專利名稱：一種解決晶圓破片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種解決晶圓破片的方法。
背景技術(shù)：
目前，在對(duì)于3D-1C(三維晶片)、背照式互補(bǔ)型影像傳感器的制造等，都需要將器件晶圓背面進(jìn)行減薄后再進(jìn)行后續(xù)工藝。現(xiàn)有的減薄工藝首先將器件晶圓和載片鍵合，然后對(duì)器件晶圓背面進(jìn)行研磨，然后對(duì)器件進(jìn)行三次濕法蝕刻，將器件晶圓蝕刻到要求的厚度。研磨在減薄工藝中減薄速率快，是簡(jiǎn)報(bào)工藝中必不可少的工藝之一，但是研磨容易造成晶圓產(chǎn)生裂紋，增加晶圓的內(nèi)應(yīng)力，使得晶圓在隨后的工藝中易造成破片現(xiàn)象，并且表面厚度差異明顯，濕法蝕刻減薄速率慢，能在一定的程度上緩解研磨產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，并且可以使得表面有更好的厚度均勻性，但是，濕法蝕刻并不能完全地消除研磨后的器件晶圓的內(nèi)應(yīng)力，所以在現(xiàn)有技術(shù)的工藝過程中，器件晶圓仍然會(huì)有較高的幾率發(fā)生破片現(xiàn)象，這樣不僅會(huì)影響器件晶圓生產(chǎn)過程中的成品率，還會(huì)浪費(fèi)材料。所以急需一種能解決器件晶圓破片的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種解決在晶圓減薄過程中產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力導(dǎo)致晶圓破片的解決晶圓破片的方法。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種解決晶圓破片的方法，包括以下步驟:步驟一，將器件晶圓與載片進(jìn)行鍵合，鍵合后的器件晶圓包括載片、器件晶圓外延層和器件晶圓體襯底，所述的器件晶圓外延層處于載片和器件晶圓體襯底之間；步驟二，對(duì)器件晶圓背面研磨，減薄器件晶圓體襯底的厚度；步驟三，對(duì)器件晶圓進(jìn)行退火；步驟四，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第一次濕法蝕刻，再次減薄器件晶圓體襯底的厚度；步驟五，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第二次濕法蝕刻，刻蝕掉剩余器件晶圓體襯底；步驟六，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第三次濕法蝕刻，將器件晶圓減薄至要求厚度。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，所述的步驟三中的退火過程在惰性氣體中完成。進(jìn)一步，所述的退火過程在氬氣中完成。進(jìn)一步，所述的退火溫度為400°C。進(jìn)一步，所述的退火時(shí)間為1-3小時(shí)。進(jìn)一步，所述的退火時(shí)間為2小時(shí)。本發(fā)明的有益效果是:在對(duì)晶圓背面進(jìn)行研磨后對(duì)其增加一步退火處理，能有效地減少晶圓減薄過程中廣生的內(nèi)應(yīng)力，減少破片幾率，增加成品率。


圖1為本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)的工藝流程圖；圖2為本發(fā)明晶圓鍵合后的結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明的工藝流程圖。附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件如下:1、載片，2、器件晶圓外延層，3、器件晶圓體襯底。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的工藝流程圖，現(xiàn)有技術(shù)的工藝流程包括以下步驟:步驟S01，將器件晶圓與載片鍵合；步驟S02，對(duì)器件晶圓背面進(jìn)行研磨；步驟S03，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第一次濕法蝕刻；步驟S04，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第二次濕法蝕刻；步驟S05，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第三次濕法蝕刻?，F(xiàn)有技術(shù)中，在對(duì)器件背面進(jìn)行研磨后，直接進(jìn)行濕法蝕亥IJ，研磨產(chǎn)生的器件晶圓內(nèi)應(yīng)力沒能的到很好的緩解，使得在研磨之后的工藝中器件晶圓容易產(chǎn)生破片的現(xiàn)象。圖3為本發(fā)明的工藝流程圖，包括以下步驟:步驟S11，將器件晶圓與載片進(jìn)行鍵合，鍵合后的器件晶圓的結(jié)構(gòu)圖如圖2所示，鍵合后的器件晶圓包括載片、器件晶圓外延層和器件晶圓體襯底，所述的器件晶圓外延層處于載片和器件晶圓體襯底之間；步驟S12，對(duì)器件晶圓背面研磨，減薄器件晶圓體襯底的厚度；步驟S13，對(duì)器件晶圓進(jìn)行退火；步驟S14，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第一次濕法蝕刻，再次減薄器件晶圓體襯底的厚度；步驟S15，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第二次濕法蝕刻，刻蝕掉剩余器件晶圓體襯底；步驟S16，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第三次濕法蝕刻，將器件晶圓減薄至要求厚度。本發(fā)明在現(xiàn)有的技術(shù)上，在對(duì)器件晶圓進(jìn)行研磨后，對(duì)器件晶圓進(jìn)行退火處理，器件晶圓經(jīng)過在氬氣環(huán)境中，在400°C的溫度中退貨處理2個(gè)小時(shí)后，能有效地消除器件晶圓在研磨過程中產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，減少破片幾率，能有效地解決現(xiàn)有技術(shù)中器件晶圓破片的現(xiàn)象，增加成品率。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種解決晶圓破片的方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一，將器件晶圓與載片進(jìn)行鍵合，鍵合后的器件晶圓包括載片、器件晶圓外延層和器件晶圓體襯底，所述的器件晶圓外延層處于載片和器件晶圓體襯底之間； 步驟二，對(duì)器件晶圓背面研磨，減薄器件晶圓體襯底的厚度； 步驟三，對(duì)器件晶圓進(jìn)行退火； 步驟四，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第一次濕法蝕刻，再次減薄器件晶圓體襯底的厚度； 步驟五，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第二次濕法蝕刻，刻蝕掉剩余器件晶圓體襯底； 步驟六，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第三次濕法蝕刻，將器件晶圓減薄至要求厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決晶圓破片的方法，其特征是:所述的步驟三中的退火過程在惰性氣體中完成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種解決晶圓破片的方法，其特征是:所述的退火過程在氬氣中完成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種解決晶圓破片的方法，其特征是:所述的退火溫度為400°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種解決晶圓破片的方法，其特征是:所述的退火時(shí)間為I 3小時(shí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種解決晶圓破片的方法，其特征是:所述的退火時(shí)間為2小時(shí)。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種解決晶圓破片的方法，包括以下步驟步驟一，將器件晶圓與載片進(jìn)行鍵合，鍵合后器件晶圓外延層處于載片和器件晶圓體襯底之間；步驟二，對(duì)器件晶圓背面研磨，減薄器件晶圓體襯底的厚度；步驟三，對(duì)器件晶圓進(jìn)行退火；步驟四，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第一次濕法蝕刻，再次減薄器件晶圓體襯底的厚度；步驟五，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第二次濕法蝕刻，刻蝕掉剩余器件晶圓體襯底；步驟六，對(duì)器件晶圓進(jìn)行第三次濕法蝕刻，將器件晶圓減薄至要求厚度。本發(fā)明的有益效果是在對(duì)晶圓背面進(jìn)行研磨后對(duì)其增加一步退火處理，能有效地減少晶圓減薄過程中產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，減少破片幾率，增加成品率。
文檔編號(hào)H01L21/304GK103094098SQ20131001195
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2013年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月14日
發(fā)明者李平 申請(qǐng)人:陸偉