一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法，所述有機電致發(fā)光器件包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，所述復合陰極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬酞菁類化合物層和金屬硫化物層組成；所述金屬摻雜層的材質為金屬單質和鈉鹽形成的混合材料，金屬單質起到光透過的作用，鈉鹽功函數(shù)較低，提高了電子的注入能力；金屬酞菁類化合物層材料易結晶，結晶后形成有序的晶體結構，使光進行散射；金屬硫化物可對光進行反射，同時，反射回去的光與向頂部出射的光相遇，形成光的干涉加強，從而提高底發(fā)射的發(fā)光強度，這種復合陰極可有效提高發(fā)光效率。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光 研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器 件（OLED)。10V下亮度達到1000cd/m 2,其發(fā)光效率為1. 511m/W，壽命大于100小時。
[0003] 0LED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未 占有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO)。電子和空穴在 發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子 從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0004] 在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其 他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ΙΤ0之間的 折射率之差，玻璃折射率為1. 5, ΙΤ0為1. 8,光從ΙΤ0到達玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了 全反射的損失，從而導致整體出光性能較低。因此，有必要提高0LED的發(fā)光效率。
【發(fā)明內容】
[0005] 為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法，所述 有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、 電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，所述復合陰極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬酞菁類 化合物層和金屬硫化物層組成，本發(fā)明提高了器件的導電能力和發(fā)光效率。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃 基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，所述復合陰 極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬酞菁類化合物層和金屬硫化物層組成，所述金屬摻雜 層的材質為金屬單質和鈉鹽以質量比1:0.01?1:0. 1混合形成的混合材料，所述金屬 單質為銀(Ag)、鋁（A1)、鉬（Pt)和金(Au)中的一種，所述鈉鹽為碳酸鈉（Na 2C03)、氯化鈉 (NaCl)和溴化鈉（NaBr)中的一種；所述金屬酞菁類化合物層的材質為酞菁銅（CuPc)、酞 菁鋅（ZnPc)、酞菁鎂（MgPc)和酞菁f凡（VPc)中的一種；所述金屬硫化物層的材質為硫化鋅 (ZnS )、硫化鎘（CdS )、硫化鎂（MgS )和硫化銅（CuS )中的一種。
[0007] 優(yōu)選地，所述金屬摻雜層的厚度為10?40nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述金屬酞菁類化合物層的厚度為80?200nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述金屬硫化物層的厚度為200?300nm。
[0010] 優(yōu)選地，所述導電陽極玻璃基底為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0) 和銦鋅氧化物玻璃（ΙΖ0)中的一種，更優(yōu)選為ΙΤ0。
[0011] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質為三氧化鑰（m〇o3)、三氧化鎢（wo3)和五氧化二釩 (ν 2〇5)中的一種，厚度為20?80nm。更優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質為W03，厚度為30nm。
[0012] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質為1，1-二[4-[Ν，Ν'-二（P-甲苯基）氨基]苯 基]環(huán)己烷（了4?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)和乂^-(1-萘基)，州'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)中的一種，所述空穴傳輸層的厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所 述空穴傳輸層的材質為TCTA，厚度為40nm。
[0013] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )和8-羥基喹啉鋁（Alq3)中的一種，厚度為5?40nm，更 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質為Alq 3，厚度為25nm。
[0014] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、3_(聯(lián) 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑（TAZ)和N-芳基苯并咪唑（TPBI) 中的一種，厚度為40?300nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為TAZ，厚度為220nm。
[0015] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材質為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3) 和氟化鋰（LiF)中的一種，厚度為0. 5?10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層的材質為LiF，厚 度為0. 7nm。
[0016] 本發(fā)明有機電致發(fā)光器件中的復合陰極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬酞菁類化 合物層和金屬硫化物層組成；金屬摻雜層材質為鈉鹽與金屬單質形成的混合材料，鈉鹽功 函數(shù)較低，摻雜后可使金屬摻雜層的功函數(shù)降低，提高了電子的注入能力，同時，鈉鹽的蒸 鍍溫度為800?KKKTC，適合真空蒸鍍，且在空氣中比較穩(wěn)定，可提高器件的穩(wěn)定性，而金 屬單質可增加器件的導電性，同時，金屬單質薄膜成膜性較好，可提高膜的平整度，降低粗 糙度，金屬單質的光透過性較大，可很好的提高光的透過率；金屬酞菁類化合物層材料易結 晶，結晶后形成有序的晶體結構，并使膜層表面形成波紋狀結構，使光進行散射，避免向器 件兩側發(fā)射，提高出光效率；金屬硫化物層對光進行反射，同時，反射回去的光與向頂部出 射的光相遇，形成光的干涉加強，從而提高底發(fā)射的發(fā)光強度，這種復合陰極可有效提高發(fā) 光效率。
[0017] 第二方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步 驟：
[0018] (1)提供所需尺寸的導電陽極玻璃基底，清洗后干燥；在導電陽極玻璃基底上采用 熱阻蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0019] (2)在電子注入層上制備復合陰極，所述復合陰極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬 酞菁類化合物層和金屬硫化物層組成；
[0020] 將金屬單質和鈉鹽以質量比1:0. 01?1:0. 1混合形成的混合材料，然后將混合 材料采用熱阻蒸鍍在電子注入層上，得到所述金屬摻雜層，所述金屬單質為Ag、Al、Pt和 Au中的一種；所述鈉鹽為Na 2C03、NaCl和NaBr中的一種；所述蒸鍍壓強為5X 10_5Pa? 2X10_3Pa，蒸鍍速率為1?10nm/s ;
[0021] 在金屬摻雜層上采用熱阻蒸鍍的方法制備金屬酞菁類化合物層，所述金屬酞菁 類化合物層的材質為CuPc、ZnPc、MgPc和VPc中的一種，所述蒸鍍壓強為5 X 10_5Pa? 2X10_3Pa，蒸鍍速率為0· 1?lnm/s ;
[0022] 在金屬酞菁類化合物層采用熱阻蒸鍍的方法制備金屬硫化物層，所述金屬硫化物 層的材質為ZnS、CdS、MgS和CuS中的一種；所述蒸鍍壓強為5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸鍍 速率為1?lOnm/s ;得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0023] 優(yōu)選地，所述金屬摻雜層的厚度為10?40nm。
[0024] 優(yōu)選地，所述金屬酞菁類化合物層的厚度為80?200nm。
[0025] 優(yōu)選地，所述金屬硫化物層的厚度為200?300nm。
[0026] 優(yōu)選地，所述空穴注入層和電子注入層的熱阻蒸鍍條件均為：壓強為5X l(T5Pa? 2XlCT3Pa，蒸鍍速率為1?10nm/s。
[0027] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的熱阻蒸鍍條件均為：壓強為 5 X 10 5Pa ?2 X 10 3Pa，蒸鍛速率為 0· 1 ?lnm/s。
[0028] 優(yōu)選地，所述提供所需尺寸的導電陽極玻璃基底，具體操作為：將導電陽極玻璃基 底進行光刻處理，然后剪裁成所需要的大小。
[0029] 優(yōu)選地，所述清洗后干燥的操作為將導電陽極玻璃基底依次用洗潔精，去離子水， 丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后風干。
[0030] 優(yōu)選地，所述導電陽極基底為銦錫氧化物玻璃（ITO)、鋁鋅氧化物玻璃（AZO)和銦 鋅氧化物玻璃（IZO)中的一種，更優(yōu)選為ITO。
[0031] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質為M〇03、W03和V 205中的一種，厚度為20?80nm。 更優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質為W03，厚度為30nm。
[0032] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質為TAPC、TCTA和NPB中的一種，所述空穴傳輸層材 質厚度為20?60nm，更優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質為TCTA，厚度為40nm。
[0033] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質為DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一種，厚度為5? 40nm，更優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質為Alq 3，厚度優(yōu)選為25nm。
[0034] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為Bphen、TAZ和TPBI中的一種，厚度為40? 300nm，更優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為TAZ，厚度為220nm。
[0035] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材質為〇820)3工8?工8隊和1^?中的一種，厚度為0.5? 10nm，更優(yōu)選地，所述電子注入層的材質為LiF，厚度為0· 7nm。
[0036] 本發(fā)明有機電致發(fā)光器件中的復合陰極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬酞菁類化 合物層和金屬硫化物層組成；金屬摻雜層材質為鈉鹽與金屬單質形成的混合材料，鈉鹽功 函數(shù)較低，摻雜后可使金屬摻雜層的功函數(shù)降低，提高了電子的注入能力，同時，鈉鹽的蒸 鍍溫度為800?KKKTC，適合真空蒸鍍，且在空氣中比較穩(wěn)定，可提高器件的穩(wěn)定性，而金 屬單質可增加器件的導電性，同時，金屬單質薄膜成膜性較好，可提高膜的平整度，降低粗 糙度，同時，金屬單質的光透過性較大，可很好的提高光的透過率；金屬酞菁類化合物層材 料易結晶，結晶后形成有序的晶體結構，并使膜層表面形成波紋狀結構，使光進行散射，避 免向器件兩側發(fā)射，提高出光效率；金屬硫化物層可對光進行反射，同時，反射回去的光與 向頂部出射的光相遇，形成光的干涉加強，從而提高底發(fā)射的發(fā)光強度，這種復合陰極可有 效提高器件發(fā)光效率。
[0037] 實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果：
[0038] (1)本發(fā)明提供的復合陰極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬酞菁類化合物層和金 屬硫化物層組成，提高了器件的導電性能和發(fā)光效率；
[0039] ( 2)本發(fā)明提供的復合陰極的制備方法，工藝簡單，成本低。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0040] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領域普 通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0041] 圖1是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0042] 圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關 系圖。
【具體實施方式】
[0043] 下面將結合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術方案進行清 楚、完整地描述。
[0044] 實施例1
[0045] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0046] (1)先將ΙΤ0玻璃基底進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清 洗干凈后風干；然后在陽極上采用熱阻蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層和電子注入層；其中，
[0047] 空穴注入層的材質為W03，蒸鍍時采用的壓強8X l(T5Pa，蒸鍍速率為3nm/s，蒸鍍 厚度為30nm ;
[0048] 空穴傳輸層的材質為TCTA，蒸鍍時采用的壓強為8X l(T5Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s， 蒸鍍厚度為40nm ;
[0049] 發(fā)光層的材質為Alq3，蒸鍍時采用的壓強為8X l(T5Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s，蒸鍍 厚度為25nm ;
[0050] 電子傳輸層的材質為TAZ，蒸鍍時采用的壓強為8Xl(T5Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s， 蒸鍍厚度為220nm ;
[0051] 電子注入層的材質為LiF，蒸鍍時采用的壓強為8Xl(T5Pa，蒸鍍速率為3nm/s，蒸 鍍厚度為〇. 7nm ;
[0052] (2)制備復合陰極；
[0053] 將Ag和Na2C03以質量比1:0. 02混合形成混合材料，在電子注入層上熱阻蒸鍍混 合材料，得到厚度為25nm的金屬摻雜層；蒸鍍時采用的壓強為8Xl(T 5Pa，蒸鍍速率為3nm/ s ；
[0054] 在金屬摻雜層上熱阻蒸鍍CuPc，得到厚度為100nm的金屬酞菁類化合物層，蒸鍍 時采用的壓強為8 X l(T5Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;
[0055] 在金屬酞菁類化合物層上熱阻蒸鍍ZnS，得到厚度為220nm的金屬硫化物層；蒸鍍 時采用的壓強為8Xl(T 5Pa，蒸鍍速率為3nm/s，得到有機電致發(fā)光器件。
[0056] 圖1為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖，如圖1所示，本實施例制 備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底1、空穴注入層2、空穴傳輸層 3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6和復合陰極7,復合陰極7由依次層疊的金屬摻雜 層71、金屬酞菁類化合物層72和金屬硫化物層73組成。具體結構表示為：
[0057] ΙΤ0 玻璃 /W03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag:Na2C0 3(l:0· 02)/CuPc/ZnS，其中，斜杠"/" 表不依次層疊，Ag:Na2C03中的冒號"："表不混合，1:0. 02表不前者和后者的質量比，后面 實施例中各個符號表不的意義相同。
[0058] 實施例2
[0059] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0060] (1)先將ΑΖ0玻璃基底進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清 洗干凈后風干；然后在陽極上采用熱阻蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層和電子注入層；其中，
[0061] 空穴注入層的材質為W03，蒸鍍時采用的壓強為2Xl(T3Pa，蒸鍍速率為10nm/ S，蒸 鍍厚度為80nm ;
[0062] 空穴傳輸層的材質為NPB，蒸鍍時采用的壓強為2Xl(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s， 蒸鍍厚度為60nm ;
[0063] 發(fā)光層的材質為ADN，蒸鍍時采用的壓強為2X l(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s，蒸鍍 厚度為5nm ;
[0064] 電子傳輸層的材質為Bphen，蒸鍍時采用的壓強為2X l(T3Pa，蒸鍍速率為10nm/s， 蒸鍍厚度為300nm ;
[0065] 電子注入層的材質為CsF，蒸鍍時采用的壓強為2Xl(T3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s， 蒸鍍厚度為l〇nm ;
[0066] (2)制備復合陰極；
[0067] 將A1與NaCl以質量比1:0. 01混合形成混合材料，在電子注入層上熱阻蒸鍍混合 材料，得到厚度為15nm的金屬摻雜層；蒸鍍時采用的壓強為2Xl(T3Pa，蒸鍍速率為10nm/ s ；
[0068] 在金屬摻雜層上熱阻蒸鍍ZnPc，得到厚度為200nm的金屬酞菁類化合物層，蒸鍍 時采用的壓強為2Xl(T 3Pa，蒸鍍速率為0. lnm/s ;
[0069] 在金屬酞菁類化合物層上熱阻蒸鍍CdS，得到厚度為200nm的金屬硫化物層；蒸鍍 時采用的壓強為2Xl(T 3Pa，蒸鍍速率為lOnm/s，得到有機電致發(fā)光器件。
[0070] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注 入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，復合陰極由層疊的金屬摻 雜層、金屬酞菁類化合物層和金屬硫化物層組成。具體結構表示為：
[0071] AZ0 玻璃 /TO3/NPB/ADN/Bphen/CsF/Al:NaCl (1:0. 01)/ZnPc/CdS。
[0072] 實施例3
[0073] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0074] (1)先將IZ0玻璃基底進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清 洗干凈后風干；然后在陽極上采用熱阻蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層和電子注入層；其中，
[0075] 空穴注入層的材質為V205，蒸鍍時采用的壓強為5Xl(T 5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸 鍍厚度為20nm ;
[0076] 空穴傳輸層的材質為TAPC，蒸鍍時采用的壓強為5X l(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸 鍍厚度為20nm ;
[0077] 發(fā)光層的材質為BCzVBi，蒸鍍時采用的壓強為5X l(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸鍍 厚度為40nm ;
[0078] 電子傳輸層的材質為TPBi，蒸鍍時采用的壓強為5X l(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，蒸 鍍厚度為60nm ;
[0079] 電子注入層的材質為Cs2C03，蒸鍍時采用的壓強為5Xl(T 5Pa，蒸鍍速率為lnm/s， 蒸鍍厚度為〇. 5nm ;
[0080] (2)制備復合陰極；
[0081] 將Pt與NaBr以質量比1:0. 1混合形成混合材料，在電子注入層上熱阻蒸鍍混合 材料，得到厚度為40nm的金屬摻雜層；蒸鍍時采用的壓強為5Xl(T5Pa，蒸鍍速率為lnm/s ;
[0082] 在金屬摻雜層上熱阻蒸鍍MgPc，得到厚度為80nm的金屬酞菁類化合物層，蒸鍍時 采用的壓強為5Xl(T 5Pa，蒸鍍速率為lnm/s ;
[0083] 在金屬酞菁類化合物層上熱阻蒸鍍MgS，得到厚度為300nm的金屬硫化物層；蒸鍍 時采用的壓強為5Xl(T 5Pa，蒸鍍速率為lnm/s，得到有機電致發(fā)光器件。
[0084] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注 入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，復合陰極由依次層疊的金 屬摻雜層、金屬酞菁類化合物層和金屬硫化物層組成。具體結構表示為：
[0085] ΙΖ0 玻璃 /V205/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/Pt:NaBr(l:0· l)/MgPc/MgS。
[0086] 實施例4
[0087] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0088] (1)先將ΙΖ0玻璃基底進行光刻處理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清 洗干凈后風干；然后在陽極上采用熱阻蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層和電子注入層；其中，
[0089] 空穴注入層的材質為M〇03，蒸鍍時采用的壓強為5X l(T4Pa，蒸鍍速率為5nm/s，蒸 鍍厚度為30nm ;
[0090] 空穴傳輸層的材質為TCTA，蒸鍍時采用的壓強為5X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s， 蒸鍍厚度為50nm ;
[0091] 發(fā)光層的材質為DCJTB，蒸鍍時采用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s，蒸 鍍厚度為5nm ;
[0092] 電子傳輸層的材質為TAZ，蒸鍍時采用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s， 蒸鍍厚度為40nm ;
[0093] 電子注入層的材質為CsN3，蒸鍍時采用的壓強為5X l(T4Pa，蒸鍍速率為5nm/s，蒸 鍍厚度為lnm ;
[0094] (2)制備復合陰極；
[0095] 將Au與Na2C03以質量比1:0. 05混合形成混合材料，在電子注入層上熱阻蒸鍍混 合材料，得到厚度為15nm的金屬摻雜層；蒸鍍時采用的壓強為5Xl(T4Pa，蒸鍍速率為5nm/ S ；
[0096] 在金屬摻雜層上熱阻蒸鍍VPc，得到厚度為180nm的金屬酞菁類化合物層，蒸鍍時 采用的壓強為5 X l(T4Pa，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;
[0097] 在金屬酞菁類化合物層上熱阻蒸鍍CuS，得到厚度為250nm的金屬單質層；蒸鍍時 采用的壓強為5Xl(T 4Pa，蒸鍍速率為5nm/s，得到有機電致發(fā)光器件。
[0098] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注 入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，復合陰極由依次層疊的金 屬摻雜層、金屬酞菁類化合物層和金屬硫化物層組成。具體結構表示為：
[0099] ΙΖ0 玻璃 /Mo03/TCTA/DCJTB/TAZ/CsN3/Au:Na2C0 3(l:0· 05)/VPc/CuS。
[0100] 對比實施例
[0101] 為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設置了對比實施例，對比實施例與實施例1 的區(qū)別在于對比實施例中的陰極為金屬單質銀(Ag)，厚度為120nm，對比實施例有機電致 發(fā)光器件的具體結構為ΙΤ0玻璃/W0 3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag，分別對應導電陽極玻璃基 底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0102] 效果實施例
[0103] 采用美國海洋光學Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國 吉時利公司的電流-電壓測試儀Keithley2400測試電學性能，日本柯尼卡美能達公司的 CS-100A色度計測試亮度和色度，得到有機電致發(fā)光器件的流明效率隨電流密度變化曲線， 以考察器件的發(fā)光效率，測試對象為實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件。測 試結果如圖2所示。
[0104] 圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例有機電致發(fā)光器件的流明效率與電流密度的 關系圖。從圖2可以看到，在不同電流密度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實 施例1的最大的流明效率為9. 411m/W，而對比例的僅為5. 271m/W，同時，隨著電流密度的增 力口，對比例的流明效率衰減的比較快，而實施例1的衰減較慢。這說明，制備復合陰極，提高 了電子的注入能力，增加器件的導電性，提高膜的平整度，使膜層表面形成波紋狀結構，提 高出光效率，使反射回去的光與向頂部出射的光相遇，形成光的干涉加強，從而提高底發(fā)射 的發(fā)光強度，這種復合陰極可有效提高器件發(fā)光效率。
[0105] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員 來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為 本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注入層、空穴傳輸 層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極，其特征在于，所述復合陰極由依次層疊的 金屬摻雜層、金屬酞菁類化合物層和金屬硫化物層組成，所述金屬摻雜層的材質為金屬單 質和鈉鹽以質量比1:0. 01?1:0. 1混合形成的混合材料，所述金屬單質為銀、鋁、鉬和金中 的一種，所述鈉鹽為碳酸鈉、氯化鈉和溴化鈉中的一種；所述金屬酞菁類化合物層的材質為 酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂和酞菁釩中的一種；所述金屬硫化物層的材質為硫化鋅、硫化鎘、硫 化鎂和硫化銅中的一種。
2. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為 10 ?40nm。
3. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁類化合物層的 厚度為80?200nm。
4. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬硫化物層的厚度為 200 ?300nm〇
5. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟： (1) 提供所需尺寸的導電陽極玻璃基底，清洗后干燥；在導電陽極玻璃基底上采用熱阻 蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層； (2) 在電子注入層上制備復合陰極，所述復合陰極由依次層疊的金屬摻雜層、金屬酞菁 類化合物層和金屬硫化物層組成； 將金屬單質和鈉鹽以質量比1:0. 01?1:0. 1混合形成混合材料，然后將混合材料熱阻 蒸鍍在電子注入層上，得到所述金屬摻雜層，所述金屬單質為銀、鋁、鉬和金中的一種，所述 鈉鹽為碳酸鈉、氯化鈉和溴化鈉中的一種；所述蒸鍍壓強為5Xl(T 5Pa?2Xl(T3Pa，蒸鍍速 率為1?10nm/s ; 在金屬摻雜層上采用熱阻蒸鍍的方法制備金屬酞菁類化合物層，所述金屬酞菁類化 合物層的材質為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂和酞菁釩中的一種，所述蒸鍍壓強為5Xl(T5Pa? 2X10_ 3Pa，蒸鍍速率為0· 1?lnm/s ; 在金屬酞菁類化合物層上采用熱阻蒸鍍的方法制備金屬硫化物層，所述金屬硫化 物層的材質為硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂和硫化銅中的一種；所述蒸鍍壓強為5Xl(T5Pa? 2Xl(T 3Pa，蒸鍍速率為1?lOnm/s ;得到所述有機電致發(fā)光器件。
6. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬摻雜層 的厚度為10?40nm。
7. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬酞菁類 化合物層的厚度為80?200nm。
8. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬硫化物 層的厚度為200?300nm。
9. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層 和電子注入層的熱阻蒸鍍條件均為：壓強為5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸鍍速率為1?10nm/ So
10. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸 層、電子傳輸層和發(fā)光層的熱阻蒸鍍條件均為：壓強為5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸鍍速率為
【文檔編號】H01L51/50GK104124342SQ201310143958
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權日:2013年4月24日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司