30的材料選自鋰（Li)、鈣（Ca)及鎂（Mg)中的至少一種。 低功函數(shù)金屬層30的厚度為5nm?15nm。
[0060] 步驟S130、在低功函數(shù)金屬層30的表面制備第一發(fā)光單兀40。
[0061] 第一發(fā)光單元40包括依次層疊的第一電子注入層41、第一電子傳輸層42、第一發(fā) 光層43、第一空穴傳輸層44及第一空穴注入層45。第一發(fā)光單元40通過蒸鍍制備。
[0062] 第一電子注入層41形成于低功函數(shù)金屬層30表面。第一電子注入層41的材料 選自氟化銫（CsF)及氟化鋰（LiF)中的至少一種。第一電子注入層41的厚度為0. 5nm? lnm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X ΚΓ3?1 X l(T5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0. lnm/s?lnm/s。
[0063] 第一電子傳輸層42形成于第一電子注入層41表面。第一電子傳輸層42的材 料選自-(4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、4, 7-二苯基-鄰菲咯 啉出口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^1)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)及1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)中的至少一種。第一電子傳輸 層42的厚度為20nm?60nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X 10_3?1 X 10_5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· lnm/s ?lnm/s〇
[0064] 第一發(fā)光層43形成于第一電子傳輸層42表面。第一發(fā)光層43為藍(lán)色發(fā)光層及 紅色發(fā)光層中的一種。
[0065] 藍(lán)色發(fā)光層的材料為主體材料與磷光材料摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材 料選自1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯 (CBP)中的至少一種。磷光材料選自雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic) 及雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥（FIr6)中的一種。磷光材料與主體材 料的質(zhì)量比為2:100?10:100。熒光材料選自4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián) 苯（DPVBi)及4,4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)。藍(lán)色發(fā)光層 的厚度為5nm?20nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X ΚΓ3?1 X l(T5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0· lnm/ s ?lnm/s〇
[0066] 紅色發(fā)光層的材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H_吡喃（DCJTB)摻雜在8-羥基喹啉鋁（Alq3)中形成的混合物、雙（2-(苯 并[b]噻吩-2-基）批啶）（乙酰丙酮）合銥（Ir(btp)2(aca C))摻雜在4,4'-二（9-咔 唑）聯(lián)苯（CBP)中形成的混合物或客體材料摻雜在Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘 基）_1，Γ -聯(lián)苯_4,4'-二胺（ΝΡΒ)中形成的混合物?？腕w材料選自（乙酰丙酮）合銥 (Ir(MDQ)2(acac))及三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)中的至少一種。4-(二腈甲 基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB) 8-羥基喹啉 鋁（Alq3)的質(zhì)量比為1:100?10:100。雙（2-(苯并[b]噻吩-2-基）批啶）（乙酰丙酮） 合銥（Ir(btp)2(acac))與 4，f -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)的質(zhì)量比為 1:100 ?10:100。 客體材料與N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯_4,4'-二胺（NPB)的質(zhì) 量比為1:100?10:100。紅色發(fā)光層的厚度為5nm?20nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫镮X 10_3? 1 X lCT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0· lnm/s?lnm/s。
[0067] 第一空穴傳輸層44形成于第一發(fā)光層43的表面。第一空穴傳輸層44的材料選自 4,4'，4"_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-TNATA)、N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)、（4,4'，4"-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATAhKN'-二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4' -二 胺（TPD)及4,4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)中的至少一種。第一空穴傳輸 層44的厚度為10nm?60nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X ΚΓ3?1 X l(T5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· lnm/s ?lnm/s〇
[0068] 第一空穴注入層45形成于第一空穴傳輸層44表面。第一空穴注入層45的材料 選自酞菁銅（CuPc)、酞菁鋅（ZnPc)、三氧化鑰（M〇0 3)、五氧化二釩（V205)及三氧化鎢（W03) 中的至少一種。第一空穴注入層45的厚度為10nm?80nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?ΧΚΓ 3? 1 X lCT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0· lnm/s?lnm/s。
[0069] 步驟S140、在第一空穴注入層45的表面蒸鍍制備金屬氧化物層52。
[0070] 金屬氧化物層52的材料選自三氧化鑰（M〇03)、五氧化二釩（V20 5)及三氧化鎢 (W03)中的至少一種。金屬氧化物層52的厚度為5nm?10nm。
[0071] 本實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10_3?lX10_5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· lnm/s ?lnm/s〇
[0072] 步驟S150、在金屬氧化物層52表面蒸鍍制備η型摻雜層54。
[0073] η型摻雜層54的材料包括有機(jī)材料及摻雜在有機(jī)材料中的碳酸鋰（Li2C03)。有 機(jī)材料選自1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）、2,9-二甲基-4,7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)及8-羥基喹啉鋁（Alq3)中的至少一種。η型摻雜層54中碳 酸鋰與有機(jī)材料的質(zhì)量比為15:100。η型摻雜層54的厚度為5nm?15nm。
[0074] 蒸鍍時(shí)，碳酸鋰及有機(jī)材料分別在兩個(gè)蒸發(fā)舟中進(jìn)行蒸發(fā)，蒸鍍?cè)谡婵諌毫?1 X ΚΓ3?1 X l(T5Pa下進(jìn)行，碳酸鋰的蒸鍍速率為0. lnm/s?lnm/s,有機(jī)材料的蒸鍍速率 為 0· lnm/s ?lnm/s〇
[0075] 步驟S160、在η型摻雜層54的表面制備第二發(fā)光單元。
[0076] 第二發(fā)光單兀60包括依次層疊的第二電子傳輸層62、第二發(fā)光層63、第二空穴傳 輸層64及第二空穴注入層65。第二發(fā)光單兀60由蒸鍍制備。
[0077] 第二電子傳輸層62形成于η型摻雜層54表面。第二電子傳輸層62的材料選 自-(4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉 (Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)及1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)中的至少一種。第二電子傳輸 層62的厚度為20nm?60nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X 10_3?1 X 10_5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· lnm/s ?lnm/s〇
[0078] 第二發(fā)光層63形成于第二電子傳輸層62表面。第一發(fā)光層43及第二發(fā)光層63 中的一個(gè)為藍(lán)色發(fā)光層，另一個(gè)為紅色發(fā)光層。
[0079] 第二空穴傳輸層64形成于第二發(fā)光層63的表面。第二空穴傳輸層64的材料選自 4,4'，4"_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-TNATA)、N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)、（4,4'，4"-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATAhKN'-二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4' -二 胺（TPD)及4,4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)中的至少一種。第二空穴傳輸 層64的厚度為10nm?60nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X ΚΓ3?1 X l(T5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· lnm/s ?lnm/s〇
[0080] 第二空穴注入層65形成于第二空穴傳輸層64表面。第二空穴注入層65的材料 選自酞菁銅（CuPc)、酞菁鋅（ZnPc)、三氧化鑰（M〇0 3)、五氧化二釩（V205)及三氧化鎢（W03) 中的至少一種。第二空穴注入層65的厚度為10nm?80nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?ΧΚΓ 3? 1 X lCT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0· lnm/s?lnm/s。
[0081] 步驟S170、在第二空穴注入層65的表面真空濺鍍制備陽(yáng)極70。
[0082] 陽(yáng)極70的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的，陽(yáng)極70的材料選自銦錫氧化物薄膜 (ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)及鎵鋅氧化物（GZ0)中的至少一種。陽(yáng)極70的 厚度為40nm?80nm。
[0083] 本實(shí)施方式中，真空濺鍍?cè)谡婵諌毫?ΧΚΓ3?lXl(T5Pa下進(jìn)行。
[0084] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡(jiǎn)單。
[0085] 以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說 明。
[0086] 本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為：測(cè)試與制備設(shè)備為高真空鍍 膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司），美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光 譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能 達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0087] 實(shí)施例1
[0088] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為玻璃透光基底/ITO/Li/LiF/Bphen/DCJTB: Alq3/NPB/ CuPc/Mo03/Li2C0 3:BCP/Bphen/FIrpic: TPBi/NPB/CuPc/ITO 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0089] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0090] 步驟一、提供透光基底，將透光基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗， 清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0091] 步驟二、在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在透光基底表面濺射制備陰 極，材料為ΙΤ0厚度為100nm ;然后轉(zhuǎn)移至真空度為5Xl(T4Pa的熱蒸鍍系統(tǒng)中，在陰極表面 蒸鍍制備低功函金屬層，材料為L(zhǎng)i,厚度為5nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ;
[0092] 步驟三、在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在低功函金屬層表面通過熱蒸 發(fā)技術(shù)，制備第一有機(jī)發(fā)光單元。第一有機(jī)發(fā)光單元包括依次層疊的第一電子注入層、第一 電子傳輸層、第一發(fā)光層、第一空穴傳輸層及第一空穴注入層。第一電子注入層的材料為 LiF，厚度為0· 5nm，蒸鍍速率為0· lnm/s ;第一電子傳輸層材料為Bphen，厚度為20nm，蒸鍍 速率為0. lnm/s ;第一發(fā)光層的材料包括Alq3及摻雜在Alq3中的DCJTB，DCJTB與Alq3的 質(zhì)量比為1:100,厚度為l〇nm，DCJTB的蒸鍍速率為0. lnm/s，Alq3的蒸鍍速率為lnm/s ;第 一空穴傳輸層的材料為NPB，厚度為30nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ;第一空穴注入層的材料為 CuPc，厚度為10nm，蒸鍍速率為0· lnm/s。
[0093] 步驟四、在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，通過熱蒸發(fā)工藝?yán)^續(xù)制備電荷 產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層50包括層疊于第一空穴注入層表面的金屬氧化物層及層疊于金屬氧 化物層表面的η型摻雜層。金屬氧化物層的材料為M〇0 3，厚度為5nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ; η型摻雜層的材料包括BCP及摻雜在中BCP的Li2C03, Li2C03與BCP的質(zhì)量比為15:100,厚 度為5nm，Li2C0 3的蒸鍍速率為0. lnm/s，BCP的蒸鍍速率為lnm/s。
[0094] 步驟五、在真空度為5X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在η型摻雜層表面繼續(xù)制備第 二有機(jī)發(fā)光單元。第二發(fā)光單元包括依次層疊的第二電子傳輸層、第二發(fā)光層、第二空穴傳 輸層及第二空穴注入層。第二電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為60nm蒸鍍速率為0. lnm/ s;第二發(fā)光層的材料包括TPBi及摻雜在TPBi中的FIrpic，F(xiàn)Irpic與TPBi的質(zhì)量比為 1:10,厚度為20nm，TPBi的蒸鍍速率為lnm/s, FIrpic的蒸鍍速率為0. lnm/s ;第二空穴傳 輸層的材料為NPB，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ;第二空穴注入層的材料為CuPc，厚度 為80nm，蒸鍍速率為0· lnm/s。
[0095] 步驟六、在真空度為5Xl(T4Pa的磁控濺射系統(tǒng)中，在第二有機(jī)發(fā)光單元表面制備 陽(yáng)極，材料為ΙΤ0,厚度為40nm。
[0096] 實(shí)施例2
[0097] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為玻璃透光基底/AZO/Ca/LiF/BCP/DPVBi/2-TNATA/ZnPc/ W03/Li2C03:Alq3/TPBi/Ir(piq) 3:CBP/NPB/TO3/AZ0 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0098] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0099] 步驟一、提供透光基底，將透光基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗， 清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0100] 步驟二、在真空度為IX l(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在透光基底表面濺射制備陰 極，材料為ΑΖ0厚度為70nm;然后轉(zhuǎn)移至真空度為lXl(T 3Pa的熱蒸鍍系統(tǒng)中，在陰極表面 蒸鍍制備低功函金屬層，材料為Ca，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;
[0101] 步驟三、在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在低功函金屬層表面通過熱蒸 發(fā)技術(shù)，制備第一有機(jī)發(fā)光單元。第一有機(jī)發(fā)光單元包括依次層疊的第一電子注入層、第一 電子傳輸層、第一發(fā)光層、第一空穴傳輸層及第一空穴注入層。第一電子注入層的材料為 LiF，厚度為0. 5nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ;第一電子傳輸層材料為BCP，厚度為60nm，蒸鍍速 率為lnm/s ;第一發(fā)光層的材料為DPVBi，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;第一空穴傳輸 層的材料為2-TNATA，厚度為60nm，蒸鍍速率為lnm/s ;第一空穴注入層的材料為ZnPc，厚度 為10nm，蒸鍍速率為0· 2nm/s。
[0102] 步驟四、在真空度為IX l(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，通過熱蒸發(fā)工藝?yán)^續(xù)制備電荷 產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層50包括層疊于第一空穴注入層表面的金屬氧化物層及層疊于金屬氧 化物層表面的η型摻雜層。金屬氧化物層的材料為W0 3，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ; η型摻雜層的材料包括Alq3及摻雜在中Alq3的Li2C03, Li2C03與Alq3的質(zhì)量比為15:100， 厚度為15nm，Li 2C03的蒸鍍速率為0. 15nm/s，Alq3的蒸鍍速率為lnm/s。
[0103] 步驟五、在真空度為IX l(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在η型摻雜層表面繼續(xù)制備第 二有機(jī)發(fā)光單元。第二發(fā)光單元包括依次層疊的第二電子傳輸層、第二發(fā)光層、第二空穴傳 輸層及第二空穴注入層。第二電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為60nm蒸鍍速率為lnm/s ; 第二發(fā)光層的材料包括CBP及摻雜在CBP中的Ir (piq) 3, Ir (piq) 3與CBP的質(zhì)量比為1:10， 厚度為12nm，CBP的蒸鍍速率為lnm/s，Ir(piq)3的蒸鍍速率為0. lnm/s ;第二空穴傳輸層的 材料為NPB，厚度為40nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;第二空穴注入層的材料為W03，厚度為30nm， 蒸鍍速率為〇. 2nm/s。
[0104] 步驟六、在真空度為lXl(T3Pa的磁控濺射系統(tǒng)中，在第二有機(jī)發(fā)光單元表面制備 陽(yáng)極，材料為AZ0,厚度為80nm。
[0105] 實(shí)施例3
[0106] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為玻璃基板 /GZ0/Mg/LiF/TAZ/FIr6:CBP/m-MTDATA/ZnPc/ V205/Li2C03: TPBi/BPhen/Ir (btp) 2 (acac) : CBP/m-MTDATA/V205/GZ0 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0107] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0108] 步驟一、提供透光基底，將透光基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗， 清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0109] 步驟二、在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在透光基底表面濺射制備陰 極，材料為GZ0,厚度為200nm ;然后轉(zhuǎn)移至真空度為1 X l(T5Pa的熱蒸鍍系統(tǒng)中，在陰極表面 蒸鍍制備低功函金屬層，材料為Mg,厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;
[0110] 步驟三、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在低功函金屬層表面通過熱蒸 發(fā)技術(shù)，制備第一有機(jī)發(fā)光單元。第一有機(jī)發(fā)光單元包括依次層疊的第一電子注入層、第 一電子傳輸層、第一發(fā)光層、第一空穴傳輸層及第一空穴注入層。第一電子注入層的材料 為L(zhǎng)iF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0. lnm/s ;第一電子傳輸層材料為TAZ，厚度為30nm，蒸鍍速 率為0. 2nm/s ;第一發(fā)光層的材料包括CBP及摻雜中CBP的FIr6, FIr6與CBP的質(zhì)量比為 2:100,厚度為5nm，F(xiàn)Ir6的蒸鍍速率為0. lnm/s，CBP的蒸鍍速率為lnm/s ;第一空穴傳輸層 的材料為m-MTDATA，厚度為30nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ;第一空穴注入層的材料為ZnPc，厚 度為l〇nm，蒸鍍速率為0· lnm/s。
[0111] 步驟四、在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，通過熱蒸發(fā)工藝?yán)^續(xù)制備電荷 產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層50包括層疊于第一空穴注入層表面的金屬氧化物層及層疊于金屬氧 化物層表面的η型摻雜層。金屬氧化物層的材料為V 205，厚度為8nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ; η型摻雜層的材料包括TPBi及摻雜在中TPBi的Li2C03，Li2C0 3與TPBi的質(zhì)量比為15:100， 厚度為l〇nm，Li2C03的蒸鍍速率為0. 15nm/s，TPBi的蒸鍍速率為lnm/s。
[0112] 步驟五、在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在η型摻雜層表面繼續(xù)制備第 二有機(jī)發(fā)光單元。第二發(fā)光單元包括依次層疊的第二電子傳輸層、第二發(fā)光層、第二空穴傳 輸層及第二空穴注入層。第二電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為30nm，蒸鍍速率為0. 2nm/ s ;第二發(fā)光層的材料包括CBP及摻雜在CBP中的Ir(btp)2(acac)，Ir(btp)2(acac)與CBP 的質(zhì)量比為1:10,厚度為5nm，CBP的蒸鍍速率為lnm/s，Ir(btp)2(acac)的蒸鍍速率為 0. lnm/s ;第二空穴傳輸層的材料為m-MTDATA，厚度為30nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;第二空穴 注入層的材料為V205，厚度為30nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s。
[0113] 步驟六、在真空度為lXl(T5Pa的磁控濺射系統(tǒng)中，在第二有機(jī)發(fā)光單元表面制備 陽(yáng)極，材料為GZO,厚度為60nm。
[0114] 實(shí)施例4
[0115] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為玻璃基板 /IZO(lOOnm) /Ca(15nm) /LiF(lnm) /BCP (40nm) / Ir (MDQ) 2 (acac) : NPB (8%, 20nm) /m-MTDATA (40nm) /ZnPc (20nm) /M〇03 (5nm) /Li2C03: BCP (15%，lOnm) /Bphen (40nm) /DPAVBi (15nm) /NPB (20nm) /ZnPc (60nm) /IZO (40nm)的有機(jī)電致 發(fā)光器件。
[0116] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0117] 步驟一、提供透光基底，將透光基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗， 清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0118] 步驟二、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在透光基底表面濺射制備陰 極，材料為ΙΖ0,厚度為100nm ;然后轉(zhuǎn)移至真空度為1 X l(T4Pa的熱蒸鍍系統(tǒng)中，在陰極表面 蒸鍍制備低功函金屬層，材料為Ca，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;
[0119] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在低功函金屬層表面通過熱蒸 發(fā)技術(shù)，制備第一有機(jī)發(fā)光單元。第一有機(jī)發(fā)光單元包括依次層疊的第一電子注入層、第一 電子傳輸層、第一發(fā)光層、第一空穴傳輸層及第一空穴注入層。第一電子注入層的材料為 LiF，厚度為lnm，蒸鍍速率為0. lnm/s ;第一電子傳輸層材料為BCP，厚度為40nm，蒸鍍速率 為0. 2nm/s ;第一發(fā)光層的材料包括NPB及摻雜中NPB的Ir (MDQ) 2 (acac)，Ir (MDQ) 2 (acac) 與NPB的質(zhì)量比為8:100,厚度為20nm，Ir (MDQ) 2 (acac)的蒸鍍速率為0. lnm/s，NPB的蒸 鍍速率為lnm/s ;第一空穴傳輸層的材料為m-MTDATA，厚度為40nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s ; 第一空穴注入層的材料為ZnPc，厚度為20nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s。
[0120] 步驟四、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，通過熱蒸發(fā)工藝?yán)^續(xù)制備電荷 產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層50包括層疊于第一空穴注入層表面的金屬氧化物層及層疊于金屬氧 化物層表面的η型摻雜層。金屬氧化物層的材料為M〇0 3，厚度為5nm，蒸鍍速率為0. lnm/s ; η型摻雜層的材料包括BCP及摻雜在中BCP的Li2C03, Li2C03與BCP的質(zhì)量比為15:100,厚 度為10nm，Li2C0 3的蒸鍍速率為0. 15nm/s，BCP的蒸鍍速率為lnm/s。
[0121] 步驟五、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在η型摻雜層表面繼續(xù)制備第 二有機(jī)發(fā)光單元。第二發(fā)光單元包括依次層疊的第二電子傳輸層、第二發(fā)光層、第二空穴傳 輸層及第二空穴注入層。第二電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm，蒸鍍速率為0. 5nm/ s ;第二發(fā)光層的材料為DPAVBi，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;第二空穴傳輸層的材料 為NPB，厚度為20nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;第二空穴注入層的材料為ZnPc，厚度為60nm，蒸 鍍速率為lnm/s。
[0122] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的磁控濺射系統(tǒng)中，在第二有機(jī)發(fā)光單元表面制備 陽(yáng)極，材料為ΙΤ0,厚度為40nm。
[0123] 表 1
[0124]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的透光基底、陰極、低功函數(shù)金 屬層、第一發(fā)光單元、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元及陽(yáng)極，所述陰極的材料為透明導(dǎo)電氧化 物，所述低功函數(shù)金屬層的材料的功函數(shù)為2. 7eV?3. OeV，所述電荷產(chǎn)生層包括層疊于所 述第一發(fā)光單元表面的金屬氧化物層及層疊于所述金屬氧化物層表面的η型摻雜層，所述 金屬氧化物層的材料選自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述η型摻雜 層的材料包括有機(jī)材料及摻雜在所述有機(jī)材料中的碳酸鋰，所述有機(jī)材料選自1，3, 5-三 (1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲及8-羥基 喹啉鋁中的至少一種，所述碳酸鋰與所述有機(jī)材料的質(zhì)量比為15:100,所述陽(yáng)極的材料為 透明導(dǎo)電氧化物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材料選自銦 錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陰極的厚度為 70nm ?200nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬層的材 料選自鋰、I丐及鎂中的至少一種，所述低功函數(shù)金屬層的厚度為5nm?15nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度 為5nm?10nm，所述η型摻雜層的厚度為5nm?15nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極的材料選自銦 錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陽(yáng)極的厚度為 40nm ?80nm〇
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在透光基底表面真空濺鍍制備陰極，所述陰極的材料為透明導(dǎo)電氧化物； 在所述陰極表面蒸鍍制備低功函數(shù)金屬層，所述低功函數(shù)金屬層的材料的功函數(shù)為 2. 7eV ?3. OeV ; 在所述低功函數(shù)金屬層的表面制備第一發(fā)光單兀； 在所述第一發(fā)光單元的表面蒸鍍制備金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料選自三 氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種； 在所述金屬氧化物層表面蒸鍍制備η型摻雜層，所述η型摻雜層的材料包括有機(jī)材 料及摻雜在所述有機(jī)材料中的碳酸鋰，所述有機(jī)材料選自1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪 唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲及8-羥基喹啉鋁中的至少一種， 所述碳酸鋰與所述有機(jī)材料的質(zhì)量比為15:100 ; 在所述η型摻雜層的表面制備第二發(fā)光單元；及 在所述第二發(fā)光單元的表面真空濺鍍制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的材料為透明導(dǎo)電氧化物。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述陰極的材 料選自銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陰極的 厚度為70nm?200nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述低功函數(shù) 金屬層的材料選自鋰、I丐及鎂中的至少一種，所述低功函數(shù)金屬層的厚度為5nm?15nm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述金屬氧化 物層的厚度為5nm?10nm，所述η型摻雜層的厚度為5nm?15nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述陽(yáng)極的材 料選自銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物及鎵鋅氧化物中的至少一種，所述陽(yáng)極的 厚度為40nm?80nm。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104124384SQ201310156409
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月28日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張娟娟, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司