技術總結(jié)
一種圖案的形成方法，包括：提供半導體襯底；在襯底上形成包括多個等間距、平行排列第一線的第一圖案，第一圖案的孔距為最終形成圖案孔距的四倍；在第一線延伸方向的兩相對側(cè)壁形成第二線，其中，第二線的線寬等于第一線的線寬，第二線的材料與第一線的材料不同；在第二線與第一線相對且遠離第一線的側(cè)壁形成第三線，第三線的線寬與第一線的線寬相同；在第三線與第二線相對且遠離第二線的側(cè)壁外延生長形成第四線，第四線的線寬與第一線的線寬相同，第四線的材料與第三線的材料不同；去除第一線、第三線，最終形成的圖案包括第二線、第四線。第二線、第四線構(gòu)成的圖案具有均勻排列密度和較佳的線寬，以該圖案定義并形成的半導體器件性能良好。

技術研發(fā)人員：王新鵬
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201310009256
技術研發(fā)日：2013.01.10
技術公布日：2016.12.28