有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極由依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層組成，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數(shù)為-4.0eV~-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質(zhì)量百分數(shù)為1%～10%，上述有機電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極由依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層組成，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數(shù)為-4.0e疒-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質(zhì)量百分數(shù)為1% ?10%。
[0006]所述第一鑭系氧化物層的厚度為0.5nnT2nm,金屬層的厚度為5nm?30nm,第二鑭系氧化物層的厚度為lnnTlOnm。
[0007]所述第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。
[0008]所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0009]所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
[0010]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0011]在玻璃基底的背面蒸鍍陽極，陽極包括依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數(shù)為-4.0e疒-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質(zhì)量百分數(shù)為1%~10%,及
[0012]在所述陽極的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
[0013]所述第一鑭系氧化物層的厚度為0.5nm~2nm,金屬層的厚度為5nm~30nm,第二鑭系氧化物層的厚度為lnnTlOnm。
[0014]所述第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。
[0015]所述蒸鍍在真空壓力為5 X KT5Pa~2 X KT3Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lOnm/S。
[0016]上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，通過在制備疊成陽極消除玻璃與陽極之間的全反射，使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高器件的導(dǎo)電性，且功函數(shù)較低，降低界面勢壘，提高空穴注入能力，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機電致發(fā)光器件的出光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0019]圖3為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關(guān)系圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0021]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底20、陽極30、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0022]玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0023]陽極30形成于玻璃基底20的表面。陽極30由依次層疊的第一鑭系氧化物層301、金屬層302和第二鑭系氧化物層303組成,其中，所述第一鑭系氧化物301和第二鑭系氧化物303選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層302包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數(shù)為-4.0e疒-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質(zhì)量百分數(shù)為1%~10%。
[0024]第一鑭系氧化物層301的厚度為0.5nnT2nm,金屬層302的厚度為5nm~30nm,第二鑭系氧化物層303的厚度為lnnTlOnm。
[0025]第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。
[0026]空穴傳輸層50形成于陽極30的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1,1_ 二 [4_[N,N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’_ (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種。空穴傳輸層50的厚度為40-80nm。
[0027]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉招(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。
[0028]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm，優(yōu)選為150nm。
[0029]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nnTl0nm,優(yōu)選為1.5nm。
[0030]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Al。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為150nm。
[0031]上述有機電致發(fā)光器件100，通過制備疊成陽極30消除玻璃與陽極之間的全反射，使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高器件的導(dǎo)電性，且功函數(shù)較低，降低界面勢魚，提聞空穴注入能力，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提聞有機電致發(fā)光器件的出光效率。
[0032]可以理解，該有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0033]請同時參閱圖2，一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0034]步驟S110、在玻璃基底20的背面采用蒸鍍制備陽極30。
[0035]玻璃基底20 為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0036]陽極30由依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層組成，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數(shù)為-4.0e疒-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質(zhì)量百分數(shù)為1%~10%。
[0037]所述第一鑭系氧化物層的厚度為0.5nnT2nm,金屬層的厚度為5nm~30nm,第二鑭系氧化物層的厚度為lnnTlOnm。
[0038]所述第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。
[0039]所述蒸鍍在真空壓力為5X 10_5Pa~2X 10_3Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lOnm/S。
[0040]本實施方式中，玻璃基底20在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時~5小時。
[0041]步驟S120、在陽極30的表面依次蒸鍍形成空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0042]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面。空穴傳輸層50的材料選自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)_N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種。空穴傳輸層50的厚度為40-80nm。蒸鍍在真空壓力為5 X KT5Pa~2 X KT3Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s"lnm/s。發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4,-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm，優(yōu)選為20nm。蒸鍍在真空壓力為5X KT5Pa~2X KT3Pa下進行,蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s。
[0043]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm，優(yōu)選為150nm。蒸鍍在真空壓力為5X ICT5Pa~2X ICT3Pa下進行,蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s。
[0044]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nnTl0nm,優(yōu)選為1.5nm。蒸鍍在真空壓力為5 X KT5Pa~2 X KT3Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lnm/so
[0045]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種,優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為150nm。蒸鍍在真空壓力為5X10-5Pa~2Xl(T3Pa下進行，蒸鍍速率為lnm/s~10nm/s。
[0046]上述有機電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡單；制備的有機電致發(fā)光器件的出
光效率較高。
[0047]以下結(jié)合具體實施例對有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0048]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達公司的CS-100A色度計測試電流密度和色度。
[0049]實施例1
[0050]本實施例制備結(jié)構(gòu)為/ 玻璃基底 /Pr02:Mg:Ag:Pr02//TCTA/Alq3/TPBi/CsF/Ag 的有機電致發(fā)光器件。
[0051]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。采用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層PrO2，厚度為lnm，接著再蒸鍍金屬層，金屬層為Mg和Ag的摻雜金屬層，其中Mg占Ag的質(zhì)量百分數(shù)為5%，金屬層的厚度為IOnm,接著在金屬層的表面蒸鍍一層PrO2,厚度為2nm,接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TCTA,空穴傳輸層的厚度為45nm,蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3,厚度為20nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為150nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF,厚度為1.5nm ;蒸鍍制備陰極,材料為Ag,厚度為150nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強為8X 10_4Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為2nm/s。
[0052]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結(jié)構(gòu)為/玻璃基底/Pr02:Mg:Ag:Pr02//TCTA/Alq/TPBi/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃/Mo03/TCTA/Alq3/T PBi/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的流明效率與電流密度的關(guān)系。對比例制備有機電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實施例1均相同。
[0053]從圖上可以看到，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實施例1的流明效率為13.2m/W，而對比例的僅為2.21m/W，而且對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，堆疊式結(jié)構(gòu)作可使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高器件的導(dǎo)電性，可降低界面勢壘，提高空穴注入能力。最終提高器件的出光效率，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機電致發(fā)光器件的出光效率。
[0054]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0055]實施例2
[0056]本實施例制備結(jié)構(gòu)為/ 玻璃基底 /Pr2O3Ca: Al:Yb203/TAPC/ADN/Bphen/LiF/Pt 的有機電致發(fā)光器件。
[0057]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上；采用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層Pr2O3，厚度為2nm，接著再蒸鍍金屬層，金屬層為Ca和Al的摻雜金屬層，其中Ca占Al的質(zhì)量百分數(shù)為1%，金屬層的厚度為20nm,接著在金屬層的表面蒸鍍一層Yb2O3,厚度為2nm,接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TAPC,空穴傳輸層的厚度為40nm,蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為ADN,厚度為8nm ;蒸鍍制備電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為65nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為LiF，厚度為0.5nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Pt，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強為2 X 10_3Pa，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0058]實施例3
[0059]本實施例制備結(jié)構(gòu)為/ 玻璃基底 Yb203:Cs:Pt:Pr203/NPB/DCJTB/TAZ/Cs2C03/Au 的有機電致發(fā)光器件。
[0060]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上；采用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層Yb2O3,厚度為
0.5nm，接著再蒸鍍金屬層，金屬層為Cs和Pt的摻雜金屬層，其中Cs占Pt的質(zhì)量百分數(shù)為5%,金屬層的厚度為5nm,接著在金屬層的表面蒸鍍一層Pr2O3,厚度為lnm,接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為NPB,空穴傳輸層的厚度為80nm,蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為IOnm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為200nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為Cs2CO3,厚度為IOnm ;蒸鍍制備陰極,材料為Au,厚度為IOOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強為5X10_5Pa，有機材料的蒸鍍速率為
0.lnm/s,金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為lnm/s。
[0061]實施例4
[0062]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Sm2O3Yb:Au:Sm203/TCTA/BCzVBi/TPBi/CsN3/Al 的有機電致發(fā)光器件。
[0063]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上；米用蒸鍍的方式在玻璃基底表面制備陽極，首先蒸鍍一層Sm2O3,厚度為
1.5nm,接著再蒸鍍金屬層，金屬層為Yb和Au的摻雜金屬層，其中Yb占Au的質(zhì)量百分數(shù)為7%,金屬層的厚度為30nm,接著在金屬層的表面蒸鍍一層Sm2O3,厚度為IOnm,接著在疊成陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TCTA，空穴傳輸層的厚度為45nm，蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為80nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsN3，厚度為3nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Al，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強為2X 10_4Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.5nm/s，金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為6nm/s。
[0064]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極由依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層組成，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數(shù)為-4.0e疒-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質(zhì)量百分數(shù)為1%?10%ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一鑭系氧化物層的厚度為0.5nnT2nm,金屬層的厚度為5nm?30nm,第二鑭系氧化物層的厚度為lnnTlOnm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底的背面蒸鍍陽極，所述陽極為依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數(shù)為-4.0e疒-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質(zhì)量百分數(shù)為1%?10%,及 在所述陽極的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述第一鑭系氧化物層的厚度為0.5nnT2nm,金屬層的厚度為5nm?30nm,第二鑭系氧化物層的厚度為InnTlOnm0
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述蒸鍍在真空壓力為5 X KT5Pa?2 X KT3Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s。
【文檔編號】H01L51/50GK104009166SQ201310059602
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司