硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，包括硅晶基板、位于硅晶基板的表面內(nèi)的磷擴散摻雜層、位于硅晶基板的表面上的鈍化層、介于鈍化層與硅晶基板內(nèi)的磷擴散摻雜層之間的含磷氧化層、以及位于硅晶基板的表面并穿過鈍化層與含磷氧化層的電極。
【專利說明】硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種太陽能電池結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來因環(huán)境污染而導(dǎo)致的全球氣候溫度異常，因此永續(xù)潔凈的能源需求問題迅速受到全球各國高度重視。其中太陽能無疑是最大無碳能源的供給來源，而太陽能電池為一種可直接將太陽光能轉(zhuǎn)換為電能的光電轉(zhuǎn)換元件。根據(jù)EPIA于全球太陽能電池市占率統(tǒng)計，娃晶(Crystalline Silicon)太陽能電池占最大比例。
[0003]傳統(tǒng)的硅晶太陽能電池的制造方法至少有以下8道程序，請見圖1。首先第I道程序是晶片100的表面織化(texture)工藝，通常對于單晶硅晶片進行堿蝕刻，對于多晶硅晶片則是以酸蝕刻的方式來進行;第2道程序是晶片清洗，晶片清洗主要是把表面織化工藝后，殘留在晶片100表面IOOa的物質(zhì)給去除掉；再來第3道程序就是進行磷擴散，磷擴散主要是在p-type晶片100形成n_type發(fā)射極102,形成PN接面二極管,其工藝通常是在晶片100表面IOOa沉積一層P2O5層再進行高溫氧化熱擴散，進而形成含磷氧化物層104 (此層包含P2O5層與SiO2:P);接下來第4道程序的工藝為背面IOOb拋平，使用的手段主要為酸蝕刻的方式，目的是避免制作完的電池發(fā)生短路的現(xiàn)象；再來第5道程序是進行磷擴散后的含磷氧化物層104去除，這是因為傳統(tǒng)認(rèn)為這含磷氧化物層104含有P2O5層，會造成載流子容易在此層復(fù)合，對于100表面鈍化是有極大的損害，所以通常以含氟化氫的液體來去除；接下來第6道程序是進行PECVD正面SiNx抗反射膜106鍍膜制作，目的是減少光學(xué)反射，增加光被太陽能電池吸收。最后就是進行電極制作，主要是先進行第7道程序，以網(wǎng)印正背面電極108與110，最后的第8道程序是進行電池?zé)Y(jié)，得到背面場(BSF，Back-Side Field)層112，完成電池制作。這8個工藝已是目前電池制造廠商的標(biāo)準(zhǔn)工藝程序，很難被取代，但如果可以在不影響效率下，節(jié)省工藝步驟，那將是硅晶太陽能電池的一大進步。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，能通過簡化工藝而降低成本并提升太陽能電池的效率。
[0005]本發(fā)明又提供一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，可改善太陽能電池的光電效應(yīng)。
[0006]本發(fā)明的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)包括硅晶基板、位于硅晶基板的表面內(nèi)的磷擴散摻雜層、位于娃晶基板的表面上的鈍化層、介于鈍化層與娃晶基板內(nèi)的磷擴散摻雜層之間的含磷氧化層、以及位于硅晶基板的表面并穿過鈍化層與含磷氧化層的電極，而使電極與硅晶基板內(nèi)的磷擴散摻磷層接觸。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述的含磷氧化層包括與所述鈍化層接觸的P2O5層、以及與硅晶基板的所述正面接觸的SiO2=P層。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述的含磷氧化層與鈍化層的總厚度例如在50nm至200nm之間。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述的含磷氧化層的厚度例如在5nm至40nm之間。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述的娃晶基板為P型基板，則上述表面為娃晶基板的正面、上述電極為正面電極，且上述鈍化層同時作為抗反射層。而且，上述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)還包括位于硅晶基板的背面上的背面電極。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述的娃晶基板為N型基板,則上述表面為娃晶基板的背面，且上述電極為背面電極。而且，上述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)還包括抗反射層、正面發(fā)射極和正面電極，其中抗反射層位于硅晶基板的正面上、正面發(fā)射極位于硅晶基板的正面內(nèi)、正面電極位于硅晶基板的正面上并穿過抗反射層，而與正面發(fā)射極接觸。
[0012]本發(fā)明的又一硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)包括硅晶基板、位于硅晶基板的正面上的抗反射層、介于硅晶基板的正面與抗反射層之間的含磷氧化層、第一接觸電極、以及第二接觸電極。所述硅晶基板的正面具有正面場(FSF)層，而硅晶基板的背面具有互相分離的背面場(BSF)層與發(fā)射極層。第一接觸電極是位于硅晶基板的背面與所述發(fā)射極層接觸，第二接觸電極則是位于硅晶基板的背面與背面場層接觸。
[0013]在本發(fā)明的又一實施例中，上述的含磷氧化層包括與所述抗反射層接觸的P2O5層、以及與硅晶基板的所述正面接觸的Si02:p層。
[0014]在本發(fā)明的又一實施例中，上述的含磷氧化層與抗反射層的總厚度例如在50nm至200nm之間。
[0015]在本發(fā)明的又一實施例中，上述的含磷氧化層的厚度例如在5nm至40nm之間。
[0016]在本發(fā)明的又一實施例中，上述的硅晶基板的正面為織構(gòu)化表面。
[0017]在本發(fā)明的又一實施例中，上述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)還包括覆蓋于硅晶基板的背面上的鈍化層。
[0018]在本發(fā)明的又一實施例中，上述的鈍化層為氮化硅層、SiO2層、TiO2層、MgF2層或其組合。
[0019]基于上述，本發(fā)明的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)除了能維持光電特性，還可降低生產(chǎn)成本。另外，具含磷氧化物層的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)還可降低表面載流子復(fù)合，進而提升電池效率。另外，具含磷氧化物層的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)還可降低元件的接面電阻，進而提升電池效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是現(xiàn)有的一種硅晶太陽能電池的制造流程剖面圖。
[0021]圖2A是依照本發(fā)明的第一實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0022]圖2B是圖2A的局部放大圖。
[0023]圖3是依照本發(fā)明的第二實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0024]圖4是依照本發(fā)明的第三實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0025]圖5是依照本發(fā)明的第四實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0026]圖6是實驗例一的含磷氧化層與氮化硅的厚度變化與電流密度的關(guān)系曲線圖。
[0027]圖7是實驗例一的含磷氧化層與氮化硅的厚度變化與電流密度的關(guān)系曲線圖。
[0028]圖8A和圖8B分別是實驗例二的樣品示意圖。[0029]圖9是實驗例二的擴散工藝溫度與少數(shù)載流子生命周期的關(guān)系曲線圖。
[0030]其中，附圖標(biāo)記:
[0031]20、30、40、50:硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)
[0032]100:晶片100a、200a:表面
[0033]102:n-type 發(fā)射極
[0034]104、204、304、404、504:含磷氧化層
[0035]106:SiNx 抗反射膜108、306、412:正面電極
[0036]110、310、406:背面電極112、512:背面場(BSF)層
[0037]200、300、400、500:硅晶基板 202、402、516:鈍化層
[0038]206、308、410:磷擴散摻雜層 208 =P2O5 層
[0039]210:Si02:P 層300a、400b、500a:正面
[0040]100b、300b、400a、500b:背面 302、409、502:抗反射層
[0041]312:p+區(qū)314:重?fù)诫s區(qū)
[0042]408:正面發(fā)射極506:第一接觸電極
[0043]508:第二接觸電極510:正面場(FSF)層
[0044]514:發(fā)射極層
【具體實施方式】
[0045]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。
[0046]文中參照隨附 附圖來描述本發(fā)明，附圖中顯示的是實施例，但是本發(fā)明還可以有多種形式來實踐，且不應(yīng)將其解釋為限于本文所述的實施例。在附圖中，為明確起見可能將各層以及區(qū)域的尺寸以及相對尺寸作夸張的描繪。
[0047]在下文中，當(dāng)稱一元件或?qū)邮恰拔挥诹硪辉驅(qū)由稀睍r，其可直接位于另一元件或?qū)由匣蚩纱嬖谥虚g元件或?qū)印４送?，?dāng)稱一元件“與另一元件或?qū)咏佑|”時，兩者間不存在中間元件或?qū)?。文中所用的諸如“在…下”、“在…上”及其類似用語的空間相對用語，來描述圖中所說明的元件或?qū)优c另一元件或?qū)拥年P(guān)系。這樣的空間相對用語應(yīng)包括使用中或操作中的元件，且包括除圖中所描繪的方位以外的不同方位。舉例來說，若將附圖中的元件翻轉(zhuǎn)，則被描述為位于其他元件或?qū)印吧稀钡脑?，接著將定向成位于其他元件或?qū)印跋隆薄?br> [0048]圖2A是依照本發(fā)明的第一實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0049]請參照圖2A，硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)20包括硅晶基板200、位于硅晶基板200的表面200a上的鈍化層202、以及介于硅晶基板200的所述表面200a與鈍化層202之間的含磷氧化層204。硅晶基板200譬如是P型硅晶，其表面200a內(nèi)摻雜有作為發(fā)射極層的磷擴散摻雜層206，而表面200a即為硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)20的正面，此時鈍化層202同時可作為抗反射層(ant1-reflective layer)用。所述鈍化層202例如氮化娃層、SiO2層、TiO2層、MgF2層或其組合，且含磷氧化層204與鈍化層202的總厚度例如在50nm至200nm之間。至于含磷氧化層204的厚度例如在5nm至40nm之間,尤其是在30nm以下有利于光學(xué)上的表現(xiàn)。另外，硅晶基板200的表面200a除圖2A的平面外，也可為織構(gòu)化表面，以降低光的反射。[0050]上述含磷氧化層204為傳統(tǒng)高溫磷擴散工藝所產(chǎn)生，可包括與鈍化層202接觸的P2O5層208、以及與硅晶基板200的表面200a接觸的SiO2:P層210，請見圖2B，其為圖2A的局部放大圖。由于Si02:P層210介于P2O5層208和磷擴散摻雜層206之間,所以本實施例中的含磷氧化層204能具有鈍化效果，并且通過增加Si02:P層210的厚度，預(yù)期能有利含磷氧化層204的鈍化。
[0051]由于先前的太陽能電池工藝會在進行磷擴散形成如圖2A的磷擴散摻雜層206之后，將硅晶基板200的表面200a的含磷氧化物層204移除，再進行抗反射層(或鈍化層202)的鍍膜步驟。相較下，本實施例中的含磷氧化層204不需移除，所以不但不影響光學(xué)表現(xiàn)、具有鈍化效果之外，還能節(jié)省工藝步驟并進一步降低成本。
[0052]另外，上述的娃晶基板200為N型娃晶基板的話，其表面200a也可為娃晶太陽能電池結(jié)構(gòu)20的背面，當(dāng)硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)20的背面有含磷氧化層204存在，同樣能具有鈍化效果，并且有助降低電極(未繪示)燒結(jié)后的接面電阻，提升電池的效率。
[0053]圖3是依照本發(fā)明的第二實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0054]請參照圖3，硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)30包括硅晶基板300、位于硅晶基板300的正面300a上的抗反射層302、介于正面300a與抗反射層302之間的含磷氧化層304、以及幾個正面電極306。上述硅晶基板300譬如是正面300a內(nèi)摻雜有作為發(fā)射極的磷擴散摻雜層308的P型硅晶。所述正面電極306則位于硅晶基板300的正面300a并穿過抗反射層302與含磷氧化層304，而與硅晶基板300內(nèi)的磷擴散摻雜層308接觸。上述含磷氧化層304例如包括與抗反射層302接觸的P2O5層、以及與硅晶基板300的正面300a接觸的SiO2 = P層，與圖2B的情形類似。
[0055]由于含磷氧化層304位于娃晶基板300的正面300a上,所以考量光學(xué)上的表現(xiàn)，含磷氧化層304與抗反射層302的總厚度例如在50nm至200nm之間，其中含磷氧化層304的厚度例如在5nm至40nm之間。另外，本實施例的硅晶基板300的正面300a為織構(gòu)化表面，能降低光反射。再者，硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)30還可包括位于硅晶基板300的背面300b上的背面電極310。而在硅晶基板300的背面300b —般可設(shè)有p+區(qū)312作為背面場(BSF，Back-Side Field)層。
[0056]另外，當(dāng)硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)30的正面電極306是用銀膠燒結(jié)或者利用電鍍制作的情況，由于含磷氧化物層304中的磷會在高溫下熔化而摻入硅晶基板300，而在正面電極306底下形成重?fù)诫s區(qū)314，有利于降低金屬與半導(dǎo)體接面電阻值并進而增加電池轉(zhuǎn)換效率。詳細而言，當(dāng)正面電極306是用銀膠制作時，因為銀膠內(nèi)有玻璃質(zhì)，所以在高達攝氏八?九百度的溫度燒結(jié)下，玻璃質(zhì)會熔蝕抗反射層302并使含磷氧化物層304中的磷熔出，故能在金屬與半導(dǎo)體的接面(硅晶基板300內(nèi))形成η型的重?fù)诫s區(qū)314，進而降低接面電阻。同理，利用電鍍制作正面電極306的步驟，若先用雷射去除抗反射層302，此時因為雷射的高能量會同時移除含磷氧化物層304并使其重熔，所以也能在硅晶基板300內(nèi)形成重?fù)诫s區(qū)314。之后，可用電鍍工藝之類的方式，在雷射處理過的區(qū)域上電鍍正面電極306。
[0057]圖4是依照本發(fā)明的第三實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0058]請參照圖4，硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)40包括硅晶基板400、位于硅晶基板400的背面400a上的鈍化層402、介于背面400a與鈍化層402之間的含磷氧化層404、以及幾個背面電極406。上述硅晶基板400譬如是正面400b內(nèi)摻雜有p+區(qū)作為正面發(fā)射極408的N型硅晶，而在娃晶基板400的背面400a可設(shè)有磷擴散摻雜層410。所述背面電極406位于娃晶基板400的背面400a并穿過鈍化層402與含磷氧化層404，而與硅晶基板400內(nèi)的磷擴散摻雜層410接觸。上述含磷氧化層404可參照圖2B所示，故不再贅述。正面400b則有抗反射層(兼鈍化層)409，位于正面發(fā)射極408之上，正面并有電極412結(jié)構(gòu)。
[0059]圖5是依照本發(fā)明的第四實施例的一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0060]請參照圖5，硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)50包括硅晶基板500、位于硅晶基板500的正面500a上的抗反射層502、介于硅晶基板500的正面500a與抗反射層502之間的含磷氧化層504、第一接觸電極506、以及第二接觸電極508。所述硅晶基板500的正面500a具有正面場(Front-Side Field)層510，而硅晶基板500的背面500b具有互相分離的背面場(BSF)層512與發(fā)射極層514。第一接觸電極506和第二接觸電極508都位于娃晶基板500的背面500b ;第一接觸電極506與發(fā)射極層514接觸，第二接觸電極508與背面場層512接觸。第四實施例的娃晶太陽能電池結(jié)構(gòu)50可為交指式背接觸電極(Interdigitated backcontact, IBC)太陽能電池，其中的硅晶基板500為N型硅晶、正面場層510為n+FSF、背面場層512為n++BSF、發(fā)射極層514為p++區(qū)。
[0061]第四實施例的含磷氧化層504例如包括與抗反射層502接觸的P2O5層、以及與硅晶基板500的正面500a接觸的SiO2 = P層，與圖2B的情形類似。由于含磷氧化層504位在娃晶基板500的正面500a上,所以考量光學(xué)上的表現(xiàn),含磷氧化層504與抗反射層502的總厚度例如在50nm至200nm之間，其中含磷氧化層504的厚度例如在5nm至40nm之間。另夕卜，本實施例的娃晶基板500的正面500a為織構(gòu)化表面,能降低光反射。此外，于娃晶基板500的背面500b上還可覆蓋一層鈍化層516，其例如是氮化硅層或是氧化硅層等。
[0062]以下列舉數(shù)個實驗來證實本發(fā)明的功效。
[0063]實驗例一:含磷氧化層與SiNx薄膜的關(guān)系
[0064]在傳統(tǒng)的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)中，一般會用600nm，折射系數(shù)落在2?2.1的SiNx:H氮化硅層薄膜作為鈍化層，采用這范圍的較大原因是在鈍化上的結(jié)果。一般而言，在硅晶上最佳的光學(xué)抗反射層其折射率應(yīng)該落于1.9附近，但折射率為1.9的SiNx:H的含氫量不高，導(dǎo)致鈍化特性不佳，所以在傳統(tǒng)工藝上，逐漸把折射率提升到2-2.1之間，讓SiNx:H薄膜的氫含量提升，而在犧牲一點光學(xué)特性的情況下，換取在鈍化特性的增加，以得到較佳的效率數(shù)值。
[0065]然而，在實驗例一中要考慮的是含磷氧化物層與硅晶基板之間的光學(xué)特性，以降低含磷氧化物層與硅晶基板的光學(xué)反射效果，并創(chuàng)造出更佳的光電流，進而使電池效率增力口。由光學(xué)模擬得到不同折射系數(shù)(η)的SiNx:H與不同含磷氧化物層厚度對光電流特性的影響，如圖6所示。
[0066]假設(shè)抗反射層是折射系數(shù)為2.1的SiNx、含磷氧化物層的折射系數(shù)為1.6、硅晶的折射系數(shù)為3.6，并以含磷氧化物層的厚度為變數(shù)進行不同SiNx厚度的光學(xué)模擬，結(jié)果顯示于圖7。
[0067]從圖7顯示出，含磷氧化物層在IOnm以下時，其對光電流最高值，幾乎是比沒有含磷氧化物層下更高的，甚至是含磷氧化物層厚度達到40nm下，其光電流最大值與無含磷氧化物層相差不到0.1mA/cm2，這意謂著含磷氧化物層的存在(<40nm)，只要調(diào)整適當(dāng)?shù)腟iNx厚度，在光學(xué)上對電池的效率影響是很小的。從數(shù)據(jù)圖顯示，含磷氧化物層厚度越小，可吸收的光電流會越多。
[0068]從圖6可知，使用折射系數(shù)較低的SiNx薄膜，能增進電流密度，差別大到0.7mA/cm2 ;換句話說，電池轉(zhuǎn)換效率會差到0.3%。所以調(diào)整磷擴散的含磷氧化物層厚度、鈍化特性，將可以很順利的搭配低折射系數(shù)的SiNx薄膜。
[0069]實驗例二:含磷氧化物層的鈍化特性
[0070]調(diào)整磷擴散的條件，會發(fā)現(xiàn)當(dāng)擴散的情況下，含磷氧化物層的厚度減少與氧氣通氣量增加下，其鈍化特性會大幅改善，也意謂著含磷氧化物層與硅晶接觸的接面，會有一層幾奈米厚度的SiO2 = P層生成，這SiO2 = P層可以改善鈍化特性。
[0071]因此，分別制作圖8A與圖SB的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，再以少數(shù)載流子生命周期測試儀(Lifetime tester)來進行測試。在對N_type晶片進行磷擴散工藝與雙面氮化娃鈍化層包覆之后，具有含磷氧化物層的樣品(圖8B)的少數(shù)載流子生命周期>1000 μ S，去除磷氧化物層再包覆氮化硅的樣品(圖8Α)的少數(shù)載流子生命周期~500 μ S。因此具有含磷氧化物層的結(jié)構(gòu)的少數(shù)載流子生命周期特性依然可以保持很高。
[0072]所以通過調(diào)整擴散工藝溫度的調(diào)整，使含磷氧化物層厚度變厚、并長出高品質(zhì)的氧化層。圖9是比較幾種不同工藝溫度，保留含磷氧化物層，再雙面鍍上氮化硅層，制作成如圖SB結(jié)構(gòu)，以少數(shù)載流子生命周期測試儀來做測量，得出超高載流子生命周期的結(jié)果，高載流子生命周期代表著良好的鈍化層，由圖9可以說明保留含磷氧化物層可以做為良好的鈍化層，其鈍化效果甚至比氮化硅鈍化層好。
[0073]比較有無去除含磷氧化物層的太陽電池轉(zhuǎn)換效率，磷擴散發(fā)射極阻值在IOOohm/單位面積(ohm/ □)，正面與背面電極結(jié)構(gòu)皆以網(wǎng)印工藝搭配高溫?zé)Y(jié)而成，實驗組為不去除含磷氧化物層，保留P2O5結(jié)構(gòu)，對照組為傳統(tǒng)工藝，去除含磷氧化物層。其結(jié)果如下表一所示。
【權(quán)利要求】
1.一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 娃晶基板； 磷擴散摻雜層，位于該娃晶基板的表面內(nèi)； 鈍化層，位于該娃晶基板的該表面上； 含磷氧化層，介于該硅晶基板內(nèi)的該磷擴散摻雜層與該鈍化層之間；以及電極，位于該硅晶基板的該表面并穿過該鈍化層與該含磷氧化層，而使該電極與該硅晶基板內(nèi)的該磷擴散摻磷層接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含磷氧化層包括: P2O5層，與該鈍化層接觸；以及 SiO2 = P層，與該硅晶基板內(nèi)的該磷擴散摻雜層接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含磷氧化層與該鈍化層的總厚度在50nm至200nm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含磷氧化層的厚度在5nm至40nm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該硅晶基板為P型基板，則該表面為該硅晶基板的正面、該電極為正面電極，且該鈍化層同時作為抗反射層。
6.如權(quán)利要求5所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括背面電極，位于該硅晶基板的背面上。
7.如權(quán)利要求1所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該硅晶基板為N型基板，則該表面為該硅晶基板的背面且該電極為背面電極。
8.如權(quán)利要求7所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 抗反射層，位于該硅晶基板的正面上； 正面發(fā)射極，位于該硅晶基板的該正面內(nèi)；以及 正面電極，位于該硅晶基板的該正面上并穿過該抗反射層，而與該正面發(fā)射極接觸。
9.一種硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 硅晶基板，具有正面與背面，該硅晶基板的該正面具有正面場層，該硅晶基板的該背面具有互相分離的背面場層與發(fā)射極層； 抗反射層，位于該硅晶基板的該正面上； 含磷氧化層，介于該硅晶基板的該正面與該抗反射層之間； 第一接觸電極，位于該硅晶基板的該背面與該發(fā)射極層接觸；以及 第二接觸電極，位于該硅晶基板的該背面與該背面場層接觸。
10.如權(quán)利要求9所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含磷氧化層包括: P2O5層，與該抗反射層接觸；以及 SiO2 = P層，與該硅晶基板的該正面接觸。
11.如權(quán)利要求9所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含磷氧化層與該抗反射層的總厚度在50nm至200nm之間。
12.如權(quán)利要求9所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含磷氧化層的厚度在5nm至40nm之間。
13.如權(quán)利要求9所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該硅晶基板的該正面為織構(gòu)化表面。
14.如權(quán)利要求9所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括鈍化層，覆蓋于該硅晶基板的該背面上。
15.如權(quán)利要求9所述的硅晶太陽能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，該鈍化層為氮化硅層、SiO2層、TiO2層、MgF2層或其組合。
【文檔編號】H01L31/0216GK103985773SQ201310110506
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2013年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】吳德清, 李立宇, 杜政勛, 陳秉群 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院