專利名稱：一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著科技的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)也隨之不斷完善。TFT-1XD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)以其圖像顯示品質(zhì)好、能耗低、環(huán)保等優(yōu)勢占據(jù)著顯示器領(lǐng)域的重要位置。TFT-1XD由彩膜基板和陣列基板對盒而成。其中，現(xiàn)有的陣列基板通常采用多次mask掩膜工藝形成特定的結(jié)構(gòu)圖形。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。該陣列基板包括基板1、該基板I上設(shè)有柵極、柵絕緣層2和半導(dǎo)體層，該絕緣層2上設(shè)有源電極3和漏電極4，該源電極3和漏電極4的上方和周圍設(shè)有鈍化層5，該鈍化層5上設(shè)有像素電極層6。該像素電極層6通常采用掩模板進(jìn)行曝光及后續(xù)工藝，進(jìn)而形成電極層圖形。在TFT-1XD的制作工藝中，掩模板的制作成本非常昂貴，每形成一種結(jié)構(gòu)層都需要只有一次特定圖形的掩模板進(jìn)行曝光，工藝復(fù)雜，成本高，每多一次mask產(chǎn)能及良率均受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，減少mask工藝制程，克服現(xiàn)有技術(shù)中采用掩模板制作透明電極層帶來的生產(chǎn)成本較高的缺陷。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，包括:基板，所述基板上依次設(shè)有薄膜晶體管、鈍化層和透明電極層，所述樹鈍化層上形成有凹槽，所述透明電極層設(shè)置于凹槽內(nèi)。進(jìn)一步地，所述鈍化層由感光樹脂材料制成。進(jìn)一步地，所述凹槽的高度為0.5_3um。進(jìn)一步地，所述透明電極層為像素電極，所述像素電極位于凹槽內(nèi)。進(jìn)一步地，所述凹槽為梳狀，所述透明電極層為像素電極，所述像素電極位于梳狀凹槽內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的公共電極；或者，所述凹槽為梳狀，所述透明電極層為公共電極，所述公共電極位于梳狀凹槽內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的像素電極。另一方面，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟:在基板上形成包括薄膜晶體管和鈍化層的圖形，所述鈍化層上形成凹槽；在凹槽內(nèi)形成透明電極的圖形。進(jìn)一步地，在基板上形成薄膜晶體管，具體包括:在基板上通過構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線的圖形；在完成上述步驟的基板上形成柵絕緣層；
在完成上述步驟的基板上通過構(gòu)圖工藝形成有源層和源漏電極層的圖形。進(jìn)一步地，所述形成具有凹槽的鈍化層的圖形包括:在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成鈍化層；在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠，通過雙色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，對應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠進(jìn)行部分曝光，對應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的光刻膠進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的光刻膠不進(jìn)行曝光；通過顯影處理后，對應(yīng)所述完全曝光區(qū)域的鈍化層暴露出來，利用刻蝕工藝形成所述漏極的過孔；利用灰化工藝，將所述對應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠去除，以暴露出鈍化層；利用刻蝕工藝將暴漏出的鈍化層進(jìn)行部分去除，在鈍化層上形成所述凹槽。進(jìn)一步地，所述形成具有凹槽的鈍化層圖形包括:在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成感光樹脂層，通過雙色調(diào)掩模板對感光樹脂層進(jìn)行曝光，使得對應(yīng)透明電極區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行部分曝光，在對應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的所述感光樹脂層不進(jìn)行曝光，通過顯影工藝后，所述感光樹脂層對應(yīng)透明電極的區(qū)域形成凹槽的圖形。進(jìn)一步地，所述在凹槽內(nèi)形成透明電極的圖形，具體包括:在形成凹槽的基板上形成透明導(dǎo)電層；在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠；依據(jù)鈍化層上具有的凹槽，形成在凹槽部分的光刻膠和凹槽以外的光刻膠的厚度差，對光刻膠進(jìn)行灰化處理，保留凹槽區(qū)域的光刻膠，去除凹槽以外其他區(qū)域的光刻膠以暴露出透明導(dǎo)電層；采用刻蝕工藝將暴露出的透明導(dǎo)電層去除，剝離所述凹槽部分的的光刻膠，形成透明電極的圖形。進(jìn)一步地，所述透明電極為像素電極。進(jìn)一步地，所述形成的凹槽為梳狀，所述透明電極層為像素電極，在形成鈍化層之前，還包括形成公共電極的圖形。進(jìn)一步地，所述形成的凹槽為梳狀，所述透明電極層為公共電極，在形成鈍化層之前，還包括形成像素電極的圖形。再一方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。(三)有益效果上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明提供的顯示裝置、陣列基板及其制作方法，制作工藝簡單，采用具有凹槽的鈍化層，利用光刻膠進(jìn)行灰化工藝形成透明電極層，從而省略制備透明電極的掩模板，可最大程度降低制造成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；圖2a_2e為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板結(jié)構(gòu)制作步驟示意圖，其中圖2e為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板其中一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明陣列基板另一種結(jié)構(gòu)不意圖4為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制作方法流程圖。其中，1:基板；2:柵絕緣層；3:源電極；4:漏電極；5:鈍化層；51:凹槽；6:像素電極；7:光刻膠；8:公共電極。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖2e所示，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板包括:基板，基板上依次設(shè)有薄膜晶體管、鈍化層和透明電極層，樹鈍化層上形成有凹槽，所述透明電極層設(shè)置于凹槽內(nèi)。具體為:基板1(透明基板如，玻璃基板)，在基板I上設(shè)有柵極和柵線，所述柵極和柵線之上設(shè)有柵絕緣層，柵絕緣層2上設(shè)有有源層，該有緣層可以采用氧化物半導(dǎo)體或非晶硅a-si等材料制成，在有源層之上設(shè)有源漏電極層(包括源電極3、漏電極4及之間的溝道)最終形成薄膜晶體管TFT。在源電極和漏電極之上設(shè)有鈍化層5，該鈍化層5上設(shè)有凹槽51，透明電極層設(shè)置于凹槽51內(nèi)。該凹槽51的高度h為0.5-3um即可(參見圖2a)，所述凹槽的高度為鈍化層凹槽的底部到鈍化層最高處，即到達(dá)鈍化層上表面的距離；較優(yōu)地，該凹槽51的高度占鈍化層5厚度的一半。透明電極層由IT0(Indium Tin Oxides，納米銦錫)等材料制成。對于TN (Twisted Nematic，扭曲向列顯示)模式而言，該透明電極層為像素電極6，該像素電極設(shè)置于凹槽51內(nèi)，在節(jié)省空間的前提下，可最大程度地保護(hù)像素電極。而對于ADS (Advanced Super Dimension Switch)模式而言，ADS 是平面電場寬視角核心技術(shù)-高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)，可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。參考圖3，該凹槽51為梳狀，所述透明電極層為像素電極，所述像素電極位于梳狀凹槽內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的公共電極8?；蛘撸霭疾?1為梳狀，所述透明電極層為公共電極8，所述公共電極位于梳狀凹槽51內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的像素電極。如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制作方法具體包括如下步驟:步驟S1、在基板上形成包括薄膜晶體管和鈍化層的圖形。該步驟和現(xiàn)有的制作薄膜晶體管TFT和鈍化層圖形的步驟相似，以制作底柵型TFT為例進(jìn)行說明，具體包括步驟:其中，在基板上形成薄膜晶體管，具體包括:在基板上通過沉積、曝光、顯影、刻蝕及剝離等一系列構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線的圖形；在完成上述步驟的基板上形成柵絕緣層；在完成上述步驟的基板上通過構(gòu)圖工藝形成有源層和源漏電極層的圖形；在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成鈍化層。步驟S2、所述鈍化層上形成凹槽。具體為:在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠，通過雙色調(diào)掩模板(灰調(diào)或半調(diào)掩膜板)對光刻膠進(jìn)行曝光，對應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠進(jìn)行部分曝光，對應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的光刻膠進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的光刻膠不進(jìn)行曝光；通過顯影處理后，對應(yīng)所述完全曝光區(qū)域的鈍化層暴露出來，利用刻蝕工藝形成所述漏極的過孔；利用灰化工藝，將所述對應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠去除，以暴露出鈍化層；利用刻蝕工藝將暴漏出的鈍化層進(jìn)行部分去除，在鈍化層上形成所述凹槽，參考圖2a。另外，還可以采用如下方法形成具有凹槽的鈍化層:在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成感光樹脂層，通過雙色調(diào)掩模板對感光樹脂層進(jìn)行曝光，使得對應(yīng)透明電極區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行部分曝光，在對應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的所述感光樹脂層不進(jìn)行曝光，通過顯影工藝后，所述感光樹脂層對應(yīng)透明電極的區(qū)域形成凹槽的圖形。步驟S3、在凹槽內(nèi)形成透明電極的圖形，具體步驟包括:在形成凹槽的基板上形成透明導(dǎo)電層6 ;在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠7 ;依據(jù)鈍化層上具有的凹槽，形成在凹槽部分的光刻膠和凹槽以外的光刻膠的厚度差，對光刻膠進(jìn)行灰化處理，保留凹槽區(qū)域的光刻膠，去除凹槽以外其他區(qū)域的光刻膠以暴露出透明導(dǎo)電層；采用刻蝕工藝將暴露出的透明導(dǎo)電層去除，剝離所述凹槽部分的的光刻膠，形成透明電極的圖形，參考2b-2e。其中，關(guān)于透明電極層對于不同模式的顯示模式，有不同的制作方法，對于TN模式，透明電極層為像素電極，像素電極通過過孔，連接薄膜晶體管，具體連接薄膜晶體管的漏極。對于ADS模式，該模式在形成鈍化層之前還包括公共電極，該公共電極的圖形通常與柵線在同一次構(gòu)圖工藝中形成)，該公共電極為板狀，像素電極形成在梳狀的凹槽內(nèi)，形成梳狀像素電極，該梳狀電極位于公共電極的上方。當(dāng)然，該透明電極層可以為公共電極，該公共電極形成在梳狀的凹槽內(nèi)，形成梳狀公共電極，而此時(shí)，在形成鈍化層之前還包括像素電極，該像素電極位于公共電極的下方，為板狀。當(dāng)然，還可以制作IPS模式的顯示面板，即制作梳狀的像素電極和梳狀的公共電極，每條像素電極和公共電極交錯(cuò)排列即可。由上述實(shí)施例中的陣列基板制作方法制作的陣列基板如圖2e所示，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于未采用mask來制作透明電極層,從而減少了一次mask工藝,從而節(jié)省了制作工序和制作成本。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述陣列基板，該顯示裝置可以是:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明提供的顯示裝置、陣列基板及其制作方法，制作工藝簡單，采用具有凹槽的鈍化層，利用光刻膠進(jìn)行灰化工藝形成透明電極層，從而省略制備透明電極的掩模板，可最大程度降低制造成本。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基板，所述基板上依次設(shè)有薄膜晶體管、鈍化層和透明電極層，所述樹鈍化層上形成有凹槽，所述透明電極層設(shè)置于凹槽內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層由感光樹脂材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽的高度為0.5-3um。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明電極層為像素電極，所述像素電極位于凹槽內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽為梳狀，所述透明電極層為像素電極，所述像素電極位于梳狀凹槽內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的公共電極； 或者，所述凹槽為梳狀，所述透明電極層為公共電極，所述公共電極位于梳狀凹槽內(nèi)，所述陣列基板還包括位于鈍化層下方的像素電極。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
7.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基板上形成包括薄膜晶體管和鈍化層的圖形，所述鈍化層上形成凹槽； 在凹槽內(nèi)形成透明電極的圖形。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成薄膜晶體管，具體包括: 在基板上通過構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線的圖形； 在完成上述步驟的基板上形成柵絕緣層； 在完成上述步驟的基板上通過構(gòu)圖工藝形成有源層和源漏電極層的圖形。
9.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成具有凹槽的鈍化層的圖形包括: 在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成鈍化層； 在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠，通過雙色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，對應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠進(jìn)行部分曝光，對應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的光刻膠進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的光刻膠不進(jìn)行曝光； 通過顯影處理后，對應(yīng)所述完全曝光區(qū)域的鈍化層暴露出來，利用刻蝕工藝形成所述漏極的過孔； 利用灰化工藝，將所述對應(yīng)透明電極區(qū)域的光刻膠去除，以暴露出鈍化層； 利用刻蝕工藝將暴漏出的鈍化層進(jìn)行部分去除，在鈍化層上形成所述凹槽。
10.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成具有凹槽的鈍化層圖形包括: 在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成感光樹脂層，通過雙色調(diào)掩模板掩模板對感光樹脂層進(jìn)行曝光，使得對應(yīng)透明電極區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行部分曝光，在對應(yīng)暴露出漏極的過孔區(qū)域的所述感光樹脂層進(jìn)行完全曝光，其他區(qū)域的所述感光樹脂層不進(jìn)行曝光，通過顯影工藝后，所述感光樹脂層對應(yīng)透明電極的區(qū)域形成凹槽的圖形。
11.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在凹槽內(nèi)形成透明電極的圖形，具體包括:在形成凹槽的基板上形成透明導(dǎo)電層； 在完成上述步驟的基板上涂覆光刻膠； 依據(jù)鈍化層上具有的凹槽，形成在凹槽部分的光刻膠和凹槽以外的光刻膠的厚度差，對光刻膠進(jìn)行灰化處理，保留凹槽區(qū)域的光刻膠，去除凹槽以外其他區(qū)域的光刻膠以暴露出透明導(dǎo)電層； 采用刻蝕工藝將暴露出的透明導(dǎo)電層去除，剝離所述凹槽部分的的光刻膠，形成透明電極的圖形。
12.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述透明電極為像素電極。
13.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成的凹槽為梳狀，所述透明電極為像素電極，在形成鈍化層之前，還包括形成公共電極的圖形。
14.如權(quán)利要求7所述的 陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成的凹槽為梳狀，所述透明電極為公共電極，在形成鈍化層之前，還包括形成像素電極的圖形。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。該陣列基板包括基板，所述基板上依次設(shè)有薄膜晶體管、鈍化層和透明電極層，所述樹鈍化層上形成凹槽，所述透明電極層設(shè)置于凹槽內(nèi)。本發(fā)明提供的顯示裝置、陣列基板及其制作方法，制作工藝簡單，采用具有凹槽的鈍化層，利用光刻膠進(jìn)行灰化工藝形成透明電極層，從而省略制備透明電極的掩模板，可最大程度降低制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/77GK103151359SQ20131008208
公開日2013年6月12日 申請日期2013年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月14日
發(fā)明者崔承鎮(zhèn), 劉圣烈, 宋泳錫 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司