專利名稱：半導體晶片太陽能電池、太陽能模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體晶片太陽能電池及其制造方法。此外，本發(fā)明還涉及一種太陽能模塊，所述太陽能模塊包括所述半導體晶片太陽能電池。
本發(fā)明特別是涉及一種具有表面鈍化的背面的半導體晶片太陽能電池。這種太陽能電池具有由半導體材料制成的半導體晶片，所述半導體晶片具有用于光入射的正面和具有背面表面的背面，所述背面表面通過介電的鈍化被表面鈍化。在鈍化層上設置包括燒結(jié)的金屬顆粒的背面金屬電極結(jié)構(gòu)。背面金屬電極結(jié)構(gòu)經(jīng)由多個局部的接觸區(qū)域電接通半導體晶片的半導體材料。接觸區(qū)域構(gòu)造成鈍化層的開口并占據(jù)總體上小于背面表面的5%、優(yōu)選地小于背面表面的2%的電接觸面。
背景技術(shù)：
半導體晶片太陽能電池也稱為(鈍化發(fā)射極和背面太陽能電池)PERC電池。為了形成這種太陽能電池的位置受限的電接觸區(qū)域已知有許多不同的方法。這些方法特別是包括LFC (激光燒結(jié)技術(shù))，其中首先沉積設置整面的鈍化層，接著在鈍化層上通過絲網(wǎng)印刷施加背面金屬電極結(jié)構(gòu)。在對電極結(jié)構(gòu)進行灼燒之后，借助于激光向?qū)咏M中“射入”電接觸區(qū)域。就是說，激光射束使材料局部熔化，從而背面金屬電極結(jié)構(gòu)穿過鈍化層與晶片的半導體結(jié)構(gòu)發(fā)生電接觸。另一種可能性在于，通過激光燒蝕在整面地沉積設置鈍化層之后在確定的位置局部地重新除去鈍化層，接著可以施加背面金屬電極結(jié)構(gòu)并進行灼燒。
在確定的位置打開的鈍化層也可以通過濕化學工藝來實現(xiàn)。為此，將整面的鈍化層例如通過噴射法設置掩膜，所述掩膜具有確定的開口。接著，通過所述開口以濕化學方式除去鈍化層，并在結(jié)束時處于所施加的掩膜。接著在設有開口的鈍化層上施加背面金屬電極結(jié)構(gòu)，并用高溫對金屬顆粒進行處理，以實現(xiàn)燒結(jié)。
如果由這種半導體晶片太陽能電池構(gòu)成太陽能模塊，則通常在太陽能模塊的背面上在太陽能電池和背面的背面包封膜之間設置嵌入材料。太陽能電池、包封膜和嵌入材料在層壓處理中受到升高的壓力和溫度。這里通常會出現(xiàn)嵌入材料的熔化和交聯(lián)，從而嵌入材料與半導體晶片太陽能電池的背面形成穩(wěn)定的復合體。
半導體晶片太陽能電池的通過絲網(wǎng)印刷由含金屬的膏狀物形成的背面金屬電極結(jié)構(gòu)由于其由燒結(jié)金屬顆粒組成的結(jié)構(gòu)通常具有一定的多孔性。
在這種背面金屬電極結(jié)構(gòu)中會出現(xiàn)這樣的問題，即背面金屬電極結(jié)構(gòu)的導電性隨著時間會變差，這會導致太陽能電池功率的降低?？紤]到太陽能模塊通常有二十年的保修時間，所以這是不可接受的。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種具有表面鈍化的背面的半導體晶片太陽能電池，所述半導體晶片太陽能電池具有背面電極結(jié)構(gòu)，所述背面電極結(jié)構(gòu)的導電性長期保持不會變差或不會明顯變差。
所述目的通過按權(quán)利要求1的半導體晶片太陽能電池和根據(jù)權(quán)利要求13的用于制造半導體晶片太陽能電池的方法來實現(xiàn)。
在各從屬權(quán)利要求中提供了優(yōu)選的實施方式。
根據(jù)本發(fā)明，半導體晶片太陽能電池具有保護層，所述保護層施加在背面金屬電極結(jié)構(gòu)上。就是說，根據(jù)本發(fā)明的半導體晶片太陽能電池具有從光入射的正面出發(fā)觀察這樣的層序列:半導體晶片、鈍化層、背面金屬電極結(jié)構(gòu)和保護層。除了所述的各層之外，當然也可以存在其它的層，如設置在正面上的防反射層或另外的鈍化層。通過在半導體晶片太陽能電池的為了層壓而設有背面包封結(jié)構(gòu)的側(cè)面上施加保護層，一方面，防止了背面包封材料在太陽能模塊的制造期間滲入。由此，避免了在長的使用時間中出現(xiàn)的機械應力和背面金屬電極結(jié)構(gòu)的導電性惡化，所述應力和惡化可能由于所述滲入而出現(xiàn)。另一方面，保護層提供保護，以避免濕氣的影響，所述濕氣在長期使用中擴散到模塊中，引起背面金屬電極結(jié)構(gòu)的腐蝕，這例如導致了背面金屬電極結(jié)構(gòu)的橫向?qū)щ娦缘膼夯?。保護層不僅用于保護太陽能電池，而且還附加地或可選地用于提高太陽能電池的穩(wěn)定性。在后一種情況下，保護層不是真正意義上的保護層，而是穩(wěn)定層，就是說，是另一種形式的保護層，這種保護層保護太陽能電池結(jié)構(gòu)，防止出現(xiàn)不穩(wěn)定，例如斷裂、機械損傷和類似情況。因此保護層或穩(wěn)定層在繼續(xù)加工成太陽能模塊時或在運輸期間對太陽能電池起穩(wěn)定作用。
在一個優(yōu)選的實施方式中，保護層的厚度在2至20 μ m、優(yōu)選地在5至10 μ m的范圍內(nèi)。就是說，保護層可以是較薄的。這樣，通過附加的層導致的成本可以保持較低。保護層特別是對于薄的晶片提供了穩(wěn)定化效果。薄的晶片在本發(fā)明的范圍內(nèi)包括具有厚度在50至300 μ m、優(yōu)選地在100至200 μ m的范圍內(nèi)的晶片。
保護層的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選地與背面金屬電極結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)處于相同的范圍。由此避免了特別是在熱交變時，如在制造太陽能模塊時出現(xiàn)的熱交變時出現(xiàn)的高的機械應力。保護層的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選在2至20.10_6/Κ、優(yōu)選地在5至15.10_6/Κ的范圍內(nèi)。熱膨脹系數(shù)的測量借助于膨脹計(例如按 DIN53752:1980、DIN51045-2:2007、IS011359- (1-3))來進行。
在一個優(yōu)選的實施方式中，保護層構(gòu)造成層疊。這一方面使得具有與背面金屬電極結(jié)構(gòu)類似的熱膨脹系數(shù)的層可以設置在背面金屬電極結(jié)構(gòu)上，而層疊的另一個層例如具有與制造太陽能模塊所需的背面包封結(jié)構(gòu)材料良好地附著。
保護層優(yōu)選地包括這樣的材料，所述材料選自包括熱固塑料、聚酰胺、聚鄰苯二甲酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙稀、聚醚酰亞胺、硫化聚苯醚、聚醚酮、聚酰亞胺和它們的組合的組。組合既包括層中的材料混合物，也包括相互重疊設置的由不同材料構(gòu)成的層。這些材料同時符合對于保護層的在希望的熱膨脹系數(shù)和在背面金屬電極結(jié)構(gòu)和太陽能模塊制造所需的背面包封結(jié)構(gòu)材料上的附著能力方面的要求。
保護層優(yōu)選地包括選自包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺6和其組合的組中的材料。
在一個優(yōu)選的實施方式中，保護層包括玻璃纖維和/或碳纖維。就是說，保護層是機械強化的。強化材料進一步降低了由于背面金屬電極結(jié)構(gòu)材料和保護層材料的不同的熱膨脹系數(shù)可能出現(xiàn)的應力，并使得保護層具有更大的形狀穩(wěn)定性。
玻璃纖維和/或碳纖維的比例相對于保護層的所有材料優(yōu)選為最高80%體積百分比，優(yōu)選地為30至60 %體積百分比。
保護層優(yōu)選地具有硬化的聚合物。術(shù)語“硬化的聚合物”在本發(fā)明的范圍內(nèi)包括由單體制成的橫向交聯(lián)的聚合物，也包括由聚合物制成的橫向交聯(lián)的聚合物。就是說，表達方式“硬化的聚合物”是指橫向交聯(lián)的聚合物?？捎不木酆衔镌谖从不臓顟B(tài)下易于施力口，但在硬化之后相對于未硬化的聚合物具有較高的強度?？捎不木酆衔锏睦影峁趟芰虾途勐纫蚁?。熱固塑料的例子包括環(huán)氧樹脂或不飽和的聚酯樹脂(UP)。如果需要，可以給保護層的可硬化的材料添加硬化劑。
鈍化層優(yōu)選地構(gòu)造成薄層疊。所述薄層疊具有至少一個直接施加在半導體材料上的鈍化層。可選地，在所述鈍化層上設有一個或多個另外的層。作為構(gòu)造成薄層疊的鈍化層的一個優(yōu)選的變型方案，薄層疊具有增附劑層作為最上面的層。該最上面的層是設置在背面金屬電極結(jié)構(gòu)上的層。由于背面金屬電極結(jié)構(gòu)是多孔的，保護層可以通過背面金屬電極結(jié)構(gòu)的開放空隙的結(jié)構(gòu)與增附劑層接觸并構(gòu)成特別好的附著?？蛇x地，薄層疊具有導電的層作為最上面的層。此外可選地，薄層疊具有介電層作為最上面的層，例如氮化硅層或氮氧化硅層。
半導體晶片可以是P型或η型的基體。所述半導體材料優(yōu)選是硅。在帶有背面金屬電極結(jié)構(gòu)的局部的接觸區(qū)域上所述硅可以是摻雜的。
背面電極結(jié)構(gòu)包括金屬，優(yōu)選包括鋁，其中背面電極結(jié)構(gòu)由燒結(jié)的鋁顆粒構(gòu)成并構(gòu)造成具有一定的開放式的多孔性。
半導體晶片的正面可以以不同的方式設計。例如可以在半導體晶片的正面上設置正面電極結(jié)構(gòu)，所述正面電極結(jié)構(gòu)構(gòu)造成傳統(tǒng)的指狀電極結(jié)構(gòu)，所述指狀電極結(jié)構(gòu)具有垂直于指狀電極的延伸方向延伸的總線或焊盤。
在一個優(yōu)選的實施方式中，背面金屬電極結(jié)構(gòu)具有電池連接件接通部段(總線或焊盤)，保護層為電池連接件接通部段留出空隙。電池連接件接通部段設定為用于與其它的半導體晶片太陽能電池電連接并因此不應設有保護層，因為它應適于釬焊。
此外，本發(fā)明還涉及一種太陽能模塊，所述太陽能模塊具有一個正面包封層、多個根據(jù)本發(fā)明的相互電連接的半導體晶片太陽能電池和一個背面包封結(jié)構(gòu)。由于半導體晶片太陽能電池在背面金屬電極結(jié)構(gòu)和背面包封結(jié)構(gòu)之間具有保護層，實現(xiàn)了一種穩(wěn)定的太陽能模塊組合體。此外，保護層還防止背面包封結(jié)構(gòu)在制造太陽能模塊時進入背面包封結(jié)構(gòu)并防止由于背面金屬電極結(jié)構(gòu)與背面包封結(jié)構(gòu)不同的熱膨脹系數(shù)不同而出現(xiàn)剪切應力。由于在背面金屬電極結(jié)構(gòu)上具有保護層，還可以避免由于背面包封結(jié)構(gòu)材料的進入而導致背面金屬電極結(jié)構(gòu)的導電性的惡化。此外，保護層還防止?jié)駳獬趁娼饘匐姌O結(jié)構(gòu)的提前進入，所述濕氣長時間地擴散到太陽能模塊的包封結(jié)構(gòu)中。在燒結(jié)的金屬結(jié)構(gòu)上這會導致腐蝕效應，所述腐蝕效應會使背面金屬電極結(jié)構(gòu)的橫向?qū)щ娦悦黠@變差。
在一個優(yōu)選的實施方式中，背面包封結(jié)構(gòu)具有背面包封元件和嵌入聚合物，所述嵌入聚合物設置在背面包封元件和保護層之間并選自包括乙烯-醋酸乙烯酯、硅橡膠、聚乙烯丁醛、聚氨酯或聚丙烯酸酯的組。嵌入聚合物優(yōu)選地可以這樣選擇，以使得所述嵌入聚合物能夠良好地附著在保護層所采用的材料上。使用玻璃或塑料膜作為背面包封元件。塑料膜的一個例子是由TEDLAR⑧(美國Wilmington市，杜邦公司的注冊商標)支承的背面薄膜?？蛇x地，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯作為塑料膜。背面包封結(jié)構(gòu)的材料可以與正面包封層的材料相同或不同。正面包封層可以包括一層或多層。例如正面包封層可以包括一層乙烯-醋酸乙烯酯和一個玻璃層。
此外，本發(fā)明還涉及一種用于制造半導體晶片太陽能電池的方法，所述方法具有以下步驟:
提供半導體晶片太陽能電池，它具有:由半導體材料制成的半導體晶片，所述半導體晶片具有設置成用于光入射的正面和具有背面表面的背面，背面表面通過介電的鈍化層表面鈍化，其中在鈍化層上設置包括燒結(jié)的金屬顆粒的背面金屬電極結(jié)構(gòu)，并且背面金屬電極結(jié)構(gòu)通過多個局部的接觸區(qū)域與半導體晶片的半導體材料接通，所述接觸區(qū)域構(gòu)造成鈍化層的開口并且占據(jù)小于背面表面的5%、優(yōu)選地小于2%的電接觸面，以及
在背面金屬電極結(jié)構(gòu)上施加保護層。
在該方法中，優(yōu)選地提供了半導體晶片太陽能電池，所述半導體晶片太陽能電池具有半導體晶片、鈍化層和背面金屬電極結(jié)構(gòu)，所述背面金屬電極結(jié)構(gòu)與半導體晶片電接通。這種半導體晶片太陽能電池可以例如這樣來獲得:在半導體晶片上沉積設置鈍化層，然后在鈍化層上施加金屬膏狀物，并對整個結(jié)構(gòu)進行灼燒，在灼燒電極結(jié)構(gòu)之后借助于激光向?qū)咏M中“射入”電接觸區(qū)域，從而背面金屬電極結(jié)構(gòu)穿過鈍化層與晶片的半導體結(jié)構(gòu)發(fā)生電接觸。通過根據(jù)本發(fā)明的方法獲得一種設有保護層的半導體晶片太陽能電池，所述半導體晶片太陽能電池能夠與用于制造太陽能模塊的背面包封材料形成特別好的長時間穩(wěn)定的組合體。
向背面金屬電極結(jié)構(gòu)上施加保護層的步驟優(yōu)選地通過印刷、噴射、旋轉(zhuǎn)涂覆、浸潰或放置薄膜來執(zhí)行。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)所使用的保護層材料來選擇上面列舉的可選方案。保護層的材料可以以膏狀物、墨水、溶液或薄膜的形式施加到背面金屬電極結(jié)構(gòu)上，或者對于保持層疊的情況施加到層疊的已經(jīng)存在的保護層上。作為材料可以考慮采用前面結(jié)合太陽能電池的結(jié)構(gòu)提及的聚合物或其單體原材料。在這里為了避免重復，對于所述方法的實施明確地引用前面提及的關(guān)于保護層的組成和特性的其余參數(shù)。
在一個優(yōu)選的實施方式中，在向背面金屬電極結(jié)構(gòu)上施加保護層之后，對保護層執(zhí)行保護層的硬化步驟。當保護層具有可硬化的材料時執(zhí)行該步驟。
硬化優(yōu)選地通過利用IR和/或UV光進行照射來進行。可選地，保護層的待硬化的材料也可以添加硬化劑。


所述半導體晶片太陽能電池的其它優(yōu)點和特性根據(jù)下面說明的優(yōu)選實施方式來說明。
其中:
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的半導體晶片太陽能電池的部分橫向剖視圖；以及
圖2示意性地示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明的半導體晶片太陽能電池的方法。
附圖標記說明
10 半導體晶片太陽能電池
11 正面
12半導體晶片
14鈍化層
16背面金屬電極結(jié)構(gòu)
18保護層
19接觸區(qū)域
20制備太陽能電池
22施加保護層具體實施方式
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的半導體晶片太陽能電池10在其背面的區(qū)域中的部分橫向剖視圖。正面11構(gòu)成半導體晶片太陽能電池10的光入射側(cè)面。這里可以設置另外的層，例如這里未示出的正面電極結(jié)構(gòu)和防反射層。半導體晶片太陽能電池10具有半導體晶片12、設置在半導體晶片12上的鈍化層14、設置在鈍化層14上的背面金屬電極結(jié)構(gòu)16和設置在背面金屬電極結(jié)構(gòu)16上的保護層18。背面金屬電極結(jié)構(gòu)16通過多個局部的接觸區(qū)域19 (圖1中僅是舉例和示意性地、即不是符合真實尺寸地示出其中的兩個接觸區(qū)域)與半導體晶片12的半導體材料電接通，接觸區(qū)域19構(gòu)造成鈍化層14的開口。電接觸面小于背面表面的5%。保護層18作為背面金屬電極結(jié)構(gòu)16上的層這樣放置以使得保護層覆蓋背面金屬電極結(jié)構(gòu)。位于背面金屬電極結(jié)構(gòu)16中的電池連接件接通段(沒有示出)構(gòu)成在沒有覆蓋的位置，所述電池連接件接通段用于將半導體晶片太陽能電池10與其它半導體晶片太陽能電池連接。由于背面金屬電極結(jié)構(gòu)16的多孔結(jié)構(gòu)，保護層18的材料可能至少部分地滲入背面金屬電極結(jié)構(gòu)16中。但這種效果是否出現(xiàn)并且以何種程度出現(xiàn)取決于用于保護層18的材料的選擇和用于層壓太陽能模塊所選擇的參數(shù)。除了保護效果或附加于保護效果，保護層18還可以用于太陽能電池10的穩(wěn)定化。當半導體晶片12較薄，就是說，其厚度在50至300 μ m、優(yōu)選地在100至200 μ m的范圍內(nèi)時，這種效果是特別有利的。
圖2示意性地示出了用于制造在圖1中示出的半導體晶片太陽能電池的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法具有以下步驟:制備半導體晶片太陽能電池20并施加保護層22。在步驟20中制備的半導體晶片太陽能電池具有半導體晶片、設置在半導體晶片上的鈍化層和設置在鈍化層上的背面金屬電極結(jié)構(gòu)。背面金屬電極結(jié)構(gòu)通過設置在鈍化層中的接觸區(qū)域與半導體晶片電接通。在步驟22中 ，在背面金屬電極結(jié)構(gòu)上施加保護層，保護層優(yōu)選地這樣施加到背面金屬電極結(jié)構(gòu)上，以使得給在位于背面金屬電極結(jié)構(gòu)中的電池連接件接通段、例如總線或焊盤留出空缺，由此，電池連接件接通段露出，以用于與其它半導體晶片太陽能電池釬焊。保護層的施加可以通過印刷、噴射、旋涂、浸潰或放置薄膜來執(zhí)行。在向半導體晶片太陽能電池上施加保護層之后，在需要時，使保護層硬化。所述硬化例如通過IR和/或UV射線的照射來實現(xiàn)，并根據(jù)所使用的保護層材料來恰當?shù)剡x擇。
權(quán)利要求
1.一種半導體晶片太陽能電池(10)，具有表面鈍化的背面，所述半導體晶片太陽能電池包括由半導體材料制成的半導體晶片(12)，所述半導體晶片具有:設置成用于光入射的正面(11)和背面，所述背面具有背面表面，所述背面表面通過介電的鈍化層(14)表面鈍化，其中在鈍化層(14)上設置包括燒結(jié)的金屬顆粒的背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)，背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)通過多個局部的接觸區(qū)域(19)與半導體晶片(12)的半導體材料電接通，接觸區(qū)域(19)構(gòu)造成鈍化層(14)的開口并占據(jù)小于背面表面的5%、優(yōu)選小于2%的電接觸面，其特征在于，在背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)設置保護層(18)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，保護層(18)的厚度在2至20 μ m、優(yōu)選地在5至10 μ m的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，保護層(18)的熱膨脹系數(shù)與背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)的熱膨脹系數(shù)處于相同的范圍，優(yōu)選地在2至20.10_6/K、更優(yōu)選地在5至15.10_6/Κ的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)上述任一項權(quán)利要求所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，保護層(18)構(gòu)造成層疊。
5.根據(jù)上述任一項權(quán)利要求所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，保護層(18)包括這樣的材料，所述材料選自包括熱固塑料、聚酰胺、聚鄰苯二甲酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氯乙稀、聚醚酰亞胺、硫化聚苯醚、聚醚酮、聚酰亞胺和它們的組合的組。
6.根據(jù)上述任一項權(quán)利要求所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，保護層(18)包括選自包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺6和其組合的組中的材料。
7.根據(jù)上述任一項權(quán)利要求所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，保護層(18)包含玻璃纖維和/或碳纖維。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，玻璃纖維和/或碳纖維的比例相對于保護層(18)的所有材料為最高80%體積百分比，優(yōu)選為30至60%體積百分比。
9.根據(jù)上述任一項權(quán)利要求所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，保護層(18)具有硬化的聚合物。
10.根據(jù)上述任一項權(quán)利要求所述的半導體晶片太陽能電池(10)，其特征在于，背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)具有電池連接件接通部段，保護層(18)為電池連接件接通部段留出空隙。
11.一種太陽能模塊，具有正面包封層、多個相互電連接的根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項權(quán)利要求所述的半導體晶片太陽能電池和背面包封結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽能模塊，其特征在于，背面包封結(jié)構(gòu)具有背面包封元件和嵌入聚合物，所述嵌入聚合物設置在背面包封元件和保護層之間并選自包括乙烯-醋酸乙烯酯、硅橡膠、聚乙烯丁醛、聚氨酯或聚丙烯酸酯的組。
13.一種用于制造半導體晶片太陽能電池(10)的方法，所述方法具有以下步驟: 制備(20)半導體晶片太陽能電池，它具有:由半導體材料制成的半導體晶片(12)，所述半導體晶片具有設置成用于光入射的正面(11)和具有背面表面的背面，背面表面通過介電的鈍化層(14)表面鈍化，其中在鈍化層(14)上設置包括燒結(jié)的金屬顆粒的背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)， 并且背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)通過多個局部的接觸區(qū)域(19)與半導體晶片(12)的半導體材料接通，所述接觸區(qū)域(19)構(gòu)造成鈍化層(14)的開口并且占據(jù)小于背面表面的5%、優(yōu)選地小于2%的電接觸面，以及 在背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)上施加(22)保護層(18)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，保護層(18)的施加(22)通過印刷、噴射、旋涂、浸潰或放置薄膜來執(zhí)行。
15.根據(jù)權(quán)利要求 13或14所述的方法,其特征在于,在向背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)上施加(22)保護層(18)之后，執(zhí)行使保護層(18)硬化的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述硬化通過IR和/或UV光的照射來實現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體晶片太陽能電池(10)，具有表面鈍化的背面，所述半導體晶片太陽能電池包括由半導體材料制成的半導體晶片(12)，所述半導體晶片具有設置成用于光入射的正面(11)和背面，所述背面具有背面表面，所述背面表面通過介電的鈍化層(14)表面鈍化，其中在鈍化層(14)上設置包括燒結(jié)的金屬顆粒的背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)，背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)通過多個局部的接觸區(qū)域(19)與半導體晶片(12)的半導體材料電接通，接觸區(qū)域(19)構(gòu)造成鈍化層(14)的開口并占據(jù)小于背面表面的5％、優(yōu)選地小于2％的電接觸面，其特征在于，在背面金屬電極結(jié)構(gòu)(16)設置保護層(18)。本發(fā)明還涉及一種用于制造半導體晶片太陽能電池(10)的方法以及一種由所述半導體晶片太陽能電池(10)支承的太陽能模塊。
文檔編號H01L31/048GK103208548SQ20131001180
公開日2013年7月17日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月11日
發(fā)明者A·美特, M·霍夫曼, J·切斯拉克, H-C·普勞依基特 申請人:韓華Q.Cells有限公司