有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層以及在陰極層外表面依次交替層疊設(shè)置有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層。其中，有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和金屬酞菁化合物，其中，所述金屬酞菁化合物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%～60%。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)在陰極層外表面設(shè)置依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層，有效減少了水、氧等活性物質(zhì)對(duì)該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，從而顯著提高了OLED器件的穩(wěn)定性能，延長(zhǎng)了OLED器件的使用壽命。其制備方法工序簡(jiǎn)單、條件易控，易大面積制備。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電光源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說(shuō)是涉及有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡(jiǎn)稱(chēng)0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]OLED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光、輕、薄等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，因此，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0005]但在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，OLED中有機(jī)功能層所用的有機(jī)電致發(fā)光材料對(duì)氧氣及水汽侵入特別敏感，導(dǎo)致OLED的穩(wěn)定性差，使用壽命短，從而影響了 OLED的推廣應(yīng)用。這是因?yàn)檠鯕馐侨€態(tài)淬滅劑，使發(fā)光量子效率顯著下降；另一方面，氧氣對(duì)發(fā)光層的氧化會(huì)生成羰基化合物，該生成的羰基化合物也相當(dāng)于淬滅劑，影響發(fā)光量子效率顯著下降，與此同時(shí)，該被氧化的發(fā)光層變質(zhì)后會(huì)形成黑斑，并伴隨發(fā)光效率下降禁帶寬度增加；另外，氧氣也會(huì)對(duì)空穴傳輸層的氧化作用使其傳輸能為下降。水汽的影響更為明顯，它的主要破壞方式是導(dǎo)電及有機(jī)層化合物的水解作用，使穩(wěn)定性大大下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種能有效防水、防氧的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種工藝簡(jiǎn)單的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0009]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，在所述陰極層外表面還層疊設(shè)置有依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和金屬酞菁化合物，其中，所述金屬酞菁化合物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%?60%。[0010]以及，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0011]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將有機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在陰極層外表面制作有機(jī)物功能層；其中，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和金屬酞菁化合物，所述金屬酞菁化合物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%?60% ；
[0012]在真空體系中，將無(wú)機(jī)物阻擋層材料磁控濺射在所述有機(jī)功能層外表面制作無(wú)機(jī)所述阻擋層；
[0013]依次在所述無(wú)機(jī)物阻擋層外表面進(jìn)行重復(fù)制備所述有機(jī)功能層和無(wú)機(jī)物阻擋層的步驟。
[0014]上述有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)在陰極層外表面設(shè)置依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層，通過(guò)該兩層阻擋層的協(xié)同增效作用，有效減少了水、氧等活性物質(zhì)對(duì)該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，從而顯著提高了 OLED器件的穩(wěn)定性能，延長(zhǎng)了 OLED器件的使用壽命。其中，該有機(jī)物阻擋層熱穩(wěn)定性高，平整度好，有利于無(wú)機(jī)物在上面成膜，有效防止無(wú)機(jī)物阻擋層龜裂的同時(shí)使得有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層結(jié)合牢固。另外，由有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層所構(gòu)成的阻擋層透光率高。
[0015]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法通過(guò)蒸鍍和濺射方法在陰極層外表面依次分別制備交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層，其工序簡(jiǎn)單、條件易控，易大面積制備，成品合格率高，有效提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本,適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件另一優(yōu)選結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例與附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種能有效防水防氧的有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)如圖1至圖2所示。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的透光襯底層1、陽(yáng)極層2、有機(jī)功能層3、陰極層4和依次交替層疊設(shè)置在陰極層4外表面的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6。
[0021]具體地，上述透光襯底層I所選用的材料為透光玻璃、透明聚合物薄膜材料或金屬等，如以塑料或金屬材料的基底制備的柔性O(shè)LED器件。當(dāng)然透光襯底層I所選用的材料還可采用本領(lǐng)域其他材料進(jìn)行替代。襯底層I的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0022]上述陽(yáng)極層2所選用的材料優(yōu)選為但不僅僅為銦錫氧化物(ΙΤ0)，還可以是本領(lǐng)域公知的其他陽(yáng)極材料。厚度陽(yáng)極層2的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0023]上述有機(jī)功能層3包括依次層疊結(jié)合的空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35，且空穴注入層31與陽(yáng)極層2的與襯底層I相結(jié)合面相對(duì)的表面層疊結(jié)合，電子注入層35與陰極層4的與有機(jī)物阻擋層5相結(jié)合面相對(duì)的表面層疊結(jié)合,如圖1所示。
[0024]在該有機(jī)功能層3中，空穴注入層31所選用的材料可以是MoO3與N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)的復(fù)配物，其中，MoO3優(yōu)選但不僅僅占該復(fù)配物總重量的30wt%。當(dāng)然，該空穴注入層31所選用的材料可以是W03、V0x或WOx等本領(lǐng)域公知的其他材料?？昭ㄗ⑷雽?1的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該空穴注入層31的設(shè)置，能有效增強(qiáng)其與陽(yáng)極層2間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，提高陽(yáng)極層4端的空穴注入能力。
[0025]空穴傳輸層32所選用的材料可以是4，4’，4’ ’ -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)。當(dāng)然，該空穴傳輸層32所選用的材料可以選自4，4’，4’’-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1，I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(TPD)中的至少一種或本領(lǐng)域其他公知的空穴傳輸材料，其厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0026]發(fā)光層33所用的發(fā)光材料可以根據(jù)實(shí)際的需求(如發(fā)光顏色等要求)靈活選擇。如可以選用TPB1:1r(ppy)3，其中，TPBI (1,3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)為主體材料，Ir(ppy)3 (三(2-苯基吡啶)合銥)為客體材料，且主、客體摻雜重量比為5:100。當(dāng)然，該發(fā)光層33所用的發(fā)光材料還可選用本領(lǐng)域的其他材料，如摻雜濃度為5wt%的 NPB:1r (MDQ) 2 (acac)，其中，N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)為主體材料，二 (2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉(乙酰丙酮Klr (MDQ)2 (acac))為客體材料。還可以是雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))中至少一種等發(fā)光材料。該發(fā)光層33的厚度可以是本領(lǐng)域常規(guī)的厚度范圍。
[0027]電子傳輸層34所選用的材料可以是4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。當(dāng)然，電子傳輸層34所選用的材料還可以是本領(lǐng)域公知的其他材料，如(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen) ,1,3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)中的至少一種。電子傳輸層34的厚度也可以設(shè)置本領(lǐng)常規(guī)的其他厚度范圍。為了進(jìn)一步提高電子傳輸層34的傳輸效率，該電子傳輸層34還可以是參雜有電子傳輸摻雜劑的參雜層結(jié)構(gòu),其中，該摻雜劑可以是堿金屬摻雜劑，如碳酸鋰(Li2CO3),疊氮化鋰(LiN3),疊氮化銫(CsN3)，碳酸銫(Cs2CO3),氟化銫(CsF)中的一種或兩種以上的復(fù)配。
[0028]電子注入層35所選用的材料可以是CsN3與Bphen的復(fù)配物，Bphen的摻雜濃度為優(yōu)選但不僅僅為30wt%。當(dāng)然，該電子注入層35還可以選用本領(lǐng)域公知的其他材料，如碘化鋰、碘化鉀、碘化鈉、碘化銫、碘化銣中的至少一種等堿金屬的鹵化物。電子注入層35的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該電子注入層35的設(shè)置能有效增強(qiáng)其與陰極層4之間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，進(jìn)一步提高陰極層4端的電子注入能力，以進(jìn)一步平衡載流子，控制復(fù)合區(qū)域，在發(fā)光層33中增加激子量，獲得了理想的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。
[0029]當(dāng)然，上述有機(jī)功能層3中的空穴注入層31可以根據(jù)實(shí)際需要與否設(shè)置。同樣，電子注入層35也可以根據(jù)實(shí)際需要與否設(shè)置。
[0030]進(jìn)一步地，作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，在如圖1所示的有機(jī)功能層3的基礎(chǔ)上還可以設(shè)置電子阻擋層36和空穴阻擋層37，其中，該電子阻擋層36層疊結(jié)合在空穴傳輸層32于發(fā)光層33之間，空穴阻擋層37層疊結(jié)合在發(fā)光層33與電子傳輸層34之間，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。該電子阻擋層36與空穴阻擋層37的設(shè)置，能分別將電子和空穴盡可能的截留在發(fā)光層33中，以提高空穴與電子在發(fā)光層33中相遇機(jī)率，以提高兩者復(fù)合而形成的激子量，并將激子能量傳遞給發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能，以達(dá)到增強(qiáng)發(fā)光層33的發(fā)光強(qiáng)度的目的。如電子阻擋層36能將從陰極層4注入的電子盡可能的截留在發(fā)光層33中，空穴阻擋層37能將從陽(yáng)極層2注入的空穴盡可能的截留在發(fā)光層33中。
[0031 ] 具體地，該電子阻擋層36所選用的材料可以但不僅僅為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(Tro)、1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)等材料。空穴阻擋層37所選用的材料可以但不僅僅為T(mén)PB1、Bphen或/和BAlq等。
[0032]當(dāng)然，圖2所示的有機(jī)功能層3中電子阻擋層36和空穴阻擋層37可以根據(jù)實(shí)際
需要擇一設(shè)置。
[0033]上述陰極層4的結(jié)構(gòu)為依次層疊結(jié)合的ZnS層、Ag層和ZnS層(即ZnS/Ag/ZnS結(jié)構(gòu))。其中，ZnS層的厚度可以但不僅僅為30nm, Ag的厚度可以但不僅僅為10nm。當(dāng)然,該陰極層4所選用的材料還可以用本領(lǐng)域公知其他材料替代。
[0034]上述依次交替層疊結(jié)合在陰極層4外表面的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)可以根據(jù)該有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光波長(zhǎng)而靈活調(diào)整，以使得該有機(jī)電致發(fā)光器件具有優(yōu)異防水、防氧性能的前提下達(dá)到最佳的出光效果。發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)為4?6次時(shí)，該兩阻擋層一方面能使得該阻擋層有效的隔絕水、氧等活性物質(zhì)對(duì)該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對(duì)OLED器件起到保護(hù)作用；另一方面還能使得由該有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6交替層疊所構(gòu)成的阻擋層具有優(yōu)異的透光率。因此，由該交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層結(jié)構(gòu)具有以下幾種優(yōu)選實(shí)施例:
[0035]第一種，有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)為4次，因此，該阻擋層的結(jié)構(gòu)為:有機(jī)物阻擋層51/無(wú)機(jī)物阻擋層61/有機(jī)物阻擋層52/無(wú)機(jī)物阻擋層62/有機(jī)物阻擋層53/無(wú)機(jī)物阻擋層63/有機(jī)物阻擋層54/無(wú)機(jī)物阻擋層64，如圖2所示；
[0036]第二種，有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)為5次，因此，該阻擋層的結(jié)構(gòu)是在如圖2所示阻擋層的基礎(chǔ)上多交替層疊I次，具體為:有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層；
[0037]第三種，有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)為6次，因此，該阻擋層的結(jié)構(gòu)是在如圖2所示阻擋層的基礎(chǔ)上多交替層疊2次，具體為:有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層/有機(jī)物阻擋層/無(wú)機(jī)物阻擋層。
[0038]當(dāng)然，上述有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)為4?6次僅僅是優(yōu)選的實(shí)施例，因此，有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6依次交替層疊的次數(shù)還可以是I次以上，3次以下或7次以上。
[0039]具體地，上述交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6中的不同有機(jī)物阻擋層5所選用的材料和厚度可以相同也可以不同。同樣，不同無(wú)機(jī)物阻擋層6所選用的材料和厚度可以相同也可以不同。
[0040]另外，上述由該交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層結(jié)構(gòu)無(wú)論為哪種結(jié)構(gòu)，其中的有機(jī)物阻擋層5所選用的有機(jī)材料中摻雜有40?60mol%的金屬酞菁化合物。該有機(jī)物阻擋層5通過(guò)在有機(jī)材料摻雜有金屬酞菁化合物，一方面使得該有機(jī)物阻擋層5具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性能，提高本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的耐熱性，另一方面使得該有機(jī)物阻擋層5具有優(yōu)異的成膜平整度，利于無(wú)機(jī)物阻擋層6的成膜，有效防止無(wú)機(jī)物阻擋層龜裂，增強(qiáng)了有機(jī)物阻擋層5與無(wú)機(jī)物阻擋層6層疊結(jié)合的強(qiáng)度，保證了有機(jī)物阻擋層5與無(wú)機(jī)物阻擋層6的成膜質(zhì)量。
[0041]作為優(yōu)選實(shí)施例，該金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳，該有機(jī)物阻擋層5所選用的有機(jī)材料為1，1_ 二((4-N，N’ - 二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’- 二苯基-N，N’- 二 (1-萘基)_1，I’_ 聯(lián)苯 _4，4’- 二胺(NPB)、8-羥基喹啉鋁(々1卩3)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一種。
[0042]作為優(yōu)選實(shí)施例，上述無(wú)機(jī)物阻擋層6所選用的材料為T(mén)i02、MgO、S12, ZrO2, ZnO或 A1203。
[0043]因此，上述實(shí)施例OLED器件通過(guò)有機(jī)物阻擋層5與無(wú)機(jī)物阻擋層6的協(xié)同增效作用，有效避免了水、氧等活性物質(zhì)對(duì)該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著提高了 OLED器件的穩(wěn)定性能，延長(zhǎng)了 OLED器件的使用壽命。其中，有機(jī)阻擋層5能為無(wú)機(jī)物阻擋層6供平坦的表面，并減緩無(wú)機(jī)阻擋層的應(yīng)力，保證無(wú)機(jī)物的成膜質(zhì)量和防止其龜裂。無(wú)機(jī)物阻擋層6致密性高，能有效阻擋水氧作用。同時(shí)通過(guò)分別對(duì)有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的選用能使得由有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層的穩(wěn)定性能更優(yōu)，防水、防氧效果更好，從而進(jìn)一步OLED器件的使用壽命。與此同時(shí)，通過(guò)調(diào)整有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6交替層疊的次數(shù)，還能有效調(diào)節(jié)由有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6構(gòu)成的阻擋層的透光率。
[0044]因此,作為優(yōu)選實(shí)施例,有機(jī)物阻擋層5的厚度為10nm?200nm,無(wú)機(jī)物阻擋層6的厚度為50nm?lOOnm。
[0045]由上述可知，上述OLED器件通過(guò)在陰極層外表面設(shè)置依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6，通過(guò)該兩層阻擋層的協(xié)同增效作用，有效減少了水、氧等活性物質(zhì)對(duì)該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，從而顯著提高了 OLED器件的穩(wěn)定性能，延長(zhǎng)了 OLED器件的使用壽命。另外，由該交替層疊的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6所構(gòu)成的阻擋層的透光率高。如下文表I中OLED器件的使用壽命高達(dá)3500小時(shí)以上，透光率高達(dá)65%以上。
[0046]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了上文所述有機(jī)電致發(fā)光器件的一種制備方法。該方法工藝流程圖如圖3所以示，同時(shí)參見(jiàn)圖1?2，該方法包括如下步驟:
[0047]S01.提供透光襯底層I ;
[0048]S02.制備陽(yáng)極層2:在步驟SOl的透光襯底層I 一表面鍍陽(yáng)極層2 ；
[0049]S03.制備有機(jī)功能層3:在步驟S02制備陽(yáng)極層2的與透光襯底層I相結(jié)合面相對(duì)的表面依次鍍空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35,形成有機(jī)功能層3 ；[0050]S04.制備陰極層4:在步驟S03的有機(jī)功能層3外表面鍍陰極層4 ；
[0051]S05.制備與陰極層4外表面依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6:
[0052]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將有機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在陰極層4外表面制作有機(jī)物功能層5 ；
[0053]在真空體系中，將無(wú)機(jī)物阻擋層材料磁控濺射在該有機(jī)功能層5外表面制作無(wú)機(jī)所述阻擋層6 ；
[0054]在無(wú)機(jī)物阻擋層6外表面依次進(jìn)行重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6的步驟。
[0055]具體地，上述SOl步驟中，透光襯底層I的結(jié)構(gòu)、材料及規(guī)格如上文所述，為了篇幅，在此不再贅述。另外，在該SOl步驟中，還包括對(duì)透光襯底層21的前期處理步驟，如清洗去污的步驟。
[0056]上述步驟S02中，將襯底置于磁控濺射系統(tǒng)中在襯底表面濺射成膜，形成陽(yáng)極層2。其濺射條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可。
[0057]優(yōu)選地，在進(jìn)行下述步驟S03之前，還包括對(duì)步驟S02中的陽(yáng)極層2進(jìn)行等離子處理:將該鍍有陽(yáng)極層2的襯底置于等離子處理室中，進(jìn)行等離子處理。該等離子處理?xiàng)l件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可。經(jīng)等離子處理后陽(yáng)極層2能有效的提高陽(yáng)極功函數(shù)，降低空穴的注入勢(shì)壘。
[0058]當(dāng)然，也可以直接選用鍍有陽(yáng)極如鍍有ITO的透明襯底，對(duì)該鍍有陽(yáng)極的透明襯底進(jìn)行前期的預(yù)處理，如清洗、等離子處理等工藝處理后進(jìn)行下述步驟S03。
[0059]上述步驟S03中，在陽(yáng)極層2外表面鍍完空穴傳輸層31之后，在空穴傳輸層31外表面依次蒸鍍空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35,鍍?cè)摳鲗铀x用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件按照本領(lǐng)域常規(guī)的條件即可。
[0060]進(jìn)一步地，當(dāng)有機(jī)功能層3還含有電子阻擋層36和空穴阻擋層37時(shí)，如圖2所示。因此，該步驟S03中在空穴傳輸層32之后鍍發(fā)光層33之前還包括鍍電子阻擋層36的步驟和在鍍發(fā)光層33的步驟之后鍍電子傳輸層34之前還包括鍍空穴阻擋層37的步驟。鍍電子阻擋層36、空穴阻擋層37所選的材料和厚度分別如上文所述。蒸鍍?cè)搩蓪铀婕暗焦に嚄l件按照本領(lǐng)域常規(guī)的條件即可。
[0061]上述步驟S04中，將鍍有有機(jī)功能層3的襯底置于鍍膜系統(tǒng)中，以上文所述的陰極材料為鍍?cè)丛谟袡C(jī)功能層3外表面進(jìn)行鍍膜，形成陰極層4。其蒸鍍條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可。
[0062]上述步驟S05中，在的鍍有機(jī)物功能層5的步驟時(shí)，將有機(jī)物功能層5所選用的材料作為鍍?cè)丛谏鲜霾襟ES04中制備的陰極層4外面蒸鍍形成有機(jī)物功能層5。
[0063]其中，有機(jī)物功能層5材料如上文所述，其包括有機(jī)材料和金屬酞菁化合物，其中，該金屬酞菁化合物占有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%~60%。該有機(jī)物優(yōu)選為T(mén)APC, NPB, Alq3、m_MTDATA、BCP或TPBi。該有機(jī)材料與金屬酞菁化合物均勻摻雜，進(jìn)行共蒸形成有機(jī)物功能層5。
[0064]在優(yōu)選實(shí)施例中，蒸鍍形成有機(jī)物功能層5的工藝條件如下:
[0065]有機(jī)物功能層5所選用材料共蒸時(shí)的真空度為I X 10_5Pa~I X 10?,材料的蒸發(fā)速度為0.5人/s ~ 5人/s。該優(yōu)選蒸鍍的工藝條件能使得形成的有機(jī)物功能層5更加平整、致密。在該蒸鍍的工藝條件下蒸鍍的時(shí)間可以根據(jù)該有機(jī)物功能層5的厚度進(jìn)行靈活調(diào)整和控制。
[0066]上述步驟S05中，在的鍍無(wú)機(jī)物阻擋層6的步驟時(shí)，鍍無(wú)機(jī)物阻擋層6選用的材料如上文所述的無(wú)機(jī)物，如優(yōu)選為T(mén)i02、MgO、S12, ZrO2, ZnO或A1203。
[0067]在優(yōu)選實(shí)施例中，磁控濺射形成無(wú)機(jī)物阻擋層6的工藝條件如下:
[0068]磁控濺射中通入的惰性氣體的流量為5?15SCCm，磁控濺射中的本底真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa。其中，磁控濺射中通入的惰性氣體可以是本領(lǐng)域常用的惰性氣體，如Ar。該優(yōu)選磁控濺射的工藝條件能使得形成的無(wú)機(jī)物阻擋層6更加致密，且與上述有機(jī)物功能層5層疊結(jié)合更加緊密牢固。在該磁控濺射的工藝條件下磁控濺射時(shí)間可以根據(jù)該無(wú)機(jī)物阻擋層6的厚度進(jìn)行靈活調(diào)整和控制。
[0069]上述步驟S05中，在無(wú)機(jī)物阻擋層6外表面依次進(jìn)行重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6的步驟時(shí)，重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6的次數(shù)優(yōu)選為4至6次，當(dāng)然如上文所述，重復(fù)制備有機(jī)功能層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6的次數(shù)還可以是I次以上，3次以下或7次以上，具體層疊的次數(shù)可以根據(jù)該有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光波長(zhǎng)而靈活調(diào)整，以使得該有機(jī)電致發(fā)光器件達(dá)到最佳的出光效果。
[0070]由上述可知，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法通過(guò)蒸鍍和濺射方法在陰極層外表面依次分別制備交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6，使得交替層疊結(jié)合有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6發(fā)揮協(xié)同增效作用，有效隔絕水、氧對(duì)等活性物質(zhì)對(duì)該有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕。另外，通過(guò)調(diào)整鍍膜的工藝條件，使得有機(jī)物阻擋層5和無(wú)機(jī)物阻擋層6緊密結(jié)合，且平整、致密，從而顯著延長(zhǎng)了 OLED器件的使用壽命。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法其工序簡(jiǎn)單、成熟，條件易控，成品合格率高，有效提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0071]現(xiàn)結(jié)合具體實(shí)例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0072]實(shí)施例1
[0073]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (CuPc: TAPC/Ti02) 6。
[0074]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0075]a) ITO玻璃基板前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù);ΙΤ0厚度為10nm ；
[0076]b)有機(jī)功能層的制備:依次在步驟a)中的ITO層外表面鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；具體地，
[0077]空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入N，N’-二苯基-N，N’-二(1_萘基聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)中，MoO3 占 N, N’-二苯基-N, N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯 _4，4’- 二
胺的重量百分比為30%，厚度10nm，真空度I X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/S;
[0078]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度I X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.1 A/S,蒸發(fā)厚度30nm ；
[0079]發(fā)光層的制備:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI),客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，客體材料占主體材料的重量百分?jǐn)?shù)為5%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0080]電子傳輸層的制備:蒸鍍一層4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S.蒸發(fā)厚度1nm ；
[0081]電子注入層的制備:將CsN3摻入Bphen中，摻雜濃度30wt%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0082]c)陰極層的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS, ZnS厚度30nm, Ag厚度1nm,真空度I X10_5Pa，蒸發(fā)速度 IA/S。
[0083]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和金屬酞菁化合物摻雜共蒸制作，金屬酞菁化合物為CuPc (酞菁銅)，有機(jī)材料為T(mén)APC，其中，CuPc在有機(jī)物阻擋層中
的百分摩爾含量為50%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s，厚度200nm ；
[0084]e)無(wú)機(jī)物阻擋層的制作:無(wú)機(jī)物阻擋層采用磁控濺射制作，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為T(mén)12,本底真空度I XKT5Pa,厚度10nm,通入Ar,流量1sccm;
[0085]f)交替重復(fù)d)和e)6次。
[0086]實(shí)施例2
[0087]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (ZnPc:NPB/MgO) 6。
[0088]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0089]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0090]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和金屬酞菁化合物摻雜共蒸制作，金屬酞菁化合物為ZnPc (酞菁鋅)，有機(jī)材料為NPB，其中，ZnPc在有機(jī)物阻擋層中的百分摩爾含量為40%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S，厚度150nm ；
[0091]e)無(wú)機(jī)物阻擋層的制作:無(wú)機(jī)物阻擋層采用磁控濺射制作，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為MgO,本底真空度I X l(T5Pa,厚度50nm,通入Ar,流量5sccm ；
[0092]f)交替重復(fù)d)和e)6次。
[0093]實(shí)施例3
[0094]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (FePc: Alq3/Si02) 6。
[0095]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0096]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0097]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和金屬酞菁化合物摻雜共蒸制作，金屬酞菁化合物為FePc (酞菁鐵)，有機(jī)材料為Alq3，其中，F(xiàn)ePc在有機(jī)物阻擋層中的百分摩爾含量為60%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S，厚度10nm ；
[0098]e)無(wú)機(jī)物阻擋層的制作:無(wú)機(jī)物阻擋層采用磁控濺射制作，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為S12,本底真空度I XKT5Pa,厚度70nm,通入Ar,流量7sccm ；
[0099]f)交替重復(fù)d)和e)6次。
[0100]實(shí)施例4
[0101]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (CoPc: m-MTDATA/ZrO2) 5。
[0102]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0103]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0104]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和金屬酞菁化合物摻雜共蒸制作，金屬酞菁化合物為CoPc (酞菁鈷)，有機(jī)材料為m-MTDATA，其中，CoPc在有機(jī)物阻擋層中的百分摩爾含量為50%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度3A/S,厚度150nm ；
[0105]e)無(wú)機(jī)物阻擋層的制作:無(wú)機(jī)物阻擋層采用磁控濺射制作，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為ZrO2,本底真空度5 X l(T5Pa,厚度10nm,通入Ar,流量15sccm ；
[0106]f)交替重復(fù)d)和e)5次。
[0107]實(shí)施例5
[0108]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (MnPc:BCP/ZnO) 5。
[0109]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0110]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0111]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和金屬酞菁化合物摻雜共蒸制作，金屬酞菁化合物為MnPc(酞菁錳)，有機(jī)材料為BCP，其中，MnPc在有機(jī)物阻擋層中的百分摩爾含量為55%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s,厚度150nm ；
[0112]e)無(wú)機(jī)物阻擋層的制作:無(wú)機(jī)物阻擋層采用磁控濺射制作，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為ZnO,本底真空度5 X l(T5Pa,厚度80nm,通入Ar,流量5sccm ；
[0113]f)交替重復(fù)d)和e)5次。
[0114]實(shí)施例6
[0115]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (NiPc: TPBi/Al203) 4。
[0116]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0117]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0118]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層為有機(jī)材料和金屬酞菁化合物摻雜共蒸制作，金屬酞菁化合物為NiPc (酞菁鎳)，有機(jī)材料為T(mén)PBi，其中，NiPc在有機(jī)物阻擋層中的百分摩爾含量為60%，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度5人/S，厚度150nm ；
[0119]e)無(wú)機(jī)物阻擋層的制作:無(wú)機(jī)物阻擋層采用磁控濺射制作，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為Al2O3,本底真空度IX l(T3Pa,厚度70nm,通入Ar,流量7sccm ；[0120]f)交替重復(fù)d)和e)4次。
[0121]對(duì)比實(shí)例
[0122]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/IT0/Mo03:NPB/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (TPBi/Al203) 4。
[0123]該有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法包括以下步驟:
[0124]a)、b)、c)同實(shí)施例1 ;
[0125]d)有機(jī)物阻擋層的制作:有機(jī)物阻擋層材料為T(mén)PBi，采用真空蒸鍍的方式制備，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度5A/s,厚度150nm ；
[0126]e)無(wú)機(jī)物阻擋層的制作:無(wú)機(jī)物阻擋層采用磁控濺射制作，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為Al2O3,本底真空度IX l(T3Pa,厚度70nm,通入Ar,流量7sccm ；
[0127]f)交替重復(fù)d)和e)4次。
[0128]有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行相關(guān)性能測(cè)試
[0129]將上述實(shí)施例1至實(shí)施例6和對(duì)比實(shí)例I制備的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行WVTR、透光率和壽命等性能進(jìn)行測(cè)試，各項(xiàng)性能測(cè)試方法按照現(xiàn)有公知的方法進(jìn)行，測(cè)試結(jié)果如下述表1:
[0130]表1
[0131]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于:在所述陰極層外表面還層疊設(shè)置有依次交替層疊結(jié)合的有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和金屬酞菁化合物，其中，所述金屬酞菁化合物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%~60%。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述有機(jī)物阻擋層中的有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N’ -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述無(wú)機(jī)物阻擋層所選用的材料為 Ti02、MgO、S12, ZrO2, ZnO 或 A1203。
5.如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述有機(jī)物阻擋層的厚度為10nm~200nm ;所述無(wú)機(jī)物阻擋層的厚度為50nm~lOOnm。
6.如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述有機(jī)物阻擋層和無(wú)機(jī)物阻擋層的交替層疊的次數(shù)為4~6次。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟: 在真空鍍膜系統(tǒng)中，將有機(jī)物阻擋層材料摻雜共蒸在陰極層外表面制作有機(jī)物功能層；其中，所述有機(jī)物阻擋層材料包括有機(jī)材料和金屬酞菁化合物，所述金屬酞菁化合物占所述有機(jī)物阻擋層材料的摩爾百分?jǐn)?shù)為40%~60% ； 在真空體系中，將無(wú)機(jī)物阻擋層材料磁控濺射在所述有機(jī)功能層外表面制作無(wú)機(jī)所述阻擋層； 依次在所述無(wú)機(jī)物阻擋層外表面進(jìn)行重復(fù)制備所述有機(jī)功能層和無(wú)機(jī)物阻擋層的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:在制備所述有機(jī)物功能層的步驟中，所述摻雜共蒸時(shí)的真空度為I X 10_5Pa~I X 10_3Pa，所述有機(jī)物阻擋層材料蒸發(fā)速度為0.5A/S ~ 5人/S。
9.如權(quán)利要求7或8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:在制備所述有機(jī)物功能層的步驟中，無(wú)機(jī)物阻擋層材料為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
10.如權(quán)利要求7或8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:在制備所述無(wú)機(jī)物阻擋層的步驟中，所述磁控濺射中通入的惰性氣體的流量為5~15sCCm，所述磁控濺射中的本底真空度為I X !(T5Pa~I X 10_3Pa。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104037353SQ201310073051
【公開(kāi)日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司